專利名稱:一種硅微電容式二維集成加速度傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明屬 于MEMS傳感器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種硅微電容式二維集成加速度傳感器。
背景技術(shù):
目前,單軸微型加速度傳感器的技術(shù)比較成熟。但在一些特殊的應(yīng)用場合,如飛行器姿態(tài)控制、導(dǎo)彈制導(dǎo)、戰(zhàn)場機器人等,往往需要檢測兩個方向的加速度。如果僅僅采用早期的組合方式,即將兩只單軸微型加速度傳感器相互正交裝配在一起,不僅傳感器性能受裝配精度的影響極大,而且存在集成度低、體積大、一致性差等問題。因此,二維集成式微型加速度傳感器成為研究熱點?,F(xiàn)有的二維集成式微型加速度傳感器,無論是在同一基片上制作兩個獨立的加速度傳感器,還是采用單敏感質(zhì)量元實現(xiàn)對兩個方向加速度的檢測,都存在交叉干擾嚴重的問題。因此,抑制交叉干擾是二維集成式微型加速度傳感器研制中需要重點解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對二維集成式微型加速度傳感器研制的關(guān)鍵技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種能有效抑制交叉干擾的硅微電容式二維集成加速度傳感器。本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案一種硅微電容式二維集成加速度傳感器,包括基底、 固定支撐、橫截面為“工”字形的內(nèi)慣性質(zhì)量塊、中空結(jié)構(gòu)的外慣性質(zhì)量塊、固定齒樞、固定梳齒、可動梳齒、Z方向主變形的“U”字形折疊梁、7方向主變形的“U”字形折疊梁和止擋;
所述外慣性質(zhì)量塊的內(nèi)孔橫截面為“工”字形,基底上設(shè)有四根豎直向上的固定支撐, 四根固定支撐分布在靠近外慣性質(zhì)量塊內(nèi)孔的四角處;以“工”字形內(nèi)孔的左右為I軸方向,前后為/軸方向;“工”字形的內(nèi)孔的四角處內(nèi)分別設(shè)有沿I軸方向布置、且開口向外的 /方向主變形的“U”字形折疊梁和沿7軸方向布置、且開口向內(nèi)的I方向主變形的“U”字形折疊梁;
四根7方向主變形的“U”字形折疊梁的一端固定在對應(yīng)側(cè)的固定支撐上,另一端固定在外慣性質(zhì)量塊的內(nèi)壁上,外慣性質(zhì)量塊通過四根/方向主變形的“U”字形折疊梁懸空連接在基底上方;
四根I方向主變形的“U”字形折疊梁的一端固定在對應(yīng)側(cè)的固定支撐上,另一端固定在內(nèi)慣性質(zhì)量塊上,內(nèi)慣性質(zhì)量塊通過四根I方向主變形的“U”字形折疊梁懸空連接在基底的上方、且位于外慣性質(zhì)量塊的內(nèi)孔中;
靠近所述內(nèi)慣性質(zhì)量塊的左右兩側(cè)的內(nèi)凹壁分別沿/軸方向各設(shè)有兩個固定齒樞,左右兩側(cè)的固定齒樞的底部固定在基底上,左右兩側(cè)的固定齒樞沿/軸方向均布設(shè)有數(shù)個伸向外側(cè)的固定梳齒;所述外慣性質(zhì)量塊的內(nèi)孔左右兩側(cè)的凸壁上沿/軸方向均布設(shè)有數(shù)個伸向內(nèi)側(cè)的可動梳齒;靠近左后側(cè)和靠近右后側(cè)的固定齒樞上的固定梳齒分別從一側(cè)插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒交叉分布構(gòu)成電容器G,,靠近左前側(cè)和靠近右前側(cè)的固定齒樞上的固定梳齒分別從另一側(cè)插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒交叉分布構(gòu)成電容器;
靠近所述外慣性質(zhì)量塊的內(nèi)孔前后兩側(cè)的內(nèi)壁分別沿Z軸方向各設(shè)有兩個固定齒樞, 前后兩側(cè)的固定齒樞的底部固定在基底上;前后兩側(cè)的固定齒樞上沿X軸方向均布設(shè)有數(shù)個伸向內(nèi)側(cè)的固定梳齒,所述內(nèi)慣性質(zhì)量塊的前后兩側(cè)的外壁上沿I軸方向均布設(shè)有數(shù)個伸向外側(cè)的可動梳齒;靠近后左側(cè)和靠近前左側(cè)的固定齒樞上的固定梳齒分別從一側(cè)插入對 應(yīng)側(cè)的可動梳齒內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒交叉分布構(gòu)成電容器Qy;靠近后右側(cè)和靠近前右側(cè)的固定齒樞上的固定梳齒分別從另一側(cè)插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒交叉分布構(gòu)成電容器Q作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述可動梳齒與對應(yīng)側(cè)的固定梳齒形成定齒偏置結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明的又一種優(yōu)選方案,所述內(nèi)慣性質(zhì)量塊的四角處分別設(shè)有在Z軸方向與固定支撐對應(yīng)的止擋,所述內(nèi)慣性質(zhì)量塊上的四個止擋分別靠近對應(yīng)側(cè)的固定支撐,并與對應(yīng)側(cè)的固定支撐之間的距離小于前后兩側(cè)的固定梳齒與對應(yīng)側(cè)相鄰可動梳齒之間的最小距離;所述外慣性質(zhì)量塊的內(nèi)孔四角處分別設(shè)有在/軸方向與固定支撐對應(yīng)的止擋, 所述外慣性質(zhì)量塊的內(nèi)孔壁上的四個止擋分別靠近對應(yīng)側(cè)的固定支撐,并與對應(yīng)側(cè)的固定支撐之間的距離小于左右兩側(cè)的固定梳齒與對應(yīng)側(cè)相鄰可動梳齒之間的最小距離。本發(fā)明提供的一種硅微電容式二維集成加速度傳感器,與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有如下優(yōu)點
1、電容器Cbx和Cax構(gòu)成Z方向的差分電容以檢測Z方向的加速度,并通過Z方向的止檔結(jié)構(gòu)實現(xiàn)過載保護;電容器CAr和CBy構(gòu)成7方向的差分電容以檢測7方向的加速度,并通過7方向的止檔結(jié)構(gòu)實現(xiàn)過載保護久、7方向的加速度分別由各自的敏感結(jié)構(gòu)所感知,能有效抑制交叉干擾。2、該傳感器通過微機械加工技術(shù)制作在一個芯片上,兩個敏感結(jié)構(gòu)巧妙集成,節(jié)省芯片面積。3、以定齒偏置梳齒結(jié)構(gòu)形成差分電容,可實現(xiàn)高的檢測靈敏度,并具有很好的工藝性。
圖1為硅微電容式二維集成加速度傳感器的橫截面的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2為Z方向的等效電學(xué)模型圖3為7方向的等效電學(xué)模型圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細地說明。圖1為硅微電容式二維集成加速度傳感器的橫截面的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖所示。硅微電容式二維集成加速度傳感器包括基底1、固定支撐2、橫截面為“工”字形的內(nèi)慣性質(zhì)量塊3、 中空結(jié)構(gòu)的外慣性質(zhì)量塊4、固定齒樞5、固定梳齒6、可動梳齒7、Z方向主變形的“U”字形折疊梁8、7方向主變形的“U”字形折疊梁9和止擋10。其中,外慣性質(zhì)量塊4的內(nèi)孔橫截面為“工”字形,基底1上設(shè)有四根豎直向上的固定支撐2,四根固定支撐2的頂部分布在靠近外慣性質(zhì)量塊4內(nèi)孔的四角處。以“工”字形內(nèi) 孔的左右為I軸方向,前后為7軸方向。“工”字形的內(nèi)孔的四角處內(nèi)分別設(shè)有沿I軸方向布置、且開口向外的7方向主變形的“U”字形折疊梁9和沿7軸方向布置、且開口向內(nèi)的Z方向主變形的“U”字形折疊梁8。四根7方向主變形的“U”字形折疊梁9的一端固定在對應(yīng)側(cè)的固定支撐2上,另一端固定在外慣性質(zhì)量塊4的內(nèi)壁上,外慣性質(zhì)量塊4通過四根7方向主變形的“U”字形折疊梁9懸空連接在基底1上方。四根I方向主變形的“U”字形折疊梁8的一端固定在對應(yīng)側(cè)的固定支撐2上,另一端固定在內(nèi)慣性質(zhì)量塊3上,內(nèi)慣性質(zhì)量塊3通過四根I方向主變形的“U”字形折疊梁8懸空連接在基底1的上方、且位于外慣性質(zhì)量塊4的內(nèi)孔中??拷鈶T性質(zhì)量塊4的內(nèi)孔前后兩側(cè)的內(nèi)壁分別沿Z軸方向各設(shè)有兩個固定齒樞 5 (即前側(cè)的兩個固定齒樞52、54,后側(cè)的兩個固定齒樞51、53),前后兩側(cè)的固定齒樞5的底部固定在基底1上;前后兩側(cè)的固定齒樞5上沿Z軸方向均布設(shè)有數(shù)個(圖1中共畫出二十七個)伸向內(nèi)側(cè)的固定梳齒6,內(nèi)慣性質(zhì)量塊3的前后兩側(cè)的外壁上沿Z軸方向均布設(shè)有數(shù)個(圖1中共畫出二十七個)伸向外側(cè)的可動梳齒7??拷笞髠?cè)和靠近前左側(cè)的固定齒樞5 (即圖1中靠近后左側(cè)的固定齒樞51和靠近前左側(cè)的固定齒樞52)上的固定梳齒6 (圖1中為十三個)分別從一側(cè)(圖1中從右側(cè))插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒7內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒7交叉分布構(gòu)成電容器6^??拷笥覀?cè)和靠近前右側(cè)的固定齒樞5 (即圖1中靠近后右側(cè)的固定齒樞53和靠近前右側(cè)的固定齒樞54)上的固定梳齒6 (圖1中為十四個) 分別從另一側(cè)(圖1中從左側(cè))插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒7內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒7交叉分布構(gòu)成電容器CAx。電容器&和電容器Cbx構(gòu)成Z方向的差分電容以檢測Z方向的加速度,其等效電學(xué)模型如圖2所示??拷鼉?nèi)慣性質(zhì)量塊3的左右兩側(cè)的內(nèi)凹壁分別沿7軸方向各設(shè)有兩個固定齒樞5 (即左側(cè)的兩個固定齒樞55、57,右側(cè)的兩個固定齒樞56、58),左右兩側(cè)的固定齒樞5的底部固定在基底1上,左右兩側(cè)的固定齒樞5沿7軸方向均布設(shè)有數(shù)個(圖1中共畫出十九個) 伸向外側(cè)的固定梳齒6。外慣性質(zhì)量塊4的內(nèi)孔左右兩側(cè)的凸壁上沿7軸方向均布設(shè)有數(shù)個(圖1中共畫出十九個)伸向內(nèi)側(cè)的可動梳齒7??拷蠛髠?cè)和靠近右后側(cè)的固定齒樞5 (即圖1中靠近左后側(cè)的固定齒樞55和靠近右后側(cè)的固定齒樞56)上的固定梳齒6 (圖1 中為十個固定梳齒)分別從一側(cè)(圖1中為從前側(cè))插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒7內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒7交叉分布構(gòu)成電容器G,??拷笄皞?cè)和靠近右前側(cè)的固定齒樞5 (即圖1 中靠近左前側(cè)的固定齒樞57和靠近右前側(cè)的固定齒樞58)上的固定梳齒6 (圖1中為九個固定梳齒)分別從另一側(cè)(圖1中為從后側(cè))插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒7內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒7交叉分布構(gòu)成電容器Cb廣電容器Q和電容器CBr構(gòu)成7方向的差分電容以檢測 /方向的加速度,其等效電學(xué)模型如圖3所示。內(nèi)慣性質(zhì)量塊3的四角處分別設(shè)有在Z軸方向與固定支撐2對應(yīng)的止擋10,內(nèi)慣性質(zhì)量塊3上的四個止擋10分別靠近對應(yīng)側(cè)的固定支撐2,并與對應(yīng)側(cè)的固定支撐2之間的距離小于前后兩側(cè)的固定梳齒6與對應(yīng)側(cè)相鄰可動梳齒7之間的最小距離,因此,固定支撐2和內(nèi)慣性質(zhì)量塊3上的四個止擋10構(gòu)成了 Z方向的止擋結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了對內(nèi)慣性質(zhì)量塊 3 (亦即可動梳齒7)在I方向的運動限位,可防止在I方向較強沖擊下I方向主變形的“U” 字形折疊梁8斷裂,并避免因可動梳齒7和固定梳齒6發(fā)生接觸而導(dǎo)致傳感器失效。外慣性質(zhì)量塊4的內(nèi)孔四角處分別設(shè)有在7軸方向與固定支撐2對應(yīng)的止擋10,外慣性質(zhì)量塊 4的內(nèi)孔壁上的四個止擋10分別靠近對應(yīng)側(cè)的固定支撐2,并與對應(yīng)側(cè)的固定支撐2之間的距離小于左右兩側(cè)的固定梳齒6與對應(yīng)側(cè)相鄰可動梳齒7之間的最小距離。固定支撐2 和外慣性質(zhì)量塊4上的止擋11構(gòu)成了 7方向的止擋結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了對外慣性質(zhì)量塊4 (亦即可動梳齒7)在7方向的運動限位,可防止在7方向較強沖擊下7方向主變形的“U”字形折疊梁9斷裂,并避免因可動梳齒7和固定梳齒6發(fā)生接觸而導(dǎo)致傳感器失效。
本實施例中,可動梳齒7與對應(yīng)側(cè)的固定梳齒6形成定齒偏置結(jié)構(gòu)。以定齒偏置梳齒結(jié)構(gòu)形成差分電容,可實現(xiàn)高的檢測靈敏度,并具有很好的工藝性。當內(nèi)慣性質(zhì)量塊3和外慣性質(zhì)量塊4受到I方向的加速度時,由于7方向主變形的“U”字形折疊梁9在Z方向剛度相對較大,所以外慣性質(zhì)量塊4相對于基底1沿Z方向的運動被限制。而I方向主變形的“U”字形折疊梁8在I方向剛度小而7方向剛度相對較大,所以內(nèi)慣性質(zhì)量塊3相對于基底1沿I方向運動,導(dǎo)致I方向電容器&和電容器Q的電容值一個增大,一個減小。通過檢測電容器Gi和電容器Ci的差分電容變化即可檢測I 方向的加速度。同理,當內(nèi)慣性質(zhì)量塊3和外慣性質(zhì)量塊4受到7方向的加速度時,由于I方向主變形的“U”字形折疊梁8在7方向剛度相對較大,所以內(nèi)慣性質(zhì)量塊3相對于基底1沿7 方向的運動被限制。而/方向主變形的“U”字形折疊梁9在7方向剛度小而I方向剛度相對較大,所以外慣性質(zhì)量塊4相對于基底1沿7方向運動,導(dǎo)致7方向電容器CAr和電容器 Cby的電容值一個增大,一個減小。通過檢測電容器和電容器Q7的差分電容變化即可檢測/方向的加速度。該加速度傳感器通過微機械加工技術(shù)制作在一個芯片上,傳感器芯片的制作工藝
以N型(100)雙面拋光硅片作為襯底材料,基于體硅工藝加工硅微電容式二維集成加速度傳感器芯片。主要工藝步驟包括
(1)雙面熱氧化硅片;
(2)光刻,采用HF腐蝕液,去掉傳感器可動結(jié)構(gòu)區(qū)域的SiO2,形成腐蝕窗口;
(3)濕法腐蝕Si,形成鍵合固定支撐,并采用HF腐蝕液去除熱氧化SiO2層;
(4)采用剝離法在玻璃上制作Ti/Pt/Au電極引線;
(5)硅一玻璃靜電鍵合;
(6)濕法減薄Si至所需結(jié)構(gòu)層厚度;
(7)蒸發(fā)Al,光刻、腐蝕形成深刻蝕掩膜;
(8)ICP深刻蝕釋放結(jié)構(gòu)。最后說明的是,以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制,盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解,可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換, 而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍,其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當中。
權(quán)利要求
1.一種硅微電容式二維集成加速度傳感器,其特征在于包括基底(1)、固定支撐(2)、 橫截面為“工”字形的內(nèi)慣性質(zhì)量塊(3)、中空結(jié)構(gòu)的外慣性質(zhì)量塊(4)、固定齒樞(5)、固定梳齒(6)、可動梳齒(7)、Z方向主變形的“U”字形折疊梁(8)、7方向主變形的“U”字形折疊梁(9)和止擋(10);所述外慣性質(zhì)量塊(4)的內(nèi)孔橫截面為“工”字形,基底(1)上設(shè)有四根豎直向上的固定支撐(2),四根固定支撐(2)分布在靠近外慣性質(zhì)量塊(4)內(nèi)孔的四角處;以“工”字形內(nèi)孔的左右為I軸方向,前后為7軸方向;“工”字形的內(nèi)孔的四角處內(nèi)分別設(shè)有沿I軸方向布置、且開口向外的7方向主變形的“U”字形折疊梁(9)和沿7軸方向布置、且開口向內(nèi)的 I方向主變形的“U”字形折疊梁(8);四根7方向主變形的“U”字形折疊梁(9)的一端固定在對應(yīng)側(cè)的固定支撐(2)上,另一端固定在外慣性質(zhì)量塊(4)的內(nèi)壁上,外慣性質(zhì)量塊(4)通過四根7方向主變形的“U”字形折疊梁(9 )懸空連接在基底(1)上方;四根I方向主變形的“U”字形折疊梁(8)的一端固定在對應(yīng)側(cè)的固定支撐(2)上,另一端固定在內(nèi)慣性質(zhì)量塊(3)上,內(nèi)慣性質(zhì)量塊(3)通過四根I方向主變形的“U”字形折疊梁 (8)懸空連接在基底(1)的上方、且位于外慣性質(zhì)量塊(4)的內(nèi)孔中;靠近所述內(nèi)慣性質(zhì)量塊(3)的左右兩側(cè)的內(nèi)凹壁分別沿7軸方向各設(shè)有兩個固定齒樞 (5),左右兩側(cè)的固定齒樞(5)的底部固定在基底(1)上,左右兩側(cè)的固定齒樞(5)沿7軸方向均布設(shè)有數(shù)個伸向外側(cè)的固定梳齒(6);所述外慣性質(zhì)量塊(4)的內(nèi)孔左右兩側(cè)的凸壁上沿/軸方向均布設(shè)有數(shù)個伸向內(nèi)側(cè)的可動梳齒(7);靠近左后側(cè)和靠近右后側(cè)的固定齒樞(5)上的固定梳齒(6)分別從一側(cè)插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒(7)內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒 (7)交叉分布構(gòu)成電容器;靠近左前側(cè)和靠近右前側(cè)的固定齒樞(5)上的固定梳齒(6) 分別從另一側(cè)插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒(7)內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒(7)交叉分布構(gòu)成電容器靠近所述外慣性質(zhì)量塊(4)的內(nèi)孔前后兩側(cè)的內(nèi)壁分別沿Z軸方向各設(shè)有兩個固定齒樞(5),前后兩側(cè)的固定齒樞(5)的底部固定在基底(1)上;前后兩側(cè)的固定齒樞(5)上沿 X軸方向均布設(shè)有數(shù)個伸向內(nèi)側(cè)的固定梳齒(6),所述內(nèi)慣性質(zhì)量塊(3)的前后兩側(cè)的外壁上沿X軸方向均布設(shè)有數(shù)個伸向外側(cè)的可動梳齒(7);靠近后左側(cè)和靠近前左側(cè)的固定齒樞(5)上的固定梳齒(6)分別從一側(cè)插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒(7)內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒 (7)交叉分布構(gòu)成電容器Gx ;靠近后右側(cè)和靠近前右側(cè)的固定齒樞(5)上的固定梳齒(6) 分別從另一側(cè)插入對應(yīng)側(cè)的可動梳齒(7)內(nèi),并與對應(yīng)側(cè)的可動梳齒(7)交叉分布構(gòu)成電各器CAxo
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅微電容式二維集成加速度傳感器,其特征在于所述可動梳齒(7)與對應(yīng)側(cè)的固定梳齒(6)形成定齒偏置結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅微電容式二維集成加速度傳感器,其特征在于所述內(nèi)慣性質(zhì)量塊(3)的四角處分別設(shè)有在Z軸方向與固定支撐(2)對應(yīng)的止擋(10),所述內(nèi)慣性質(zhì)量塊(3)上的四個止擋(10)分別靠近對應(yīng)側(cè)的固定支撐(2),并與對應(yīng)側(cè)的固定支撐(2)之間的距離小于前后兩側(cè)的固定梳齒(6)與對應(yīng)側(cè)相鄰可動梳齒(7)之間的最小距離;所述外慣性質(zhì)量塊(4)的內(nèi)孔四角處分別設(shè)有在7軸方向與固定支撐(2)對應(yīng)的止擋 (10),所述外慣性質(zhì)量塊(4)的內(nèi)孔壁上的四個止擋(10)分別靠近對應(yīng)側(cè)的固定支撐(2),并與對應(yīng)側(cè)的固定支撐(2)之間的距離小于左右兩側(cè)的固定梳齒(6)與對應(yīng)側(cè)相鄰可動梳 齒(7)之間的最小距離。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種硅微電容式二維集成加速度傳感器,包括基底、內(nèi)慣性質(zhì)量塊、外慣性質(zhì)量塊、固定齒樞、固定梳齒和可動梳齒;內(nèi)慣性質(zhì)量塊通過四根折疊梁懸空設(shè)在外慣性質(zhì)量塊的內(nèi)孔中;左后側(cè)和右后側(cè)的固定梳齒與對應(yīng)的可動梳齒構(gòu)成電容器CAy;左前側(cè)和右前側(cè)的固定梳齒與對應(yīng)的可動梳齒構(gòu)成電容器CBy;后左側(cè)和前左側(cè)的固定梳齒與對應(yīng)的可動梳齒構(gòu)成電容器CBx;后右側(cè)和前右側(cè)的固定梳齒與對應(yīng)的可動梳齒構(gòu)成電容器CAx。電容器CBx和CAx構(gòu)成X方向差分電容以檢測X方向的加速度;電容器CAy和CBy構(gòu)成Y方向差分電容以檢測Y方向的加速度;X、Y方向的加速度分別由各自的電容器敏感結(jié)構(gòu)所感知,能有效抑制交叉干擾。
文檔編號G01P15/18GK102435777SQ201110341469
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者劉妤 申請人:重慶理工大學(xué)