專利名稱：電容磨合式芯體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電容磨合式芯體。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)方案是電容式芯體，電容式芯體是制造壓力變送器的核心部件，作為一種高性能的壓力敏感元件，采用一體化結(jié)構(gòu)，耐靜壓值高，穩(wěn)定、可靠。但是現(xiàn)有的電容式芯體是一體化設(shè)計(jì)，引出的導(dǎo)線有一根是和殼體相連，對(duì)于外界的干擾影響很大而且安裝不方便，且量程不能做到很大。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種電容磨合式芯體。本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:本實(shí)用新型電容磨合式芯體，包括兩個(gè)對(duì)稱的電容磨合半橋，所述電容磨合半橋都包括底盤(pán)、壓環(huán)、底座和芯片，其中壓環(huán)設(shè)置于底盤(pán)端部，底座設(shè)置于底盤(pán)凹槽內(nèi)，芯片設(shè)置于底座中，芯片通過(guò)金絲與管腿相連，管腿穿過(guò)底座后通過(guò)導(dǎo)線與外部補(bǔ)償板連接。所述管腿與底座之間設(shè)置玻璃絕緣子。所述底座周邊設(shè)置O型圈。所述O型圈為丁氰或氟橡膠。本實(shí)用新型采用擴(kuò)散硅可以形成大量程的差壓測(cè)量，導(dǎo)線與殼體完全的隔離式使得傳感器受外界的干擾影響很小，且焊接比較方便。

圖1:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型電容磨合式芯體，包括兩個(gè)對(duì)稱的電容磨合半橋，所述電容磨合半橋都包括底盤(pán)3、壓環(huán)4、底座5和芯片8，其中壓環(huán)4設(shè)置于底盤(pán)3端部，底座5設(shè)置于底盤(pán)3凹槽內(nèi)，芯片8設(shè)置于底座5中，芯片8通過(guò)金絲9與管腿6相連，管腿6穿過(guò)底座5后通過(guò)導(dǎo)線與外部補(bǔ)償板I連接。所述管腿6與底座5之間設(shè)置玻璃絕緣子7。所述底座5周邊設(shè)置O型圈。所述O型圈為丁氰或氟橡膠。是將兩個(gè)電容磨合各取右半橋，通過(guò)導(dǎo)線做成一個(gè)芯體。電容磨合式芯體是將IL芯片(圖中的元件8)通過(guò)金絲(圖中的元件9)與管腿(圖中元件6)相連，管腿通過(guò)導(dǎo)線(圖中元件12、13、14、15)與外部補(bǔ)償板(圖中元件I)連接，再將底座與底盤(pán)(圖中元件3)用激光焊接機(jī)焊接到一起，然后將底盤(pán)、膜片(圖中元件11)和壓環(huán)(圖中元件4)通過(guò)焊接槽(圖中元件10)焊接起來(lái)，充油，外加壓力通過(guò)不銹鋼膜片(圖中的元件11)內(nèi)部密封的硅油傳遞到敏感芯片上，敏感芯片不直接接觸被測(cè)介質(zhì)，形成壓力測(cè)量的全固態(tài)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)差壓的精確測(cè)量，若兩邊壓力差相差不大，數(shù)據(jù)顯示在4mA左右，且很穩(wěn)定，如果相差太大，數(shù)據(jù)波動(dòng)也就大，可用于很多行業(yè)。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電容磨合式芯體，其特征在于包括兩個(gè)對(duì)稱的電容磨合半橋，所述電容磨合半橋都包括底盤(pán)(3)、壓環(huán)(4)、底座(5)和芯片(8)，其中壓環(huán)(4)設(shè)置于底盤(pán)(3)端部，底座(5)設(shè)置于底盤(pán)(3)凹槽內(nèi)，芯片(8)設(shè)置于底座(5)中，芯片(8)通過(guò)金絲(9)與管腿(6)相連，管腿(6)穿過(guò)底座(5)后通過(guò)導(dǎo)線與外部補(bǔ)償板(I)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容磨合式芯體，其特征在于所述管腿(6)與底座(5)之間設(shè)置玻璃絕緣子(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容磨合式芯體，其特征在于所述底座(5)周邊設(shè)置O型圈。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容磨合式芯體，其特征在于所述O型圈的材質(zhì)為丁氰或氟橡膠。
專利摘要本實(shí)用新型公布了一種電容磨合式芯體，包括兩個(gè)對(duì)稱的電容磨合半橋，所述電容磨合半橋都包括底盤(pán)、壓環(huán)、底座和芯片，其中壓環(huán)設(shè)置于底盤(pán)端部，底座設(shè)置于底盤(pán)凹槽內(nèi)，芯片設(shè)置于底座中，芯片通過(guò)金絲與管腿相連，管腿穿過(guò)底座后通過(guò)導(dǎo)線與外部補(bǔ)償板連接。本實(shí)用新型采用擴(kuò)散硅可以形成大量程的差壓測(cè)量，導(dǎo)線與殼體完全的隔離式使得傳感器受外界的干擾影響很小，且焊接比較方便。
文檔編號(hào)G01L13/06GK202974548SQ20122056792
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月31日
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