技術特征：
1.一種緊縮場產(chǎn)生裝置，所述裝置包括饋源，其特征在于，所述裝置還包括設置在所述饋源前方的超材料面板，所述超材料面板包括核心層，所述核心層包括至少一個核心層片層，所述核心層片層包括片狀的第一基材以及設置在所述第一基材上的多個第一人造微結構，所述核心層片層按照折射率分布可劃分為位于中間位置的圓形區(qū)域以及分布在圓形區(qū)域周圍且與所述圓形區(qū)域共圓心的多個環(huán)形區(qū)域，所述圓形區(qū)域及環(huán)形區(qū)域內相同半徑處的折射率相同，且在圓形區(qū)域及環(huán)形區(qū)域各自的區(qū)域內隨著半徑的增大折射率逐漸減小，所述圓形區(qū)域的折射率的最小值小于與其相鄰的環(huán)形區(qū)域的折射率的最大值，相鄰兩個環(huán)形區(qū)域，處于內側的環(huán)形區(qū)域的折射率的最小值小于處于外側的環(huán)形區(qū)域的折射率的最大值。2.根據(jù)權利要求1所述的一種緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述第一基材包括片狀的第一前基板及第一后基板，所述多個第一人造微結構夾設在第一前基板與第一后基板之間。3.根據(jù)權利要求1所示的一種緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述核心層包括多個厚度相同且折射率分布相同的核心層片層，多個核心層片層壓合一體。4.根據(jù)權利要求1所示的一種緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述圓心為核心層片層的中心，所述圓形區(qū)域以及多個環(huán)形區(qū)域的折射率變化范圍相同，所述核心層片層的折射率n(r)分布滿足如下公式：其中，i表示核心層片層分段數(shù)，i＝1表示核心層片層第一段、i＝2表示核心層片層第二段、……、i＝p表示核心層片層的第p段，所述核心層片層第一段最靠近核心層片層的中心；ni(r)表示核心層片層第i段上半徑為r處的折射率值；nmin表示核心層片層的折射率的最小值；λ表示電磁波波長；r表示核心層片層上任意一點距離核心層片層中心的距離；s為饋源等效點到超材料面板的垂直距離；ai表示核心層片層第i段距離核心層片層中心的最大值；d表示所述核心層的厚度。5.根據(jù)權利要求4所述的一種緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述超材料面板還包括對稱分布在核心層兩側表面的阻抗匹配層，所述阻抗匹配層包括厚度相同的多個阻抗匹配層片層，所述阻抗匹配層片層包括片狀的第二基材以及設置在第二基材上的多個第二人造微結構，所述阻抗匹配層片層的折射率分布滿足如下公式：λ＝(nmax-nmin)*(d+2*d1)；其中，j表示阻抗匹配層片層的編號，靠近饋源的阻抗匹配層片層的編號為m，由饋源向核心層方向，編號依次減小，靠近核心層的阻抗匹配層片層的編號為1；上述的nmax與nmin與核心層片層的折射率的最大值與最小值相同；r表示阻抗匹配層片層上任意一點到其中心的距離；λ表示電磁波波長；d1為阻抗匹配層的厚度；d為核心層的厚度。6.根據(jù)權利要求5所述的一種緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述第二基材包括片狀的第二前基板及第二后基板，所述多個第二人造微結構夾設在第二前基板與第二后基板之間。7.根據(jù)權利要求6所述的一種緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述第一人造微結構及第二人造微結構均為由銅線或銀線構成的金屬微結構，所述金屬微結構通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法分別附著在第一基材及第二基材上。8.根據(jù)權利要求7所述的緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述金屬微結構呈平面雪花狀，所述金屬微結構具有相互垂直平分的第一金屬線及第二金屬線，所述第一金屬線與第二金屬線的長度相同，所述第一金屬線兩端連接有相同長度的兩個第一金屬分支，所述第一金屬線兩端連接在兩個第一金屬分支的中點上，所述第二金屬線兩端連接有相同長度的兩個第二金屬分支，所述第二金屬線兩端連接在兩個第二金屬分支的中點上，所述第一金屬分支與第二金屬分支的長度相等。9.根據(jù)權利要求8所述的一種緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述平面雪花狀的金屬微結構的每個第一金屬分支及每個第二金屬分支的兩端還連接有完全相同的第三金屬分支，相應的第三金屬分支的中點分別與第一金屬分支及第二金屬分支的端點相連。10.根據(jù)權利要求9所述的一種緊縮場產(chǎn)生裝置，其特征在于，所述平面雪花狀的金屬微結構的第一金屬線與第二金屬線均設置有兩個彎折部，所述平面雪花狀的金屬微結構繞垂直于第一金屬線與第二金屬線交點的軸線向任意方向旋轉90度的圖形都與原圖重合。