專(zhuān)利名稱(chēng)：測(cè)量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于確定凹部的幾何形狀的測(cè)量方法。
背景技術(shù)：
用于制造半導(dǎo)體器件的傳統(tǒng)工藝采用一種程序，其中，互連槽 (interconnect trench)和貫通孔(via hole)形成在絕緣膜中，并且金屬層被 埋在形成的互連槽和貫通孔中，以形成互連(interconnect)和通孔(via)。 在傳統(tǒng)工藝中，通過(guò)適當(dāng)調(diào)整蝕刻時(shí)間，來(lái)控制互連槽和貫通孔(下 文稱(chēng)為"互連槽等")的幾何形狀。
然而，在通過(guò)調(diào)整蝕刻時(shí)間來(lái)控制幾何形狀的方式中，存在難以 精確地確定互連槽等的幾何形狀的問(wèn)題。
為了解決該問(wèn)題，提出了通過(guò)對(duì)互連槽等照射光以及分析從互連 槽等反射的光來(lái)確定互連槽等的幾何形狀的方式(例如，散射測(cè)量法 (光學(xué)臨界尺寸(Optical Critical Dimension: OCD)測(cè)量法))(參見(jiàn) PCT申請(qǐng)的日本專(zhuān)利國(guó)內(nèi)公開(kāi)No. 2004-510,152、 PCT申請(qǐng)的日本專(zhuān)利 國(guó)內(nèi)公開(kāi)No. 2002-506,198以及PCT申請(qǐng)的日本專(zhuān)利國(guó)內(nèi)公開(kāi)No. 2006-512,561)。
以這種方式，先將用于確定互連槽等的幾何形狀的參數(shù)(例如， 互連槽等的深度、互連槽等的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度、互連槽等的 中間深度位置中的寬度尺寸)與反射光波形相關(guān)聯(lián)，并且將相關(guān)的參數(shù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)(庫(kù))中。然后，用光照射互連槽等，并且用檢測(cè)器 檢測(cè)反射光，以獲取反射光波形。然后，將獲取的反射光波形與存儲(chǔ) 在數(shù)據(jù)庫(kù)中的波形對(duì)照。如果獲取的反射光波形與存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中的 波形一致，則互連槽等的幾何形狀被定義為與數(shù)據(jù)庫(kù)中的波形相關(guān)聯(lián) 的用于確定互連槽等的幾何形狀的參數(shù)。此處，當(dāng)制備數(shù)據(jù)庫(kù)時(shí)，將 用于確定互連槽等的幾何形狀(例如，互連槽等的深度、互連槽等的 側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度、互連槽等的中間深度位置中的寬度尺寸) 的參數(shù)用于預(yù)定函數(shù)，以得到所計(jì)算的波形。在這種構(gòu)造中，各個(gè)參 數(shù)被設(shè)置為可變的，以適用于各種類(lèi)型的互連槽等的幾何形狀。
在上述的測(cè)量方法中，通過(guò)散射測(cè)量法得到的測(cè)量結(jié)果可能顯著 不同于通過(guò)利用掃描電子顯微鏡(SEM)觀測(cè)的實(shí)際測(cè)量值。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明人的研究結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)下列因素導(dǎo)致了通過(guò)散射測(cè)
量法得到的測(cè)量結(jié)果與通過(guò)用SEM觀測(cè)的實(shí)際測(cè)量值之間的顯著偏 差。首先，具有不同寬度尺寸的底部的貫通孔被形成，并且通過(guò)散射 測(cè)量法和通過(guò)臨界尺寸SEM (Critical Dimension SEM: CD-SEM)執(zhí)行 這些檢測(cè)，以得到兩種測(cè)量方法之間的相關(guān)關(guān)系。這些結(jié)果在圖7A至 7C中示出。此處，在圖7A至7C中，橫坐標(biāo)表示通過(guò)使用SEM所觀測(cè)到 的底部的寬度尺寸，并且縱坐標(biāo)表示通過(guò)散射測(cè)量法的底部的測(cè)量寬 度尺寸。
圖7B示出了在通過(guò)散射測(cè)量法制備數(shù)據(jù)庫(kù)時(shí)將三個(gè)參數(shù)設(shè)置成可 變的條件下所得到的結(jié)果，這三個(gè)參數(shù)為貫通孔的深度、貫通孔的側(cè) 壁相對(duì)于底表面的角度以及貫通孔的中間深度位置中的寬度尺寸。在 這種情況下，通過(guò)散射測(cè)量法測(cè)量的貫通孔的底部的測(cè)量寬度尺寸的 平均值顯著不同于利用SEM觀測(cè)的貫通孔的底部的實(shí)際寬度尺寸的平 均值，并且得到的相關(guān)系數(shù)低至0.861。除了上述之外，貫通孔底部的 寬度尺寸還是通過(guò)利用三個(gè)參數(shù)計(jì)算的一個(gè)值，這三個(gè)參數(shù)為貫通孔的深度、貫通孔的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度以及貫通孔的中間深度位 置中的寬度尺寸。
圖7C示出了在通過(guò)散射測(cè)量法制備數(shù)據(jù)庫(kù)時(shí)將貫通孔的中間深度 位置中的寬度尺寸固定為預(yù)定值并且將上述的三個(gè)參數(shù)中的其余參數(shù) 設(shè)置為可變的情況下所得到的結(jié)果。在這種情況下，通過(guò)散射測(cè)量法
測(cè)量的貫通孔的底部的寬度尺寸的平均值也顯著不同于通過(guò)利用SEM
觀測(cè)的貫通孔底部的實(shí)際寬度尺寸的平均值，并且得到的相關(guān)系數(shù)較 低。
圖7A示出了在通過(guò)散射測(cè)量法制備數(shù)據(jù)庫(kù)時(shí)將貫通孔的側(cè)壁相對(duì)
于底表面的角度固定為預(yù)定值并且上述三個(gè)參數(shù)中的其余參數(shù)設(shè)置成 可變的情況下所得到的結(jié)果。在這種情況下，通過(guò)散射測(cè)量法的貫通
孔底部的測(cè)量寬度尺寸的平均值基本上等于利用SEM觀測(cè)的貫通孔底 部的實(shí)際寬度尺寸的平均值，并且得到的相關(guān)系數(shù)高達(dá)0.992。
根據(jù)上述的研究結(jié)果，認(rèn)為通過(guò)在將互連槽等的側(cè)壁相對(duì)于底表 面的角度固定為預(yù)定值的條件下制備數(shù)據(jù)庫(kù)，通過(guò)散射測(cè)量法，能夠 確定精確的幾何形狀。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種測(cè)量方法，包括下列操作測(cè) 量形成在絕緣膜中的凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度；定義多個(gè)參 數(shù)組，其包括形成在絕緣膜中的凹部的側(cè)壁與其底表面的角度、凹部 的預(yù)定深度位置中的寬度尺寸和凹部的預(yù)定深度尺寸，并且制備用于 存儲(chǔ)分別與多個(gè)參數(shù)組相關(guān)聯(lián)的多個(gè)反射光波形的庫(kù)；用光對(duì)形成在 絕緣膜中的凹部進(jìn)行照射；檢測(cè)來(lái)自用光照射的凹部的反射光；將檢 測(cè)到的反射光波形和從庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形相對(duì)照；如果檢測(cè)到的反 射光波形和從庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形之間的偏差等于或大于指定值，則 將檢測(cè)到的反射光波形與再次從庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形進(jìn)行對(duì)照，而如 果檢測(cè)到的反射光波形和從庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形之間的偏差小于指定值，則將與從庫(kù)中選擇的波形相關(guān)聯(lián)的參數(shù)組賦予表示用光照射的凹 部的幾何形狀的值，該賦予的參數(shù)組包括凹部的寬度尺寸、凹部的深 度尺寸和凹部的內(nèi)壁相對(duì)于其底表面的角度；以及根據(jù)表示凹部的幾 何形狀的值確定凹部的幾何形狀，其中，在定義多個(gè)參數(shù)組的操作中 的多個(gè)參數(shù)組中，凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度在參數(shù)組中是一 樣的，并且包括凹部的寬度尺寸和凹部的深度尺寸的其他參數(shù)中的至 少任意一個(gè)在各個(gè)參數(shù)組中是不同的，并且其中，凹部的側(cè)壁相對(duì)于 其底表面的角度是在測(cè)量凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度的操作中 得到的測(cè)量值。
此處，用于通過(guò)用光照射而確定幾何形狀的凹部可以不同于用于 測(cè)量側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度的凹部，并且可以是一凹部，其被認(rèn)為 具有側(cè)壁相對(duì)于用于測(cè)量上述角度的凹部的底表面基本相同的底表面 的角度。例如，用于通過(guò)用光照射而確定幾何形狀的凹部可能在蝕刻 條件下形成，這與用于形成用于測(cè)量角度的凹部的蝕刻條件相同。
根據(jù)本發(fā)明，用于制備庫(kù)的多個(gè)參數(shù)組中的每個(gè)都包括凹部的側(cè) 壁相對(duì)于其底表面的相同角度，并且包括凹部的寬度尺寸和凹部的深 度尺寸的其他參數(shù)中的至少任何一個(gè)在各個(gè)參數(shù)組中是不同的。凹部 的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度是測(cè)量角度。如上所述，將凹部的側(cè)壁 相對(duì)于其底表面的測(cè)量角度作為固定值，以制備波形，以便能通過(guò)散 射測(cè)量法來(lái)確定精確的幾何形狀。除上述之外，反射光波形還表明反 射光強(qiáng)度的波形依賴(lài)性，并且通過(guò)固定在凹部上的光入射角，可以測(cè) 量反射光的強(qiáng)度數(shù)據(jù)，或者可選地，反射光的強(qiáng)度數(shù)據(jù)可能是通過(guò)改 變(操作)入射角而測(cè)量出的入射角依賴(lài)性數(shù)據(jù)。
檢測(cè)到的反射光波形和從庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形之間的偏差可以 是，例如，檢測(cè)到的反射光波形和從庫(kù)中挑選的存儲(chǔ)波形之間最大偏 差，或可選地，特定波長(zhǎng)區(qū)域中的檢測(cè)到的反射光波形的積分值和從 庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形的積分值之間的偏差。
8根據(jù)本發(fā)明，提供了一種測(cè)量方法，其實(shí)現(xiàn)了對(duì)凹部的幾何形狀 的精確確定。


從以下結(jié)合附圖的對(duì)某些優(yōu)選實(shí)施方式的描述，本發(fā)明的上述及 其他目的、優(yōu)勢(shì)和特征將變得更加明顯，其中
圖l是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的測(cè)量裝置的示意圖2是示出了測(cè)量裝置的計(jì)算器裝置的框圖3是示意性地示出了庫(kù)的結(jié)構(gòu)的示圖4是示意性地示出了另一庫(kù)的結(jié)構(gòu)的示圖5是示意性地示出了又一庫(kù)的結(jié)構(gòu)的示圖6是示出了測(cè)量方法的方案的流程圖7A、 7B和7C是示出了散射測(cè)量法的測(cè)量值和CD-SEM的測(cè)量值 的相關(guān)關(guān)系的曲線(xiàn)圖8A和8B是示意性地示出了凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度
對(duì)凹部的幾何形狀的影響的示圖9A和9B是示意性地示出了在凹部的幾何形狀分別為剖面矩形 幾何形狀和弓形幾何形狀的情形下，凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角 度對(duì)凹部的幾何形狀的影響的示圖10A和10B是示意性地示出了在凹部的幾何形狀分別為剖面矩 形幾何形狀和弓形幾何形狀的情形下，凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的 角度對(duì)凹部的幾何形狀的影響的示圖11是示出了在使用400 nm的恒定膜厚的情況下通過(guò)散射測(cè)量法 測(cè)量的凹部底部的寬度尺寸的值與通過(guò)使用SEM觀測(cè)的凹部底部的寬 度尺寸的實(shí)際測(cè)量值的曲線(xiàn)圖12包括示出了通過(guò)散射測(cè)量法確定的凹部底部的寬度尺寸與用 CD-SEM確定的凹部底部的寬度尺寸的偏差的表；以及
圖13A至13C包括示出了通過(guò)散射測(cè)量法確定的凹部底部的寬度 尺寸與用CD-SEM確定的凹部底部的寬度尺寸的偏差的表和兩個(gè)曲線(xiàn)圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考說(shuō)明性實(shí)施例在此處描述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員 應(yīng)認(rèn)識(shí)到，使用本發(fā)明的教導(dǎo)可以實(shí)現(xiàn)許多可選的實(shí)施例，并且本發(fā) 明不限于為解釋目的而示出的實(shí)施例。
下文將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。首先，將參考圖l和圖 6描述根據(jù)本實(shí)施例的測(cè)量方法的優(yōu)選構(gòu)造的概況。本實(shí)施例的測(cè)量方 法包括下列操作測(cè)量由絕緣膜51形成的凹部511的側(cè)壁相對(duì)于其底表 面的角度(操作S1);定義多個(gè)參數(shù)組Al至An、 Bl至Bn以及Cl至Cn， 所述參數(shù)組包括凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度、凹部511的預(yù)定 深度位置中的寬度尺寸以及凹部511的深度尺寸，并且制備包括分別與 參數(shù)組Al至An、 Bl至Bn以及Cl至Cn相關(guān)聯(lián)的多個(gè)反射光波形(反射 光強(qiáng)度的波形依賴(lài)性)的庫(kù)231、 232和233 (參見(jiàn)圖3至圖5)(操作S2); 對(duì)凹部511照射光(操作S4);檢測(cè)從凹部511反射的光(操作S5); 將檢測(cè)到的反射光波形(反射光強(qiáng)度的波形依賴(lài)性)和從庫(kù)231、 232 和233中選擇的波形相對(duì)照(操作S6);如果檢測(cè)到的反射光波形和從 庫(kù)231、 232和233中選擇的波形之間的偏差等于或大于指定值(操作 S7)，則將檢測(cè)到的反射光波形和再次從庫(kù)231、 232和233中選擇的波 形相對(duì)照，而如果檢測(cè)到的反射光波形和從庫(kù)231、 232和233中選擇的 波形的偏差小于指定值(操作S7)，則將與從庫(kù)231、 232和233中選擇 的波形相關(guān)聯(lián)的參數(shù)組賦予用于表示凹部511的幾何形狀的值，該參數(shù) 組包括凹部511的寬度尺寸、凹部511的深度尺寸以及凹部511的側(cè)壁相 對(duì)于其底表面的角度；以及根據(jù)表示凹部511的幾何形狀的值來(lái)確定凹 部511的幾何形狀。
在定義參數(shù)組并且制備庫(kù)231、232和233的操作中的多個(gè)參數(shù)組A1 至An、 Bl至Bn以及Cl至Cn中，凹部511的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度 在各個(gè)參數(shù)組中是相同的，并且包括凹部511的寬度尺寸和凹部511的深度尺寸的其他參數(shù)中的至少任意一個(gè)在這些參數(shù)組中是不同的，并 且凹部511的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度是測(cè)量值。
此處，反射光波形表示反射光強(qiáng)度的波長(zhǎng)依賴(lài)性，并且反射光強(qiáng)
度的數(shù)據(jù)可以通過(guò)使凹部511上的光入射角固定而測(cè)得，或可選地，反 射光強(qiáng)度的數(shù)據(jù)可以是通過(guò)改變(操作)該入射角而測(cè)得的入射角依 賴(lài)性數(shù)據(jù)。
檢測(cè)到的反射光波形和從庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形之間的偏差可以 是，例如，檢測(cè)到的反射光波形和從庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形之間的最大 偏差，或可選地，特定波長(zhǎng)區(qū)域中的檢測(cè)到的反射光波形的積分值和 從庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形的積分值之間的偏差。
接下來(lái)，將具體描述本實(shí)施例的測(cè)量方法。首先，將描述本實(shí)施 例的測(cè)量方法中使用的測(cè)量裝置l。提供測(cè)量裝置1以測(cè)量凹部511的幾 何形狀，所述凹部511例如是諸如互連槽等的槽或諸如形成在晶片5的 襯底50 (例如，半導(dǎo)體襯底)的上部中的絕緣膜51中的貫通孔等的孔。 用于形成芯片的多個(gè)區(qū)域，雖然未被示出，但被設(shè)置在晶片5中，并且 在每個(gè)用于形成芯片的區(qū)域中形成多個(gè)凹部511。這種凹部511通過(guò)相 同的蝕刻條件形成。
測(cè)量裝置l包括，如圖1所示，用于放置測(cè)量對(duì)象(晶片)的平臺(tái) 11、用于將光線(xiàn)應(yīng)用于在平臺(tái)11上的測(cè)量對(duì)象的光源12、用于檢測(cè)來(lái) 自測(cè)量對(duì)象的反射光的光檢測(cè)器13、以及利用由光檢測(cè)器13所檢測(cè)到 的反射光來(lái)計(jì)算凹部511的幾何形狀的計(jì)算器裝置2。
圖2中示出了計(jì)算器裝置2。計(jì)算器裝置2包括獲取單元21、第一計(jì) 算單元22、數(shù)據(jù)庫(kù)23、對(duì)照單元24、修正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元25、第二計(jì)算 單元26以及輸出單元27。將獲取單元21連接至檢測(cè)器13以獲取通過(guò)光 檢測(cè)器13所檢測(cè)到的反射光波形。獲取單元21也獲取用于表示凹部511的幾何形狀的參數(shù)的數(shù)據(jù)。當(dāng)?shù)谝挥?jì)算單元22利用獲取單元21,獲取
表示凹部511的幾何形狀的多個(gè)參數(shù)(參數(shù)組)時(shí)，第一計(jì)算單元22通 過(guò)這樣的參數(shù)組來(lái)計(jì)算反射光波形。
更確切地說(shuō)，例如，參數(shù)組包括的參數(shù)諸如凹部511的側(cè)壁相對(duì)于 其底表面的角度(下文有時(shí)用e表示)、在凹部511的預(yù)定深度位置(在 本實(shí)施例中為中間深度位置)的寬度尺寸(下文有時(shí)用"MCD"表示)、 凹部511的深度尺寸(下文有時(shí)用"H"表示)、具有形成在其中的凹 部511的絕緣膜51的厚度等。參數(shù)組中的各個(gè)參數(shù)適當(dāng)?shù)赜糜陬A(yù)定函數(shù) 中，以計(jì)算反射光波形。第一計(jì)算單元22中計(jì)算的反射光波形與由獲 取單元21所獲取的并且在第一計(jì)算單元22的計(jì)算中所使用的參數(shù)組相 關(guān)聯(lián)，然后，將這種相關(guān)聯(lián)的波形和參數(shù)組存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)23中。
存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)23中的庫(kù)231、 232和233在圖3至圖5中示出。將多個(gè) 庫(kù)231、 232和233存儲(chǔ)在這樣的數(shù)據(jù)庫(kù)23中。庫(kù)231、 232和233包括多 個(gè)反射光波形，其分別與多個(gè)參數(shù)組相關(guān)聯(lián)。
更確切地說(shuō)，第一庫(kù)231存儲(chǔ)第一參數(shù)組Al至An,所述第一參數(shù) 組Al至An中的每個(gè)包括相同的凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度和 相同的凹部511的厚度。在第一參數(shù)組Al至An中的每個(gè)中，僅凹部511 的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度相同且其厚度相同，凹部511的深度和在 凹部511的預(yù)定深度位置(在本實(shí)施例中為中間深度位置)的寬度尺寸 中的至少一個(gè)在這些組中不同。然后，與各第一參數(shù)組Al至An相關(guān)聯(lián) 的多個(gè)反射光波形被存儲(chǔ)。
女口4中所示，第二庫(kù)232中的凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度與 第一庫(kù)231的一樣，并且第二庫(kù)232存儲(chǔ)具有與第一庫(kù)231中厚度不同的 膜厚的第二參數(shù)組Bl至Bn。與各第二參數(shù)組Bl至Bn相關(guān)聯(lián)的多個(gè)反射 光波形被存儲(chǔ)在第二庫(kù)232中。在第二參數(shù)組Bl至Bn中，凹部511的側(cè) 壁相對(duì)于底表面的角度相同且其厚度相同，并且凹部511的深度和凹部
12511的在預(yù)定深度位置(在本實(shí)施例中為中間深度位置)的寬度尺寸中 的至少一個(gè)不同。
如圖5中所示，在第三庫(kù)233中，凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角 度與第一庫(kù)231的相同，并且第三庫(kù)233存儲(chǔ)具有與第一庫(kù)231的厚度不 同的厚度的第三參數(shù)組Cl至Cn。在第三參數(shù)組Cl至Cn中，凹部511的 側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度相同且其厚度相同，并且凹部511的深度和凹 部511的在預(yù)定深度位置(在本實(shí)施例中為中間深度位置)的寬度尺寸 中的至少一個(gè)不同。與各第三參數(shù)組Cl至Cn相關(guān)聯(lián)的多個(gè)反射光波形 被存儲(chǔ)在第三庫(kù)233中。
圖2中所示的對(duì)照單元24用于將由獲取單元21獲取的反射光波形 與存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)23中的波形相對(duì)照。
如果通過(guò)獲取單元21所獲取的反射光波形與從數(shù)據(jù)庫(kù)23中的庫(kù) 231至233中選擇的波形之間的偏差等于或大于指定值，則再次從數(shù)據(jù) 庫(kù)23中的庫(kù)231至233中選擇另一波形，并且將檢測(cè)到的反射光波形與 該選擇的波形相對(duì)照。如果通過(guò)獲取單元21獲取的反射光波形與從庫(kù) 231至233中選擇的波形之間的偏差小于指定值，則與從庫(kù)231至233中 選擇的波形相關(guān)聯(lián)的凹部511的參數(shù)組被檢測(cè)為用于表示凹部511的幾 何形狀的值。
第二計(jì)算單元26修正由通過(guò)對(duì)照單元24檢測(cè)的表示凹部511的幾 何形狀的參數(shù)組所確定的凹部5U的幾何形狀。根據(jù)存儲(chǔ)在修正數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)器25中的修正數(shù)據(jù)，執(zhí)行對(duì)凹部511的幾何形狀的修正。例如，在本 實(shí)施例中，凹部511的底部的寬度尺寸可以根據(jù)由對(duì)照單元24檢測(cè)的表 示凹部511的幾何形狀的參數(shù)組來(lái)確定。在第二計(jì)算單元26中修正底部 的寬度尺寸。然后，修正數(shù)據(jù)被輸出作為凹部511的幾何形狀。
接下來(lái)，將參考圖6描述使用上述測(cè)量裝置1的測(cè)量方法。在庫(kù)231至233的制備開(kāi)始時(shí)，測(cè)量在晶片5的絕緣膜51中的凹部 5U的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度。此處，使用CD-SEM進(jìn)行測(cè)量(操作 Sl)。將要測(cè)量的凹部511優(yōu)選地是形成在用于在晶片5的中央形成芯 片的區(qū)域中的凹部511。更確切地說(shuō)，根據(jù)凹部511的蝕刻速率和蝕刻 時(shí)間來(lái)估計(jì)凹部511的深度尺寸的值。接下來(lái)，使用CD-SEM來(lái)實(shí)際測(cè) 量凹部511的底部的寬度尺寸以及凹部511的開(kāi)口的寬度尺寸(凹部511 的上端側(cè))。
然后，通過(guò)利用凹部511的底部的寬度尺寸、凹部511的開(kāi)口的寬 度尺寸和凹部511的深度尺寸，計(jì)算凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度。
接下來(lái)，制備庫(kù)(操作S2)。操作者建立第一參數(shù)組Al至An，所 述第一參數(shù)組Al至An包括凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度、凹部 511的預(yù)定深度位置的寬度尺寸、凹部511的深度尺寸、以及絕緣膜51 的厚度。此處，凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度是操作S1中所測(cè)量 的測(cè)量值。然后，通過(guò)獲取單元21獲取輸入計(jì)算器裝置2的第一參數(shù)組 Al至An。此外，第一計(jì)算單元22將由獲取單元21獲取的各第一參數(shù)組 Al至An用于預(yù)定函數(shù)，以計(jì)算分別與第一參數(shù)組Al至An相關(guān)聯(lián)的多個(gè) 反射光波形。第一參數(shù)組Al至An和與其相關(guān)聯(lián)的多個(gè)波形被存儲(chǔ)在數(shù) 據(jù)庫(kù)23中，作為第一庫(kù)231。
類(lèi)似地，第二參數(shù)組Bl至Bn和與其相關(guān)聯(lián)的多個(gè)波形被存儲(chǔ)在數(shù) 據(jù)庫(kù)23中，作為第二庫(kù)232。類(lèi)似地，第三參數(shù)組Cl至Cn和與其相關(guān)聯(lián) 的多個(gè)波形被存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)23中，作為第三庫(kù)233。
此處，將描述把e值固定為在各個(gè)庫(kù)231至233中的測(cè)量值的原因。
如上所描述，圖7B示出了在通過(guò)散射測(cè)量法制備數(shù)據(jù)庫(kù)時(shí)將三個(gè)參數(shù)設(shè)置成可變的條件下所得到的結(jié)果，所述三個(gè)參數(shù)為貫通孔的深 度、貫通孔的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度以及在貫通孔的中間深度位置 的寬度尺寸。在這種情況下，通過(guò)散射測(cè)量法的貫通孔底部的測(cè)量寬 度尺寸的平均值顯著不同于通過(guò)利用SEM觀測(cè)的貫通孔底部的實(shí)際寬
度尺寸的平均值，并且所得到的相關(guān)系數(shù)低至0.861。
圖7C示出了在通過(guò)散射測(cè)量法制備數(shù)據(jù)庫(kù)時(shí)將貫通孔的中間深度 位置的寬度尺寸固定為預(yù)定值而將上述三個(gè)參數(shù)中的其余參數(shù)設(shè)置成 可變的條件下所得到的結(jié)果。在這種情況下，通過(guò)散射測(cè)量法的貫通 孔底部的測(cè)量寬度尺寸的平均值也顯著不同于通過(guò)利用SEM觀測(cè)的貫
通孔底部的實(shí)際寬度尺寸的平均值，并且所得到的相關(guān)系數(shù)較低。
另一方面，圖7A示出了在通過(guò)散射測(cè)量法制備數(shù)據(jù)庫(kù)時(shí)將貫通孔 的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度固定為預(yù)定值而將上述三個(gè)參數(shù)中的其余 參數(shù)設(shè)置成可變的條件下所得到的結(jié)果。在這種情況下，通過(guò)散射測(cè) 量法的貫通孔底部的測(cè)量寬度尺寸的平均值基本等于通過(guò)利用SEM觀
測(cè)的貫通孔底部的實(shí)際寬度尺寸的平均值，并且得到的相關(guān)系數(shù)高達(dá) 0.992。根據(jù)上述的研究結(jié)果，認(rèn)為通過(guò)在將凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表 面的角度固定為預(yù)定值的條件下制備數(shù)據(jù)庫(kù)，通過(guò)散射測(cè)量法能夠得 知精確的幾何形狀。
通過(guò)將凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度固定為預(yù)定值而實(shí)現(xiàn)幾 何形狀的精確確定的原因可能如下。如圖8A和8B中所示，即使MCD和 H是相同的值，不同的e值也導(dǎo)致凹部的底部的寬度尺寸Ll和L2的變化 相當(dāng)大。晶片5的絕緣膜51的蝕刻工藝可能在同一晶片的表面中產(chǎn)生如 圖9A所示的凹部511的剖面矩形幾何形狀或如9B所示的凹部511的弓形
幾何形狀。當(dāng)在這樣的情況下將e作為可變的時(shí)，利用通過(guò)使用弓形幾 何形狀的彎曲部分的幾何形狀作為基準(zhǔn)幾何形狀而得到的角度e2的參
數(shù)來(lái)計(jì)算的波形，可與反射光波形一致。這種92是與側(cè)壁相對(duì)于底部
的實(shí)際角度ei不同的角度。因此，在弓形幾何形狀的情況下所得到的底部寬度尺寸可以顯著不同于實(shí)際測(cè)量的寬度尺寸。這引起在同一晶 片表面中凹部511的底部寬度尺寸的顯著改變，這在通過(guò)散射測(cè)量法的
凹部511中底部寬度尺寸的平均值和通過(guò)利用SEM觀測(cè)的凹部511中底
部寬度尺寸的平均值之間導(dǎo)致較大偏差。
相反，如圖ioA和iOB所示，將e的值固定為恒定值ei (實(shí)際測(cè)量
值)，并且將與剖面矩形幾何形狀的角度相同的角度用于弓形幾何形 狀，從而抑制在通過(guò)散射測(cè)試法的凹部511中底部寬度尺寸的平均值和 通過(guò)利用SEM觀測(cè)的凹部511中底部寬度尺寸的平均值之間產(chǎn)生較大 偏差。
此外，在庫(kù)231至233中的每個(gè)具有不同厚度值的原因如下。圖ll 示出了通過(guò)將厚度固定為400nm而通過(guò)散射測(cè)試法測(cè)量的凹部511底部 寬度尺寸和通過(guò)利用SEM觀測(cè)的凹部511中底部實(shí)際寬度尺寸的對(duì)照。
圖ll中的橫坐標(biāo)表示絕緣膜的厚度。在圖11中，"OCD"所表示 的數(shù)據(jù)是通過(guò)散射測(cè)量法測(cè)得的數(shù)據(jù)。根據(jù)圖ll，應(yīng)理解的是，當(dāng)厚 度超出一定范圍(區(qū)域B)(即，在區(qū)域A或區(qū)域C中)時(shí)，偏差增大。 這表明實(shí)際厚度對(duì)凹部511的幾何形狀有影響，并且也表明，當(dāng)厚度的 值固定時(shí)，精確的測(cè)量?jī)H能夠在一定范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)。因此，通過(guò)在不同 厚度存在于庫(kù)231至233的每個(gè)中并且在庫(kù)231至233中選擇具有更接近
絕緣膜實(shí)際厚度的厚度的庫(kù)的條件下執(zhí)行波形對(duì)照，能夠?qū)崿F(xiàn)凹部的 幾何形狀的精確確定。在用于制造晶片的工藝中，絕緣膜51的厚度并 非必然為恒定的，而是產(chǎn)生了一些變化。因此，當(dāng)要檢測(cè)在相同工藝 條件下制造的形成在絕緣膜51中的凹部511時(shí)，為了精確測(cè)量凹部511 的幾何形狀，關(guān)鍵是確定絕緣膜51的厚度和適當(dāng)?shù)剡x擇關(guān)聯(lián)的庫(kù)。
接下來(lái)，制備存儲(chǔ)在修正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器25中的修正數(shù)據(jù)(操作S3)。 發(fā)現(xiàn)當(dāng)在各個(gè)庫(kù)231至233中e的值被固定為恒定值時(shí)，雖然通過(guò)散射測(cè) 量法的測(cè)量值和通過(guò)用SEM觀測(cè)的實(shí)際值之間的偏差較之傳統(tǒng)構(gòu)造得到改善，但是在通過(guò)散射測(cè)量法的測(cè)量值和通過(guò)用SEM觀測(cè)的實(shí)際值
之間仍然存在恒定的偏差量(difference level)。也發(fā)現(xiàn)，當(dāng)在各個(gè)庫(kù) 231至233中e值固定為恒定值以進(jìn)行如圖12所示的測(cè)量時(shí)，在通過(guò)散射 測(cè)量法確定的凹部511中底部寬度尺寸和通過(guò)CD-SEM在凹部中底部寬
度尺寸的實(shí)際值之間仍存在恒定的偏差量。還進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，這種偏差 量不取決于凹部511的底部寬度尺寸，并且如果凹部511的蝕刻條件一 樣，則基本屬于恒定值。然后，將這種偏差量進(jìn)行平均，以作為修正 數(shù)據(jù)(例如，本實(shí)施例中的29.28nm)存儲(chǔ)在修正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器25中。圖 13A至13C示出了反映了修正數(shù)據(jù)的凹部底部寬度尺寸和通過(guò)CD-SEM 的凹部底部寬度尺寸之間的偏差。圖13B示出了在沿著晶片表面的X軸 方向的預(yù)定位置的凹部的底部寬度尺寸，并且圖13C示出了在沿著晶片 表面的Y軸方向的預(yù)定位置的凹部底部的寬度尺寸。根據(jù)該結(jié)果應(yīng)理 解，在反映了修正數(shù)據(jù)的凹部511的底部寬度尺寸和通過(guò)CD-SEM的凹 部底部寬度尺寸之間基本不存在偏差。
接下來(lái)，開(kāi)始測(cè)量。用來(lái)自光源12的光照射晶片中的凹部511 (操 作S4)，并且用檢測(cè)器13檢測(cè)該反射光(操作S5)。此處，要檢測(cè)的 凹部511可以是已經(jīng)用于測(cè)量e的同一凹部511，或者可選地，是形成在 絕緣膜51中的另一個(gè)凹部511。將反射光的波長(zhǎng)通過(guò)獲取單元21發(fā)送至 對(duì)照單元24。在這種情形下，輸入要測(cè)量的晶片5的絕緣膜51的厚度。 也將絕緣膜51的厚度通過(guò)獲取單元21發(fā)送至對(duì)照單元24。
對(duì)照單元24將獲取的反射光波形和在數(shù)據(jù)庫(kù)中的存儲(chǔ)波形相對(duì)照 (操作S6)。此時(shí)，對(duì)照單元24根據(jù)獲取的絕緣膜51的厚度，適當(dāng)?shù)?對(duì)庫(kù)231至233進(jìn)行選擇。例如，如果第一庫(kù)231包括410nm的厚度，并 且要檢測(cè)的晶片的絕緣膜的厚度在410+/-2011111的范圍之內(nèi)，那么，選 擇第一庫(kù)231。
如果第二庫(kù)232包括370 nm的厚度并且要檢測(cè)的晶片的絕緣膜的 厚度在370+/- 20 nm的范圍之內(nèi)，那么，選擇第二庫(kù)232。此外，如果
17第三庫(kù)233包括450 nm的厚度并且要檢測(cè)的晶片的絕緣膜的厚度在 450+/- 20 nm的范圍之內(nèi)，那么，選擇第三庫(kù)233。對(duì)照單元24對(duì)所選 擇的波形與反射光波形進(jìn)行對(duì)照，并且如果偏差量等于或大于指定值 (操作S7),則再次進(jìn)行波形的選擇，然后，又對(duì)所選擇的波形和反 射光波形進(jìn)行對(duì)照。
另一方面，如果偏差量小于指定值(操作S7)，則將與所選擇的 波長(zhǎng)相關(guān)聯(lián)的參數(shù)組賦予表示凹部511的幾何形狀的參數(shù)。接下來(lái)，第 二計(jì)算單元26對(duì)通過(guò)在對(duì)照單元24中得到的參數(shù)組而得到的凹部511 的幾何形狀進(jìn)行修正(操作S8)。更確切地說(shuō)，基于存儲(chǔ)在修正數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器25中的修正數(shù)據(jù)，對(duì)通過(guò)參數(shù)組計(jì)算的凹部511中的底部的寬度 尺寸執(zhí)行修正。除上述之外，由參數(shù)組計(jì)算的底部寬度尺寸還是通過(guò) 利用凹部511的MCD、 H和e所計(jì)算的值。然后，修正后的幾何形狀被輸 出作為凹部511的幾何形狀，其是基于凹部511的底部的修正后的寬度 尺寸的確定。
接下來(lái)，如果存在一個(gè)非用于測(cè)量的凹部511的另一個(gè)凹部511(例 如，處于用于形成芯片的區(qū)域中的凹部5U，該區(qū)域不同于用于形成被 測(cè)量的凹部511的芯片的區(qū)域)，那么，執(zhí)行對(duì)這種另一凹部511的測(cè) 量(操作S9)。更確切地說(shuō)，對(duì)這種另一凹部511也執(zhí)行操作S4至S8。 如上所述，執(zhí)行對(duì)在晶片5中用于形成芯片的各個(gè)區(qū)域的凹部511的測(cè) 量。此外，通過(guò)使用測(cè)量裝置l可以測(cè)量其他晶片的凹部，所述其他晶 片不是晶片5而是通過(guò)與用于晶片5的相同制造工藝而制造的，并且具 有通過(guò)與用于凹部511的蝕刻條件相同的蝕刻條件而形成的凹部，并且 也具有基本相似的絕緣膜層結(jié)構(gòu)和絕緣膜厚度。在這種情況下，可以 執(zhí)行操作S4至S9。
接下來(lái)，將描述通過(guò)使用本發(fā)明的構(gòu)造而得到的有利效果。在用 于制備庫(kù)231、 232和233的多個(gè)參數(shù)組Al至An、 Bl至Bn和Cl至Cn中， 凹部511的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度在參數(shù)組中一樣，并且包括凹部
18511的寬度尺寸和凹部511的深度尺寸的其他參數(shù)中的至少任意一個(gè)在
參數(shù)組中是不同的。凹部511的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度是測(cè)量值， 其通過(guò)使用CD-SEM而測(cè)得。如上所述，將凹部511的側(cè)壁相對(duì)于其底 表面的測(cè)量角度用作為固定值以制備波形，從而通過(guò)散射測(cè)量法能夠 確定精確的幾何形狀。
此外，在本實(shí)施例中，凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度通過(guò) CD-SEM而測(cè)得。這允許在不需要破壞晶片5的情況下實(shí)際測(cè)量凹部511 的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度。
然后，將通過(guò)CD-SEM而得到的測(cè)量值用于庫(kù)的制備，并且通過(guò)使 用由CD-SEM測(cè)量的晶片5來(lái)確定凹部511的幾何形狀。更確切地說(shuō)，對(duì) 于用于制備庫(kù)的晶片5和用于確定凹部511的幾何形狀的晶片5，可以使
用相同的晶片。因此，較之通過(guò)使用樣片等實(shí)際測(cè)量凹部的幾何形狀 來(lái)制備庫(kù)的情況，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)凹部511的幾何形狀的更精確的確定。
此外，因?yàn)樵诒緦?shí)施例中，利用通過(guò)將庫(kù)231、 232和233的波形與 反射光波形相對(duì)照而得到的值來(lái)確定的凹部511的幾何形狀(更確切地 說(shuō)，凹部511的底部的寬度尺寸)與用CD-SEM而得到的凹部511的幾何 形狀的實(shí)際值之間的偏差被確定，以實(shí)現(xiàn)凹部511的幾何形狀的修正， 所以能夠?qū)崿F(xiàn)凹部511幾何形狀的更精確的確定。
當(dāng)使用包括凹部511的側(cè)壁相對(duì)于底表面的固定角度的多個(gè)參數(shù) 組來(lái)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，將多個(gè)參數(shù)組中的絕緣膜厚固定為一個(gè)預(yù)定值，這 可能在通過(guò)測(cè)量得到的凹部511幾何形狀和真實(shí)凹部511幾何形狀之間 導(dǎo)致偏差。為了解決該問(wèn)題，根據(jù)絕緣膜51的厚度來(lái)設(shè)置多個(gè)庫(kù)231、 232和233，并且根據(jù)絕緣膜51的精確厚度選擇適合的庫(kù)231、 232和233, 以提供更精確的測(cè)量。
本發(fā)明旨在不特別限于上述實(shí)施例，而是在為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的范圍內(nèi)的任何修改或改進(jìn)均包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，雖然將e、
MCD和H示出為組成上述實(shí)施例中的參數(shù)組的參數(shù)，但是這些組成參 數(shù)組的參數(shù)可以不特別限于此。除了e、 MCD和H的參數(shù)之外，還可以 可選地存在凹部511的深度尺寸。
例如，當(dāng)將貫通孔作為凹部來(lái)測(cè)量時(shí)，優(yōu)選的是采用貫通孔的深 度尺寸作為參數(shù)。這種方式允許對(duì)凹部的幾何形狀的更精確的確定。
此外，雖然在上述實(shí)施例中，對(duì)第一參數(shù)組Al至An、第二參數(shù)組 Bl至Bn、第三參數(shù)組Cl至Cn中的每個(gè)參數(shù)組采用了絕緣膜的恒定厚 度，但是本發(fā)明不特別限于此，并且可以適當(dāng)?shù)囟x絕緣膜的厚度， 而不固定為一定厚度。
此外，雖然在上述實(shí)施例中，使用CD-SEM來(lái)測(cè)量e值，但本發(fā)明 不特別限于此，并且可以通過(guò)除了CD-SEM之外的其他方法來(lái)測(cè)量e值。 例如，可以制備樣片，并且可以通過(guò)使用剖面SEM的觀測(cè)，來(lái)實(shí)際測(cè)
量該樣片中的凹部的e值。然后，可以測(cè)量通過(guò)與樣片相同的制造工藝
而制造的晶片的凹部511的幾何形狀。
顯然，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，并且在不脫離本發(fā)明的范圍和 精神的情況下，可以做出修改和改變。
權(quán)利要求
1. 一種測(cè)量方法，包括下列操作測(cè)量形成在絕緣膜中的凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度；定義多個(gè)參數(shù)組，并且制備存儲(chǔ)分別與所述多個(gè)參數(shù)組相關(guān)聯(lián)的多個(gè)反射光波形的庫(kù)，所述參數(shù)組包括形成在絕緣膜中的凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度、所述凹部的預(yù)定深度位置中的寬度尺寸和所述凹部的深度尺寸；對(duì)形成在絕緣膜中的凹部照射光；檢測(cè)來(lái)自用光照射的所述凹部的反射光；將檢測(cè)到的反射光波形和從所述庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形相對(duì)照；如果檢測(cè)到的反射光波形與從所述庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形之間的偏差等于或大于指定值，則將檢測(cè)到的反射光波形與再次從所述庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形相對(duì)照，而如果檢測(cè)到的反射光波形與從所述庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形之間的偏差小于所述指定值，則將與從所述庫(kù)中選擇的所述波形相關(guān)聯(lián)的所述參數(shù)組賦予表示用光照射的所述凹部的幾何形狀的值，所述賦予的參數(shù)組包括凹部的所述寬度尺寸、凹部的所述深度尺寸和凹部的所述側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度；以及根據(jù)表示所述凹部的幾何形狀的所述值，確定所述凹部的幾何形狀，其中，在所述定義多個(gè)參數(shù)組的操作中的所述多個(gè)參數(shù)組中，所述凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度在參數(shù)組中相同，并且包括凹部的所述寬度尺寸和凹部的所述深度尺寸的其他參數(shù)中的至少任意一個(gè)在參數(shù)組中不同，以及其中，所述凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度是在所述測(cè)量凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度的操作中得到的測(cè)量值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的測(cè)量方法，所述測(cè)量形成在絕緣膜中的 凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度的操作包括獲取所述凹部的深度 尺寸，并且通過(guò)利用臨界尺寸掃描電子顯微鏡(臨界尺寸SEM)來(lái)測(cè)量所述凹部的底部的寬度尺寸和所述凹部的開(kāi)口的寬度尺寸，以確定 所述凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)量方法，其中，多個(gè)凹部形成在所述絕緣膜中，所述絕緣膜具有形成于其中的通過(guò)所述臨界尺寸SEM測(cè)量的所述凹部，其中，所述對(duì)凹部照射光的操作包括對(duì)另一凹部照射光，所述另 一凹部不是通過(guò)所述臨界尺寸SEM測(cè)量的所述凹部，以及其中，所述確定所述凹部的幾何形狀包括確定所述另一凹部的幾 何形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的測(cè)量方法，其中，預(yù)先獲取所述凹部的推理幾何形狀和所述凹部的測(cè)量幾何 形狀之間的偏差，所述推理幾何形狀由表示所述凹部的幾何形狀的所 述值被直接推理出，并且所述凹部的所述測(cè)量幾何形狀通過(guò)不同于由 表示幾何形狀的所述值直接推理出幾何形狀的方式的方式來(lái)測(cè)量，以 及其中，所述確定所述凹部的幾何形狀的操作包括基于預(yù)先獲取 的所述偏差，修正由表示所述凹部的幾何形狀的所述值直接推理出的 所述凹部的幾何形狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的測(cè)量方法，其中，所述參數(shù)組中的每個(gè) 都包括所述絕緣膜的厚度作為參數(shù)，其中，所述定義多個(gè)參數(shù)組的操作包括定義多個(gè)第一參數(shù)組并且 制備第一庫(kù)，所述第一參數(shù)組中的每個(gè)都包括絕緣膜的相同厚度，并且所述第一庫(kù)包括分別與所述多個(gè)第一參數(shù)組相關(guān)聯(lián)的多個(gè)反射光波 形，其中，所述定義多個(gè)參數(shù)組的操作還包括定義多個(gè)第二參數(shù)組并 且制備第二庫(kù)，所述第二參數(shù)組中的每個(gè)都包括絕緣膜的相同厚度， 其不同于在所述第一參數(shù)組中的絕緣膜的所述厚度，并且所述第二庫(kù)包括分別與所述多個(gè)第二參數(shù)組相關(guān)聯(lián)的多個(gè)反射光波形，其中，所述第一參數(shù)組和所述第二參數(shù)組包括所述凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的相同角度，以及其中，所述將檢測(cè)到的反射光波形和從所述庫(kù)中選擇的存儲(chǔ)波形相對(duì)照的操作包括獲取具有形成于其中的所述凹部的所述絕緣膜的厚度，用光照射所述凹部；在所述多個(gè)庫(kù)中選擇與所獲取的厚度相關(guān)聯(lián)的相關(guān)庫(kù)；和 從所選擇的庫(kù)中選擇存儲(chǔ)波形，以將它與檢測(cè)到的反射光波形進(jìn) 行對(duì)照。
全文摘要
提供了一種用于提供凹部的幾何形狀的精確確定的測(cè)量方法，其包括測(cè)量形成在絕緣膜中的凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度(操作S1)；定義多個(gè)參數(shù)組，所述參數(shù)組包括凹部的側(cè)壁相對(duì)于底表面的角度、寬度尺寸和深度尺寸，并且制備包括分別與這些多個(gè)參數(shù)組相關(guān)聯(lián)的多個(gè)反射光波形的庫(kù)(操作S2)；對(duì)凹部照射光的操作(操作S4)；檢測(cè)反射光的操作(操作S5)；將反射光波形和從庫(kù)中選擇的波形9相對(duì)照(操作S6)；以及當(dāng)反射光波形和從庫(kù)中選擇的波形之間的偏差小于指定值時(shí)，則將諸如寬度尺寸等的與選擇的波長(zhǎng)相關(guān)聯(lián)的凹部的參數(shù)賦為最優(yōu)值，以確定凹部的幾何形狀。在庫(kù)的參數(shù)組中凹部的側(cè)壁相對(duì)于其底表面的角度是操作S1中的測(cè)量值。
文檔編號(hào)G01B11/22GK101469973SQ20081018951
公開(kāi)日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
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