專利名稱：崩應(yīng)架構(gòu)及崩應(yīng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種崩應(yīng)架構(gòu)及崩應(yīng)方法。
背景技術(shù)：
在集成電路制造完成后，還需經(jīng)過(guò)產(chǎn)品可靠性測(cè)試來(lái)判斷其性能的好壞，而產(chǎn)品 老化壽命實(shí)驗(yàn)是產(chǎn)品可靠性測(cè)試非常重要的必須經(jīng)過(guò)的一個(gè)環(huán)節(jié)。一般常見(jiàn)的壽命實(shí)驗(yàn)項(xiàng) 目有崩應(yīng)(Burn-in)測(cè)試，也叫做老化測(cè)試。通常崩應(yīng)測(cè)試都是先對(duì)芯片進(jìn)行高溫和高壓 處理，加速其老化，迫使故障在更短時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。崩應(yīng)測(cè)試包括靜態(tài)崩應(yīng)測(cè)試、動(dòng)態(tài)崩應(yīng)測(cè)試和監(jiān)測(cè)崩應(yīng)測(cè)試等。崩應(yīng)測(cè)試的過(guò)程 包括崩應(yīng)和測(cè)試兩個(gè)步驟首先進(jìn)行崩應(yīng)，圖1為一種現(xiàn)有的崩應(yīng)架構(gòu)的示意圖，如圖1所 示，將芯片10封裝在測(cè)試載體20上，使芯片輸入端和輸出端與測(cè)試載體20的內(nèi)側(cè)引腳電 性相連；然后將測(cè)試載體20插在老化測(cè)試板30內(nèi)的插槽40上與插槽40內(nèi)的引腳(未圖 示)電性相連，老化測(cè)試板30具有測(cè)試管腳50，所述測(cè)試管腳50通過(guò)老化測(cè)試板30內(nèi)的 引線和插槽內(nèi)的引腳50電性相連，當(dāng)測(cè)試載體20插在所述插槽40內(nèi)則測(cè)試載體20和老 化測(cè)試板30電性相連，從而芯片通過(guò)測(cè)試載體20就和老化測(cè)試板30電性相連。圖1是示 意性說(shuō)明，實(shí)際上老化測(cè)試板可以包括多個(gè)插槽40。然后，對(duì)老化測(cè)試板30及其內(nèi)的芯片10施以高溫和高壓進(jìn)行老化，例如將芯片及 其所在的老化測(cè)試板置于老化爐中進(jìn)行加熱，例如加熱到150°C，維持一天的高溫，通過(guò)老 化測(cè)試板的管腳對(duì)老化測(cè)試板內(nèi)的芯片施以高壓。接著，進(jìn)行測(cè)試的步驟，在芯片老化的一些節(jié)點(diǎn)，例如老化M小時(shí)、48小時(shí)或者 168小時(shí)、500小時(shí)、1000小時(shí)的時(shí)候，將芯片及老化測(cè)試板從老化爐取出，放入測(cè)試機(jī)臺(tái)中進(jìn)行直流參數(shù)、交流參數(shù)和功能參數(shù)的測(cè)量。例如申請(qǐng)?zhí)枮椤癠SM89538”的美國(guó)專利文獻(xiàn)中公開了一種崩應(yīng)測(cè)試的方法，其中 靜態(tài)崩應(yīng)測(cè)試?yán)昧讼葘?duì)芯片進(jìn)行加壓和加熱進(jìn)行崩應(yīng)，然后測(cè)試其直流特性，動(dòng)態(tài)崩應(yīng) 測(cè)試?yán)昧讼葘?duì)芯片進(jìn)行加壓和加熱進(jìn)行崩應(yīng)，然后測(cè)試其功能特性?，F(xiàn)有的崩應(yīng)測(cè)試存在的問(wèn)題是芯片不同，其測(cè)試載體的管腳及內(nèi)部引線的連接 形式都不同，因此所需的老化測(cè)試板也不同，這樣就需要根據(jù)不同的芯片制造不同的老化 測(cè)試板，這樣就造成了巨大的浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是降低成本，簡(jiǎn)化崩應(yīng)工藝。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種崩應(yīng)架構(gòu)及崩應(yīng)方法，包括老化測(cè)試板，其具有管腳和插槽，所述管腳和插槽內(nèi)的引腳電性相連；測(cè)試載體，其具有和所述插槽內(nèi)的引腳對(duì)應(yīng)的外圍引腳，所述測(cè)試載體具有和外 圍引腳對(duì)應(yīng)電性相連的內(nèi)側(cè)引腳；芯片功能轉(zhuǎn)換板，在其內(nèi)部封裝有芯片，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳和測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳對(duì)應(yīng)；其中所述芯片功能轉(zhuǎn)換板能夠安裝在測(cè)試載體上，并且芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳與 測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳電性相連；所述測(cè)試載體能夠通過(guò)外圍引腳安裝在老化測(cè)試板的插槽內(nèi)，使測(cè)試載體與老化 測(cè)試板電性相連?？蛇x的，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳為焊盤；所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳為焊盤?？蛇x的，所述測(cè)試載體的外圍引腳為焊盤，所述老化測(cè)試板的插槽內(nèi)的引腳為焊ο可選的，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳小于或者等于所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳數(shù)?？蛇x的，所述老化測(cè)試板插槽內(nèi)的引腳數(shù)目大于2。相應(yīng)的本發(fā)明還提供了一種崩應(yīng)方法，包括步驟提供芯片、老化測(cè)試板及測(cè)試載體，所述老化測(cè)試板具有插槽，所述測(cè)試載體具有 和所述插槽內(nèi)的管腳對(duì)應(yīng)的外圍引腳，所述測(cè)試載體具有和外圍引腳電性相連的內(nèi)側(cè)引 腳；對(duì)芯片進(jìn)行封裝，將芯片進(jìn)行封裝形成芯片功能轉(zhuǎn)換板，并使得所述芯片功能轉(zhuǎn) 換板的引腳和測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳對(duì)應(yīng)；將芯片功能轉(zhuǎn)換板安裝在測(cè)試載體上，并使芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳與測(cè)試載體的 內(nèi)側(cè)引腳電性相連；將測(cè)試載體安裝在老化測(cè)試板的插槽內(nèi)，并且測(cè)試載體與老化測(cè)試板電性相連?？蛇x的，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳為焊盤；所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳為焊盤?？蛇x的，所述測(cè)試載體的外圍引腳為焊盤，所述老化測(cè)試板的插槽內(nèi)的引腳為焊ο可選的，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳小于或者等于所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳數(shù)。可選的，所述老化測(cè)試板插槽內(nèi)的引腳數(shù)目大于2。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明主要具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明將芯片封裝成芯片功能轉(zhuǎn)換板，因?yàn)樾酒δ苻D(zhuǎn)換板的引腳和測(cè)試載體的 內(nèi)側(cè)引腳對(duì)應(yīng)，因此使得不同種類的芯片，即使是輸出端與測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)管腳不匹配的 芯片，也可以通過(guò)封裝為芯片功能轉(zhuǎn)換板的過(guò)程中，使得其輸出端和測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)管腳 匹配。進(jìn)一步的因?yàn)闇y(cè)試載體與老化測(cè)試板的管腳匹配，從而使得輸出端不同的不同種類 的芯片，都可以使用相同的測(cè)試載體及老化測(cè)試板，因?yàn)楸缿?yīng)時(shí)不需要重新制作測(cè)試載體 和老化測(cè)試板，因此這樣降低了成本，簡(jiǎn)化了崩應(yīng)工藝。


通過(guò)附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說(shuō)明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按 實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為現(xiàn)有的一種崩應(yīng)架構(gòu)的示意圖；圖2為本發(fā)明的崩應(yīng)架構(gòu)的示意圖；圖3為本發(fā)明的崩應(yīng)方法的流程圖4為本發(fā)明的老化測(cè)試板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明的測(cè)試載體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明的芯片功能轉(zhuǎn)換板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為將芯片功能轉(zhuǎn)換板安裝在測(cè)試載體上的示意圖；圖8為將測(cè)試載體安裝在老化測(cè)試板上的示意圖。
具體實(shí)施例方式由背景技術(shù)可知，在現(xiàn)有的崩應(yīng)測(cè)試中，需要先進(jìn)行崩應(yīng)也就是老化，在崩應(yīng)的時(shí) 候需要將芯片封裝在測(cè)試載體內(nèi)，然后根據(jù)測(cè)試載體的管腳來(lái)制造老化測(cè)試板，這樣由于 芯片的輸入輸出接口不同，因此測(cè)試載體的管腳也不同，相應(yīng)的老化測(cè)試板的接口也不同， 從而需要根據(jù)芯片的輸入輸出接口來(lái)制造老化測(cè)試板，這樣使得老化測(cè)試板不能通用，因 此兼容性差，造成浪費(fèi)，并且每種芯片的崩應(yīng)都需要先制造老化測(cè)試板，從而崩應(yīng)工藝復(fù)ο為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖2為本發(fā)明的崩應(yīng)架構(gòu)的示意圖，如圖2所示，本發(fā)明的崩應(yīng)架構(gòu)包括老化測(cè) 試板110，其具有管腳IlOa和插槽110b，所述管腳IlOa和插槽IlOb內(nèi)的引腳(圖2未示 出)電性相連；測(cè)試載體120，其具有和所述插槽IlOb內(nèi)的引腳對(duì)應(yīng)的外圍引腳(圖2未 示出)，所述測(cè)試載體120具有和外圍引腳電性相連的內(nèi)側(cè)引腳(圖2未示出)；芯片功能 轉(zhuǎn)換板130，在其內(nèi)部封裝有芯片140，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板130的引腳(圖2未示出)和 測(cè)試載體120的內(nèi)側(cè)引腳(圖2未示出)對(duì)應(yīng)；其中所述芯片功能轉(zhuǎn)換板130能夠安裝在 測(cè)試載體120上，并且芯片功能轉(zhuǎn)換板130的引腳與測(cè)試載體120的內(nèi)側(cè)引腳電性相連；所 述測(cè)試載體120能夠安裝在老化測(cè)試板110的插槽IlOb內(nèi)，并且測(cè)試載體120與老化測(cè)試 板110電性相連。下面結(jié)合崩應(yīng)方法對(duì)本發(fā)明的崩應(yīng)架構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。圖3為本發(fā)明的崩應(yīng)方 法的流程圖。參考圖3，本發(fā)明的本應(yīng)方法包括步驟S10:提供芯片、老化測(cè)試板及測(cè)試載體，所述老化測(cè)試板具有插槽，所述測(cè)試載體 具有和所述插槽內(nèi)的管腳對(duì)應(yīng)的外圍引腳，所述測(cè)試載體具有和外圍引腳電性相連的內(nèi)側(cè) 引腳。圖4為本發(fā)明的老化測(cè)試板結(jié)構(gòu)示意圖。具體的參考圖4，其中老化測(cè)試板110可以為現(xiàn)有的一種老化測(cè)試板，但其管腳 IlOa的數(shù)目必須大于要測(cè)試的芯片的接口數(shù)目，這樣才能保證芯片的接口都可以通過(guò)老化 測(cè)試板的管腳施加老化電壓。老化測(cè)試板可以包括多個(gè)插槽IlOb(在圖4中為了更清楚的示意，只畫出了一個(gè)插槽110b)，在插槽IlOb內(nèi)具有引腳IlOc0所述管腳IlOa和插槽IlOb內(nèi)的引腳IlOcffl 過(guò)內(nèi)部導(dǎo)線電性相連。由于在老化測(cè)試板110上的插槽IlOb內(nèi)的管腳IlOc的數(shù)目越多，其可以適用的 芯片種類就越多，老化測(cè)試板的通用性也就越好。但是插槽內(nèi)的管腳IlOc越多，插槽IlOb 占用的面積越大，則同樣面積的老化測(cè)試板110包括的插槽數(shù)目也就越少，這樣老化測(cè)試 板110可以同時(shí)測(cè)量的芯片的數(shù)目也就越少，測(cè)試效率也就越低。因此為了既保證測(cè)試效 率和老化測(cè)試板的通用性，在本實(shí)施例中，所述老化測(cè)試板插槽內(nèi)的引腳數(shù)目大于2，甚至 為可多達(dá)上千個(gè)，例如為16、512或IOM個(gè)，對(duì)應(yīng)的所述老化測(cè)試板內(nèi)插槽數(shù)亦多達(dá)數(shù)百 個(gè)，例如為12至360個(gè)。例如插槽數(shù)可以為150個(gè)，每個(gè)插槽內(nèi)包括的引腳數(shù)為100個(gè)，從 而對(duì)應(yīng)的測(cè)試載體的外部引腳數(shù)也為100個(gè)。圖5為本發(fā)明的測(cè)試載體的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，測(cè)試載體120具有和所述 插槽內(nèi)的引腳IlOc對(duì)應(yīng)的外圍引腳120a，所述測(cè)試載體120具有和外圍引腳120a電性相 連的內(nèi)側(cè)引腳120b。在本實(shí)施例中，所述測(cè)試載體120的外圍引腳120a和所述插槽內(nèi)的引腳IlOc數(shù) 量相同，可以一一對(duì)應(yīng)連接。所述外圍引腳120a可以為位于測(cè)試載體120的外圍的扁平式 管腳，所述插槽內(nèi)的引腳IlOc可以為位于插槽的四周的扁平式管腳。所述外圍引腳120a 也可以為位于測(cè)試載體120的一個(gè)側(cè)面的焊盤，所述插槽內(nèi)的引腳IlOc也可以為位于插槽 的底部的焊盤。所述焊盤包括球狀、柱狀等。測(cè)試載體120的內(nèi)側(cè)管腳120b可以為位于測(cè)試載體120內(nèi)的扁平式管腳，也可以 為位于測(cè)試載體120的和外圍管腳相對(duì)的一個(gè)側(cè)面上的焊盤。所述焊盤包括球狀、柱狀等。S20 對(duì)芯片進(jìn)行封裝，將芯片進(jìn)行封裝形成芯片功能轉(zhuǎn)換板，并使得所述芯片功 能轉(zhuǎn)換板的弓I腳和測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳對(duì)應(yīng)。圖6為本發(fā)明的芯片功能轉(zhuǎn)換板的結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖6所示，在封裝芯片140的過(guò)程中，芯片的接口被封裝為芯片功能轉(zhuǎn) 換板的引腳。并且在封裝的時(shí)候需要考慮到使封裝后的芯片功能轉(zhuǎn)換板130的引腳130a 與測(cè)試載體120的內(nèi)部管腳120b之間匹配，所述匹配包括數(shù)量的匹配(芯片功能轉(zhuǎn)換板 130的引腳130a數(shù)目不能大于測(cè)試載體120的內(nèi)部管腳120b的數(shù)目)；類型的一致，例如 同為扁平式或者焊盤式；并且位于對(duì)應(yīng)位置的管腳傳輸?shù)男盘?hào)相同，例如同為數(shù)據(jù)引腳或 同為控制引腳。因?yàn)樾酒δ苻D(zhuǎn)換板130需要安裝到測(cè)試載體120上，并且芯片功能轉(zhuǎn)換板130 的引腳130a都需要連接到測(cè)試載體120的內(nèi)部管腳120b上，因此為了保證芯片功能轉(zhuǎn)換 板130的引腳130a都可以連接到測(cè)試載體上，則芯片功能轉(zhuǎn)換板130的引腳130a數(shù)目可 以小于或者等于測(cè)試載體120的內(nèi)部管腳120b的數(shù)目。因?yàn)椴煌男酒慕涌跀?shù)目不同，因此封裝后的芯片功能轉(zhuǎn)化板的引腳數(shù)目也不 同，如果利用通用的測(cè)試載體120，則對(duì)于不同的封裝芯片，有的芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳可 能小于測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳(也就是測(cè)試載體的內(nèi)部引腳可能有空閑)，有的芯片功能轉(zhuǎn) 換板的弓I腳可能等于測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳。具體的封裝過(guò)程為本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上述說(shuō)明可以實(shí)現(xiàn)的，因此不再贅述。S30 將芯片功能轉(zhuǎn)換板安裝在測(cè)試載體上，并使芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳與測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳電性相連。圖7為將芯片功能轉(zhuǎn)換板安裝在測(cè)試載體上的示意圖。具體的，參考圖7，將芯片功能轉(zhuǎn)換板130安裝在測(cè)試載體120上，并且使得芯片功 能轉(zhuǎn)換板130的引腳和測(cè)試載體120的內(nèi)側(cè)引腳電性相連，例如圖7所示的將芯片功能轉(zhuǎn) 換板130的焊盤式引腳和測(cè)試載體120的焊盤式內(nèi)側(cè)引腳位置對(duì)應(yīng)，然后進(jìn)行焊接。因?yàn)椴煌男酒慕涌跀?shù)目不同，因此封裝后的芯片功能轉(zhuǎn)化板的引腳數(shù)目也不 同，如果利用通用的測(cè)試載體120，則對(duì)于不同的封裝芯片，有的芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳可 能小于測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳(也就是測(cè)試載體的內(nèi)部引腳可能有空閑)，有的芯片功能轉(zhuǎn) 換板的弓I腳可能等于測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳。S40:將測(cè)試載體安裝在老化測(cè)試板的插槽內(nèi)，并且測(cè)試載體與老化測(cè)試板電性相連。圖8為將測(cè)試載體安裝在老化測(cè)試板上的示意圖。具體的，參考圖8，因?yàn)闇y(cè)試載體的外部引腳和老化測(cè)試板插槽內(nèi)的引腳一一對(duì) 應(yīng)，因此可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法將測(cè)試載體安裝在老化測(cè)試板上，并使得其 電性相連。這樣就可以通過(guò)給老化測(cè)試板的引腳加電壓，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的接口加電壓，以 便對(duì)芯片進(jìn)行崩應(yīng)。參考上述崩應(yīng)方法可知本發(fā)明還提供了一種崩應(yīng)架構(gòu)一種崩應(yīng)架構(gòu)，包括老化 測(cè)試板，其具有管腳和插槽，所述管腳和插槽內(nèi)的引腳電性相連；測(cè)試載體，其具有和所述 插槽內(nèi)的引腳對(duì)應(yīng)的外圍引腳，所述測(cè)試載體具有和外圍引腳電性相連的內(nèi)側(cè)引腳；芯片 功能轉(zhuǎn)換板，在其內(nèi)部封裝有芯片，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳和測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳對(duì) 應(yīng)；其中所述芯片功能轉(zhuǎn)換板能夠安裝在測(cè)試載體上，并且芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳與測(cè)試 載體的內(nèi)側(cè)引腳電性相連；所述測(cè)試載體能夠安裝在老化測(cè)試板的插槽內(nèi)，并且測(cè)試載體 與老化測(cè)試板電性相連。其中優(yōu)選的，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳為焊盤；所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳為焊 盤。所述焊盤包括球狀、柱狀等。其中優(yōu)選的，所述測(cè)試載體的外圍引腳為焊盤，所述老化測(cè)試板的插槽內(nèi)的引腳 為焊盤。所述焊盤包括球狀、柱狀等。其中優(yōu)選的，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳小于或者等于所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳數(shù)。其中優(yōu)選的，所述老化測(cè)試板插槽內(nèi)的引腳數(shù)目大于2，甚至為可多達(dá)上千個(gè)，例 如為16、512或IOM個(gè)，對(duì)應(yīng)的所述老化測(cè)試板內(nèi)插槽數(shù)亦多達(dá)數(shù)百個(gè)，例如為12至360 個(gè)。例如插槽數(shù)可以為150個(gè)，每個(gè)插槽內(nèi)包括的引腳數(shù)為100個(gè)，從而對(duì)應(yīng)的測(cè)試載體的 外部引腳數(shù)也為100個(gè)。。本發(fā)明利用了先將芯片封裝形成芯片功能轉(zhuǎn)換板，使得芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳排 列為預(yù)先設(shè)定的模式，也就是和通用的測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳對(duì)應(yīng)的模式，這樣即使不同的 芯片的接口不同，通過(guò)封裝后就得到了引腳排列相同的芯片功能轉(zhuǎn)換板，這樣就可以使用 通用的測(cè)試載體，因?yàn)闇y(cè)試載體是通用的，也就是說(shuō)不同的芯片所使用的測(cè)試載體引腳排 列相同，從而老化測(cè)試板也可以使用通用的，這樣就不需要每種芯片單獨(dú)設(shè)計(jì)制造一種老 化測(cè)試板，因此大大降低了崩應(yīng)工藝的復(fù)雜度，降低了成本，減少了浪費(fèi)。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。任 何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方 法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí) 施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做 的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種崩應(yīng)架構(gòu)，其特征在于，包括老化測(cè)試板，其具有管腳和插槽，所述管腳和插槽內(nèi)的引腳電性相連；測(cè)試載體，其具有和所述插槽內(nèi)的引腳對(duì)應(yīng)的外圍引腳，所述測(cè)試載體具有和外圍引 腳對(duì)應(yīng)電性相連的內(nèi)側(cè)引腳；芯片功能轉(zhuǎn)換板，在其內(nèi)部封裝有芯片，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳和測(cè)試載體的內(nèi) 側(cè)引腳對(duì)應(yīng)；其中所述芯片功能轉(zhuǎn)換板能夠安裝在測(cè)試載體上，并且芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳與測(cè)試 載體的內(nèi)側(cè)引腳電性相連；所述測(cè)試載體能夠通過(guò)外圍引腳安裝在老化測(cè)試板的插槽內(nèi)，使測(cè)試載體與老化測(cè)試 板電性相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的崩應(yīng)架構(gòu)，其特征在于，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳為焊盤； 所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳為焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的崩應(yīng)架構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試載體的外圍引腳為焊盤，所 述老化測(cè)試板的插槽內(nèi)的引腳為焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的崩應(yīng)架構(gòu)，其特征在于，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳小于或 者等于所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的崩應(yīng)架構(gòu)，其特征在于，所述老化測(cè)試板插槽內(nèi)的引腳數(shù)目 大于2。
6.一種崩應(yīng)方法，其特征在于，包括步驟提供芯片、老化測(cè)試板及測(cè)試載體，所述老化測(cè)試板具有插槽，所述測(cè)試載體具有和所 述插槽內(nèi)的管腳對(duì)應(yīng)的外圍引腳，所述測(cè)試載體具有和外圍引腳電性相連的內(nèi)側(cè)引腳；對(duì)芯片進(jìn)行封裝，將芯片進(jìn)行封裝形成芯片功能轉(zhuǎn)換板，并使得所述芯片功能轉(zhuǎn)換板 的引腳和測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳對(duì)應(yīng)；將芯片功能轉(zhuǎn)換板安裝在測(cè)試載體上，并使芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳與測(cè)試載體的內(nèi)側(cè) 引腳電性相連；將測(cè)試載體安裝在老化測(cè)試板的插槽內(nèi)，并且測(cè)試載體與老化測(cè)試板電性相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的崩應(yīng)方法，其特征在于，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳為焊盤； 所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳為焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的崩應(yīng)方法，其特征在于，所述測(cè)試載體的外圍引腳為焊盤，所 述老化測(cè)試板的插槽內(nèi)的引腳為焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的崩應(yīng)方法，其特征在于，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳小于或 者等于所述測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的崩應(yīng)架構(gòu)，其特征在于，所述老化測(cè)試板插槽內(nèi)的引腳數(shù)目 大于2。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種崩應(yīng)架構(gòu)和方法，該結(jié)構(gòu)包括老化測(cè)試板，其具有管腳和插槽，所述管腳和插槽內(nèi)的引腳電性相連；測(cè)試載體，其具有和所述插槽內(nèi)的引腳對(duì)應(yīng)的外圍引腳，所述測(cè)試載體具有和外圍引腳電性相連的內(nèi)側(cè)引腳；芯片功能轉(zhuǎn)換板，在其內(nèi)部封裝有芯片，所述芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳和測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳對(duì)應(yīng)；其中所述芯片功能轉(zhuǎn)換板能夠安裝在測(cè)試載體上，并且芯片功能轉(zhuǎn)換板的引腳與測(cè)試載體的內(nèi)側(cè)引腳電性相連；所述測(cè)試載體能夠安裝在老化測(cè)試板的插槽內(nèi)，并且測(cè)試載體與老化測(cè)試板電性相連。本發(fā)明可以降低成本，簡(jiǎn)化崩應(yīng)工藝。
文檔編號(hào)G01R1/04GK102053220SQ20091019859
公開日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月10日
發(fā)明者張榮哲, 簡(jiǎn)維廷 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司