專利名稱：分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明設(shè)計半 導(dǎo)體產(chǎn)品測試領(lǐng)域，具體的，涉及在半導(dǎo)體產(chǎn)品測試中，分析半 導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路產(chǎn)業(yè)中，良率是表征半導(dǎo)體企業(yè)產(chǎn)品設(shè)計、制造、封裝和測試能力 的關(guān)鍵性指標(biāo)。提升良率，是提高企業(yè)盈利能力的重要手段之一。因此，在半導(dǎo)體行業(yè) 中，尤其是晶圓代工企業(yè)里，良率管理是個極其重要的命題，有專門的部門負(fù)責(zé)整合整 個公司的資源、人力來推動良率提升。良率，又稱之為成品率，是指在一批被測試產(chǎn)品中，合格品數(shù)目所占被測產(chǎn)品 總數(shù)之百分比。所述良率的計算公式如下良率(Yield)=合格品數(shù)目(Passdevices count) / 被測試品總數(shù)(Total devices count)* 100% (1)由公式(1)可以看出，當(dāng)被測試品總數(shù)一定的情況下，良率的高低直接影響最 終合格品出貨數(shù)量。快速、有效地提高良率可顯著達(dá)到降低成本，提高效率，提升企業(yè) 品質(zhì)形象之目的。目前而言，晶圓代工企業(yè)中良率提升的流程通常為a)收集數(shù)據(jù)、b)良率統(tǒng) 計、C)失效分析、d)改善及防堵措施、e)良率提升。其中失效分析和改善及防堵措施 兩項，往往是良率團隊關(guān)注的焦點。失效分析是用來提供給工藝和制造部門哪里出了問 題，出了什么樣的問題。然后工藝和制造部門針對問題所在，采取相應(yīng)的改善及防堵措 施。通常，良率統(tǒng)計可按測試類型、統(tǒng)計周期、良率分布等幾種類型分類。每種類 型又有如下類型按測試類型分為晶圓測試良率(Wafer sort yield/Chip probe yield)、終測良率 (Final test yield)等；按統(tǒng)計周期可分為日平均良率(Daily yield)、周平均良率(Weekly yield)、月 平均良率(Monthly yield)、季度平均良率(Quarterlyyield)以及年平均良率(Annualyield) 等；按良率分布可分為平均良率(Average yield)、正常晶圓良率(normal yield)。按良率分布分類中，平均良率(Average yield)，表征所有良率數(shù)據(jù)的平均值； 正常晶圓良率(normal yield)，表征去除低良率數(shù)據(jù)后的平均值。圖1所示為現(xiàn)有的典型晶圓良率趨勢圖。圖1給出了某產(chǎn)品萊一周期的良率分布 趨勢圖。圖1中，橫軸代表晶圓的標(biāo)示代碼，每個晶圓的標(biāo)示代碼一般由兩部分決定， 一是該晶圓所在的批次(LOT ID)，二是該晶圓在本批次中的編號。因為晶圓的標(biāo)示代碼 并不影響良率，為方便起見，晶圓的標(biāo)示代碼在圖1中只用阿拉伯編號標(biāo)注，將橫軸按 一定長度為周期將橫軸分份，每個長度代表一定數(shù)量的晶圓，直到所有晶圓都被標(biāo)示為止?？v軸表示晶圓的良率值百分比。
計算平均良率時，將所有晶圓的良率值相加并計算取平均值，此平均值即為該 產(chǎn)品的平均良率，具體的，對圖1所示的產(chǎn)品該周的平均良率為94.1%。而該周的正常良率的定義應(yīng)為去掉低良率值的晶圓，再對剩余晶圓的良率值 取平均值。根據(jù)經(jīng)驗以85%為正常良率下限標(biāo)準(zhǔn)，則去掉良率值低于85%的那部分晶 圓，對剩余晶圓的良率值取平均，所得正常良率為94.4% .?，F(xiàn)有方法的不足之處為1)標(biāo)準(zhǔn)定義模糊，2)主觀性過強，不能準(zhǔn)確反應(yīng)正常 的良率值?？梢?，雖然現(xiàn)有的良率提升的模式行之有效，然而，仔細(xì)分析，依然有提升空 間。在“良率統(tǒng)計”環(huán)節(jié)一直被業(yè)界較為忽視，其實此環(huán)節(jié)相當(dāng)重要，因為“失效分 析”和“改善及防堵措施”能夠有效分析問題、解決問題進(jìn)而提升良率的前提是，找 準(zhǔn)正確的分析對象，也就是良率損失所在?？涩F(xiàn)實而言，因為良率數(shù)據(jù)統(tǒng)計結(jié)果表面看 來比較直觀，所以在此領(lǐng)域分析較為簡單。問題在于，良率工程師在良率統(tǒng)計時，往往 根據(jù)對制程和產(chǎn)品的了解，以經(jīng)驗來設(shè)定下限，定義正常良率。如此即會造成，不同時 間、不同工程師所報告出來的問題不一樣。換言之，主觀性很強。這樣對于良率團隊準(zhǔn) 確把握良率，抓住問題而言，隱含了較大風(fēng)險。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率分析方法主觀性強、與實際良率相差較大的問 題，本發(fā)明提供分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法。本發(fā)明分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，包括選取一定數(shù)量的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品，測量每個所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率值并將其存 入第一存儲單元；第一數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第一存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，計算選取的所有所述半導(dǎo) 體產(chǎn)品的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一良率平均值和所述半導(dǎo)體產(chǎn) 品第一標(biāo)準(zhǔn)方差，用所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一良率平均值減去所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一標(biāo)準(zhǔn)方差 的第一正常數(shù)倍，得到所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一正常良率的下限值；第一修正單元去除良率值小于所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一正常良率的下限值的半導(dǎo)體 產(chǎn)品以及所述第一存儲單元內(nèi)對應(yīng)的良率值，所述第一數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第一存儲 單元內(nèi)剩余的數(shù)據(jù)，計算剩余半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到所述半導(dǎo)體產(chǎn) 品第二標(biāo)準(zhǔn)方差，用所述所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第二良率平均值減去所述所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第二 標(biāo)準(zhǔn)方差的第一正常數(shù)倍，得到所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第二正常良率的下限值；所述第一存儲單元、第一數(shù)據(jù)計算單元和第一修正單元重復(fù)上述對半導(dǎo)體產(chǎn)品 的良率值存儲、計算和修正，直到得到收斂的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第N正常良率的下限值， 即所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第N正常良率的下限值與所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第N-I正常良率的下限值相 等時，對應(yīng)的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第N良率平均值為所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值。優(yōu)選的，所述第一正常數(shù)為正整數(shù)。優(yōu)選的，所述第一正常數(shù)為3。優(yōu)選的，選取的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的數(shù)量為300以上
可選的，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品為晶圓，所述晶圓上具有晶粒。
可選的，所述分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，還包括
將所述晶圓基準(zhǔn)良率值所對應(yīng)的剩余晶圓進(jìn)行疊圖，計算晶圓每一位置上的晶 粒的良率值并將其存入第二存儲單元；
第二數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第二存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，計算所有晶粒的良率平均 值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶粒第一良率平均值和晶粒第一標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶粒第一良率平均值 減去晶粒第一標(biāo)準(zhǔn)方差的第二正常數(shù)倍，得到晶粒第一正常良率的下限值；
第二修正單元去除良率值小于晶粒第一正常良率的下限值的晶粒以及所述第二 存儲單元內(nèi)對應(yīng)的良率值，所述第二數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第二存儲單元內(nèi)剩余的數(shù) 據(jù)，計算剩余晶粒的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶粒第二標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶粒第二良率 平均值減去晶粒第二標(biāo)準(zhǔn)方差的第二正常數(shù)倍，得到晶粒第二正常良率的下限值；
所述第二存儲單元、第二數(shù)據(jù)計算單元和第二修正單元重復(fù)上述對晶粒的良率 值存儲、計算和修正，直到得到收斂的晶粒第N正常良率的下限值，即晶粒第N正常良 率的下限值與晶粒第N-I正常良率的下限值相等時，對應(yīng)的晶粒第N良率平均值為晶粒 基準(zhǔn)良率值。優(yōu)選的，所述第二正常數(shù)為正整數(shù)。優(yōu)選的，所述第二正常數(shù)為3。
可選的，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品為晶粒，多個所述晶粒位于晶圓上。
可選的，所述分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，還包括
以所述晶粒基準(zhǔn)良率值所對應(yīng)的剩余晶粒為基礎(chǔ)，計算每個晶圓的良率值并將 其存入第二存儲單元；
第二數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第二存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，計算所有晶圓的良率平均 值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶圓第一良率平均值和晶圓第一標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶圓第一良率平均值 減去晶圓第一標(biāo)準(zhǔn)方差的第二正常數(shù)倍，得到晶圓第一正常良率的下限值；
第二修正單元去除良率值小于晶圓第一正常良率的下限值的晶圓以及所述第二 存儲單元內(nèi)對應(yīng)的良率值，所述第二數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第二存儲單元內(nèi)剩余的數(shù) 據(jù)，計算剩余晶圓的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶圓第二標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶圓第二良率 平均值減去晶圓第二標(biāo)準(zhǔn)方差的第二正常數(shù)倍，得到晶圓第二正常良率的下限值；
所述第二存儲單元、第二數(shù)據(jù)計算單元和第二修正單元重復(fù)上述對晶圓的良率 值存儲、計算和修正，直到得到收斂的晶圓第N正常良率的下限值，即晶圓第N正常良 率的下限值與晶圓第N-I正常良率的下限值相等時，對應(yīng)的晶圓第N良率平均值為晶圓 基準(zhǔn)良率值。
優(yōu)選的，所述第二正常數(shù)為正整數(shù)。
優(yōu)選的，所述第二正常數(shù)為3。
本發(fā)明的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，可以有效去除良率值中的漂移 點，使良率收斂于一個非常接近真實值的值，得到的基準(zhǔn)良率能真實的反映產(chǎn)品制程能 力，為后面的良率提升和工藝改進(jìn)提供了很好的參考。


圖1所示為某產(chǎn)品某一周期的良率分布趨勢圖。
圖2所示為第一實施例中根據(jù)第一存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)得到的所述1403片晶圓的良率趨勢圖。圖3所示為第一實施例中最終所得1358片晶圓的良率分布直方圖。圖4為第二實施例中將晶圓基準(zhǔn)良率值所對應(yīng)的剩余晶圓進(jìn)行疊圖得到的晶粒 的良率值分布圖。
具體實施例方式
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的 內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明認(rèn)為，良率統(tǒng)計分析本身就非常重要。可通過深度分析，找出數(shù)據(jù)背后 之意義，提供給良率團隊正確方向。本發(fā)明對背景技術(shù)中第三種分類，即“按良率分布”分類，進(jìn)行了進(jìn)一步研究 分析。要說明的是，由于晶圓測試良率在各種良率中最難控制，而它又是影響生產(chǎn)率 (Productivity)的最重要因素，因此以下的良率研究都是專門針對晶圓測試良率而言，但 是，本發(fā)明的分析方法并不局限于晶圓。本發(fā)明提出基準(zhǔn)良率(Baseline yield)的概念，并且找出一種科學(xué)的計算方法， 以更客觀準(zhǔn)確地反映產(chǎn)品制程能力。給良率團隊一個統(tǒng)一而準(zhǔn)確的標(biāo)準(zhǔn)，以更快更準(zhǔn)地 發(fā)現(xiàn)并解決問題。一般而言，對于成熟制程下的產(chǎn)品，其良率高低取決于制程缺陷(defect)所造成 的失效器件數(shù)目之多少。這里所言制程缺陷，包括兩種一種稱之為隨機缺陷(random defect),即指在晶圓制造過程中，隨機發(fā)生的制造缺陷。這里，隨機的概念既包括了自 然分布的缺陷(如分布于器件每層的隨機所掉的顆粒)，又包含了意外隨機事件造成的制 程缺陷，又叫偏移事件(excursion case)。另一種稱之為系統(tǒng)性缺陷(systematic defect)， 即指在晶圓制造過程中因某種原因持續(xù)發(fā)生的制程缺陷。這種缺陷往往伴隨某種特定失 效圖形(failure pattern)。本發(fā)明提出基準(zhǔn)良率，希望這種良率反映的是真正自然隨機的缺陷下的制程能 力。這樣可以找出真正的良率標(biāo)準(zhǔn)，供良率工程師衡量產(chǎn)品的良率表現(xiàn)。所以，本發(fā)明 需要定義一種統(tǒng)計方法，能夠快速、準(zhǔn)確的排除掉良率數(shù)據(jù)中因偏移事件和/或系統(tǒng)性 缺陷所造成的低良率值的晶圓，剩余晶圓的良率值即可反應(yīng)其基準(zhǔn)良率。本發(fā)明的實施例以晶圓和晶圓上的晶粒作為半導(dǎo)體產(chǎn)品，來描述本發(fā)明的分析 半導(dǎo)體產(chǎn)品基準(zhǔn)良率值的方法，但是，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品并不限于以晶圓和晶粒。實施例1本實施例中，分析晶圓基準(zhǔn)良率值的方法，包括首先，選取一定數(shù)量的晶圓，測量每片晶圓的良率值并將其存入第一存儲單 元;其中，所述第一存儲單元可以是一個excel工作表，excel工作表具有方便快捷處理所 述良率值的優(yōu)點，且是現(xiàn)在通用的辦公軟件；優(yōu)選的，所述選取一定數(shù)量的晶圓為選取上百片的晶圓，如選取大于300片的 晶圓；其次，第一數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第一存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，計算選取的所有所 述晶圓的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶圓第一良率平均值和晶圓第一標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶 圓第一良率平均值減去晶圓第一標(biāo)準(zhǔn)方差的第一正常數(shù)倍，得到晶圓第一正常良率的下限值；
其中，所述第一數(shù)據(jù)計算單元可以是excel工作表自帶的公式編輯器，通用的 excel工作表均帶有自定義公式的編輯器，可以很方便的將本發(fā)明中所用的計算方法編輯 成公式來進(jìn)行計算；
其中，所述正常數(shù)不等于零，優(yōu)選的，所述常數(shù)為正整數(shù)，如所述常數(shù)為3，因 為正整數(shù)比較容易計算；
其次，第一修正單元去除良率值小于晶圓第一正常良率的下限值的晶圓以及所 述第一存儲單元內(nèi)對應(yīng)的良率值，所述第一數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第一存儲單元內(nèi)剩余 的數(shù)據(jù)，計算剩余晶圓的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶圓第二標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶圓第二 良率平均值減去晶圓第二標(biāo)準(zhǔn)方差的第一正常數(shù)倍，得到晶圓第二正常良率的下限值；
其中，第一修正單元可以是excel工作表自帶的選擇器，所述選擇器可以將所有 數(shù)據(jù)按照大小進(jìn)行排序，然后很方便的去掉超出范圍的數(shù)據(jù)和對應(yīng)的晶圓；
再次，所述第一存儲單元、第一數(shù)據(jù)計算單元和第一修正單元重復(fù)上述對晶圓 的良率值存儲、計算和修正，直到得到收斂的晶圓第N正常良率的下限值，即晶圓第N 正常良率的下限值與晶圓第N-I正常良率的下限值相等時，對應(yīng)的晶圓第N良率平均值 為晶圓基準(zhǔn)良率值。
其中，所述正常數(shù)越大，則得到收斂的晶圓第N正常良率的下限值，即得到晶 圓基準(zhǔn)良率值，需要計算的次數(shù)越多；反之，所述正常數(shù)越小，則得到收斂的晶圓第N 正常良率的下限值，即得到晶圓基準(zhǔn)良率值，需要計算的次數(shù)越少。
以某季度某產(chǎn)品的晶圓良率為例，在某季度測試了 1403片晶圓，將所述1403 片晶圓的良率值存入第一存儲單元，圖2所示為根據(jù)第一存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)得到的所述 1403片晶圓的良率趨勢圖，為了顯示方便，橫軸沒有對所有的晶圓進(jìn)行標(biāo)號，縱軸為每 片晶圓的良率值百分比。第一數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第一存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，得到的所 述1403片晶圓的平均良率值為95.48%，標(biāo)準(zhǔn)方差為2.27%，即晶圓第一良率平均值為 95.48%,晶圓第一標(biāo)準(zhǔn)方差為2.27%，則晶圓第一正常良率的下限值為95.48% -正常數(shù) ^2.27% ；若取正常數(shù)為3，則晶圓第一正常良率的下限值為95.48%-正常數(shù)*2.27% = 88.67% ；
假設(shè)該產(chǎn)品每片晶圓的良率值分別為Xl、X2……為1403)，則晶圓的平均良 率值又為1 N
權(quán)利要求
1.分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，包括選取一定數(shù)量的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品，測量每個所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率值并將其存入第 一存儲單元；第一數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第一存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，計算選取的所有所述半導(dǎo)體產(chǎn) 品的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一良率平均值和所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第 一標(biāo)準(zhǔn)方差，用所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一良率平均值減去所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一標(biāo)準(zhǔn)方差的第 一正常數(shù)倍，得到所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一正常良率的下限值；第一修正單元去除良率值小于所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第一正常良率的下限值的半導(dǎo)體產(chǎn)品 以及所述第一存儲單元內(nèi)對應(yīng)的良率值，所述第一數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第一存儲單元 內(nèi)剩余的數(shù)據(jù)，計算剩余半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第 二標(biāo)準(zhǔn)方差，用所述所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第二良率平均值減去所述所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第二標(biāo)準(zhǔn) 方差的第一正常數(shù)倍，得到所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第二正常良率的下限值；所述第一存儲單元、第一數(shù)據(jù)計算單元和第一修正單元重復(fù)上述對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良 率值存儲、計算和修正，直到得到收斂的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第N正常良率的下限值，即所 述半導(dǎo)體產(chǎn)品第N正常良率的下限值與所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第N-I正常良率的下限值相等 時，對應(yīng)的所述半導(dǎo)體產(chǎn)品第N良率平均值為所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值。
2.如權(quán)利要求1所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，所述第一 正常數(shù)為正整數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，所述第一 正常數(shù)為3。
4.如權(quán)利要求3所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，選取的所 述半導(dǎo)體產(chǎn)品的數(shù)量為300以上。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在 于，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品為晶圓，所述晶圓上具有晶粒。
6.如權(quán)利要求5所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，還包括將所述晶圓基準(zhǔn)良率值所對應(yīng)的剩余晶圓進(jìn)行疊圖，計算晶圓每一位置上的晶粒的 良率值并將其存入第二存儲單元；第二數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第二存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，計算所有晶粒的良率平均值和 標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶粒第一良率平均值和晶粒第一標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶粒第一良率平均值減去 晶粒第一標(biāo)準(zhǔn)方差的第二正常數(shù)倍，得到晶粒第一正常良率的下限值；第二修正單元去除良率值小于晶粒第一正常良率的下限值的晶粒以及所述第二存儲 單元內(nèi)對應(yīng)的良率值，所述第二數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第二存儲單元內(nèi)剩余的數(shù)據(jù)，計 算剩余晶粒的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶粒第二標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶粒第二良率平均值 減去晶粒第二標(biāo)準(zhǔn)方差的第二正常數(shù)倍，得到晶粒第二正常良率的下限值；所述第二存儲單元、第二數(shù)據(jù)計算單元和第二修正單元重復(fù)上述對晶粒的良率值存 儲、計算和修正，直到得到收斂的晶粒第N正常良率的下限值，即晶粒第N正常良率的 下限值與晶粒第N-I正常良率的下限值相等時，對應(yīng)的晶粒第N良率平均值為晶?；鶞?zhǔn) 良率值。
7.如權(quán)利要求6所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，所述第二 正常數(shù)為正整數(shù)。
8.如權(quán)利要求7所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，所述第二 正常數(shù)為3。1
9.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在 于，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品為晶粒，多個所述晶粒位于晶圓上。
10.如權(quán)利要求9所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，還包括以所述晶粒基準(zhǔn)良率值所對應(yīng)的剩余晶粒為基礎(chǔ)，計算每個晶圓的良率值并將其存 入第二存儲單元；第二數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第二存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)，計算所有晶圓的良率平均值和 標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶圓第一良率平均值和晶圓第一標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶圓第一良率平均值減去 晶圓第一標(biāo)準(zhǔn)方差的第二正常數(shù)倍，得到晶圓第一正常良率的下限值；第二修正單元去除良率值小于晶圓第一正常良率的下限值的晶圓以及所述第二存儲 單元內(nèi)對應(yīng)的良率值，所述第二數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)所述第二存儲單元內(nèi)剩余的數(shù)據(jù)，計 算剩余晶圓的良率平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差，得到晶圓第二標(biāo)準(zhǔn)方差，用晶圓第二良率平均值 減去晶圓第二標(biāo)準(zhǔn)方差的第二正常數(shù)倍，得到晶圓第二正常良率的下限值；所述第二存儲單元、第二數(shù)據(jù)計算單元和第二修正單元重復(fù)上述對晶圓的良率值存 儲、計算和修正，直到得到收斂的晶圓第N正常良率的下限值，即晶圓第N正常良率的 下限值與晶圓第N-I正常良率的下限值相等時，對應(yīng)的晶圓第N良率平均值為晶圓基準(zhǔn) 良率值。
11.如權(quán)利要求10所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，所述第 二正常數(shù)為正整數(shù)。
12.如權(quán)利要求11所述的分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，其特征在于，所述第 二正常數(shù)為3。
全文摘要
本發(fā)明分析半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率值的方法，可以有效去除漂移點。即用平均值減去正常數(shù)倍的標(biāo)準(zhǔn)方差的方法找出并且排除漂移出正常數(shù)倍標(biāo)準(zhǔn)方差之外的漂移點。然后，將剩下的數(shù)據(jù)再按平均值減去正常數(shù)倍的標(biāo)準(zhǔn)方差的方法再排除一遍。如是操作，幾次循環(huán)后，會有一個收斂值出現(xiàn)。此時，可以認(rèn)為半導(dǎo)體產(chǎn)品測量值的漂移點已被清除。剩下的半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率平均值為所述半導(dǎo)體產(chǎn)品的基準(zhǔn)良率。
文檔編號G01R31/26GK102024672SQ20091019611
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月22日
發(fā)明者劉喆秋, 梅杰, 王立 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司