檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的方法和封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的方法和封裝結(jié)構(gòu)，該方法包括：在待檢測(cè)的背板上形成金屬電極圖形；在形成有金屬電極圖形的背板上形成鈣膜；將形成有金屬電極圖形和鈣膜的背板作為隔板阻隔干燥室和潮濕室；通過(guò)所述金屬電極圖形測(cè)量鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定背板的水氧透過(guò)率。本發(fā)明中，將鈣膜設(shè)置在待檢測(cè)的背板上，將整個(gè)背板作為阻隔干燥室和潮濕室的隔板進(jìn)行水氧透過(guò)率的檢測(cè)，相比與現(xiàn)有技術(shù)中僅檢測(cè)背板封裝材料的方式，能夠更真實(shí)反映需要保護(hù)的器件所面臨的真實(shí)環(huán)境，提高了背板水氧透過(guò)率檢測(cè)的精確度。再一方面，將檢測(cè)導(dǎo)電率用的電極制作在待檢測(cè)的背板上，能夠降低檢測(cè)的難度。
【專利說(shuō)明】檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的方法和封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及檢測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的方法和封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Device,0LED)由于具有輕薄，高亮度、響應(yīng)快、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域。研究表明，環(huán)境中的水氧對(duì)0LED的壽命有很大的影響，其原因主要有:1、水氧容易與低功函的陰極金屬(如鋁、鎂、鈣)反應(yīng)；2、水氧與有機(jī)材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。因此對(duì)0LED進(jìn)行有效封裝，有效阻隔大氣中的水汽與器件的各功能層接觸，就能延長(zhǎng)器件壽命。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)0LED背板的水氧透過(guò)率檢測(cè)時(shí)，一般是檢測(cè)背板中的水汽阻隔層能力或者封裝材料的水汽透過(guò)率(Water Vapor Transmiss1n Rate, WVTR(g/m2/day))。具體的水汽透過(guò)率測(cè)試方法包括稱重法、鈣膜腐蝕法、濕度傳感器法，氦質(zhì)譜檢漏法和放射性同位素法等，其原理基本上都是將待測(cè)樣品制備成薄膜，由樣品薄膜將腔室隔成兩部分。如圖1所示，為鈣膜腐蝕法進(jìn)行水氧透過(guò)率檢測(cè)的示意圖:將待檢測(cè)樣品薄膜1作為隔板阻隔在干燥室R1和已知特定溫濕度的潮濕室R2，待測(cè)薄膜兩側(cè)因水汽含量不同，形成濕度梯度，水汽由潮濕室經(jīng)擴(kuò)散進(jìn)入干燥室，最終導(dǎo)致玻璃臺(tái)2上的鈣膜3被腐蝕，通過(guò)電極4測(cè)量鈣膜的導(dǎo)電率變化能夠確定水汽的透過(guò)率。對(duì)于0LED器件，WVTR的值一般要求達(dá)到l*lCT6g/m2/day ο
[0004]這種測(cè)試方法需要將待測(cè)的樣品制備成薄膜，得到的結(jié)果是材料本身的水汽透過(guò)率性能。但是它不能反映0LED器件實(shí)際的水汽透過(guò)率，因?yàn)閷?shí)際封裝時(shí)，背板(backplane)上有復(fù)雜的金屬排線和拐角，在這些地方容易出現(xiàn)封接不良。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種提高水氧透過(guò)率檢測(cè)精度的方法和封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的方法，包括:
[0007]在待檢測(cè)的背板上形成金屬電極圖形；
[0008]在形成有所述金屬電極圖形的背板上形成鈣膜；
[0009]將形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板作為隔板阻隔干燥室和潮濕室；
[0010]通過(guò)所述金屬電極圖形測(cè)量所述鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定所述背板的水氧透過(guò)率。
[0011]進(jìn)一步的，所述在形成有所述金屬電極圖形的背板上形成鈣膜包括:
[0012]形成覆蓋在所述金屬電極圖形上的絕緣層；
[0013]在形成的所述絕緣層上形成所述鈣膜；其中，所述絕緣層上形成有過(guò)孔，所述鈣膜通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬電極圖形相連。
[0014]進(jìn)一步的，所述金屬電極圖形包括多個(gè)獨(dú)立的電極，所述多個(gè)獨(dú)立的電極對(duì)應(yīng)形成在所述背板上的不同區(qū)域；
[0015]所述通過(guò)所述金屬電極圖形測(cè)量所述鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定所述背板的水氧透過(guò)率包括:
[0016]通過(guò)特定的獨(dú)立電極測(cè)量相應(yīng)區(qū)域的鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定該相應(yīng)區(qū)域的水氧透過(guò)率。
[0017]進(jìn)一步的，在形成所述鈣膜之后，將形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板作為隔板阻隔干燥室和潮濕室之前，所述方法還包括:
[0018]使用蓋板對(duì)形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板進(jìn)行封裝。
[0019]進(jìn)一步的，所述使用蓋板對(duì)形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板進(jìn)行封裝包括:
[0020]在形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板上涂覆封框膠；
[0021]將所述蓋板與背板進(jìn)行對(duì)盒，并使用激光照射所述封框膠，使所述封框膠固化。
[0022]進(jìn)一步的，所述在待檢測(cè)的背板上形成金屬電極圖形包括:
[0023]在待檢測(cè)的背板上形成緩沖層，在所述緩沖層上形成金屬電極圖形。
[0024]進(jìn)一步的，所述背板為太陽(yáng)能電池背板或者0LED器件的背板。
[0025]進(jìn)一步的，所述在待檢測(cè)的背板上形成金屬電極圖形，包括:
[0026]在待檢測(cè)的背板上沉積金屬層；
[0027]對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化工藝形成金屬電極圖形。
[0028]進(jìn)一步的，所述在形成有所述金屬電極圖形的背板上形成鈣膜包括:
[0029]在形成有所述金屬電極圖形的背板上通過(guò)蒸鍍的方式形成鈣膜。
[0030]一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的封裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0031]待檢測(cè)的背板；
[0032]形成在待檢測(cè)的背板上的金屬電極圖形；
[0033]形成在形成有所述金屬電極圖形的背板上的鈣膜。
[0034]進(jìn)一步的，還包括:
[0035]覆蓋在所述金屬電極圖形上的絕緣層；
[0036]所述鈣膜具體形成在所述絕緣層上；其中，所述絕緣層上形成有過(guò)孔，所述鈣膜通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬電極圖形相連。
[0037]進(jìn)一步的，所述金屬電極圖形包括多個(gè)獨(dú)立的電極，所述多個(gè)獨(dú)立的電極對(duì)應(yīng)形成在背板上的不同區(qū)域。
[0038]進(jìn)一步的，還包括:
[0039]對(duì)形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板進(jìn)行封裝的蓋板。
[0040]進(jìn)一步的，還包括:
[0041]設(shè)置在形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板和蓋板之間的封框膠。
[0042]進(jìn)一步的，還包括:
[0043]形成在待檢測(cè)的背板的緩沖層；所述金屬電極圖形成在所述緩沖層上。
[0044]進(jìn)一步的，所述背板為太陽(yáng)能電池背板或者0LED器件的背板。
[0045]本發(fā)明中，將鈣膜設(shè)置在待檢測(cè)的背板上，將整個(gè)背板作為阻隔干燥室和潮濕室的隔板進(jìn)行水氧透過(guò)率的檢測(cè)，相比與現(xiàn)有技術(shù)中僅檢測(cè)背板封裝材料的方式，能夠更真實(shí)反映需要保護(hù)的器件所面臨的真實(shí)環(huán)境，提高了背板水氧透過(guò)率檢測(cè)的精確度。再一方面，將檢測(cè)導(dǎo)電率用的電極制作在待檢測(cè)的背板上，能夠降低檢測(cè)的難度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0046]圖1為檢測(cè)水氧透過(guò)率的方法的示意圖；
[0047]圖2為本發(fā)明提供的一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的方法的流程示意圖；
[0048]圖3為經(jīng)圖2中的步驟S2后得到的背板的縱向截面示意圖；
[0049]圖4為經(jīng)圖2中的步驟S2后得到的背板的橫向界面的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0050]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0051]本發(fā)明提供了一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的方法，如圖2所示，包括:
[0052]步驟S1，在待檢測(cè)的背板上形成金屬電極圖形；
[0053]步驟S2，在形成有金屬電極圖形的背板上形成鈣膜；
[0054]步驟S3，將形成有金屬電極圖形和鈣膜的背板作為隔板阻隔干燥室和潮濕室；
[0055]步驟S4，通過(guò)所述金屬電極圖形測(cè)量鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定背板的水氧透過(guò)率。
[0056]本發(fā)明中，將鈣膜設(shè)置在待檢測(cè)的背板上，將整個(gè)背板作為阻隔干燥室和潮濕室的隔板進(jìn)行水氧透過(guò)率的檢測(cè)，相比與現(xiàn)有技術(shù)中僅檢測(cè)背板封裝材料的方式，能夠更真實(shí)反映需要保護(hù)的器件所面臨的真實(shí)環(huán)境，提高了背板水氧透過(guò)率檢測(cè)的精確度。再一方面，將檢測(cè)導(dǎo)電率用的電極制作在待檢測(cè)的背板上，能夠降低檢測(cè)的難度。
[0057]本發(fā)明提供的方法可用于對(duì)太陽(yáng)能電池背板或者0LED器件的背板的水氧透過(guò)率進(jìn)行檢測(cè)，以下僅以0LED器件的背板進(jìn)行說(shuō)明。不難理解，由于檢測(cè)水氧透過(guò)率的目的是檢測(cè)背板阻隔水氧的能力以避免水氧影響有機(jī)發(fā)光二極管的顯示，因此這里的0LED器件的背板是指0LED器件中尚未形成有機(jī)發(fā)光二極管(即未形成電極層和有機(jī)發(fā)光層)的背板。
[0058]在具體實(shí)施時(shí)，可以通過(guò)多種方式實(shí)施上述的各個(gè)步驟，比如對(duì)于步驟S1，可以通過(guò)圖案化工藝形成金屬電極圖形，具體的可以首先在背板上通過(guò)濺射的方式在沉積金屬層，然后在金屬層上涂覆光刻膠，之后采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，去除被曝光區(qū)域的光刻膠，之后使用刻蝕液對(duì)去除了光刻膠的區(qū)域的金屬進(jìn)行刻蝕，保留的金屬最終形成金屬電極圖形。
[0059]在實(shí)際應(yīng)用中，在背板與有機(jī)發(fā)光二極管之間，一般還會(huì)形成絕緣層，用于阻隔背板與有機(jī)發(fā)光二極管的電極，這部分絕緣層最終也會(huì)影響水氧的透過(guò)率。為了更真實(shí)的模擬這種環(huán)境，本發(fā)明實(shí)施例中，還可以在形成有金屬電極圖形的背板上形成覆蓋金屬電極圖形的絕緣層，并通過(guò)圖案化工藝形成過(guò)孔，之后在形成有過(guò)孔的鈣膜上形成鈣膜，鈣膜通過(guò)這些過(guò)孔連接到金屬電極圖形。
[0060]在一種可選實(shí)施方式中，上述的步驟S1可以包括:在待檢測(cè)的背板上形成緩沖層，在緩沖層上形成金屬電極圖形。這樣能夠?qū)⒔饘匐姌O圖形與背板中的金屬隔離，避免背板中的金屬影響導(dǎo)電梁的測(cè)量。不難理解的是，這里的緩沖層應(yīng)為絕緣層，且緩沖層應(yīng)該較為疏松，以避免影響過(guò)于增大背板的水氧透過(guò)率。這里的緩沖層具體可以為SiNx。
[0061]在具體實(shí)施時(shí)，形成的金屬電極圖形可以包括多個(gè)獨(dú)立的電極，多個(gè)獨(dú)立的電極對(duì)應(yīng)形成在背板上的不同區(qū)域。相應(yīng)的，在步驟S4中，可以通過(guò)特定的(兩個(gè))獨(dú)立電極測(cè)量?jī)蓚€(gè)獨(dú)立電極之間的區(qū)域的鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定該區(qū)域的水氧透過(guò)率。
[0062]對(duì)于步驟S2，可以通過(guò)蒸鍍的方式在形成有金屬電極圖形的背板上形成鈣膜。或者也可以通過(guò)其他方式形成鈣膜，在此不再詳細(xì)說(shuō)明。
[0063]進(jìn)一步的，在形成鈣膜之后，將形成有金屬電極圖形和鈣膜的背板作為隔板阻隔干燥室和潮濕室之前，所述方法還包括:
[0064]使用蓋板對(duì)形成有金屬電極圖形和鈣膜的背板進(jìn)行封裝。
[0065]具體的，在進(jìn)行封裝時(shí)，可以在形成有金屬電極圖形和鈣膜的背板上涂覆封框膠，之后蓋板與背板進(jìn)行對(duì)盒，并使用激光照射封框膠，使封框膠固化。當(dāng)然實(shí)際應(yīng)用中，也可以通過(guò)其他方式實(shí)現(xiàn)蓋板與背板的封裝，在此不再詳細(xì)說(shuō)明。
[0066]進(jìn)行封裝的好處是，能夠進(jìn)一步的真實(shí)模擬被保護(hù)的有機(jī)發(fā)光二極管所在的環(huán)境(封閉環(huán)境)，提聞檢測(cè)的效率。
[0067]如圖3或圖4所示，為經(jīng)步驟S2之后形成有鈣膜和金屬電極圖形的背板的示意圖，包括待檢測(cè)的背板5、形成在背板5上的緩沖層6、形成在緩沖層6之上的金屬電極圖形，該金屬電極圖形包括多個(gè)獨(dú)立的電極4，形成在電極4之上的絕緣層7，形成在絕緣層7上的鈣膜3，鈣膜3通過(guò)設(shè)置在絕緣層7上的過(guò)孔與電極4相連，在絕緣層7之上還形成有封框膠8，蓋板9通過(guò)封框膠8將待檢測(cè)的背板封裝。
[0068]步驟S3的具體實(shí)施過(guò)程可以參照現(xiàn)有技術(shù)，與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，現(xiàn)有技術(shù)中將封裝材料制作成薄膜作為干燥室與潮濕室之間的隔板，本發(fā)明實(shí)施例中，將形成有金屬電極圖形和鈣膜的背板作為隔板。
[0069]對(duì)于步驟S4，由于透過(guò)待檢測(cè)背板的水汽會(huì)與鈣膜如下反應(yīng)，Ca+2H20 — Ca(0H)2+H2。因此，可以按照如下公式計(jì)算相應(yīng)的水氧透過(guò)率WVTR (g/m2/day)=-K(d(l/R)/dt)*(SCa/S) ;1(是常數(shù)，d(l/R)/dt是鈣膜電導(dǎo)率變化速率，SCa是鈣膜的面積，S是與水蒸氣接觸的封框膠的面積。
[0070]在具體實(shí)施時(shí)，可以在240h內(nèi)連續(xù)不間斷的測(cè)量，得到電導(dǎo)率隨時(shí)間變化的曲線，根據(jù)該變化的曲線可以獲取任意兩個(gè)時(shí)間點(diǎn)之間的電導(dǎo)率的變化值。
[0071]本發(fā)明還提供了一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的封裝結(jié)構(gòu)，參考圖3和圖4，該封裝結(jié)構(gòu)可以包括:
[0072]包括待檢測(cè)的背板5、形成在背板5上的緩沖層6、形成在緩沖層6之上的金屬電極圖形，該金屬電極圖形包括多個(gè)獨(dú)立的電極4，形成在電極4之上的絕緣層7，形成在絕緣層7上的鈣膜3，鈣膜3通過(guò)設(shè)置在絕緣層7上的過(guò)孔與電極4相連，在絕緣層7之上還形成有封框膠8，蓋板9通過(guò)封框膠8將待檢測(cè)的背板5封裝。
[0073]本發(fā)明提供的檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的封裝結(jié)構(gòu)中，將鈣膜設(shè)置在待檢測(cè)的背板上，將整個(gè)背板作為阻隔干燥室和潮濕室的隔板進(jìn)行水氧透過(guò)率的檢測(cè)，相比與現(xiàn)有技術(shù)中僅檢測(cè)背板封裝材料的方式，能夠更真實(shí)反映需要保護(hù)的器件所面臨的真實(shí)環(huán)境，提高了背板水氧透過(guò)率檢測(cè)的精確度。在一方面，將檢測(cè)導(dǎo)電率用的電極制作在待檢測(cè)的背板上，能夠降低檢測(cè)的難度。
[0074]不難理解，在具體實(shí)施時(shí)，圖中的緩沖層6、絕緣層7、封框膠8和蓋板9均不是必須設(shè)置的結(jié)構(gòu)，沒有這些結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)也能夠一定程度上提高對(duì)背板的水氧透過(guò)率檢測(cè)的精度。并且金屬電極圖形也不必包括對(duì)應(yīng)于多個(gè)不同區(qū)域的多個(gè)獨(dú)立的電極，比如僅是金屬電極圖形僅包含位于特定區(qū)域的一對(duì)電極的金屬電極圖形也可以至少完成對(duì)該區(qū)域的水氧透過(guò)率檢測(cè)。圖示的結(jié)構(gòu)顯然不能理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。
[0075]本發(fā)明的描述是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無(wú)遺漏的或者將本發(fā)明限于所公開的形式。很多修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯然的。選擇和描述實(shí)施例是為了更好說(shuō)明本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的方法，其特征在于，包括: 在待檢測(cè)的背板上形成金屬電極圖形； 在形成有所述金屬電極圖形的背板上形成鈣膜； 將形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板作為隔板阻隔干燥室和潮濕室； 通過(guò)所述金屬電極圖形測(cè)量所述鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定所述背板的水氧透過(guò)率。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述金屬電極圖形的背板上形成鈣膜包括: 形成覆蓋在所述金屬電極圖形上的絕緣層； 在形成的所述絕緣層上形成所述鈣膜；其中，所述絕緣層上形成有過(guò)孔，所述鈣膜通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬電極圖形相連。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述金屬電極圖形包括多個(gè)獨(dú)立的電極，所述多個(gè)獨(dú)立的電極對(duì)應(yīng)形成在所述背板上的不同區(qū)域； 所述通過(guò)所述金屬電極圖形測(cè)量所述鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定所述背板的水氧透過(guò)率包括: 通過(guò)特定的獨(dú)立電極測(cè)量相應(yīng)區(qū)域的鈣膜的電導(dǎo)率的變化值，根據(jù)測(cè)量得到的變化值確定該相應(yīng)區(qū)域的水氧透過(guò)率。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述鈣膜之后，將形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板作為隔板阻隔干燥室和潮濕室之前，所述方法還包括: 使用蓋板對(duì)形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板進(jìn)行封裝。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述使用蓋板對(duì)形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板進(jìn)行封裝包括: 在形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板上涂覆封框膠； 將所述蓋板與背板進(jìn)行對(duì)盒，并使用激光照射所述封框膠，使所述封框膠固化。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在待檢測(cè)的背板上形成金屬電極圖形包括: 在待檢測(cè)的背板上形成緩沖層，在所述緩沖層上形成金屬電極圖形。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述背板為太陽(yáng)能電池背板或者OLED器件的背板。
8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在待檢測(cè)的背板上形成金屬電極圖形，包括: 在待檢測(cè)的背板上沉積金屬層； 對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化工藝形成金屬電極圖形。
9.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述金屬電極圖形的背板上形成鈣膜包括: 在形成有所述金屬電極圖形的背板上通過(guò)蒸鍍的方式形成鈣膜。
10.一種檢測(cè)背板水氧透過(guò)率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 待檢測(cè)的背板； 形成在待檢測(cè)的背板上的金屬電極圖形； 形成在形成有所述金屬電極圖形的背板上的鈣膜。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 覆蓋在所述金屬電極圖形上的絕緣層； 所述鈣膜具體形成在所述絕緣層上；其中，所述絕緣層上形成有過(guò)孔，所述鈣膜通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬電極圖形相連。
12.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬電極圖形包括多個(gè)獨(dú)立的電極，所述多個(gè)獨(dú)立的電極對(duì)應(yīng)形成在背板上的不同區(qū)域。
13.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 對(duì)形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板進(jìn)行封裝的蓋板。
14.如權(quán)利要求13所述的封住結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 設(shè)置在形成有所述金屬電極圖形和所述鈣膜的背板和蓋板之間的封框膠。
15.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 形成在待檢測(cè)的背板的緩沖層；所述金屬電極圖形成在所述緩沖層上。
16.如權(quán)利要求10-15任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述背板為太陽(yáng)能電池背板或者OLED器件的背板。
【文檔編號(hào)】G01N15/08GK104465622SQ201410746301
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月8日
【發(fā)明者】蔣志亮, 嵇鳳麗, 玄明花, 蓋人榮 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司