技術(shù)特征:1.一種使用電磁信號來確定容納在容器中的產(chǎn)品的填充物位的方法,所述方法包括以下步驟:a)生成具有預(yù)定長度的發(fā)射信號;b)向容納在容器中的所述產(chǎn)品的表面?zhèn)鞑ニ霭l(fā)射信號;c)接收由所述發(fā)射信號在所述產(chǎn)品的所述表面處反射而產(chǎn)生的反射信號;d)確定接收到的反射信號是否與所述發(fā)射信號在時域中交疊;e)如果檢測到交疊則將交疊參數(shù)設(shè)定為狀態(tài)1,如果沒有檢測到交疊則將所述交疊參數(shù)設(shè)定為狀態(tài)0;以及如果所述交疊參數(shù)的狀態(tài)沒有改變且如果沒有檢測到交疊,則生成具有超過所述發(fā)射信號的預(yù)定長度的更新的預(yù)定長度的發(fā)射信號并且重復(fù)步驟b);以及如果所述交疊參數(shù)的狀態(tài)沒有改變且如果檢測到交疊,則生成具有短于所述發(fā)射信號的預(yù)定長度的更新的預(yù)定長度的發(fā)射信號并且重復(fù)步驟b);以及如果所述交疊參數(shù)的狀態(tài)改變,則基于所述發(fā)射信號的預(yù)定長度來確定容納在容器中的產(chǎn)品的填充物位。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述發(fā)射信號是單個發(fā)射脈沖。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在步驟a)中的所述發(fā)射信號的所述預(yù)定長度基于先前確定的填充物位。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,生成發(fā)射信號的步驟包括以下子步驟:生成具有預(yù)定長度的第一脈沖P1;生成具有與所述第一脈沖P1的長度不同的長度的第二脈沖P2;對所述第一脈沖P1和所述第二脈沖P2進(jìn)行邏輯運(yùn)算,以提供具有與所述第一脈沖P1和所述第二脈沖P2之間的長度差相對應(yīng)的長度的控制脈沖PSW;以及生成具有與所述控制脈沖PSW的長度相對應(yīng)的長度的發(fā)射信號。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述生成發(fā)射信號的步驟包括以下子步驟:生成具有預(yù)定長度的第一脈沖P1;生成相對于所述第一脈沖P1具有預(yù)定的時間延遲的第二脈沖P2;對所述第一脈沖P1和所述第二脈沖P2進(jìn)行邏輯運(yùn)算,以提供具有與所述第一脈沖和所述第二脈沖的交疊相對應(yīng)的長度的控制脈沖PSW;以及生成具有與所述控制脈沖PSW的長度相對應(yīng)的長度的發(fā)射信號。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述發(fā)射信號包括兩個發(fā)射脈沖。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,所述生成發(fā)射信號的步驟包括以下步驟:生成第一發(fā)射脈沖T1;生成相對于所述第一發(fā)射脈沖T1具有預(yù)定的時間延遲的第二發(fā)射脈沖T2。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,如果針對包括有第一發(fā)射脈沖T1和相對于所述第一發(fā)射脈沖T1具有預(yù)定的時間延遲的第二發(fā)射脈沖T2的發(fā)射信號,所述交疊參數(shù)的所述狀態(tài)改變,則基于所述預(yù)定的時間延遲來確定容納在容器中的產(chǎn)品的填充物位。9.一種使用電磁信號來確定容納在容器中的產(chǎn)品的填充物位的物位計系統(tǒng),所述物位計系統(tǒng)包括:發(fā)射信號生成電路,所述發(fā)射信號生成電路包括:用于生成電磁信號的振蕩器;用于通過控制所述振蕩器來提供具有預(yù)定長度的第一發(fā)射信號的微控制器單元MCU;傳播裝置,所述傳播裝置連接到所述發(fā)射信號生成電路,并且設(shè)置成向容器內(nèi)部的所述產(chǎn)品的表面?zhèn)鞑ニ龅谝话l(fā)射信號并返回由所述第一發(fā)射信號在容納在容器中的產(chǎn)品的所述表面處反射而產(chǎn)生的反射信號;以及信號路由電路,所述信號路由電路設(shè)置在所述發(fā)射信號生成電路與所述傳播裝置之間,所述信號路由電路包括:環(huán)形器,所述環(huán)形器連接到所述傳播裝置并且配置成通過第一輸出端將所述第一發(fā)射信號耦合到所述傳播裝置,所述環(huán)形器還被配置成接收來自所述傳播裝置的所述反射信號并且將所述反射信號耦合到第二輸出端;以及混頻器,所述混頻器連接到所述環(huán)形器的所述第二輸出端用于接收所述反射信號;所述混頻器還連接到所述MCU并且配置成:如果在所述混頻器處所述反射信號與所述第一發(fā)射信號在時域中交疊,則提供交疊指示給所述MCU;其中,所述MCU被配置成:如果接收到交疊指示則將交疊參數(shù)設(shè)定為狀態(tài)1,并且如果沒有接收到交疊指示則將所述交疊參數(shù)設(shè)定為狀態(tài)0;以及如果所述交疊參數(shù)的狀態(tài)沒有改變且沒有接收到交疊指示,則生成長度超過所述第一發(fā)射信號的長度的第二發(fā)射信號;以及如果所述交疊參數(shù)的狀態(tài)沒有改變且接收到交疊指示,則生成長度短于所述第一發(fā)射信號的長度的第二發(fā)射信號;以及如果所述交疊參數(shù)的狀態(tài)改變,則基于針對其所述交疊參數(shù)的所述狀態(tài)改變的發(fā)射信號的長度來確定容納在容器中的產(chǎn)品的填充物位。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的物位計系統(tǒng),其中,所述MCU被配置成在提供所述發(fā)射信號之前的預(yù)定時間啟動所述振蕩器。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的物位計系統(tǒng),還包括開關(guān),該開關(guān)由所述MCU控制,用于使所述振蕩器的輸出端在接通狀態(tài)與關(guān)斷狀態(tài)之間切換。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的物位計系統(tǒng),其中,來自所述混頻器的所述交疊指示是直流(DC)脈沖。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的物位計系統(tǒng),其中,所述發(fā)射信號生成電路還包括邏輯電路,所述邏輯電路被配置成提供與由所述MCU的第一輸出端和第二輸出端提供的第一脈沖P1與第二脈沖P2之間的差相對應(yīng)的控制脈沖PSW,并且其中,所述控制脈沖PSW耦合到所述開關(guān)用于控制所述振蕩器的輸出端,從而通過所述振蕩器提供具有與所述控制脈沖PSW的長度相對應(yīng)的長度的發(fā)射信號ST。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的物位計系統(tǒng),還包括可控延遲電路,該可控延遲電路設(shè)置在所述發(fā)射信號生成電路與所述混頻器之間,用于延遲所述發(fā)射信號。15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的物位計系統(tǒng),還包括可控延遲電路,該可控延遲電路設(shè)置在所述環(huán)形器與所述混頻器之間,用于延遲所述反射信號。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的物位計系統(tǒng),還包括可控延遲電路,該可控延遲電路設(shè)置在所述MCU與所述開關(guān)之間,用于延遲所述發(fā)射信號的至少一部分。17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的物位計系統(tǒng),其中,所述傳播裝置包括用于向所述表面發(fā)射所述發(fā)射信號的第一傳播裝置和用于接收所述反射信號的第二傳播裝置。18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的物位計系統(tǒng),還包括:第二混頻器,所述第二混頻器連接到所述環(huán)形器的所述第二輸出端,用于接收所述反射信號;以及相移電路,所述相移電路用于對所述第一發(fā)射信號進(jìn)行相移,并且將經(jīng)相移的第一發(fā)射信號提供給所述第二混頻器;所述第二混頻器還連接到所述MCU,并且配置成:如果在所述混頻器處所述反射信號與所述經(jīng)相移的第一發(fā)射信號在時域中交疊,則提供交疊指示給所述MCU。