技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供能夠相對(duì)性地評(píng)價(jià)多個(gè)塊狀SiC單晶的晶格的應(yīng)變程度的方法以及該方法所使用的參照用SiC單晶。一種塊狀碳化硅單晶的評(píng)價(jià)方法，測(cè)定作為基準(zhǔn)的參照用碳化硅單晶的拉曼位移Rref，并且，測(cè)定作為評(píng)價(jià)對(duì)象的多個(gè)塊狀碳化硅單晶的各自的拉曼位移Rn，求出各拉曼位移Rn與上述拉曼位移Rref的差量，對(duì)該差量進(jìn)行相對(duì)比較，由此相對(duì)性地評(píng)價(jià)作為評(píng)價(jià)對(duì)象的多個(gè)塊狀碳化硅單晶的晶格的應(yīng)變大小。另外，該方法中使用的參照用碳化硅單晶，尺寸為5mm以上50mm以下見(jiàn)方且厚度為100μm以上2000μm以下，并且，表面粗糙度Ra為1nm以下，微管密度為1.0個(gè)/cm2以下，位錯(cuò)密度為5×103個(gè)/cm2以下。

技術(shù)研發(fā)人員：小島清;中林正史
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新日鐵住金高新材料株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201480079106
技術(shù)研發(fā)日：2014.05.30
技術(shù)公布日：2017.02.15