專利名稱：硒同素異晶p.n型結(jié)構(gòu)的感光大平板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及醫(yī)學(xué)影象數(shù)字化技術(shù)中的薄膜晶體管矩陣(TFT)或芯片(CMOS)平板探測器，特別是涉及其中的感光大平板。
背景技術(shù)：
感光大平板制造的關(guān)鍵技術(shù)是優(yōu)質(zhì)非晶硒(a-se)膜的制造。由于(a-se)膜的制造難度很大，成功率低，其重復(fù)性、穩(wěn)定性很差，另由于在真空環(huán)境下沒有對流，控溫基板和導(dǎo)電平板有間隙，輻射傳導(dǎo)效果又差，因此傳導(dǎo)被阻斷，導(dǎo)電平板溫度失控，這是難以獲得理想(a-se)膜層的關(guān)鍵原因。導(dǎo)致目前一塊TFT平板探測器售價在8-10萬美圓左右，作為一種耗材，這樣的價格令人難以接受，從而影響了直接成像技術(shù)(DR)技術(shù)的普及發(fā)展受到極大的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種能有效克服上述缺陷，硒同素異晶P.N型結(jié)構(gòu)的感光大平板。
本發(fā)明技術(shù)方案為一種硒同素異晶P.N型結(jié)構(gòu)的感光大平板，主要是由導(dǎo)電平板組成，其特征在于導(dǎo)電平板的外層設(shè)有非晶硒膜層(P型)，向內(nèi)交替設(shè)有晶硒和非晶硒混合膜層(N型)，非晶硒膜層(P型)，膜層總層數(shù)至少為二層。
由于采用上述方案，不難得出如下結(jié)論本實用新型結(jié)構(gòu)合理，構(gòu)思巧妙，制膜成功率高，制得的膜層高質(zhì)量、高穩(wěn)定性、高重復(fù)性、高電位、高靈敏度，用P.N型結(jié)構(gòu)的硒膜可將膜層做得較厚。該膜層特別適合于TFT平板，其原因是根據(jù)靜電成像原理，多數(shù)專家認為(a-se)膜上的靜電荷結(jié)集是在硒膜表面，稱表面集膚電荷。在TFT上配制的硒膜厚度一般大于300u，也就是說硒膜表面的電位信號和感應(yīng)電位信號的薄膜晶體管之間距離有300u以上，這樣感應(yīng)到的電位信號和集膚電荷的電位信號相比要低得多。而用同素異晶多層結(jié)構(gòu)的硒膜，就將感應(yīng)電位信號和集膚電荷電位信號之間的距離縮得很小。因此可以減小失真和小信號丟失。同時感應(yīng)信號的穩(wěn)定性和靈敏度均得到很好提高。這樣獲得的圖像會更真實、更清晰。本實用新型使DR技術(shù)中TFT平板探測器成功率大幅提高，成本大幅下降，具極高的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用價值。
以下結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。


圖1為本實用新型一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實用新型另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
圖1中1為導(dǎo)電平板。可采用薄膜晶體管矩陣(TFT)平板，其內(nèi)層設(shè)有晶硒和非晶硒混合膜層。2為(N型)其外設(shè)有非晶硒膜層3(P型)。
圖2中4為導(dǎo)電平板，其外層設(shè)有非晶硒膜層7(P型)，其內(nèi)依次設(shè)有晶硒和非晶硒混合膜層6(N型)和非晶硒膜層5(P型)。
上述實施例的制造過程(a)先將導(dǎo)電平板清洗干燥。
(b)置真空室，控溫基板加導(dǎo)熱材料和固定，在蒸發(fā)舟內(nèi)，加上適量的純硒顆粒。導(dǎo)熱材料常用的有液體、膠體，彈性金屬絲織物、海綿體、類氈織物等，導(dǎo)熱材料可以二種或二種以上同時合用，但是進入真空的導(dǎo)熱材料必須具備物理和化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。
(c)蓋上鐘罩抽真空，對控溫基板進行循環(huán)水加熱，對蒸發(fā)舟進行預(yù)熱加熱。
(d)控溫基板溫度需先達到，真空度達到，蒸發(fā)溫度達到時，打開擋板，開始蒸發(fā)，蒸發(fā)速率控制在5-8u/分。
(e)由于P型和N型所需溫度不同，對控溫基板需及時快速換溫；非晶硒膜的獲得(P型)可在70-85℃中選擇；硒混合膜的獲得(N型)可在45-65℃中選擇。
(f)蒸發(fā)結(jié)束，關(guān)閉硒舟加電爐，關(guān)閉恒溫浴，切換室溫水進入控溫基板，讓其漸漸降至室溫。
(g)蒸發(fā)結(jié)束5分鐘后，關(guān)閉真空閥門，漸漸緩慢放氣(先慢后快，完畢后取出導(dǎo)電平板清潔，靜置48小時后備用。
(h)48小時后進行微電子加工處理其中不管層數(shù)多少，P和N型的層間厚度，應(yīng)均勻分配為好，最外層的膜層厚度應(yīng)大于等于平均厚度一倍或一倍以上，雙層可以1∶1。
權(quán)利要求1.一種硒同素異晶P.N型結(jié)構(gòu)的感光大平板，主要是由導(dǎo)電平板組成，其特征是在于導(dǎo)電板的外層設(shè)有非晶硒膜層P型(1)，向內(nèi)交替設(shè)有晶硒和非晶硒混合膜層N型(2)，非晶硒膜層P型(3)，膜層總數(shù)至少為二層。
專利摘要本實用新型公開了一種硒同素異晶P.N型結(jié)構(gòu)的感光大平板，主要是由導(dǎo)電平板組成，其特征在于導(dǎo)電平板的外層設(shè)有非晶硒膜層(P型)，向內(nèi)交替設(shè)有晶硒和非晶硒混合膜層(N型)，非晶硒膜層(P型)，膜層總層數(shù)至少為二層。本實用新型結(jié)構(gòu)合理，構(gòu)思巧妙，制膜成功率高，制得的膜層高質(zhì)量、高穩(wěn)定性、高重復(fù)性、高電位、高靈敏度，用P.N型結(jié)構(gòu)的硒膜可將膜層做得較厚。本實用新型使DR技術(shù)中TFT平板探測器成功率大幅提高，成本大幅下降，具極高的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用價值。
文檔編號G01J1/02GK2765318SQ200420081350
公開日2006年3月15日 申請日期2004年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月2日
發(fā)明者李金根, 許梅華, 李陽 申請人:李金根, 許梅華, 李陽