專利名稱：平膜硅壓阻式壓力傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種平膜硅壓阻式壓力傳感器。
背景技術(shù)：
平膜硅壓阻式壓力傳感器作為自動(dòng)化儀表和電子控制系統(tǒng)的重要部件，廣泛應(yīng)用于食品、醫(yī)藥、釀酒等衛(wèi)生型行業(yè)及測量介質(zhì)可能結(jié)垢的場合。傳統(tǒng)的平膜硅壓阻式壓力傳感器采用一體化結(jié)構(gòu)，油路管徑設(shè)計(jì)寬且長，加工難，充油腔體體積大，充注的硅油體積也大，壓力傳遞失真大，受溫度影響大，而且傳感器的量程不能做到很大。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種平膜硅壓阻式壓力傳感器。本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案本實(shí)用新型平膜硅壓阻式壓力傳感器，包括平膜進(jìn)壓頭、銷子、擴(kuò)散硅敏感芯片和底座，還包括隔離膜片，其中隔離膜片與平膜進(jìn)壓頭之間設(shè)置第一油路，所述銷子上設(shè)置一條沿著銷子圓柱體中心線的凹槽作為第二油路。所述擴(kuò)散硅敏感芯片與銷子之間還設(shè)置油槽。本實(shí)用新型與傳統(tǒng)的平膜硅壓阻式壓力傳感器的一體化油路設(shè)計(jì)相比，本實(shí)用新型不用直接在平膜進(jìn)壓頭(附圖1中部件3)內(nèi)腔打孔，而是采用了分立部件一銷子，將銷子點(diǎn)焊在平膜進(jìn)壓頭內(nèi)，降低了加工難度，減小了硅油的填充量，從而減少了硅油的損耗，進(jìn)而減少了成本、提高了可靠性、減小了受溫度的影響程度，而且傳感器量程可以做到很大。

圖1 :本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型平膜硅壓阻式壓力傳感器，包括平膜進(jìn)壓頭3、銷子4、擴(kuò)散硅敏感芯片7和底座8，還包括隔離膜片1，其中隔離膜片I與平膜進(jìn)壓頭3之間設(shè)置第一油路2，所述銷子4上設(shè)置一條沿著銷子4圓柱體中心線的凹槽作為第二油路5。所述擴(kuò)散硅敏感芯片7與銷子4之間還設(shè)置油槽6。平膜硅壓阻式壓力傳感器，采用擴(kuò)散硅敏感芯片(附圖1中元件7)作為測壓敏感元件，利用隔離膜片(附圖1中元件I)將硅油(附圖2中2、5、6中的填充物)封裝在不銹鋼殼體(附圖1中元件3和8)中。根據(jù)小變形理論，若硅油體積不發(fā)生變化，即硅油為不可壓縮的液體，那么，外界壓力將通過硅油無損耗的直接傳遞到擴(kuò)散硅敏感芯片上，不引起任何附加壓力變化(增加或減小)。但實(shí)際情況是硅油在外界壓力的作用下總是存在一定的體積變化，硅油的體積變化越小，傳遞到擴(kuò)散硅敏感芯片上的壓力的變化越小，隔離膜片的形變越小，平膜硅壓阻式壓力傳感器的可靠性越高。熱脹冷縮是物質(zhì)的一種基本性質(zhì)，物質(zhì)在一般狀態(tài)下，受熱以后會(huì)膨脹，受冷以后會(huì)縮小。硅油也有這樣的性質(zhì)。硅油的體積越大，受溫度影響后，硅油的體積變化越大，傳遞到擴(kuò)散硅敏感芯片上的壓力的變化越大，隔離膜片的形變越大，平膜硅壓阻式壓力傳感器的失真越大。由此可知，平膜硅壓阻式壓力傳感器的充油腔體體積越小越好，因此，油路設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。為此，設(shè)計(jì)了一種油路，它由油路①(附圖1中2)、油路②(附圖1中5)和油槽(附圖1中6)組成。它的關(guān)鍵部件是銷子(如附圖3所示)。銷子采用不銹鋼材料制作，可以很好的和同樣材質(zhì)的平膜進(jìn)壓頭焊接在一起。加工時(shí)，先加工圓柱體，然后采用線切割技術(shù)，在圓柱體表面加工出一條沿著圓柱體中心線的凹槽。將銷子、平膜進(jìn)壓頭、底座等部件(如附圖1)連接在一起，就形成了一種優(yōu)勢明顯的油路(如附圖2中2、5、6形成的通路)。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種平膜硅壓阻式壓力傳感器，包括平膜進(jìn)壓頭(3)、銷子(4)、擴(kuò)散硅敏感芯片(7) 和底座(8)，其特征在于還包括隔離膜片(1)，其中隔離膜片(I)與平膜進(jìn)壓頭(3)之間設(shè)置第一油路(2)，所述銷子(4)上設(shè)置一條沿著銷子(4)圓柱體中心線的凹槽作為第二油路 (5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平膜硅壓阻式壓力傳感器，其特征在于所述擴(kuò)散硅敏感芯片 (7)與銷子(4)之間還設(shè)置油槽(6)。
專利摘要本實(shí)用新型公布了一種平膜硅壓阻式壓力傳感器，包括平膜進(jìn)壓頭、銷子、擴(kuò)散硅敏感芯片和底座，還包括隔離膜片，其中隔離膜片與平膜進(jìn)壓頭之間設(shè)置第一油路，所述銷子上設(shè)置一條沿著銷子圓柱體中心線的凹槽作為第二油路。本實(shí)用新型降低了加工難度，減小了硅油的填充量，從而減少了硅油的損耗，進(jìn)而減少了成本、提高了可靠性、減小了受溫度的影響程度，而且傳感器量程可以做到很大。
文檔編號G01L9/06GK202886053SQ20122056792
公開日2013年4月17日 申請日期2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月31日
發(fā)明者高峰 申請人:南京盛業(yè)達(dá)電子有限公司