絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，包括第一金屬半環(huán)和第二金屬半環(huán)，第一金屬半環(huán)與第二金屬半環(huán)圍成圓環(huán)套接在棒形絕緣子的接地端，圓環(huán)通過引流線連接至泄露電流傳感器?？梢詫⒘鬟^絕緣子表面的泄露電流引出，可在運行電壓下將流過的絕緣子表面的泄露電流引出并傳輸至泄露電流傳感器。
【專利說明】絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種電氣化鐵路絕緣子在線檢測裝置，尤其涉及一種絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構。
【背景技術】
[0002]絕緣狀態(tài)在線監(jiān)測是電氣化鐵路接觸網(wǎng)狀態(tài)監(jiān)測與檢修的重要內(nèi)容。研究表明，流經(jīng)絕緣子表面的泄漏電流特征，如泄漏電流最大值、脈沖峰值、脈沖放電量及泄漏電流高頻分量等，真實地反映了污層的絕緣狀態(tài)，應用泄漏電流測量技術可以實現(xiàn)在線評估絕緣子外絕緣狀態(tài)的目的。泄漏電流在線測量系統(tǒng)正常工作的前提是通過一定的結構可穩(wěn)定地將流過絕緣子表面的泄漏電流引出，同時盡可能減少該引流結構對原有絕緣子工作狀態(tài)的影響。
[0003]絕緣子表面電導率采樣裝置通常在電氣化鐵路27.5kV接觸網(wǎng)棒形絕緣子末端使用，其作用是采集絕緣子表面的微弱泄露電流，然后再通過相關的計算轉換反饋給后臺，從而判斷電力牽引供電系統(tǒng)接觸網(wǎng)絕緣子的現(xiàn)場實際污穢度情況，進而做出相關的處理，避免復雜的人工巡視。
[0004]現(xiàn)有技術中還沒有一種能夠滿足泄露電流在線監(jiān)測的引流結構。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實用新型的目的是提供一種能夠滿足泄露電流在線監(jiān)測的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構。
[0006]本實用新型的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的:
[0007]本實用新型的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，包括第一金屬半環(huán)和第二金屬半環(huán)，所述第一金屬半環(huán)與第二金屬半環(huán)圍成圓環(huán)套接在棒形絕緣子的接地端，所述圓環(huán)通過引流線連接至泄露電流傳感器。
[0008]由上述本實用新型提供的技術方案可以看出，本實用新型實施例提供的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，由于包括第一金屬半環(huán)和第二金屬半環(huán)，第一金屬半環(huán)與第二金屬半環(huán)圍成圓環(huán)套接在棒形絕緣子的接地端，圓環(huán)通過引流線連接至泄露電流傳感器，可以將流過絕緣子表面的泄露電流引出，可在運行電壓下將流過的絕緣子表面的泄露電流引出并傳輸至泄露電流傳感器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型實施例提供的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構的結構示意圖。
[0010]圖2a為本實用新型中第一金屬半環(huán)和第二金屬半環(huán)的端面結構示意圖；
[0011]圖2b為本實用新型中第一金屬半環(huán)和第二金屬半環(huán)的側面結構示意圖?！揪唧w實施方式】
[0012]下面將對本實用新型實施例作進一步地詳細描述。
[0013]本實用新型的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，其較佳的【具體實施方式】是:
[0014]包括第一金屬半環(huán)和第二金屬半環(huán)，所述第一金屬半環(huán)與第二金屬半環(huán)圍成圓環(huán)套接在棒形絕緣子的接地端，所述圓環(huán)通過引流線連接至泄露電流傳感器。
[0015]所述圓環(huán)固定在所述棒形絕緣子最低端的絕緣傘片上，且與所述絕緣傘片的傘面緊密貼合。
[0016]所述圓環(huán)的內(nèi)徑227_、外徑為237_、高度為25_。具體尺寸可根據(jù)絕緣子自身
直徑進行調(diào)整。
[0017]所述第一金屬半環(huán)與第二金屬半環(huán)之間通過螺栓緊固閉合。
[0018]本實用新型的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，用于將流過絕緣子表面的泄露電流引出，可在運行電壓下將流過的絕緣子表面的泄露電流引出并傳輸至泄露電流傳感器。能夠滿足泄露電流在線監(jiān)測測量系統(tǒng)在長期運行條件下的電氣、機械、老化要求。
[0019]具體實施例:
[0020]如圖1、圖2a、圖2b所示，包括金屬材質(zhì)構成的引流結構主體(第一金屬半環(huán)I和第二金屬半環(huán)2)，引流結構主體由兩個半圓固定后呈閉合環(huán)狀，引流結構貼合在棒形絕緣子的底端表面，可將流過的絕緣子表面的泄露電流通過引流線引出。引流結構主體的兩個半圓通過固定螺栓3固定閉合。
[0021]以上所述，僅為本實用新型較佳的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本實用新型披露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，其特征在于，包括第一金屬半環(huán)和第二金屬半環(huán)，所述第一金屬半環(huán)與第二金屬半環(huán)圍成圓環(huán)套接在棒形絕緣子的接地端，所述圓環(huán)通過引流線連接至泄露電流傳感器。
2.根據(jù)權利要求1所述的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，其特征在于，所述圓環(huán)固定在所述棒形絕緣子最低端的絕緣傘片上，且與所述絕緣傘片的傘面緊密貼口 ο
3.根據(jù)權利要求2所述的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，其特征在于，所述圓環(huán)的內(nèi)徑227mm、外徑為237mm、高度為25mm。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的絕緣子表面電導率采樣裝置所用的引流結構，其特征在于，所述第一金屬半環(huán)與第二金屬半環(huán)之間通過螺栓緊固閉合。
【文檔編號】G01R19/15GK203587732SQ201320788181
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年12月3日 優(yōu)先權日:2013年12月3日
【發(fā)明者】蔣淵博, 馬文偉 申請人:中鐵第五勘察設計院集團有限公司