一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路，由主控制芯片、多斜率高壓發(fā)生器、限流電阻、采集電阻、采樣電路、限壓型元件MOV與開(kāi)關(guān)型元件GDT識(shí)別電路組成，其中多斜率高壓發(fā)生器又由低壓斜率形成電路、自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路所組成，輸出端為HV和GND,限流電阻的一端接HV，另一端接測(cè)試點(diǎn)A，采集電阻的一端接GND，另一端接測(cè)試點(diǎn)B，待測(cè)防雷元件接到測(cè)試點(diǎn)A、測(cè)試點(diǎn)B之間，本技術(shù)方案核心特征是待測(cè)防雷元件是限壓型元件MOV或開(kāi)關(guān)型元件GDT，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有測(cè)試通用性強(qiáng)、應(yīng)用面廣、測(cè)試效率高等優(yōu)點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路，進(jìn)一步涉及防雷元器件sro的測(cè)試電路。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著防雷技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)防雷元器件sro并不滿足于工廠及實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試。使用現(xiàn)場(chǎng)的測(cè)試要求越來(lái)越多，越來(lái)越要求儀器的小型化，多功能。
[0003]傳統(tǒng)的防雷元件一般都是單一功能，比如放電管⑶T (Gas Discharge Tube)測(cè)試儀，壓敏電阻MOV (Metal Oxide Varistor)測(cè)試儀,在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試中，要求儀器體積小、多功能(開(kāi)關(guān)型或限壓型都能測(cè)試)，由于現(xiàn)場(chǎng)防雷元器件sro裝在設(shè)備內(nèi)部，或者有塑膠盒封裝，不便拆卸，對(duì)應(yīng)儀器必須要有“黑盒BB (Black Box)”測(cè)試功能，能準(zhǔn)確測(cè)試出所測(cè)的防雷元器件sro屬于開(kāi)關(guān)型還是限壓型。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路。
[0005]一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路，由主控制芯片(I)、多斜率高壓發(fā)生器
(2)、限流電阻(3)、采集電阻(4)、采樣電路(5)、限壓型元件MOV與開(kāi)關(guān)型元件⑶T識(shí)別電路(6)組成，其中多斜率高壓發(fā)生器(2)又由低壓斜率形成電路(7)、自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路(8 )所組成，主控制芯片(I)接口 +V、P1、P2、P3、P4、P5、GND與低壓斜率形成電路(7)對(duì)應(yīng)的端口相連接(見(jiàn)圖2);主控制芯片(I)與限壓型元件MOV與開(kāi)關(guān)型元件⑶T識(shí)別電路(6)中的0.1V/1V端口、GND端口、壓敏0.1mA/ImA中斷信號(hào)的端口、放電管擊穿中斷信號(hào)的端口相連接；輸出端為HV和GND，限流電阻(3)的一端接HV，另一端接測(cè)試點(diǎn)A，采集電阻(4)的一端接GND，另一端接測(cè)試點(diǎn)B，待測(cè)防雷元件(9)接到測(cè)試點(diǎn)A、測(cè)試點(diǎn)B之間，采樣電路(5)采樣采集電阻(4)上的電壓，再經(jīng)限壓型元件MOV與開(kāi)關(guān)型元件GDT識(shí)別電路(6)自動(dòng)識(shí)別待測(cè)防雷元件(9)是限壓型元件還是開(kāi)關(guān)型元件。
[0006]所述的一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路，接到測(cè)試點(diǎn)A與測(cè)試點(diǎn)B之間的待測(cè)防雷元件(9)是限壓型元件MOV或開(kāi)關(guān)型元件GDT。
[0007]所述的一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路，其特征是多斜率高壓發(fā)生器
(2)由低壓斜率形成電路(7)和自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路(8)所組成，所述的低壓斜率形成電路(7)由R1、R2、R3、R4、C1構(gòu)成RC充電回路，R5為運(yùn)放跟隨器Al的輸入電阻；自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路(8)中Q4、Q5、C2及升壓變壓器T構(gòu)成典型的自激多諧振蕩器，R12為啟動(dòng)電阻，C3、D2、D3、C4構(gòu)成2倍壓整流電路。
[0008]本技術(shù)方案核心特征是待測(cè)防雷元件是限壓型元件MOV或開(kāi)關(guān)型元件GDT，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有測(cè)試通用性強(qiáng)、應(yīng)用面廣、測(cè)試效率高等優(yōu)點(diǎn)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型總電路圖。
[0010]圖2是本實(shí)用新型多斜率高壓發(fā)生器電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]現(xiàn)結(jié)合附圖和實(shí)例對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0012]圖2是多斜率高壓發(fā)生器(2)，圖中主控制芯片接口的定義:P1為0.75UlmA信號(hào)，P2為上升斜率1，P3為上升斜率2，P4為0.1mA/lmA中斷信號(hào)，P5為放電管中斷信號(hào)，+V為電源正極，GND為電源地。多斜率高壓發(fā)生器(2)包括低壓斜率形成電路(7)和自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路(8)。低壓斜率形成電路，由R1、R2、R3、R4、C1構(gòu)成RC充電回路，R5為運(yùn)放跟隨器Al的輸入電阻，當(dāng)Pl置0，+V經(jīng)過(guò)R1、R2、R3、R4對(duì)Cl充電，Al電流放大后在Q3發(fā)射極形成低壓斜率電壓。P2、P3控制R1、R2的接通可改變回路的充電電阻，根據(jù)公式T=L 2RC即可得到不同斜率的電壓波形；自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路(8)中Q4、Q5、C2及升壓變壓器T構(gòu)成典型的自激多諧振蕩器，R12為啟動(dòng)電阻，C3、D2、D3、C4構(gòu)成2倍壓整流電路。控制P1、P4即可在高壓輸出端得到不同斜率的高電壓。
[0013]高壓輸入HV通過(guò)限流電阻(3)到測(cè)試點(diǎn)A，測(cè)試點(diǎn)B與GND串入采集電阻(4)，限流電阻(3)的阻值為10K，采集電阻的阻值為1K，當(dāng)HV緩慢升高，在采集電阻(4)兩端，也就是采集測(cè)試點(diǎn)B的電壓VB，VB=1K*0.1mA=0.1V時(shí)，此時(shí)對(duì)應(yīng)輸出端電壓就是V0.1mA電壓；采集電阻(4)為1K，電流為ImA時(shí)，VB=lK*lmA=lV，此時(shí)對(duì)應(yīng)輸出端電壓就是VlmA電壓。當(dāng)VB瞬間電壓大于等于2V時(shí)，此前對(duì)應(yīng)輸出端最高點(diǎn)電壓就是開(kāi)關(guān)型元件GDT的擊穿電壓，此電壓用峰值保存器保存。自動(dòng)判斷限壓型元件MOV與開(kāi)關(guān)型元件GDT的關(guān)鍵點(diǎn)是在擊穿瞬間VB點(diǎn)的電壓，電壓比較通過(guò)A2、A3兩個(gè)或多個(gè)比較器來(lái)完成。
【權(quán)利要求】
1.一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路，其特征是，由主控制芯片(I)、多斜率高壓發(fā)生器(2)、限流電阻(3)、采集電阻(4)、采樣電路(5)、限壓型元件MOV與開(kāi)關(guān)型元件GDT識(shí)別電路(6)組成，其中多斜率高壓發(fā)生器(2)又由低壓斜率形成電路(7)、自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路(8 )所組成，主控制芯片(I)接口 +V、P1、P2、P3、P4、P5、GND與低壓斜率形成電路(7)對(duì)應(yīng)的端口相連接；主控制芯片(I)與限壓型元件MOV與開(kāi)關(guān)型元件⑶T識(shí)別電路(6)中的0.1V/1V端口、GND端口、壓敏0.1mA/ImA中斷信號(hào)的端口、放電管擊穿中斷信號(hào)的端口相連接；輸出端為HV和GND，限流電阻(3)的一端接HV，另一端接測(cè)試點(diǎn)A，采集電阻(4)的一端接GND，另一端接測(cè)試點(diǎn)B，待測(cè)防雷元件(9)接到測(cè)試點(diǎn)A、測(cè)試點(diǎn)B之間，采樣電路(5)采樣采集電阻(4)上的電壓，再經(jīng)限壓型元件MOV與開(kāi)關(guān)型元件GDT識(shí)別電路(6)自動(dòng)識(shí)別待測(cè)防雷元件(9)是限壓型元件還是開(kāi)關(guān)型元件。
2.如權(quán)利要求1所述的一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路，其特征是接到測(cè)試點(diǎn)A與測(cè)試點(diǎn)B之間的待測(cè)防雷元件(9)是限壓型元件MOV或開(kāi)關(guān)型元件GDT。
3.如權(quán)利要求1所述的一種可測(cè)開(kāi)關(guān)型或限壓型防雷元件的電路，其特征是多斜率高壓發(fā)生器(2 )由低壓斜率形成電路(7 )和自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路(8 )所組成，所述的低壓斜率形成電路(7)由R1、R2、R3、R4、C1構(gòu)成RC充電回路，R5為運(yùn)放跟隨器Al的輸入電阻；自激多諧振蕩器升壓及倍壓整流電路(8)中Q4、Q5、C2及升壓變壓器T構(gòu)成典型的自激多諧振蕩器，R12為啟動(dòng)電阻，C3、D2、D3、C4構(gòu)成2倍壓整流電路。
【文檔編號(hào)】G01R31/00GK203965531SQ201420126697
【公開(kāi)日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月19日
【發(fā)明者】楊直文 申請(qǐng)人:深圳市科威電子測(cè)試有限公司