技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明是一種用以感測磁場的穿隧磁阻(TMR)裝置，包括：第一TMR感測器，由具有固定層及自由層的第一及第二磁性穿隧接面(MTJ)元件并聯(lián)而成。該第一及該第二MTJ元件的所述固定層具有處于第一固定方向上的固定磁矩；該第一及該第二MTJ元件的所述自由層具有分別平行和反平行于第一易軸的第一自由磁矩和第二自由磁矩。

技術(shù)研發(fā)人員：郭耿銘;王丁勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
文檔號(hào)碼：201510198664
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.24
技術(shù)公布日：2016.11.23