專利名稱：一種新的關(guān)鍵尺寸監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，其中，尤其涉及微電子領(lǐng)域關(guān)于關(guān)鍵尺寸測量的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計。
背景技術(shù)：
隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，對于關(guān)鍵尺寸(CD)量測精度的要求也越來越高， 量測的項目也越來越多。關(guān)鍵尺寸測量的一個重要原因是要達(dá)到對產(chǎn)品所有線寬的準(zhǔn)確控制，關(guān)鍵尺寸的變化通常顯示半導(dǎo)體工藝中一些關(guān)鍵部分的不穩(wěn)定。為了獲得對關(guān)鍵尺寸的控制，需要精確度和準(zhǔn)確性的控制，能實現(xiàn)這種測量水平的儀器是掃描電子顯微鏡(SEM)
掃描電子顯微鏡，它的功能是通過高度聚焦電子束掃描目標(biāo)，同時用探測器測量最終散射電子。SEM有一個電子槍、將電子整形成束的聚焦部件和最終靜電-磁聚焦系統(tǒng)，它將電子打到樣片上，電子束的能量與所需圖像直接相關(guān)，為了非破壞在線CD測量，低能電子束需要有低的的加速電壓。高能電子束用于下層或深層結(jié)構(gòu)的成像，由于高能電子束 (100—200keV)可能使得在硅片表面下產(chǎn)生破壞的圖像，尤其當(dāng)對致密或深層結(jié)構(gòu)成像時， 極易產(chǎn)生成像缺陷。65納米以下制程通常都要求量測水平/垂直圖形⑶和密集(dense) /半密集 (semi-dense)/孤立(ISO)圖形⑶，從而用來監(jiān)控曝光機的性能。而且65納米以下制程大部分關(guān)鍵層都是采用Arf光刻膠，Arf光刻膠本身對于CDSEM電子束的破壞非常敏感，如果用CDSEM進行手動量測會導(dǎo)致3納米以上的差異，這對于65納米以下制程是不能允許的。 所以對于CDSEM的自動量測要求也很高。在建立自動量測程式時需要定位(addressing)和自動對焦(auto focus)的點，如果把定位和自動對焦的點放在量測圖形上，CDSEM電子束也會破壞光刻膠，從而影響量測的CD。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了一種新的關(guān)鍵尺寸監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計，本發(fā)明的目的是提供一種全面的量測的項目，又能避免定位和自動對焦的點放在量測圖形上，導(dǎo)致CDSEM電子束會破壞光刻膠，從而影響量測CD的問題。本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的
一種新的關(guān)鍵尺寸監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計，其中，其同時具有水平的測量圖形、垂直的測量圖形、密集的測量圖形、半密集的測量圖形和孤立的測量圖形。所述的一種新的關(guān)鍵尺寸監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計，其中，其具有在監(jiān)控結(jié)構(gòu)附近擺放了一些特殊的標(biāo)記，以便于用來定位和自動對焦，以便于自動量測程式的建立。所述的一種新的關(guān)鍵尺寸監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計，其中，所述特殊的標(biāo)記存在于掩模板上。


通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明優(yōu)點將會變得更明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按照比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖1是一種無垂直圖形現(xiàn)有技術(shù)示意圖； 圖2是一種無半密集圖形的現(xiàn)有技術(shù)示意圖； 圖3是體現(xiàn)本發(fā)明要點的示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合示意圖和具體操作實施例對本發(fā)明作進一步說明。如圖1所示，圖1為一種現(xiàn)有技術(shù)的關(guān)于關(guān)鍵尺寸量測設(shè)計示意圖，圖中標(biāo)注以虛線為界限，點J、點K、點L表示這一種關(guān)鍵尺寸量測水平方向的圖形，同時點J表示了一種關(guān)鍵尺寸量測密集圖形，點K表示了一種關(guān)鍵尺寸量測半密集圖形，點L表示了一種關(guān)鍵尺寸量測孤立的圖形，從圖上所知，該關(guān)鍵尺寸量測設(shè)計缺少了關(guān)鍵尺寸量測的垂直方向的圖形。如圖2所示，圖2為一種現(xiàn)有技術(shù)的關(guān)于關(guān)鍵尺寸量測設(shè)計示意圖，圖中標(biāo)注以虛線為界限，點0、點P、表示這一種關(guān)鍵尺寸量測設(shè)計水平方向的圖形，同時點0表示了一種關(guān)鍵尺寸量測密集圖形，點P表示了一種關(guān)鍵尺寸量測孤立圖形，點M、點N、表示這一種關(guān)鍵尺寸量測設(shè)計垂直方向的圖形，同時點M表示了一種關(guān)鍵尺寸量測密集圖形，點N表示了一種關(guān)鍵尺寸量測孤立圖形，由此可知，該圖具有關(guān)鍵尺寸量測水平、垂直、密集、孤立圖形，該圖缺少了關(guān)鍵尺寸量測的半密集圖形。圖1和圖2表現(xiàn)的現(xiàn)有技術(shù)中都缺少相應(yīng)的測量項目，為了克服上述問題，本發(fā)明設(shè)計了更全面的測量項目，功能也更齊全，如圖3所示，圖中標(biāo)注以虛線為界限，點C、點F、 點D表示這一種關(guān)鍵尺寸量測水平方向的圖形，同時點C表示了一種關(guān)鍵尺寸量測密集圖形，點F表示了一種關(guān)鍵尺寸量測半密集圖形，點D表示了一種關(guān)鍵尺寸量測孤立的圖形， 點A、點E、點B表示這一種關(guān)鍵尺寸量測垂直方向的圖形，同時點A表示了一種關(guān)鍵尺寸量測密集圖形，點E表示了一種關(guān)鍵尺寸量測半密集圖形，點B表示了一種關(guān)鍵尺寸量測孤立的圖形，由上述結(jié)果可知，相對于圖1、圖2現(xiàn)有技術(shù)來說，圖1代表的關(guān)鍵尺寸量測設(shè)計缺少了關(guān)鍵尺寸量測的垂直方向的圖形，圖2缺少了關(guān)鍵尺寸量測的半密集圖形，圖3顯示的本發(fā)明技術(shù)方案具有更全面的測量項目，可以實現(xiàn)不同的量測需要。本發(fā)明除了量測項目齊全以外，還具有特殊的標(biāo)記，隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，65納米以下制程大部分關(guān)鍵層都是采用Arf光刻膠，Arf光刻膠本身對于CDSEM電子束的破壞非常敏感，如果用CDSEM 進行手動量測會導(dǎo)致3納米以上的差異，這對于65納米以下制程是不能允許的。所以對于 CDSEM的自動量測要求也很高，在建立自動量測程式時需要定位(addressing)和自動對焦 (auto focus)的點，如果把定位和自動對焦的點放在量測圖形上，CDSEM電子束也會破壞光刻膠，從而影響量測的CD，而且用量測圖形直接做定位經(jīng)常會由于圖形不夠特殊從而導(dǎo)致定位錯誤，所以本發(fā)明在監(jiān)控結(jié)構(gòu)附近擺放了一些特殊的標(biāo)記，如圖3所示，H、G、I表示著一種特殊標(biāo)記，該種標(biāo)記用來做定位和自動對焦，從而可以避免用量測圖形直接做定位和自動對焦，提高了 CDSEM量測的成功率和精度。該種標(biāo)記可以設(shè)計在掩模板上，設(shè)置在沒有電路的位置上，用來做定位和自動對焦，這樣即使⑶SEM電子束會破壞光刻膠，那么由于做定位和自動對焦的位置下沒有電路，也不會影響CD的測量和器件的功能。圖中代表H、G、 I的圖形不限于圖中所表示的圖形，可以是其他任何便于識別的標(biāo)記圖形，都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。 以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細(xì)描述，但本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例，其只是作為范例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對該發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種新的關(guān)鍵尺寸監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計，其特征在于，其同時具有水平的測量圖形、 垂直的測量圖形、密集的測量圖形、半密集的測量圖形和孤立的測量圖形。
2.如權(quán)利要求1任何一項權(quán)利要求所述的一種新的關(guān)鍵尺寸監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計，其特征在于，其具有在監(jiān)控結(jié)構(gòu)附近擺放了一些特殊的標(biāo)記，以便于用來定位和自動對焦，以便于自動量測程式的建立。
3.如權(quán)利要求2所述的一種新的關(guān)鍵尺寸監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計，其特征在于，所述特殊的標(biāo)記存在于掩模板上。
全文摘要
本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域關(guān)于關(guān)鍵尺寸測量的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的外形設(shè)計，該監(jiān)控結(jié)構(gòu)同時具有水平圖形和垂直的圖形，具有密集圖形、半密集圖形、孤立的圖形，有特殊的標(biāo)記方便CDSEM自動量測程式的建立，所述特殊的標(biāo)記用來定位和自動對焦，從而可以避免用量測圖形直接做定位和自動對焦，提高了CDSEM量測的成功率和精度，該種標(biāo)記可以設(shè)計在掩模板上，設(shè)置在沒有電路的位置上，即使CDSEM電子束會破壞光刻膠，那么由于做定位和自動對焦的位置下沒有電路，也不會影響CD的測量和器件的功能。
文檔編號G01B15/00GK102435154SQ20111027269
公開日2012年5月2日 申請日期2011年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月15日
發(fā)明者何偉明, 鄭海昌 申請人:上海華力微電子有限公司