專利名稱：半導體c∕b(e)間電壓測試電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于半導體器件極間電壓測試領域，具體涉及一種半導體C / B(E)間電壓測試電路。
背景技術：
現(xiàn)有技術的半導體測試儀C / B(E)極間電壓一般在千伏內(nèi)，且測試精度較低，故障率較高，不能測試千伏以上的極間電壓，影響了半導體測試儀的使用范圍。技術內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明提供一種可測試千伏以上高壓且精度高、故障率低的半導體C / B(E)間電壓測試電路。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是
一種半導體C / B(E)極間電壓測試電路，其特征在于是包括C極電壓采集分壓電路、 B(E)極電壓采集分壓電路、C / B(E)極間測壓儀表放大器、1/2分壓網(wǎng)絡和輸出跟隨器電路，所述C極電壓采集分壓電路和B (E)極電壓采集分壓電路的輸入端分別連接C極和B (E) 極，輸出端分別連接跟隨器1和跟隨器2的輸入端，跟隨器1和跟隨器2的輸出端分別連接儀表放大器的兩個輸入端，儀表放大器輸出端接分壓網(wǎng)絡，分壓網(wǎng)絡的輸出端連接INBS模塊，INBS模塊連接ADC單元。所述的C極電壓采集分壓電路由不少于7個阻值電阻串聯(lián)組成電阻網(wǎng)絡，所述的電阻網(wǎng)絡與穩(wěn)壓網(wǎng)絡和開關網(wǎng)絡鏈接。所述的C極電壓采集分壓電路與跟隨器1間設置有兩個繼電器通道，所述的跟隨器1的正/負輸入端接有雙向二極管。所述的繼電器Kl，K2和K3為SPDT繼電器。所述的C極采集分壓電路的三只并聯(lián)電阻上設置并聯(lián)防振電容。所述的分壓電阻和測試電阻為無感(或甚小電感)精密電阻。相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明采用的先分壓后測試，再輸入給ADC單元量化的高壓測試方式，尤其是分壓電路中合理選用分壓電阻串聯(lián)方式能夠測試數(shù)千伏的高壓，并且測量精度高，工作十分穩(wěn)定，大大擴展了半導體測試儀的適用范圍。


圖1為本發(fā)明的結構框圖。
具體實施例方式下面結合圖1對本發(fā)明作進一步說明。參見圖1，一種半導體C / B(E)極間電壓測試電路，包括C極電壓采集分壓電路、 B(E)極電壓采集分壓電路、C / B(E)極間測壓儀表放大器、1/2分壓網(wǎng)絡和輸出跟隨器電路，所述C極電壓采集分壓電路和B (E)極電壓采集分壓電路的輸入端分別連接C極和B (E) 極，輸出端分別連接跟隨器1和跟隨器2的輸入端，跟隨器1和跟隨器2的輸出端分別連接儀表放大器的兩個輸入端，儀表放大器輸出端接分壓網(wǎng)絡，分壓網(wǎng)絡的輸出端連接INBS模塊，INBS模塊連接ADC單元。所述的C極電壓采集分壓電路由不少于7個阻值電阻串聯(lián)組成電阻網(wǎng)絡，所述的電阻網(wǎng)絡與穩(wěn)壓網(wǎng)絡和開關網(wǎng)絡鏈接。所述的C極電壓采集分壓電路與跟隨器1間設置有兩個繼電器通道，所述的跟隨器1的正/負輸入端接有雙向二極管。所述的繼電器Kl，K2 和K3為SPDT繼電器。所述的C極采集分壓電路的三只并聯(lián)電阻上設置并聯(lián)防振電容。所述的分壓電阻和測試電阻為無感(或甚小電感)精密電阻。工作過程本專利采用先分壓后測試的方式，通過C極電壓采集分壓電路，E/B極電壓采集分壓電路將高電壓分壓成低電壓，得到的低壓信號送到總線INBS總線上，由ADC 進行最后量化。分壓電路中選用了串聯(lián)方式分壓電阻，較好的解決高壓測試問題。對于較低C極電壓從兩只較大阻值的較小電阻輸入，較高C極電壓從較大電阻輸入，輸入方式由輸入繼電器選擇。該電路設置有1000V和2000V范圍測試選擇路徑方式。當系統(tǒng)C-E極間電壓范圍為1000V時，在印制板上跳接1000V分壓路徑，當電壓范圍為2000V時，在印制板上跳接 2000V分壓路徑。測試儀的C電壓范圍根據(jù)用戶需要在C極采樣和分壓電路選定。該電路在C極采集分壓電路的運放輸入同時設置了低壓和高壓通道。當C極電壓不高于士 50V時，使用低壓通道；當C極電壓高于士 50V時，使用高壓通道。在C極采集分壓電路中，有部分分壓電阻上并聯(lián)了防振電容，可以有效避免被測脈沖信號的振蕩，保證測試電路的穩(wěn)定性。該電路在C極電壓采集和分壓電路中使用的運放電源電壓約為士50V，為了提高輸入范圍，在運放電壓引腿連接了較大的去耦電阻，而將實際電源接成士65V電源。從而使得該運放輸入有一定的浮動性，確保必要輸入電壓范圍。在B(E)極采集和分壓電路中，輸入跟隨器的IN+與IN-之間，以及其輸出對士 15V 之間設計了二極管保護，以免當系統(tǒng)B極第一次分壓大于士 15V時，保護后面的電路不受損傷。
權利要求
1.一種半導體C / B(E)極間電壓測試電路，其特征在于是包括C極電壓采集分壓電路、B(E)極電壓采集分壓電路、C / B(E)極間測壓儀表放大器、1/2分壓網(wǎng)絡和輸出跟隨器電路，所述C極電壓采集分壓電路和B(E)極電壓采集分壓電路的輸入端分別連接C極和 B(E)極，輸出端分別連接跟隨器1和跟隨器2的輸入端，跟隨器1和跟隨器2的輸出端分別連接儀表放大器的兩個輸入端，儀表放大器輸出端接分壓網(wǎng)絡，分壓網(wǎng)絡的輸出端連接 INBS模塊，INBS模塊連接ADC單元。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體C/ B(E)極間測試電壓電路，其特征在于是所述的 C極電壓采集分壓電路由不少于7個阻值電阻串聯(lián)組成電阻網(wǎng)絡，所述的電阻網(wǎng)絡與穩(wěn)壓網(wǎng)絡和開關網(wǎng)絡鏈接。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體C/ B(E)極間測試電壓電路，其特征在于所述的C 極電壓采集分壓電路與跟隨器1間設置有兩個繼電器通道，所述的跟隨器1的正/負輸入端接有雙向二極管。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體C/ B(E)極間測試電壓電路，其特征在于所述的繼電器Kl，K2和K3為SPDT繼電器。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體C/ B(E)極間測試電壓電路，其特征在于所述的C 極采集分壓電路的三只并聯(lián)電阻上設置并聯(lián)防振電容。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體C/ B(E)極間測試電壓電路，其特征是所述的分壓電阻和測試電阻為無感(或甚小電感)精密電阻。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導體C/B(E)間測試電壓電路?，F(xiàn)有技術的半導體測試儀C/B(E)極間電壓一般在千伏內(nèi)，且測試精度較低，故障率較高。為了解決現(xiàn)有技術中的缺陷，本專利的技術方案是一種半導體C∕B(E)極間測試電壓電路，包括C極電壓采集分壓電路，B(E)極電壓采集分壓電路，C∕B(E)極間測壓儀表放大器，1/2分壓單元和輸出跟隨器電路；所述C極電壓采集分壓電路和B(E)極電壓采集分壓電路的輸入端分別連接C極和B(E)極，輸出端分別連接跟隨器I和跟隨器II的輸入端，跟隨器I和跟隨器II的輸出端分別連接儀表放大器的兩個輸入端。本專利技術能夠測試千伏以上乃至數(shù)千伏的高壓，而且精度高，工作十分穩(wěn)定，大大擴展了半導體測試儀的適用范圍。
文檔編號G01R31/26GK102565497SQ20101057618
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月7日 優(yōu)先權日2010年12月7日
發(fā)明者杜忠勤 申請人:西安華澳電子科技有限公司