專利名稱：用于離子斷裂截止的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于離子斷裂截止的裝置和方法。
背景技術(shù)：
質(zhì)譜分析系統(tǒng)是一種分析設(shè)備，其通過根據(jù)分子離子的質(zhì)荷比(m/z)來將它們分離，從而確定化合物的分子量。通過誘使失去電荷或者獲得電荷而生成離子，然后探測出這些離子。質(zhì)譜分析系統(tǒng)一般包括用于生成離子的電離源(即，電噴霧電離(EI)、大氣光電離(APPI)、大氣化學(xué)電離(APCI)、化學(xué)電離(CI)、快原子轟擊、基質(zhì)輔助激光解吸附電離(MALDI)等)；用于分離并分析離子的濾質(zhì)器或質(zhì)量分析器(即，四極、磁區(qū)、飛行時間、離子阱等)；以及離子探測器，例如電子倍增器或閃爍計數(shù)器，用于探測并描繪離子的特征。
20世紀早期發(fā)明的第一種質(zhì)量分析器使用磁場來根據(jù)離子的質(zhì)荷比分離離子?，F(xiàn)在，已發(fā)展了多種電離源來使質(zhì)量分析器滿足各種化學(xué)分子的需求。一類質(zhì)量分析器是離子阱質(zhì)量分析器。離子阱質(zhì)量分析器通過使用兩個或多個RF環(huán)狀電極來捕捉具有特定質(zhì)荷比的離子。離子阱質(zhì)量分析器和四極質(zhì)量分析器大約同時被開發(fā)出來，并且這兩種質(zhì)量分析器背后的物理原理非常類似。這些質(zhì)量分析器相對便宜，能提供較好的精度和分辨率，并且可以串接使用來提高分離。離子阱質(zhì)量分析器的典型質(zhì)量范圍和分辨率為(范圍m/z 2000；分辨率1500)。離子阱的其他優(yōu)點包括體積小、設(shè)計簡單、成本低、對于正離子和負離子易于使用。因此，離子阱質(zhì)量分析器已變得相當流行。然而，離子阱也遇到一些具體的問題。例如，當前商用版本的范圍有限，以及碰撞能量較低和離子斷裂問題。
為了解決上述問題，已開發(fā)了斷裂的MS/MS、2維(2D)和3維(3D)分析技術(shù)和方法。通常，在3D離子阱質(zhì)譜分析中，通過將主RF電壓設(shè)置為相對高的值來增加偽電勢捕捉阱(pseudo-potential trappingwell)的深度，并且也通過施加與離子運動的基本頻率其振的補充場(supplemental field)，從而實現(xiàn)斷裂。用于斷裂的RF幅度值可以表示為無量綱參數(shù)q。一般來說，q可以從0變化到0.908，并且從各種推導(dǎo)方程可以確定離子阱內(nèi)的最低穩(wěn)定質(zhì)量。RF場中的最低穩(wěn)定質(zhì)量稱作斷裂截止限制(fragmentation cut-off limit)。所有質(zhì)量低于該斷裂截止限制的碎片離子在RF離子阱中都是不穩(wěn)定的，并且是不可分析的。斷裂截止是離子阱正面臨的問題，并且已限制了離子阱的整個潛在效率和靈活性。
因此，期望通過極大地減少離子阱系統(tǒng)的斷裂截止，從而減輕該問題。另外，也希望擴展可以使用離子阱分析的分子的類型和范圍。例如，希望降低斷裂截止，從而可以使用并開發(fā)低分子量斷裂信息，來對各種小分子和肽進行排序和描述特征。另外，還希望能夠分離、捕捉并掃描各種大小的分子，而不必將它們在質(zhì)量分析儀和/或碰撞池(collision cell)之間移動。本發(fā)明已消除了這里提到的這些和其他問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及用于提供減少質(zhì)譜分析系統(tǒng)中的離子斷裂問題的裝置和方法。本發(fā)明的質(zhì)譜分析系統(tǒng)包括電離源、質(zhì)量分析器/濾質(zhì)器和離子探測器。本發(fā)明的質(zhì)量分析器包括離子阱，該離子阱具有第一電極、與第一電極相鄰的第二電極、插入在第一電極和第二電極之間的第三電極、與第一電極和第二電極電連接的第一RF源、以及與第三電極電連接的第二RF源。
本發(fā)明還提供了離子阱。本發(fā)明的離子阱包括下述離子阱該離子阱具有第一電極、與第一電極相鄰的第二電極、插入在第一電極和第二電極之間的第三電極、與第一電極和第二電極電連接的第一RF源、以及與第三電極電連接的第二RF源。
本發(fā)明的方法包括電離試樣；施加來自第一RF源的第一RF場或者來自第二RF源的第二RF場來捕捉離子阱中的離子；施加來自第二RF源的第二RF場來斷裂離子阱中的離子；以及施加并掃描來自第一RF源的第一RF場，以將斷裂的離子驅(qū)出離子阱來探測。


下面參考下列附圖對本發(fā)明進行了詳細的描述圖1示出了質(zhì)譜分析系統(tǒng)的一般框圖。
圖2示出了本發(fā)明的第一實施方式。
圖3示出了本發(fā)明的操作的各種模式的軌跡圖。
圖4示出了MS/MS模式中本發(fā)明第二實施方式的立體圖。
圖5示出了在不同時間被施加到本發(fā)明的各種DC電勢的軌跡圖。
具體實施例方式
在詳細描述本發(fā)明之前，必須注意，在本說明書和所附權(quán)利要求中，除非明確指出，否則未加數(shù)量限制的名詞都包括多個指示物。從而，例如對“電極”的引用包括多于一個的“電極”。對“環(huán)狀電極”的引用包括多于一個的“環(huán)狀電極”。在說明和要求本發(fā)明中，將根據(jù)下面闡明的定義來使用下面的術(shù)語。
術(shù)語“相鄰”意思是接近、鄰近或鄰接。相鄰的某物也可以是與另一個組件接觸，圍繞另一個組件，被從其他組件隔開，或者包含其他組件的一部分。例如，與環(huán)狀電極相鄰的電極可以是與該環(huán)狀電極鄰近地被隔開、可以接觸該環(huán)狀電極、可以圍繞該環(huán)狀電極或者被該環(huán)狀電極圍繞、可以包含該環(huán)狀電極或者被該環(huán)狀電極包含、可以與該環(huán)狀電極鄰接或者可以接近該環(huán)狀電極。
術(shù)語“2維(2-D)離子阱”指這樣的陷阱，在該陷阱中，離子被聚焦在沿所限定的線的方向上的二維空間中。例如，一類2-D離子阱是線性陷阱。對該定義應(yīng)當作廣義的解釋，以包括本領(lǐng)域中任何其中離子以類似方式被限定在空間中的器件。
術(shù)語“3維(3-D)離子阱”指產(chǎn)生3維空間中的捕捉場的離子捕捉器件。換言之，離子被捕捉到空間中的點。對該定義應(yīng)當作廣義的解釋，以包括本領(lǐng)域中任何已知或使用過的其中離子可以被捕捉到空間中的點的器件。
術(shù)語“電極”指任何電極、電極器件、或者用來創(chuàng)建可以用來收集或者捕捉離子的電場的器件。然而，該術(shù)語可以作廣義解釋，以也包括可以包括電極或環(huán)狀電極的任何器件或裝置。電極也可以包括端帽(endcap)，或者其他已知并被用在2-D和3-D離子阱中的類似類型的器件。
術(shù)語“電極組”指兩個或多個電極。
術(shù)語“探測器”指可以探測離子的任何器件、裝置、機器、組件或系統(tǒng)。探測器可以包括或者可以不包括硬件和軟件。在質(zhì)譜儀中，公共探測器包括質(zhì)量分析器和/或被耦合到質(zhì)量分析器。
術(shù)語“電極”指可以應(yīng)用到本發(fā)明的具體一類電極。
術(shù)語“離子源”或者“源”指產(chǎn)生被分析離子的任何源。
術(shù)語“段(section)”指可以包括質(zhì)量分析器的限定部分的一個或多個電極。段一般可以包括兩個或多個形成這樣結(jié)構(gòu)的電極，該結(jié)構(gòu)可以用來創(chuàng)建電場或磁場，這些電場或磁場可以應(yīng)用來沿限定的方向操縱或移動離子。
術(shù)語“桿”指任何數(shù)量的固體結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)可以是導(dǎo)電的，并且可以用來創(chuàng)建操縱離子的電場或磁場。
下面參考附圖描述本發(fā)明。這些附圖不是按比例的，具體地說，為了清楚地呈現(xiàn)，可能放大了某些大小。
圖1示出了質(zhì)譜儀系統(tǒng)的一般框圖。該框圖不是按比例的，并且以一般的格式畫出，這是因為本發(fā)明可以用于各種不同類型的質(zhì)譜分析系統(tǒng)。本發(fā)明的質(zhì)譜分析系統(tǒng)1包括離子源3、質(zhì)量分析器5和探測器7。
離子源3可以置于許多位置或地點。另外，各種離子源可以用于本發(fā)明。例如，電噴霧電離(EI)、化學(xué)電離(CI)、大氣壓光電離(APPI)、大氣壓化學(xué)電離(APCI)、基質(zhì)輔助激光解吸附電離(MALDI)、大氣壓基質(zhì)輔助激光解吸附電離(AP-MALDI)等，或者可以用于本分明的本領(lǐng)域公知的其他離子源。具體地說，可以產(chǎn)生離子的任何源可以被應(yīng)用到本發(fā)明。這些源可以是本領(lǐng)域已知的，或者可以被開發(fā)出來。
質(zhì)量分析器5可以包括任何數(shù)目的用于捕捉離子的本領(lǐng)域已知的器件。例如，質(zhì)量分析器可以包括離子阱，2-D或3-D離子阱、MS/MS模式的離子阱或者類似器件、或者這些能夠捕捉離子的器件的組合。
探測器7一般置于離子源3和質(zhì)量分析器5的下游。探測器可以包括任何數(shù)目本領(lǐng)域已知的探測器。例如，探測器7可以包括能夠產(chǎn)生輸出信號的任何器件，其中輸出信號指示被研究的分析物。探測器可以包括但不限于產(chǎn)生被放大或者誘使由運動電荷所產(chǎn)生的電流的二次電子(secondaryelectron)的器件。這些類型探測器中的某些包括電子倍增器和熒光計數(shù)器。
圖2示出了本發(fā)明的第一實施方式。該圖不是按比例的，而僅僅是為了說明和解釋目的。本發(fā)明的質(zhì)量分析器5可以包括離子阱。本發(fā)明的離子阱包括第一電極9、第二電極10和第三電極4。第一電極9與第二電極10相鄰。第一電極9和第二電極10可以包括多個電極、標準電極和/或這些設(shè)計的組合。第三電極4可以是環(huán)形的，被插入在第一電極9和第二電極10之間并與它們隔開。第一電極9和第二電極10可以包括任何數(shù)目的形狀和大小。它們也可以包括任何數(shù)目的用于創(chuàng)建電場的本領(lǐng)域已知的金屬材料和非金屬材料。電極9和10能夠創(chuàng)建用于捕捉離子阱的離子腔12內(nèi)的離子的電場或磁場是重要的。
第三電極4與第一RF電壓源14電連接。第一電極9和第二電極10與第二RF電壓源16電連接。可選的輔助波形發(fā)生器13也可以與電極9和10以及第二RF電壓源16電連接。另外，諸如氦或者類似氣體之類的碰撞氣體可以注入到離子阱腔12中。各種本領(lǐng)域已知的碰撞氣體或氣體混和物可以應(yīng)用到本發(fā)明。另外，各種輔助波形發(fā)生器也可以應(yīng)用到本發(fā)明。
值得注意的是，圖2不是本發(fā)明的電示意圖，而是示出了適于本發(fā)明的不同場和波形的混和應(yīng)用。應(yīng)當注意，第三電極4與第一RF電壓源14電連接，而第一電極9和第二電極10與第二RF電壓源16電連接。這允許創(chuàng)建可以用于操縱和捕捉離子的第二場。在某些實施方式中，該場可以是四極場。然而，本發(fā)明并不只限于這種實施方式。其他場和設(shè)計也可以應(yīng)用到本發(fā)明。另外，第二RF電壓源16的頻率可以比第一RF電壓源14的高。離子阱內(nèi)的第二場由第二RF電壓源16產(chǎn)生，而在掃描階段期間，第一場由第一RF電壓源14產(chǎn)生。僅僅在斷裂期間的開始和結(jié)束時的非常短的時間中(例如，1ms)，這兩個場可以共存，以將捕捉到的離子從一個捕捉場環(huán)境傳送到另一個。本發(fā)明通過在離子阱內(nèi)提供分離的捕捉場，以穩(wěn)定低于原始斷裂截止的離子的軌跡，從而解決了斷裂截止問題。第二場具有針對該斷裂優(yōu)化了的頻率和電壓，而主RF場具有更適于寬質(zhì)量范圍捕捉和掃描的頻率。兩個捕捉場僅僅可以在非常短的時間中共存，以將離子從一個場傳送到不同的捕捉場。這給本發(fā)明的離子阱提供了靈活性，使其能夠處理在較大斷裂截止范圍中的各種類型的化學(xué)分子。應(yīng)當注意，本發(fā)明的每個RF場可以由分離的RF發(fā)生器驅(qū)動。其他捕捉場和RF發(fā)生器也可以應(yīng)用到本發(fā)明。本發(fā)明提供了一種方法，來極大地減少觀察到的離子阱操作的斷裂(基于主要的主RF值)截止，所以斷裂信息可以用來更完整地對生物化學(xué)試樣和其他類型的衍生物進行排序。
在四極的情形中，可以將針對每個捕捉場的斷裂截止的方程寫為m0=2eVoqozo2vo2]]>ma=2eVaqazo2va2]]>其中，vo和Vo為主四極場的頻率和幅度；va和Va為額外的第二四極場的頻率和幅度。這些場中的偽勢阱的方程由下述公式給出Do=eVo24mzo2vo2]]>Da=eVa24mzo2va2]]>假定由第二場限定的斷裂偽勢阱深度Da與原始的主場內(nèi)的偽勢阱深度Do相同，以在母體離子(precursor ion)的斷裂期間提供相同的捕捉電平，即，Do＝Da。在這種情形中，第二四極場的幅度和頻率應(yīng)當與主場的幅度和頻率成正比地增加。在上面的方程中，將q參數(shù)的上穩(wěn)定值替換為qo＝0.98、qa＝0.98；并且假定Va＞Vo，則可以確定ma＜mo，即，額外的四極場的斷裂截止與第二場的頻率成反比，并且小于原始斷裂截止。例如，如果Va＝3Vo，則估計出的斷裂截止為Mn＝Mo/3，其比原始斷裂截止小3倍。本發(fā)明和技術(shù)已應(yīng)用到了多種離子阱。圖2示出了本發(fā)明的離子阱的基本思想。也可以有更復(fù)雜的系列、組合或者應(yīng)用。例如，也可以應(yīng)用各種MS/MS、離子阱組合、2D和3D離子阱。下面提供對這些器件的更廣泛的描述。
現(xiàn)在參考圖4，針對3D離子阱描述的相同原理適于2D離子阱。然而，在2D離子阱的情形中，更加便于將具有不同頻率的場物理分離并在這些場區(qū)域之間傳送離子，而不是和在上述3D離子阱的情形中一樣將這些場在開和關(guān)之間切換。在一種實施方式中，2D離子阱可以由六個分離段41、42、43、44、45、46組裝而成，其中每個段都包括一組電極。段45提供第一組捕捉電極，并且段42屬于第二組捕捉電極。根據(jù)本發(fā)明，這兩組電極被連接到兩個不同的RF發(fā)生器，這兩個不同的RF發(fā)生器創(chuàng)建兩個具有基本不同的振蕩頻率的捕捉場。因此，段42和45分別與第一RF電壓源47和第二RF電壓源48電連接。第一RF電壓源47和第二RF電壓源48提供具有基本不同的頻率的RF電壓。段41、43、44和46可以用作防護段(guard section)，并且可以電容耦合或者連接到RF電壓源47和48，以分別在段42和45內(nèi)提供基本統(tǒng)一的場。
應(yīng)當注意，段46和41可以包括端帽形式的電極。理論上說，在這種布置中，段42、43、44、45應(yīng)當為一個或多個環(huán)狀電極的形式。然而，在本實施方式中，可以應(yīng)用兩個不同的捕捉場RF發(fā)生器。例如，段41、42和43將連接到第一RF發(fā)生器47，而段44、45、46將連接到第二RF發(fā)生器48。在本發(fā)明工作期間，在斷裂和掃描/捕捉操作期間，離子將被不同的場捕捉到。也可以認識到，在許多情形中，捕捉場應(yīng)當是四極2D或3D幾何形狀。然而，這并不是本發(fā)明必需的，其他設(shè)計也可以。
這樣，可以在離子阱中操縱離子來如稍后所述那樣存儲斷裂并在段42和45之間掃描。例如，使用各個段41、42、43、44、45和46上的各種DC電壓，從而可以將離子從一個段傳送到另一個段。在圖5中，與DC電勢沿2D離子阱的中心軸50的曲線一起示出了實現(xiàn)這種離子轉(zhuǎn)變的適當?shù)碾妷?。子圖51示出了DC電勢沿2D離子阱的中心軸50的分布，這對應(yīng)于所有離子都在段45內(nèi)被傳送并被捕獲的情形。
子圖53示出了在將離子從段45傳送回段42時DC電勢沿2D離子阱的中心軸50的分布，這對應(yīng)于新的最小電勢。根據(jù)本發(fā)明，離子首先被引入并積聚在段42內(nèi)。RF發(fā)生器47在段42內(nèi)提供捕捉場。在最初的積聚步驟之后，通過利用輔助RF發(fā)生器47a施加選擇波形，從而根據(jù)感興趣的離子的質(zhì)荷比將它們隔離。然后，離子被傳送到段45內(nèi)的由第二RF電壓源48提供的較高頻率場的區(qū)域。然后，可以利用輔助第一RF電壓源48a施加共振斷裂波形。此后，斷裂的和剩余的母體離子可以被傳送回段42，并且通過桿49內(nèi)的縫隙49a被掃描出去。例如，這是通過質(zhì)量不穩(wěn)定掃描技術(shù)實現(xiàn)的。這種技術(shù)在本領(lǐng)域中是已知的?？梢哉J識到，離子也可以在段45中被積聚、隔離、然后被斷裂，并且然后被傳送到掃描段42以進行探測?；蛘?，也可以將離子沿軸向脈動到不同的串接質(zhì)量分析器中，例如，飛行時間質(zhì)量分析器。
取決于具體要求的任務(wù)，可以對該方法作出其他修改。例如，段45的多個桿中的一個也可以具有開口，用作離子出口。這可以類似于如段42中所示的桿49來構(gòu)造。在這種情形中，取決于所分析的離子的質(zhì)荷比和段42和45內(nèi)的捕捉場的頻率，可以在段42或45中執(zhí)行離子探測、隔離和斷裂。另外，段45可以具有扭曲的幾何形狀或設(shè)計(不同于純四極設(shè)計)。例如，可以使用各種桿段或設(shè)計來創(chuàng)建八極場，以在降低離子損耗的情況下增加離子斷裂效率。由于這種斷裂和探測一般要求不同的場區(qū)域，所以可以專門針對離子斷裂來對斷裂捕捉場內(nèi)的八極場組件的數(shù)量進行優(yōu)化。
另外，也可以使用額外的段，用于設(shè)計不同的RF捕捉場。也應(yīng)當認識到，也可以使用少于六個的段。例如，用于2D離子阱的雙捕捉場。然而，采用這種類型的設(shè)計可能影響場的同質(zhì)性。捕捉場的頻率也可以被設(shè)計為同步或者是多重格式。本發(fā)明不僅提供對斷裂限制的改進，而且增加斷裂能級。較高的斷裂能量提供分析物的額外結(jié)構(gòu)信息，并且也增加可以被分析的分析物的范圍。例如，這也帶來了使先前不能被斷裂的更穩(wěn)定的離子斷裂的可能性。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的裝置，現(xiàn)在描述操作方法。圖3示出了本發(fā)明一種實施方式的操作時序圖。根據(jù)該圖，在電離時間間隔31中，離子被創(chuàng)建并被注入到3-D離子阱中，同時第一RF電壓源14產(chǎn)生RF場，并將其維持在捕捉電平32。第二RF電壓源16可以被斷開，如圖3中零軌跡電平33所示(參見圖)。在隔離時間段34期間的最初離子積聚之后，離子可以被隔離，以只將感興趣的具有特定m/z比值的離子捕捉在離子阱內(nèi)。這可以通過許多本領(lǐng)域中已知的技術(shù)來實現(xiàn)。在時間間隔34期間，第二RF電壓源16可以被斷開。這在圖3中由零軌跡電平35示出。然后，第二RF電壓源16可以用來生成如標號36所示的隔離波形。由RF電壓源14產(chǎn)生的第一場的幅度Vo可以改變，以實現(xiàn)如標號32a所示的隔離。在下一時間間隔37期間，執(zhí)行母體離子的斷裂。根據(jù)本發(fā)明，現(xiàn)在第二RF電壓源16被接通，所以幅度Va跳變到最初斷裂電平38。優(yōu)選在第一和第二RF場之間有短時間重疊的情況下(在圖3中未示出重疊)，主RF場被切斷。在該斷裂間隔期間第一RF電壓源的接近零的電壓由標號32b指示。大約在同時，第二RF電壓源16被激活，以生成如標號36a所示的斷裂共振波形。在斷裂過程期間，可以稍稍調(diào)整由第二RF電壓源產(chǎn)生的電壓的電平，以確保母體離子的一致和可再現(xiàn)斷裂。這種慢變在圖3中由看起來象穹頂?shù)能壽E38a示出。
在另一種實施方式中，第二RF電壓源16可以維持基本穩(wěn)定在電平38處的場(在圖3中未示出)。第二RF電壓源16的場的頻率相對于由第一RF電壓源14產(chǎn)生的場的頻率較高，因此，如上所述，斷裂截止較低。在斷裂期的結(jié)束處38b，第一RF電壓源被恢復(fù)到比該斷裂截止(ma)的對應(yīng)值稍低的值。此后，第二RF場很快(大約1ms后)被斷開，如38c所示，并且在時間間隔39期間，斷裂的離子被掃描出去并被探測。例如，可以采用質(zhì)量不穩(wěn)定性技術(shù)實現(xiàn)掃描，其中第一RF電壓源14的場如軌跡32c所示傾斜上升，而第二RF電壓源16產(chǎn)生具有正弦波函數(shù)36b的場，其相繼使斷裂的離子離開離子阱而注入到探測器5(圖中未示出)。在掃描期間，第二RF電壓源16再次被斷開，如圖3的零軌跡38d所示。
應(yīng)當理解，盡管已結(jié)合其具體實施方式
描述了本發(fā)明，但是前述描述以及隨后的示例是要說明而不是要限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員將清楚在本發(fā)明的范圍內(nèi)的其他方面、優(yōu)點和修改。
在這里所提到的之前和之后的所有專利、專利申請和公開都整體結(jié)合于此作為參考。
權(quán)利要求
1.一種質(zhì)譜分析系統(tǒng)，包括(a)用于產(chǎn)生離子的電離源；(b)在所述電離源下游的質(zhì)量分析器，用于隔離、斷裂和掃描由所述電離源產(chǎn)生的離子，所述質(zhì)量分析器包括離子阱，該離子阱具有第一電極、與所述第一電極相鄰的第二電極、插入在所述第一電極和所述第二電極之間的第三電極、電連接到所述第一電極和所述第二電極的第一RF源、以及電連接到所述第三電極的第二RF源；和(c)在所述質(zhì)量分析器下游的探測器，用于探測來自所述質(zhì)量分析器的離子。
2.如權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，包括2維質(zhì)量分析器。
3.如權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，包括3維質(zhì)量分析器。
4.如權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，還包括輔助波形發(fā)生器。
5.如權(quán)利要求4所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其中，所述輔助波形發(fā)生器與所述第二RF電壓源電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其中，所述輔助波形發(fā)生器與所述第一電極和所述第二電極電連接。
7.如權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其中，所述第三電極包括環(huán)。
8.如權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，還包括段。
9.如權(quán)利要求8所述的質(zhì)譜分析系統(tǒng)，其中，所述模塊化段包括至少一個桿。
10.一種用于質(zhì)譜分析系統(tǒng)的質(zhì)量分析器，包括離子阱，該離子阱具有第一電極、與所述第一電極相鄰的第二電極、插入在所述第一電極和所述第二電極之間的第三電極、電連接到所述第一電極和所述第二電極的第一RF源、以及電連接到所述電極的第二RF源，用于提供離子隔離、掃描和斷裂。
11.如權(quán)利要求10所述的質(zhì)量分析器，包括2維質(zhì)量分析器。
12.如權(quán)利要求10所述的質(zhì)量分析器，包括3維質(zhì)量分析器。
13.如權(quán)利要求10所述的質(zhì)量分析器，還包括輔助波形發(fā)生器。
14.如權(quán)利要求13所述的質(zhì)量分析器，其中，所述輔助波形發(fā)生器與所述第二RF電壓源電連接。
15.如權(quán)利要求14所述的質(zhì)量分析器，其中，所述輔助波形發(fā)生器與所述第一電極和所述第二電極電連接。
16.如權(quán)利要求10所述的質(zhì)量分析器，其中，所述第三電極包括環(huán)。
17.如權(quán)利要求10所述的質(zhì)量分析器，還包括段。
18.如權(quán)利要求17所述的質(zhì)量分析器，其中，所述段包括至少一個桿。
19.一種在質(zhì)譜分析系統(tǒng)中捕獲、斷裂和掃描離子的方法，包括(a)電離試樣；(b)施加來自第一RF電壓源的第一RF場，以在質(zhì)量分析器中捕捉離子；(c)施加來自第二RF電壓源的第二RF場，以在所述質(zhì)量分析器中斷裂離子；和(d)掃描所述斷裂的離子。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述質(zhì)量分析器包括離子阱。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述試樣電離步驟是使用從下述組中選擇出的離子源實現(xiàn)的，所述組包括離子阱、大氣壓光電離源、電噴霧電離源、大氣壓化學(xué)電離源、多模式源和化學(xué)電離源。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括探測所述離子。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于隔離、斷裂和掃描離子的質(zhì)量分析器。該質(zhì)量分析器包括離子阱，該離子阱具有第一電極、與第一電極相鄰的第二電極、插入在第一電極和第二電極之間的第三電極、電連接到第一電極和第二電極的第一RF源、以及電連接到第三電極的第二RF電壓源。第二RF電壓源提供了第二電場，用于使離子斷裂并擴大器件的斷裂截止的潛在應(yīng)用，這允許分析肽和其他復(fù)雜的分子。該質(zhì)量分析器可以獨立使用或者與質(zhì)譜分析系統(tǒng)組合使用。本發(fā)明也公開了離子斷裂和截止的方法。
文檔編號G01N30/72GK1828819SQ200510087400
公開日2006年9月6日 申請日期2005年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月28日
發(fā)明者亞歷克斯·莫迪凱 申請人:安捷倫科技有限公司