專利名稱：感測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用固有頻率因被吸附物的吸附而變化的壓電振子的 感測(cè)裝置，特別涉及一并顯示按被吸附物的各個(gè)濃度取得的壓電振子 的頻率變化的技術(shù)。
背景技術(shù)：
與生物化學(xué)相關(guān)的感測(cè)裝置中使用的晶體振子，如圖17所示，在 形成于石英片101的表面的膜狀的激勵(lì)電極102之上，作為吸附層形 成有通過抗原抗體反應(yīng)捕獲抗原的抗體103，進(jìn)而在抗體103的間隙中 吸附結(jié)塊(blocking)用的物質(zhì)(塊體104)例如蛋白質(zhì)。而且，當(dāng)將 抗原105吸附在吸附層上時(shí)，晶體振子的固有頻率與該抗原105的吸 附量相應(yīng)地變化。
對(duì)這樣的晶體振子的制造方法進(jìn)行簡(jiǎn)單敘述，向在底部設(shè)置有晶 體振子的晶體傳感器內(nèi)供給緩沖溶液，接著向上述晶體傳感器內(nèi)供給 含有規(guī)定量的抗體103的溶液，由此將抗體103吸附在激勵(lì)電極102 的表面。接著，在該狀態(tài)下將含有規(guī)定量的塊體104的溶液注入上述 晶體傳感器內(nèi)，由此使塊體104吸附在激勵(lì)電極102的表面。使塊體 104吸附在激勵(lì)電極102上的理由是，使得抗原不會(huì)被吸附在激勵(lì)電極 102的表面，確?？乖牟东@量與頻率的對(duì)應(yīng)關(guān)系的精度。圖18按順 序表示該晶體傳感器制造時(shí)的晶體振子的頻率變化和使用制造后的晶 體傳感器進(jìn)行計(jì)量時(shí)的頻率變化。
在上述的晶體傳感器的制作階段中，需要知道使抗體103的濃度 變?yōu)槎嗌贂r(shí)晶體振子的頻率會(huì)下降多少。因此，如果在一個(gè)畫面中顯 示按溶液中的抗體103的各個(gè)濃度取得的晶體振子的頻率的時(shí)間序列 數(shù)據(jù)則較為便利。此外，即使在制作后的晶體傳感器的計(jì)量階段中也 需要知道使抗原105的濃度變?yōu)槎嗌贂r(shí)晶體振子的頻率會(huì)下降多少。 在此情況下也同樣是如果在一個(gè)畫面中顯示按抗原105的各個(gè)濃度取得的晶體振子的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)則較為便利。但是，從按各個(gè)濃 度取得的各畫面的時(shí)間序列數(shù)據(jù)中僅提取從吸附開始到吸附結(jié)束的頻 率變化量(Af)并在一個(gè)畫面中編輯數(shù)據(jù)的作業(yè)需要工夫和時(shí)間，存
在對(duì)于作業(yè)者而言相當(dāng)麻煩的問題。
另一方面，在專利文獻(xiàn)1中，記載了在利用生化傳感器進(jìn)行試樣 濃度測(cè)定的試樣分析裝置中，將試樣濃度的測(cè)定結(jié)果輸入個(gè)人計(jì)算機(jī) 內(nèi)，通過上述計(jì)算機(jī)對(duì)該輸入的數(shù)據(jù)進(jìn)行各種統(tǒng)計(jì)處理的情況，但是 關(guān)于該統(tǒng)計(jì)處理的具體方法沒有任何記載。
專利文獻(xiàn)l:日本特開平5-209861 (段落0008，圖l)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種感測(cè)裝置， 其能夠根據(jù)按液體中的被吸附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的 時(shí)間序列數(shù)據(jù)，在使吸附開始點(diǎn)一致的狀態(tài)下容易地一并顯示在各濃 度下由被吸附物的吸附引起的頻率的變化數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的感測(cè)裝置的特征在于，包括設(shè)置有固有頻率由于被吸 附物的吸附而變化的感測(cè)用的壓電振子的感測(cè)傳感器；用于使上述壓 電振子振蕩的振蕩電路；顯示按供給至上述壓電振子的流體中的被吸 附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的顯示部；對(duì) 該時(shí)間序列數(shù)據(jù)設(shè)定被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元；和進(jìn)行處理，使 得在使被吸附物的吸附開始點(diǎn)一致的狀態(tài)下將上述時(shí)間序列數(shù)據(jù)中的 至少頻率變化區(qū)域合成并加以顯示的編輯部。
在上述的感測(cè)裝置中，優(yōu)選采用如下結(jié)構(gòu)按液體中的被吸附物 的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)在相互不同的頁中 被顯示。此外，上述設(shè)定被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元，例如可以是 通過操作者將指針對(duì)準(zhǔn)顯示部中顯示的時(shí)間序列數(shù)據(jù)進(jìn)行點(diǎn)擊(click) 而進(jìn)行該設(shè)定的單元，也可以是在將流體供給至感測(cè)傳感器時(shí)進(jìn)行吸 附開始點(diǎn)的設(shè)定的單元。此外，上述設(shè)定吸附開始點(diǎn)的單元，例如是 由作業(yè)者操作的開關(guān)。
在將流體供給至感測(cè)傳感器時(shí)自動(dòng)進(jìn)行吸附開始點(diǎn)的設(shè)定的情況 下，或通過作業(yè)者操作開關(guān)而進(jìn)行吸附開始點(diǎn)的設(shè)定的情況下，也可以不顯示按被吸附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的時(shí)間序列數(shù) 據(jù)。該情況下的發(fā)明按如下方式構(gòu)成。 另一發(fā)明的特征在于，包括
設(shè)置有固有頻率由于被吸附物的吸附而變化的感測(cè)用的壓電振子 的感測(cè)傳感器；用于使上述壓電振子振蕩的振蕩電路；取得按供給至 上述壓電振子的流體中的被吸附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率 的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的單元；對(duì)該時(shí)間序列數(shù)據(jù)設(shè)定被吸附物的吸附開始 點(diǎn)的單元；和按照在使被吸附物的吸附開始點(diǎn)一致的狀態(tài)下將上述時(shí) 間序列數(shù)據(jù)中的至少頻率變化區(qū)域合成并加以顯示的方式進(jìn)行處理的 編輯部。
根據(jù)本發(fā)明，例如對(duì)于在預(yù)先吸附在壓電振子上的抗體、或使抗 體捕獲的抗原等制作階段或計(jì)量階段中按被吸附物的各個(gè)濃度取得的 壓電振子的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)設(shè)定吸附開始點(diǎn)，顯示以該吸附開始 點(diǎn)為基準(zhǔn)將這些時(shí)間序列數(shù)據(jù)疊加而得到的合成數(shù)據(jù)，因此，能夠容 易地求取例如吸附在壓電振子上的被吸附物的濃度與頻率的變化的對(duì) 應(yīng)、和被吸附物的最大吸附量等，在感測(cè)傳感器的制作階段或計(jì)量階 段非常便利。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的感測(cè)裝置的整體結(jié)構(gòu)圖。 圖2是構(gòu)成上述感測(cè)裝置的晶體傳感器的縱側(cè)面圖。 圖3是構(gòu)成上述晶體傳感器的晶體振子的說明圖。 圖4是表示上述感測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。 圖5是表示利用上述感測(cè)裝置進(jìn)行測(cè)量的順序的流程圖。 圖6是利用上述感測(cè)裝置得到的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的曲線圖。 圖7是利用上述感測(cè)裝置得到的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的曲線圖。 圖8是表示利用上述感測(cè)裝置進(jìn)行測(cè)量的順序的流程圖。 圖9是設(shè)定了吸附開始點(diǎn)的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的曲線圖。 圖IO是設(shè)定了吸附開始點(diǎn)的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的曲線圖。 圖11是以在時(shí)間序列數(shù)據(jù)中設(shè)定的吸附開始點(diǎn)為基準(zhǔn)疊加而得到 的合成數(shù)據(jù)的曲線圖。圖12是以在時(shí)間序列數(shù)據(jù)中設(shè)定的吸附開始點(diǎn)為基準(zhǔn)疊加而得的 合成數(shù)據(jù)的曲線圖。
圖13是本發(fā)明的另一實(shí)施方式的感測(cè)裝置的整體結(jié)構(gòu)圖。
圖14是表示上述感測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖15是通過上述感測(cè)裝置得到的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的曲線圖。
圖16是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的感測(cè)裝置的整體結(jié)構(gòu)的框圖。
圖17是表示現(xiàn)有的晶體傳感器的說明圖。
圖18是表示上述晶體傳感器的制作時(shí)的晶體振子的頻率變化和使 用制作后的晶體傳感器進(jìn)行計(jì)量時(shí)的頻率變化的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1中的2是感測(cè)裝置，該感測(cè)
裝置2包括多個(gè)例如8個(gè)晶體傳感器20;具備可自由裝卸地安裝這
些晶體傳感器20的振蕩電路31的測(cè)定器主體3;和與上述測(cè)定器主體 3連接的計(jì)算機(jī)終端機(jī)4。
上述晶體傳感器20構(gòu)成為，如圖l和圖2所示在作為配線基板的 印刷基板21之上疊加有橡膠片22，以堵塞設(shè)置在該橡膠片22上的凹 部23的方式設(shè)置有作為壓電振子的晶體振子24，進(jìn)而從橡膠片22的 上方安裝有上蓋外殼25。在上蓋外殼25上，形成有試樣溶液的注入口 25a和試樣溶液的觀察口 25b，從注入口 25a注入試樣溶液，在晶體振 子24的上表面?zhèn)鹊目臻g充滿試樣溶液。晶體振子24的下表面?zhèn)壤?上述凹部23成為氣密空間，由此構(gòu)成朗之萬(Langevin)型的晶體傳 感器。
如圖3所示，上述晶體振子24例如在圓形的石英片20的兩面分 別設(shè)置有電極24a、 24b (背面?zhèn)鹊碾姌O24b連續(xù)形成在正面?zhèn)鹊闹芫?部上)。此外，如在現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容中使用圖17所說明的那樣，在表 面?zhèn)鹊碾姌O24a之上，作為吸附層形成有通過抗原抗體反應(yīng)捕獲抗原 的抗體，而且在抗體的間隙中吸附結(jié)塊用的物質(zhì)(塊體)例如蛋白質(zhì)。 上述電極24a、 24b與通過導(dǎo)電性粘接劑26設(shè)置在基板21上的一對(duì)導(dǎo) 電通路即印刷配線27a、 27b分別電連接。圖4是上述感測(cè)裝置2的框圖。在該框圖中，為了便于說明，對(duì) 于測(cè)定器主體3上安裝的8個(gè)晶體傳感器20編號(hào)為F1 F8加以表示。 晶體傳感器F1 F8用作感測(cè)傳感器，該感測(cè)傳感器通過使形成在電極 24a的表面上的吸附層吸附試樣溶液中的作為被吸附物的抗原而檢測(cè) 頻率的變化。
接著說明測(cè)定器主體3。如圖4所示，測(cè)定器主體3具備用于使晶 體傳感器F1 F8分別振蕩的振蕩電路32，通過在圖1所示的插入口插 入晶體傳感器F1 F8，設(shè)置在插入口上的未圖示的端子部與晶體傳感 器F1 F8的印刷配線27a、 27b電連接。由此，晶體傳感器F1 F8與 各振蕩電路32電連接，各晶體振子20振蕩。于是，各晶體傳感器Fl F8的頻率信號(hào)被輸出到測(cè)定電路部42。該測(cè)定電路部42在本例中對(duì) 于來自振蕩電路32的作為輸入信號(hào)的頻率信號(hào)進(jìn)行模擬/數(shù)字變換 (A/D變換)，對(duì)該數(shù)字信號(hào)進(jìn)行某種信號(hào)處理，由此檢測(cè)頻率。作為 對(duì)各晶體傳感器F1 F8的頻率信號(hào)進(jìn)行處理并測(cè)量晶體振子的主模式 的頻率的方法，能夠采用例如日本特開2006-258787號(hào)公報(bào)中記載的方 法，但是例如也可以將來自振蕩電路的頻率信號(hào)分頻，生成與分頻后 的頻率信號(hào)對(duì)應(yīng)的脈沖信號(hào)，利用脈沖計(jì)數(shù)器對(duì)該脈沖信號(hào)的脈沖進(jìn) 行計(jì)數(shù)。此外，在測(cè)定電路部42的前級(jí)，設(shè)置有用于按順序輸入來自 與各晶體傳感器F1 F8對(duì)應(yīng)的振蕩電路32的輸出信號(hào)的開關(guān)部41 。
接著，說明計(jì)算機(jī)終端機(jī)4。如圖4所示，計(jì)算機(jī)終端機(jī)4設(shè)置有 數(shù)據(jù)總線43，在該數(shù)據(jù)總線43上連接有第一存儲(chǔ)部44、第二存儲(chǔ)部 45、頻率信息生成程序51、編輯部52、上述的測(cè)定電路部42、 CPU(中 央運(yùn)算處理單元)46、顯示器等顯示部47和鍵盤等輸入單元48。
上述頻率信息生成程序51構(gòu)成為，能夠根據(jù)從測(cè)定電路部42輸 出的信號(hào)取得與晶體傳感器F1 F8的振蕩頻率相關(guān)的時(shí)間.O序列數(shù) 據(jù)，并將該數(shù)據(jù)顯示在顯示部47。上述編輯部52具有取得以時(shí)間序列 數(shù)據(jù)中設(shè)定的吸附開始點(diǎn)為基準(zhǔn)疊加而得到的合成數(shù)據(jù)，并將該合成 數(shù)據(jù)顯示在顯示部47等的功能。上述第一存儲(chǔ)部44保存通過頻率信 息生成程序51取得的晶體傳感器F1 F8的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)。上 述第二存儲(chǔ)部45保存通過編輯部52取得的合成數(shù)據(jù)。
接著，參照?qǐng)D5和圖8所示的流程圖說明以上述方式構(gòu)成的感測(cè)裝置2的作用。首先，如圖1所示，將晶體傳感器F1 F8插入測(cè)定器 主體3的插入口。由此，各通道的振蕩電路32振蕩。此外，隨著各通 道的振蕩電路32振蕩，在計(jì)算機(jī)終端機(jī)4的顯示部47上顯示與各晶 體傳感器F1 F8分別對(duì)應(yīng)的8個(gè)測(cè)定頁的標(biāo)簽。接著，通過計(jì)算機(jī)終 端機(jī)4的輸入單元48選擇例如測(cè)定頁1的標(biāo)簽，進(jìn)行使用晶體傳感器 Fl的頻率測(cè)定(步驟10)。使用圖6說明該頻率測(cè)定，首先，向晶體 傳感器F1的注入口 25a注入規(guī)定量例如0.05ml的緩沖溶液。由此，晶 體振子24的環(huán)境氣氛從氣相變?yōu)橐合?，隨之，晶體振子24的振蕩頻 率變低。接著，向晶體傳感器F1的注入口 25a注入規(guī)定量例如0.05ml 的含有0.01Pg/ml的抗原例如二惡英的試樣溶液。上述二惡英由于抗 二惡英抗體的選擇性的分子捕獲而被晶體振子24的表面的吸附層捕 獲，如圖6所示，晶體振子24的振蕩頻率與其吸附量相應(yīng)地僅變化A fl 。 該圖6所示的晶體傳感器F1的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)顯示在測(cè)定頁1上
(步驟11)。接著，在晶體傳感器F1的頻率測(cè)定完成后(步驟12)， 將晶體傳感器Fl的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)保存在第一存儲(chǔ)部44 (步驟 13)。
接著，通過計(jì)算機(jī)終端機(jī)4的輸入單元48選擇例如測(cè)定頁2的標(biāo) 簽，進(jìn)行使用晶體傳感器F2的頻率測(cè)定(步驟14)。在該頻率測(cè)定中， 除了使二惡英的濃度為0.05ug/ml以外，其他以與上述相同的順序進(jìn) 行。在該頻率測(cè)定中，如圖7所示，晶體振子24的振蕩頻率僅變化A f2。該圖7所示的晶體傳感器F2的振蕩頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)顯示在測(cè) 定頁2上(步驟15)。接著，在晶體傳感器F2的頻率測(cè)定完成后(步 驟16)，將晶體傳感器F2的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)保存在第一存儲(chǔ)部44 (步驟S17)。此外，對(duì)于晶體傳感器F3 F8也同樣地按每個(gè)晶體傳 感器改變二惡英的濃度并進(jìn)行頻率測(cè)定，取得各晶體傳感器F3 F8的 頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)，但是在本實(shí)施方式中，為了便于說明，假定僅 取得晶體傳感器Fl和晶體傳感器F2的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)，前進(jìn)至 下一步的在時(shí)間序列數(shù)據(jù)中設(shè)定吸附開始點(diǎn)的步驟。
接著，對(duì)于保存在第一存儲(chǔ)部44中的時(shí)間序列數(shù)據(jù)，在該時(shí)間序 列數(shù)據(jù)中設(shè)定吸附開始點(diǎn)。首先，使顯示部47顯示測(cè)定頁1，在該測(cè) 定頁1上顯示保存在第一存儲(chǔ)部44中的晶體傳感器Fl的時(shí)間序列數(shù)據(jù)(以下稱為時(shí)間序列數(shù)據(jù)1)(步驟20)。接著，如圖9所示，對(duì)于 晶體傳感器F1的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)1，在由于試樣溶液中的抗原被 晶體振子24的表面的吸附層捕獲而使得晶體傳感器Fl的振蕩頻率開 始下降的位置，操作者通過計(jì)算機(jī)終端機(jī)4的輸入單元48使顯示部47 上顯示的指針P與該位置一致并點(diǎn)擊。由此，吸附開始點(diǎn)S被賦予點(diǎn) 擊的位置(步驟21)。此外，隨著在時(shí)間序列數(shù)據(jù)1中設(shè)定吸附開始點(diǎn) S，被賦予該吸附開始點(diǎn)S的點(diǎn)成為頻率和時(shí)間的基準(zhǔn)點(diǎn)，例如為了便 于說明，將時(shí)間序列數(shù)據(jù)1中的該基準(zhǔn)點(diǎn)的頻率視為OHz，令時(shí)間為0， 這樣進(jìn)行設(shè)點(diǎn)。這樣，通過將賦予了吸附開始點(diǎn)S的點(diǎn)的頻率視為 "OHz"，使得在后面敘述的合成數(shù)據(jù)中易于觀察按抗原的各個(gè)濃度取 得的晶體振子24的頻率變化。設(shè)定了該吸附開始點(diǎn)S的時(shí)間序列數(shù)據(jù) l被保存在第一存儲(chǔ)部44中。
接著，使顯示部47顯示測(cè)定頁2，在該測(cè)定頁2上顯示第一存儲(chǔ) 部44中保存的晶體傳感器F2的時(shí)間序列數(shù)據(jù)(以下稱為時(shí)間序列數(shù) 據(jù)2)(步驟22)。接著，如圖10所示，在因試樣溶液中的抗原被晶體 振子24的表面的吸附層捕獲而使得晶體傳感器F2的振蕩頻率開始下 降的位置與上述相同地設(shè)定吸附開始點(diǎn)S，令賦予了吸附開始點(diǎn)S的點(diǎn) 的頻率為"OHz"(步驟23)。設(shè)定了該吸附開始點(diǎn)S的時(shí)間序列數(shù)據(jù)2 被保存在第一存儲(chǔ)部44中。
接著，通過用指針P點(diǎn)擊在顯示部47上顯示的"數(shù)據(jù)合成"按鈕， 通過上述的編輯部52，以在時(shí)間序列數(shù)據(jù)1、 2中設(shè)定的吸附開始點(diǎn)S 為基準(zhǔn)進(jìn)行時(shí)間序列數(shù)據(jù)1和時(shí)間序列數(shù)據(jù)2的疊加，之后，如圖11 所示，在顯示部47上顯示以吸附開始點(diǎn)S為基準(zhǔn)將時(shí)間序列數(shù)據(jù)1與 時(shí)間序列數(shù)據(jù)2疊加而得的合成數(shù)據(jù)(步驟24)。然后將該合成數(shù)據(jù)保 存在第二存儲(chǔ)部45 (步驟25)。
圖12表示實(shí)際對(duì)晶體傳感器F1 F8進(jìn)行頻率測(cè)定，在各晶體傳 感器F1 F8的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)中設(shè)定吸附開始點(diǎn)S，以該吸附開 始點(diǎn)S為基準(zhǔn)將這些時(shí)間序列數(shù)據(jù)疊加而得到的合成數(shù)據(jù)。圖12所示 的合成數(shù)據(jù)，是在設(shè)有吸附開始點(diǎn)S的狀態(tài)下僅合成時(shí)間序列數(shù)據(jù)中 的頻率變化區(qū)域而得到的。此處，對(duì)圖12所示的合成數(shù)據(jù)進(jìn)行說明， 可知，由于逐漸提高注入晶體傳感器20內(nèi)的緩沖溶液的抗體的濃度，使得從吸附開始點(diǎn)S起的頻率變化量Af逐漸變大。此外，可知，因?yàn)?晶體傳感器F7和晶體傳感器F8從吸附開始點(diǎn)S起的頻率變化量A f7 相同，所以在晶體傳感器F7中使用的試樣液所含有的二惡英的濃度是 晶體振子24的表面的吸附層能夠吸附的二惡英的最大吸附量。
根據(jù)上述的實(shí)施方式，在按照抗原(在本例中為二惡英)的各個(gè) 濃度取得的晶體振子24的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)中設(shè)定吸附開始點(diǎn)S， 以該吸附開始點(diǎn)S為基準(zhǔn)將這些時(shí)間序列數(shù)據(jù)疊加，將通過疊加得到 的合成數(shù)據(jù)顯示在顯示部47上。因此，能夠容易地求取晶體振子24 的表面的吸附層上吸附的二惡英的濃度與頻率的變化的對(duì)應(yīng)、和二惡 英的最大吸附量，非常便利。
此外，作為本發(fā)明的應(yīng)用例，如在現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容中使用圖18進(jìn) 行說明的那樣，在晶體傳感器20的制作階段，也可以同樣地在按照抗 體或塊體的各個(gè)濃度取得的晶體振子24的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)中設(shè)定 吸附開始點(diǎn)S，以該吸附開始點(diǎn)S為基準(zhǔn)將這些時(shí)間序列數(shù)據(jù)疊加，在 顯示部47顯示通過該疊加得到的合成數(shù)據(jù)。在此情況下，能夠求取晶 體振子24的一方的電極表面上吸附的抗體或塊體的濃度與頻率的變化 的對(duì)應(yīng)、和抗體或塊體的最大吸附量。
對(duì)本發(fā)明的另一實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本方式中，如圖13所示， 在測(cè)定器主體3上設(shè)置有按鈕式的開關(guān)部6，通過使該開關(guān)部6接通而 向計(jì)算機(jī)終端機(jī)4輸入"接通(ON)"信號(hào)。如圖14所示，在計(jì)算機(jī) 終端機(jī)4的數(shù)據(jù)總線43上連接有吸附開始點(diǎn)設(shè)定程序61，除此以外與 利用圖1 圖12說明的感測(cè)裝置2為完全相同的結(jié)構(gòu)。其中，圖14 中的101為電阻。在本例中，例如用電動(dòng)移液管向晶體傳感器F1的注 入口 25a注入含有抗原的試樣溶液，與此同時(shí)，作業(yè)者按下開關(guān)部6 的按鈕，由此，如圖15所示那樣在晶體傳感器F1的晶體振子24的頻 率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)中設(shè)定抗原的吸附開始點(diǎn)S。該吸附開始點(diǎn)S的設(shè) 定，通過作業(yè)者按下開關(guān)部6的開關(guān)由吸附開始點(diǎn)設(shè)定程序61輸出吸 附開始信號(hào)而進(jìn)行。從而，編輯部52以這樣設(shè)定的吸附開始點(diǎn)S為基 準(zhǔn)合成各時(shí)間序列數(shù)據(jù)。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，在取得的時(shí)間序列數(shù) 據(jù)中可知抗原的吸附開始點(diǎn)S。因此存在如下優(yōu)點(diǎn)，即，省去了操作者 在每一頁均使指針P與振蕩頻率開始下降的位置一致并點(diǎn)擊的工夫。此外，在上述的測(cè)定器主體3中，如圖l和圖13所示設(shè)置有8個(gè) 晶體傳感器F1 F8，對(duì)這8個(gè)晶體傳感器F1 F8進(jìn)行頻率測(cè)定，但 是也可以采用如下結(jié)構(gòu)，如圖16所示，在具備振蕩電路32和測(cè)定電 路部42的測(cè)定器主體7上電連接具備晶體振子24的單元70，在該單 元70上連接緩沖溶液供給部72和含抗原溶液供給部73。緩沖溶液供 給部72包括貯存緩沖溶液的容器，和設(shè)置在與該容器連接的配管中的 泵等。此外，含抗原溶液供給部73包括貯存含抗原溶液的容器，和設(shè) 置在與該容器連接的配管中的泵等。作為泵，例如能夠使用具備與配 管分支連接的圓筒、和將液體吸引至該圓筒內(nèi)或?qū)⒃撘后w壓出的動(dòng)作 部的被稱作回吸閥(suck-backvalve)的泵，但也可以使用一般的液供 給泵。
在圖16中，VI、 V2、 V3是閥。緩沖溶液供給部72和含抗原溶 液部73的各泵、閥V1、 V2、 V3，由來自作為控制部的計(jì)算機(jī)終端機(jī) 4的控制信號(hào)控制。在這樣的結(jié)構(gòu)中，頻率測(cè)定以下述方式進(jìn)行。首先 關(guān)閉閥V2，打開閥VI、 V3，驅(qū)動(dòng)緩沖溶液供給部72的泵，向單元 70內(nèi)注入規(guī)定量的緩沖溶液。接著關(guān)閉閥V1、打開閥V2，從含抗原 溶液供給部73向單元70內(nèi)注入規(guī)定量的調(diào)整過抗原濃度的含抗原溶 液。然后，在晶體振子24的頻率測(cè)定完成后，進(jìn)行單元70內(nèi)的排水， 以同樣的順序改變抗原的濃度進(jìn)行下一次頻率測(cè)定。單元70內(nèi)的排水 例如通過打開單元70內(nèi)設(shè)置的未圖示的閥向大氣開放，并打開閥V3 而進(jìn)行。
在該結(jié)構(gòu)中，在從上述計(jì)算機(jī)終端機(jī)4輸出緩沖溶液供給部72和 含抗原溶液供給部73的各泵的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)刻之后稍稍延遲的時(shí)刻， 利用計(jì)算機(jī)終端機(jī)4自動(dòng)輸出吸附開始點(diǎn)S。所謂稍稍延遲的時(shí)刻，是 考慮從泵被驅(qū)動(dòng)到液體到達(dá)單元70內(nèi)的時(shí)間而決定的。吸附開始點(diǎn)S 的輸出，是圖14所示的吸附開始點(diǎn)設(shè)定程序61把握泵驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸 出，基于該把握而進(jìn)行的。采用這樣的方法，測(cè)定作業(yè)變得簡(jiǎn)便。
此外，在吸附開始點(diǎn)的設(shè)定在向感測(cè)傳感器供給流體時(shí)被自動(dòng)地 進(jìn)行的情況下，或通過作業(yè)者操作開關(guān)而被進(jìn)行的情況下，也可以不 顯示按被吸附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的各自的時(shí)間序列 數(shù)據(jù)。
1權(quán)利要求
1.一種感測(cè)裝置，其特征在于，包括設(shè)置有固有頻率由于被吸附物的吸附而變化的感測(cè)用的壓電振子的感測(cè)傳感器；用于使所述壓電振子振蕩的振蕩電路；顯示按供給至所述壓電振子的流體中的被吸附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的顯示部；對(duì)該時(shí)間序列數(shù)據(jù)設(shè)定被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元；和進(jìn)行處理，使得在使被吸附物的吸附開始點(diǎn)一致的狀態(tài)下將所述時(shí)間序列數(shù)據(jù)中的至少頻率變化區(qū)域合成并加以顯示的編輯部。
2. 如權(quán)利要求1所述的感測(cè)裝置，其特征在于-按液體中的被吸附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)在相互不同的頁中被顯示。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的感測(cè)裝置，其特征在于 所述設(shè)定被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元是通過操作者將指針對(duì)準(zhǔn)顯示部中顯示的時(shí)間序列數(shù)據(jù)進(jìn)行點(diǎn)擊而進(jìn)行該設(shè)定的單元。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的感測(cè)裝置，其特征在于 所述設(shè)定被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元是在將流體供給至感測(cè)傳感器時(shí)自動(dòng)進(jìn)行該設(shè)定的單元。
5. 如權(quán)利要求4所述的感測(cè)裝置，其特征在于 所述設(shè)定被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元是由作業(yè)者操作的開關(guān)。
6. —種感測(cè)裝置，其特征在于，包括設(shè)置有固有頻率由于被吸附物的吸附而變化的感測(cè)用的壓電振子的感測(cè)傳感器；用于使所述壓電振子振蕩的振蕩電路；取得按供給至所述壓電振子的流體中的被吸附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)的單元；對(duì)該時(shí)間序列數(shù)據(jù)設(shè)定被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元；和 進(jìn)行處理，使得在使被吸附物的吸附開始點(diǎn)一致的狀態(tài)下將所述時(shí)間序列數(shù)據(jù)中的至少頻率變化區(qū)域合成并加以顯示的編輯部。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種感測(cè)裝置，其能夠基于按液體中的被吸附物的各個(gè)濃度得到的壓電振子的頻率的時(shí)間序列數(shù)據(jù)，在使吸附開始點(diǎn)一致的狀態(tài)下容易地一并顯示由各濃度下的被吸附物的吸附引起的頻率的變化數(shù)據(jù)。本發(fā)明的主要的結(jié)構(gòu)包括在時(shí)間序列數(shù)據(jù)中設(shè)定被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元；和按照在使被吸附物的吸附開始點(diǎn)一致的狀態(tài)下將所述時(shí)間序列數(shù)據(jù)中的至少頻率變化區(qū)域合成并加以顯示的方式進(jìn)行處理的編輯部。作為設(shè)定上述被吸附物的吸附開始點(diǎn)的單元，例如是通過操作者使指針與顯示部中顯示的時(shí)間序列數(shù)據(jù)一致并點(diǎn)擊而進(jìn)行該設(shè)定的單元，或是在將流體供給至感測(cè)傳感器時(shí)通過輸出吸附開始信號(hào)而進(jìn)行該設(shè)定的單元。
文檔編號(hào)G01N5/02GK101627296SQ20088000718
公開日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2008年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月6日
發(fā)明者若松俊一, 莖田啟行 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社