專利名稱：用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體開關(guān)尤其例如用于電壓和電流的整流器和逆變器，其中，通常將多個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)彼此電連接來實(shí)現(xiàn)變流器。半導(dǎo)體開關(guān)在此通常設(shè)置在襯底上，該襯底又直接或間接與冷卻體連接。在半導(dǎo)體開關(guān)、譬如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT :1nsulated Gate BipolarTransistor))或金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor))運(yùn)行時(shí),在接通和關(guān)斷半導(dǎo)體開關(guān)時(shí)在半導(dǎo)體開關(guān)中以熱形式出現(xiàn)損耗能量，該損耗能量導(dǎo)致半導(dǎo)體發(fā)熱。損耗能量在此基本上出現(xiàn)在半導(dǎo)體開關(guān)的所謂阻擋層并且導(dǎo)致其溫度上升。損耗能量在此基本上依賴于半導(dǎo)體開關(guān)接通和關(guān)斷的頻率以及在運(yùn)行中流經(jīng)半導(dǎo)體開關(guān)的電流和加在半導(dǎo)體開關(guān)上的電壓。如果在半導(dǎo)體開關(guān)運(yùn)行中，半導(dǎo)體開關(guān)的溫度尤其是其阻擋層溫度超過允許的邊界值，例如由于動(dòng)態(tài)或靜態(tài)過負(fù)載，則這可能導(dǎo)致故障并且在極端情況下導(dǎo)致半導(dǎo)體開關(guān)損毀。為了防止這種情況，在現(xiàn)有技術(shù)中已知的是，在設(shè)置在襯底上的半導(dǎo)體開關(guān)附近安置溫度傳感器并且測量襯底的溫度，半導(dǎo)體開關(guān)將其損耗能量傳送至該襯底并且由此該襯底發(fā)熱。如果所測量的襯底溫度超過預(yù)設(shè)置的邊界值，則關(guān)斷半導(dǎo)體開關(guān)。由于襯底的熱時(shí)間常數(shù)和最終導(dǎo)熱性，襯底的溫度相對(duì)時(shí)滯地跟隨半導(dǎo)體開關(guān)的溫度并且尤其是跟隨半導(dǎo)體開關(guān)的阻擋層的溫度。這種過程的缺點(diǎn)是，由于測量襯底的溫度而不測量半導(dǎo)體開關(guān)的溫度，所以半導(dǎo)體開關(guān)的快速溫度上升(其例如在動(dòng)態(tài)負(fù)載變換的情況下可能出現(xiàn))可能未被檢測到，并且因此盡管監(jiān)控襯底溫度但由于半導(dǎo)體開關(guān)的高溫度而可能出現(xiàn)半導(dǎo)體開關(guān)的故障或損毀。通常為了實(shí)現(xiàn)所需的耐壓強(qiáng)度或載流能力，必須將多個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)在電學(xué)上串聯(lián)和/或并聯(lián)，用于實(shí)現(xiàn)電學(xué)閥。為了使在電學(xué)閥的半導(dǎo)體開關(guān)之間盡可能小的接通延遲時(shí)間成為可能，在現(xiàn)有技術(shù)中已知了半導(dǎo)體開關(guān)譬如如下IGBT或M0SFET，其具有集成到半導(dǎo)體開關(guān)中的柵極電阻。在半導(dǎo)體開關(guān)中，通過將額外的摻雜半導(dǎo)體層施加到本來就存在的形成半導(dǎo)體開關(guān)的功能核心的層而產(chǎn)生歐姆柵極電阻，其通常具有數(shù)歐姆的值。為了實(shí)現(xiàn)集成到半導(dǎo)體開關(guān)中的柵極電阻，例如將硅烷(SiH4)沉積在絕緣體(Si02)上。在此在層中生長的聚合硅接著被摻雜。接著將金屬化物施加到被摻雜的聚合硅層上，金屬化物形成半導(dǎo)體開關(guān)的從外部能到達(dá)的柵極電阻端子。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是提出一種用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的方法和裝置，該方法使得高動(dòng)態(tài)地測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度成為可能。
該任務(wù)通過用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的方法來解決，該半導(dǎo)體開關(guān)具有集成的柵極電阻，該方法具有如下方法步驟-通過經(jīng)與半導(dǎo)體開關(guān)的柵極電阻端子連接的外部電阻提高半導(dǎo)體開關(guān)的柵極-發(fā)射極電壓來接通半導(dǎo)體開關(guān)，-測定在提高半導(dǎo)體開關(guān)的柵極-發(fā)射極電壓期間柵極-發(fā)射極電壓從第一電壓上升到第二電壓需要的持續(xù)時(shí)間，以及-借助所測定的持續(xù)時(shí)間來測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度。此外，該任務(wù)通過用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的設(shè)備來解決，該半導(dǎo)體開關(guān)具有集成的柵極電阻，該設(shè)備包括-操控電路，其構(gòu)建成用于通過經(jīng)與半導(dǎo)體開關(guān)的柵極電阻端子連接的外部電阻提高半導(dǎo)體開關(guān)的柵極-發(fā)射極電壓來接通半導(dǎo)體開關(guān)，-持續(xù)時(shí)間測定單元，其構(gòu)建成用于測定在提高半導(dǎo)體開關(guān)的柵極-發(fā)射極電壓期間柵極-發(fā)射極電壓從第一電壓上升到第二電壓需要的持續(xù)時(shí)間，以及-溫度測定單元，其構(gòu)建成用于借助所測定的持續(xù)時(shí)間來測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度。本發(fā)明的有利的改進(jìn)方案從從屬權(quán)利要求中得到。該方法的有利改進(jìn)方案類似該設(shè)備的有利的改進(jìn)方案地得到，反之亦然。此外，證明為有利的是，當(dāng)所測定的半導(dǎo)體開關(guān)的溫度達(dá)到或超過溫度邊界值，則進(jìn)行半導(dǎo)體的關(guān)斷。由此可以可靠地避免由于半導(dǎo)體開關(guān)溫度過高而引起的半導(dǎo)體開關(guān)的故障或損毀。此外，證明為有利的是，第二電壓在半導(dǎo)體開關(guān)的閾值電壓之下。當(dāng)?shù)诙妷涸诎雽?dǎo)體開關(guān)的所謂的閾值電壓之下，即在有顯著集電極電流流動(dòng)的閾值電壓之下時(shí)(即半導(dǎo)體開關(guān)開始過渡到導(dǎo)通(接通的)狀態(tài)中)，得以保證的是，用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的對(duì)持續(xù)時(shí)間的測定發(fā)生在所謂的米勒平臺(tái)之下，并且集電極-柵極電容對(duì)柵極-發(fā)射極電壓的變化曲線的反作用對(duì)持續(xù)時(shí)間的測定沒有影響。由此，使半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的特別精確的溫度測定成為可能。此外，證明為有利的是，半導(dǎo)體開關(guān)構(gòu)建為IGBT或M0SFET，這是因?yàn)镮GBT或MOSFET是商業(yè)上常見的半導(dǎo)體開關(guān)。此外，帶有根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的電路裝置證明為有利的，其中，該電路裝置具有如下半導(dǎo)體開關(guān)，該半導(dǎo)體開關(guān)具有集成的柵極電阻，其中，該設(shè)備的操控電路通過外部電阻與半導(dǎo)體開關(guān)的柵極電阻端子電連接，其中，持續(xù)時(shí)間測定單元與半導(dǎo)體開關(guān)的柵極電阻端子電連接。


本發(fā)明的實(shí)施例在附圖中示出并且以下更為詳細(xì)地予以闡述。其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的設(shè)備，該半導(dǎo)體開關(guān)具有集成的柵極電阻。圖2示出了在半導(dǎo)體開關(guān)接通時(shí)半導(dǎo)體開關(guān)的柵極-發(fā)射極電壓UeE的變化曲線。圖3示出了半導(dǎo)體開關(guān)的溫度特征曲線。
具體實(shí)施例方式在圖1中以電路框圖形式示出了根據(jù)本發(fā)明的用于測定半導(dǎo)體開關(guān)I的溫度T的設(shè)備13，該半導(dǎo)體開關(guān)具有集成到半導(dǎo)體開關(guān)I中的柵極電阻Reint。半導(dǎo)體開關(guān)I在實(shí)施例的范圍中構(gòu)建為IGBT并且具有從半導(dǎo)體開關(guān)I外部能到達(dá)的、用于使半導(dǎo)體開關(guān)I與外部電部件電連接的柵極電阻端子GA。借助集電極端子CA可以將半導(dǎo)體開關(guān)I的集電極C與外界電連接并且借助發(fā)射極端子EA可以將半導(dǎo)體開關(guān)I的發(fā)射極與外界電連接，其中，在實(shí)施例的范圍中發(fā)射極E與負(fù)載2電連接。半導(dǎo)體開關(guān)的由柵極G、發(fā)射極E和集電極C構(gòu)成的核心在圖1中以IGBT的電學(xué)符號(hào)形式示出。半導(dǎo)體開關(guān)I具有集成到半導(dǎo)體開關(guān)I中的歐姆柵極電阻Reint，其電連接在柵極電阻端子GA與柵極G之間。柵極電阻端子GA通過柵極電阻Reint與半導(dǎo)體開關(guān)I的柵極G電連接。如開頭在闡述現(xiàn)有技術(shù)時(shí)已描述的那樣，具有集成的柵極電阻Reint的半導(dǎo)體開關(guān)I是現(xiàn)有技術(shù)。在這些半導(dǎo)體開關(guān)中，通過將額外的摻雜的半導(dǎo)體層施加到本來就存在的形成半導(dǎo)體開關(guān)的功能核心的層上而產(chǎn)生歐姆柵極電阻，其通常具有數(shù)歐姆的值(例如10歐姆)。此外在柵極G與發(fā)射極E之間，寄生柵極-發(fā)射極電容CeE起作用。如果半導(dǎo)體開關(guān)I的柵極-發(fā)射器電壓UeE超過半導(dǎo)體開關(guān)I的所謂閾值電壓Us，則在半導(dǎo)體開關(guān)I的集電極K與發(fā)射極E之間的電阻強(qiáng)烈地下降并且集電極電流IC開始通過半導(dǎo)體開關(guān)I從集電極流向發(fā)射極并且從那里流向負(fù)載2。半導(dǎo)體開關(guān)的柵極-發(fā)射極電壓UeE在此在本發(fā)明的范圍中理解為柵極電阻端子GA關(guān)于半導(dǎo)體開關(guān)的發(fā)射極端子EA的電壓(參見圖1)。在柵極-發(fā)射極電壓UeE進(jìn)一步提高時(shí)，在集電極與發(fā)射極之間的電阻下降到最小。半導(dǎo)體開關(guān)I于是處于接通的狀態(tài)中。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備13具有操控電路3，該操控電路構(gòu)建成用于通過經(jīng)與半導(dǎo)體開關(guān)I的柵極電阻端子GA連接的外部電阻Rrart提高半導(dǎo)體開關(guān)I的柵極-發(fā)射極電壓UeE來接通半導(dǎo)體開關(guān)。術(shù)語“外部”在此在本發(fā)明的范圍中表示，電阻Rrart并不是半導(dǎo)體開關(guān)I的組成部分。操控電路3用于操控半導(dǎo)體開關(guān)1，并且相應(yīng)于由控制裝置10產(chǎn)生的脈沖狀的信號(hào)P而將半導(dǎo)體開關(guān)I接通和關(guān)斷。操控電路3具有電壓源11，該電壓源依賴于信號(hào)P產(chǎn)生控制電壓UT。操控電路3和尤其是電壓源11通過外部電阻Rext與半導(dǎo)體開關(guān)I的柵極電阻端子GA電連接。當(dāng)信號(hào)P具有“O”值，則控制電壓Ut具有負(fù)電壓Ua (參見圖2)。相應(yīng)地，在靜態(tài)狀態(tài)中，柵極-發(fā)射極電壓Uge具有負(fù)電壓Ua并且半導(dǎo)體開關(guān)I關(guān)斷，即在集電極C與發(fā)射極E之間的電阻為高阻。當(dāng)功率開關(guān)應(yīng)該接通時(shí)，則控制裝置10為信號(hào)P產(chǎn)生“I”值。在接收信號(hào)P的正邊沿的情況下，當(dāng)信號(hào)P從“O”到“I”時(shí)，控制電壓Ut從負(fù)電壓Ua跳變到正電壓Ue。由此，寄生柵極-發(fā)射極電容(^通過電串聯(lián)的外部電阻Rrait和集成的柵極電阻Reint被充電，直至在柵極-發(fā)射極-電容CeE存在電壓Ue。在此形成的關(guān)于時(shí)間t的柵極-發(fā)射極電壓Uge的變化曲線在圖2中示出?？刂蒲b置Ut從負(fù)電壓Ua切換到正電壓Ue的時(shí)刻、即信號(hào)P從“O”至IJ“l(fā)”的時(shí)刻是柵極-發(fā)射極電壓的提高的開始E并且由此是半導(dǎo)體開關(guān)I的接通過程的開始。在柵極-發(fā)射極電壓Uge的提高的開始E之后，柵極-發(fā)射極電壓Uge快速上升直至達(dá)到閾值電壓us。當(dāng)柵極-發(fā)射器電壓ueE超過閾值電壓隊(duì)時(shí)，則在半導(dǎo)體開關(guān)I的集電極K與發(fā)射極E之間的電阻強(qiáng)烈地下降并且集電極電流Ic開始通過半導(dǎo)體開關(guān)I從集電極流向發(fā)射極并且從那里流向負(fù)載2。通過為了清楚而在圖1中未示出的集電極-柵極電容的反作用，在柵極-發(fā)射極電壓Ura的變化曲線中形成所謂的米勒平臺(tái)M，在柵極-發(fā)射極電壓在米勒平臺(tái)M之后又更強(qiáng)烈地上升地達(dá)到正電壓Ue之前，在該米勒平臺(tái)M中柵極-發(fā)射極電壓Uge僅微弱上升，可能甚至有些下降。在開始E與達(dá)到閾值電壓Us之間的范圍中，柵極-發(fā)射極電壓Uge強(qiáng)烈依賴于集成的柵極電阻Reint的電阻。集成的電阻Reint的電阻越大，則在開始E與達(dá)到閾值電壓隊(duì)之間的范圍中柵極-發(fā)射極電壓Uge的變化曲線越平。在開始E與達(dá)到閾值電壓Us之間的范圍中柵極-發(fā)射極電壓Uge的平均斜率隨著集成的柵極電阻Rwnt的電阻的上升而下降。集成的柵極電路Reint的歐姆電阻依賴于溫度，并且隨著柵極電阻Reint的溫度增力口、并且因此隨著半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的增加而提高。據(jù)此，半導(dǎo)體開關(guān)的溫度越高，則在開始E與達(dá)到閾值電壓Us之間的范圍中柵極-發(fā)射極電壓Uge上升越緩慢。該效應(yīng)根據(jù)本發(fā)明用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度。因?yàn)榧傻臇艠O電阻Rcint緊鄰半導(dǎo)體開關(guān)的阻擋層(在該阻擋層上，在半導(dǎo)體開關(guān)運(yùn)行中形成的、半導(dǎo)體開關(guān)的損耗能量的主要部分轉(zhuǎn)換成熱)設(shè)置，所以柵極電阻Reint的溫度并且由此柵極電阻Reint的電阻高動(dòng)態(tài)地跟隨半導(dǎo)體開關(guān)I的阻擋層的溫度。因此，通過本發(fā)明使半導(dǎo)體開關(guān)I的高動(dòng)態(tài)的溫度測定成為可能。為了測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度，柵極-發(fā)射極電壓Uge作為輸入量傳送至持續(xù)時(shí)間測定單元14，該持續(xù)時(shí)間測定單元構(gòu)建成用于測定在半b導(dǎo)體開關(guān)的柵極-發(fā)射極電壓提高期間柵極-發(fā)射極電壓Uge從第一電壓U1上升到第二電壓U2所需的持續(xù)時(shí)間dt。在該實(shí)施例的范圍中，持續(xù)時(shí)間測定單元14具有第一邊界值指示器4、第二邊界值指示器5、計(jì)數(shù)器6和時(shí)鐘發(fā)生器15。柵極-發(fā)射極電壓Uge作為輸入量輸送到第一邊界值指示器和第二邊界值指示器。當(dāng)柵極-發(fā)射極電壓Ucje達(dá)到預(yù)給定的第一電壓U1時(shí)，第一邊界值指示器4產(chǎn)生信號(hào)SI并且將該信號(hào)傳送給計(jì)數(shù)器6。當(dāng)柵極-發(fā)射極電壓Uge達(dá)到預(yù)給定的第二電壓U2時(shí)，第二邊界值指示器5產(chǎn)生信號(hào)S2并且將該信號(hào)傳送給計(jì)數(shù)器6。計(jì)數(shù)器6接收高頻等間距時(shí)鐘F，該時(shí)鐘由時(shí)鐘發(fā)生器15產(chǎn)生。在接收信號(hào)SI時(shí)，計(jì)數(shù)器6對(duì)由時(shí)鐘發(fā)生器15從接收信號(hào)SI起直至其接收到信號(hào)S2產(chǎn)生的時(shí)鐘的數(shù)目進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)器因此以時(shí)鐘發(fā)生器15從信號(hào)SI起直至接收信號(hào)S2所產(chǎn)生的時(shí)鐘的數(shù)目的形式測定持續(xù)時(shí)間dt,該持續(xù)時(shí)間為半導(dǎo)體開關(guān)I的柵極-發(fā)射極電壓Uge從第一電壓U1上升到第二電壓U2所需要的。持續(xù)時(shí)間dt接著作為輸入量傳送至溫度測定單元7，該溫度測定單元構(gòu)建成用于借助所測定的持續(xù)時(shí)間dt來測定半導(dǎo)體開關(guān)I的溫度T。在該實(shí)施例的范圍中，溫度測定單元7借助半導(dǎo)體開關(guān)I的溫度特征曲線K (參見圖3)測定半導(dǎo)體I的溫度T，該溫度特征曲線說明了半導(dǎo)體開關(guān)I的溫度T對(duì)持續(xù)時(shí)間dt的依賴性，該持續(xù)時(shí)間為半導(dǎo)體開關(guān)I的柵極-發(fā)射極電壓Uge從第一電壓Ul上升到第二電壓U2所需要的。半導(dǎo)體開關(guān)I的溫度特征曲線K例如可以按經(jīng)驗(yàn)來測定。在該實(shí)施例的范圍中，所測定的半導(dǎo)體開關(guān)I的溫度T作為輸入量傳送到監(jiān)控單元8。監(jiān)控單元8構(gòu)建為用于當(dāng)所測定的半導(dǎo)體開關(guān)I的溫度T達(dá)到或超過預(yù)給定的溫度邊界值Tk時(shí)關(guān)斷半導(dǎo)體開關(guān)I。在該實(shí)施例的范圍中，監(jiān)控單元8為此當(dāng)所測定的半導(dǎo)體開關(guān)I的溫度T達(dá)到或超過預(yù)給定的溫度邊界值時(shí)，產(chǎn)生持續(xù)保持的關(guān)斷信號(hào)A直至監(jiān)控單元8復(fù)位，并且將該關(guān)斷信號(hào)作為輸入量傳遞至操控電路3，該操控電路在接收關(guān)斷信號(hào)A時(shí)保持關(guān)斷信號(hào)A，直至負(fù)電壓Ua不依賴于脈沖信號(hào)P地產(chǎn)生并且因此持久關(guān)斷半導(dǎo)體開關(guān)I。與此并行地，關(guān)斷信號(hào)A由監(jiān)控單元8傳遞到控制裝置10，該控制裝置向應(yīng)用者顯示相應(yīng)的干擾報(bào)告。在該實(shí)施例的范圍中，在圖1中僅示出了唯一的半導(dǎo)體開關(guān)并且與根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備13連接。但是當(dāng)然，例如當(dāng)多個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)并聯(lián)和/或串聯(lián)為所謂的閥時(shí)，也能夠構(gòu)建閥的半導(dǎo)體開關(guān)的所有或一部分各自與相關(guān)的根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備13電連接。在此情況下，與各自相關(guān)的設(shè)備13關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體開關(guān)的柵極端子與各自相關(guān)的設(shè)備13的外部電阻Rext電連接。在此應(yīng)注意的是，操控電路12和外部電阻R6xt可以是所謂的驅(qū)動(dòng)器電路12的組成部分。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明僅需要的是，取代不具有集成的柵極電阻的半導(dǎo)體開關(guān)，使用具有集成的柵極電阻的半導(dǎo)體開關(guān)來實(shí)現(xiàn)所期望的、例如功率電子電路(例如整流器、逆變器
坐坐、
寸寸7 o
權(quán)利要求
1.用于測定半導(dǎo)體開關(guān)(I)的溫度(T)的方法，該半導(dǎo)體開關(guān)具有集成的柵極電阻(Reint),該方法具有如下方法步驟 -通過經(jīng)與所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的柵極電阻端子(GA)連接的外部電阻(R6xt)提高所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的柵極-發(fā)射極電壓(Ucje)來接通所述半導(dǎo)體開關(guān)(I )， -測定在提高所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的柵極-發(fā)射極電壓(Ucje)期間所述柵極-發(fā)射極電壓(Ucje)從第一電壓(U1)上升到第二電壓(U2)需要的持續(xù)時(shí)間(dt)，以及 -借助所測定的持續(xù)時(shí)間(dt)來測定所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的溫度(T)。
2.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其具有如下其他方法步驟 -當(dāng)所測定的所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的溫度(T)達(dá)到或超過溫度邊界值(Tk)時(shí)關(guān)斷所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述第二電壓(U2)在所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的閾值電壓(Us)之下。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)構(gòu)建為IGBT或 MOSFET。
5.用于測定半導(dǎo)體開關(guān)(I)的溫度(T)的設(shè)備，所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)具有集成的柵極電阻(Reint),所述設(shè)備包括 -操控電路(3)，其構(gòu)建成用于通過經(jīng)與所述導(dǎo)體開關(guān)(I)的柵極電阻端子(GA)連接的外部電阻(Rext)提高所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的柵極-發(fā)射極電壓(Ucje)來接通所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)。
-持續(xù)時(shí)間測定單元(14)，其構(gòu)建成用于測定在提高所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的柵極-發(fā)射極電壓(Ucje)期間所述柵極-發(fā)射極電壓(Ura)從第一電壓(U1)上升到第二電壓(U2)需要的持續(xù)時(shí)間(dt)，以及 -溫度測定單元(14)，其構(gòu)建成用于借助所測定的持續(xù)時(shí)間(dt)來測定所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的溫度(T)。
6.電路裝置，其具有根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備(13)，其中所述電路裝置具有半導(dǎo)體開關(guān)(1)，所述半導(dǎo)體開關(guān)具有集成的柵極電極(Reint),其中，所述設(shè)備(13)的操控電路(3)通過所述外部電阻(Rrart)與所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的柵極電阻端子(GA)電連接，其中，所述持續(xù)時(shí)間測定單元(14)與所述半導(dǎo)體開關(guān)(I)的柵極電阻端子(GA)電連接。
全文摘要
本申請(qǐng)涉及一種用于測定半導(dǎo)體開關(guān)的溫度的方法和設(shè)備，其中該半導(dǎo)體開關(guān)(1)具有集成的柵極電阻(RGint)，該方法具有如下方法步驟-通過經(jīng)與半導(dǎo)體開關(guān)(1)的柵極電阻端子(GA)連接的外部電阻(Rext)提高半導(dǎo)體開關(guān)(1)的柵極-發(fā)射極電壓(UGE)來接通半導(dǎo)體開關(guān)(1)，-測定在提高半導(dǎo)體開關(guān)(1)的柵極-發(fā)射極電壓(UGE)期間柵極-發(fā)射極電壓(UGE)從第一電壓(U1)上升到第二電壓(U2)需要的持續(xù)時(shí)間(dt)，以及-借助所測定的持續(xù)時(shí)間(dt)來測定半導(dǎo)體開關(guān)(1)的溫度(T)。此外，本發(fā)明涉及一種用于測定半導(dǎo)體開關(guān)(1)的溫度(T)的相關(guān)設(shè)備。本發(fā)明使高動(dòng)態(tài)地測定半導(dǎo)體開關(guān)(1)的溫度成為可能。
文檔編號(hào)G01K7/01GK103033275SQ201210376118
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月29日
發(fā)明者斯特凡·斯庫勒 申請(qǐng)人:賽米控電子股份有限公司