孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板的制作方法
【專利摘要】本實用新型屬于線路板技術領域，尤其涉及一種孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板。它解決了現(xiàn)有技術設計不合理等問題。本孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板包括板體，在板體上設有若干貫穿板體厚度方向的通孔，在每個通孔內分別設有導電層，在板體的背面還設有若干與所述的通孔一一連通的擴孔且擴孔孔徑不小于通孔的孔徑，所述的通孔與擴孔之間形成臺階，所述的板體包括若干層依次層疊的碳氫化合物陶瓷基板且相鄰的兩層碳氫化合物陶瓷基板之間通過半固化粘結片連接。本實用新型的優(yōu)點在于：能滿足線路高積成化、高運算速度、高頻率的要求，以及能夠提高阻抗的匹配精度和電磁性能。
【專利說明】
孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板
技術領域
[0001]本實用新型屬于線路板技術領域，尤其涉及一種孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板。
【背景技術】
[0002]隨著電子信息技術的快速發(fā)展，電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代不斷加快，電子產(chǎn)品的功能也越來越多，所以也要求線路板多功能化，如信號接收、傳輸、發(fā)射類射頻類線路板，現(xiàn)有大量使用的普通環(huán)氧樹脂玻璃布線路板由于介電常數(shù)和損耗的關系已經(jīng)不能滿足射頻類電子設備的制造。
[0003]即，現(xiàn)有的線路板其廣品性能不能滿足線路尚積成化、尚運算速度、尚頻率的要求，以及阻抗的匹配精度較低和較差的電磁性能，實用性較差。
[0004]因此，急需設計一款解決上述技術問題的線路板的背板。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型的目的是針對上述問題，提供一種能滿足線路高積成化、高運算速度、高頻率的要求，以及能夠提高阻抗的匹配精度和電磁性能的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板。
[0006]為達到上述目的，本實用新型采用了下列技術方案:本孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板包括板體，在板體上設有若干貫穿板體厚度方向的通孔，在每個通孔內分別設有導電層，在板體的背面還設有若干與所述的通孔一一連通的擴孔且擴孔孔徑不小于通孔的孔徑，所述的通孔與擴孔之間形成臺階，所述的板體包括若干層依次層疊的碳氫化合物陶瓷基板且相鄰的兩層碳氫化合物陶瓷基板之間通過半固化粘結片連接。
[0007]在上述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板中，所述的導電層為銅導電層。
[0008]在上述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板中，所述的通孔軸心線與擴孔軸心線重合。
[0009]在上述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板中，在最外側的碳氫化合物陶瓷基板上復合有銅材料層。
[0010]在上述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板中，所述的碳氫化合物陶瓷基板數(shù)量有至少十層以上。本實施例的碳氫化合物陶瓷基板數(shù)量最多為二十層。
[0011 ]在上述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板中，各層碳氫化合物陶瓷基板的外緣對齊。
[0012]與現(xiàn)有的技術相比，本孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板的優(yōu)點在于:1、采用背鉆技術；即在孔金屬化后，再用比孔徑大的鉆頭采用控深鉆的方法將無用之金屬化孔部分的孔壁銅去除。采用背鉆技術使高頻傳輸性能得到極大的改善，提高了阻抗的匹配精度和良好的電磁性能。2、結構簡單且易于制造。3、采用低介電常數(shù)的碳氫化合物陶瓷和相配套的半固化粘結材料，DK = 3.48。具有優(yōu)異的高頻性能、耐熱性、散熱性、尺寸穩(wěn)定性和可加機械工等特點。能滿足線路高積成化、高運算速度、高頻率的要求，廣泛使用在通訊基站、大型商用計算機、連接器等。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型提供的結構示意圖。
[0014]圖2是本實用新型提供的放大結構示意圖。
[0015]圖中，板體1、通孔la、導電層lb、擴孔lc、碳氫化合物陶瓷基板11、半固化粘結片
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【具體實施方式】
[0016]以下是實用新型的具體實施例并結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步的描述，但本實用新型并不限于這些實施例。
[0017]如圖1所示，本孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板包括板體I，在板體I上設有若干貫穿板體I厚度方向的通孔la，在每個通孔Ia內分別設有導電層lb，導電層Ib為銅導電層。
[0018]在板體I的背面還設有若干與所述的通孔Ia—一連通的擴孔Ic且擴孔Ic孔徑不小于通孔Ia的孔徑，所述的通孔Ia與擴孔Ic之間形成臺階，擴孔Ic的孔壁沒有導電層lb，大幅較小了陽抗干擾，通孔Ia軸心線與擴孔Ic軸心線重合。
[0019]具體地，如圖2所示，本實施例的板體I包括若干層依次層疊的碳氫化合物陶瓷基板11且相鄰的兩層碳氫化合物陶瓷基板11之間通過半固化粘結片12連接。
[0020]其次，在最外側的碳氫化合物陶瓷基板11上復合有銅材料層。碳氫化合物陶瓷基板11數(shù)量有至少十層以上。各層碳氫化合物陶瓷基板11的外緣對齊。
[0021]在本實施例中，采用背鉆技術;即在孔金屬化后，再用比孔徑大的鉆頭采用控深鉆的方法將無用之金屬化孔部分的孔壁銅去除。采用背鉆技術使高頻傳輸性能得到極大的改善，提高了阻抗的匹配精度和良好的電磁性能。
[0022]采用低介電常數(shù)的碳氫化合物陶瓷和相配套的半固化粘結材料，DK= 3.48。具有優(yōu)異的高頻性能、耐熱性、散熱性、尺寸穩(wěn)定性和可加機械工等特點。能滿足線路高積成化、高運算速度、高頻率的要求，廣泛使用在通訊基站、大型商用計算機、連接器等。
[0023]本文中所描述的具體實施例僅僅是對本實用新型精神作舉例說明。本實用新型所屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本實用新型的精神或者超越所附權利要求書所定義的范圍。
[0024]盡管本文較多地使用了板體1、通孔la、導電層lb、擴孔lc、碳氫化合物陶瓷基板U、半固化粘結片12等術語，但并不排除使用其它術語的可能性。使用這些術語僅僅是為了更方便地描述和解釋本實用新型的本質;把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實用新型精神相違背的。
【主權項】
1.一種孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板，包括板體(I)，其特征在于，所述的板體(I)上設有若干貫穿板體(I)厚度方向的通孔(Ia)，在每個通孔(Ia)內分別設有導電層(Ib)，在板體(I)的背面還設有若干與所述的通孔(Ia)—一連通的擴孔(Ic)且擴孔(Ic)孔徑不小于通孔(Ia)的孔徑，所述的通孔(Ia)與擴孔(Ic)之間形成臺階，所述的板體(I)包括若干層依次層疊的碳氫化合物陶瓷基板(11)且相鄰的兩層碳氫化合物陶瓷基板(11)之間通過半固化粘結片(12)連接。2.根據(jù)權利要求1所述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板，其特征在于，所述的導電層(Ib)為銅導電層。3.根據(jù)權利要求1所述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板，其特征在于，所述的通孔(Ia)軸心線與擴孔(Ic)軸心線重合。4.根據(jù)權利要求1所述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板，其特征在于，在最外側的碳氫化合物陶瓷基板(11)上復合有銅材料層。5.根據(jù)權利要求1所述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板，其特征在于，所述的碳氫化合物陶瓷基板(11)數(shù)量有至少十層以上。6.根據(jù)權利要求5所述的孔金屬化碳氫化合物陶瓷高頻多層背板，其特征在于，各層碳氫化合物陶瓷基板(11)的外緣對齊。
【文檔編號】H05K1/03GK205430783SQ201620280915
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年4月6日
【發(fā)明人】徐正保, 王德瑜
【申請人】浙江萬正電子科技有限公司