技術(shù)特征：
1.一種測定聚合物玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的方法，包括如下步驟：將待測聚合物樣品作為構(gòu)成有機(jī)場效應(yīng)晶體管的聚合物薄膜層的材料，在恒定柵壓和恒定源漏電壓的條件下升溫所述有機(jī)場效應(yīng)晶體管，測定所述有機(jī)場效應(yīng)晶體管在所述升溫過程中的源漏電流輸出曲線，所述源漏電流輸出曲線的轉(zhuǎn)折點(diǎn)所對應(yīng)的溫度即為所述待測聚合物樣品的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：構(gòu)成所述待測聚合物樣品的材料選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯苯酚、聚對二甲苯和二氧化硅中的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述柵壓為-60V，源漏電壓為-45V；所述升溫步驟中，升溫速率為1-10K/分鐘；所述測定步驟中，溫度范圍為293-450K。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：所述升溫步驟中，升溫速率為2.5K/分鐘。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述有機(jī)場效應(yīng)晶體管為如下兩種中的任意一種：1)所述有機(jī)場效應(yīng)晶體管由下至上依次包括柵極層、無機(jī)絕緣層、聚合物薄膜層、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層、位于所述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層之上的源電極和漏電極及包覆所述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層、源電極和漏電極的封裝層；2)所述有機(jī)場效應(yīng)晶體管由下至上依次包括基底、源電極和漏電極、有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層、聚合物薄膜層、無機(jī)絕緣層和柵極層；所述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層覆蓋所述基底、源電極和漏電極。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：構(gòu)成所述柵極的材料為硅片；構(gòu)成所述無機(jī)絕緣層的材料為二氧化硅；構(gòu)成所述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層的材料為稠環(huán)芳香族有機(jī)半導(dǎo)體化合物；構(gòu)成所述源電極和漏電極的材料均為金。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述稠環(huán)芳香族有機(jī)半導(dǎo)體化合物選自酞菁類化合物、卟啉類化合物和平面分子構(gòu)形的有機(jī)半導(dǎo)體化合物中的至少一種。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述酞菁類化合物選自酞菁銅和十六氟代酞菁銅中的至少一種；所述卟啉類化合物為四苯基卟啉；所述平面分子構(gòu)形的有機(jī)半導(dǎo)體化合物選自苝、并五苯、二氯并四苯、四氟代并四苯和苝-四氰代二甲基苯醌中的至少一種。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述源電極和漏電極之間的距離為50-100微米；所述聚合物薄膜層的厚度為5-1000納米。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于：所述聚合物薄膜層的厚度為5-100納米。