專利名稱：平板探測(cè)器及其制作方法、攝像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及攝像領(lǐng)域，尤其涉及一種平板探測(cè)器及其制作方法，以及設(shè)置有所述平板探測(cè)器的攝像裝置。
背景技術(shù)：
目前，數(shù)字化X線攝影(DigitalRadiography, DR)技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療儀器，如拍攝X射線胸片的X射線機(jī)。DR裝置的關(guān)鍵部件是獲取圖像的平板探測(cè)器，其性能優(yōu)劣會(huì)對(duì)DR圖像質(zhì)量產(chǎn)生比較大的影響。平板探測(cè)器可以分為兩種:非晶硒平板探測(cè)器和非晶硅平板探測(cè)器，其中，如圖1所示，非晶硒平板探測(cè)器主要由非晶硒層(圖1未示出)、像素電極3、存儲(chǔ)電容2和薄膜晶體管(開(kāi)關(guān)TFT) I構(gòu)成。入射的X射線使非晶硒層產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在外加偏壓電場(chǎng)作用下，電子和空穴對(duì)向相反的方向移動(dòng)形成電流，電流經(jīng)像素電極3，在存儲(chǔ)電容2中形成儲(chǔ)存電荷，在薄膜晶體管I打開(kāi)時(shí)輸出到讀出電路。經(jīng)每一 TFT輸出的儲(chǔ)存電荷量對(duì)應(yīng)于入射X射線的劑量，通過(guò)讀出電路可以知道每一像素點(diǎn)的電荷量，進(jìn)而知道每一像素點(diǎn)的X線劑量。發(fā)明人發(fā)現(xiàn):在設(shè)計(jì)上述存儲(chǔ)電容時(shí)，一方面，存儲(chǔ)電容越大，存儲(chǔ)電荷的能力越強(qiáng)，圖像采集能力越強(qiáng)；但是另一方面，存儲(chǔ)電容增大，意味著存儲(chǔ)電容的電極面積增大，在像素大小不變的情況下，存儲(chǔ)電容的電極與其他數(shù)據(jù)線之間的寄生電容就會(huì)增大，而寄生電容會(huì)影響數(shù)據(jù)線的輸出信號(hào)，導(dǎo)致信噪比比較差，如果為降低寄生電容增大像素面積，又會(huì)影響像素開(kāi)口率，導(dǎo)致分辨率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種平板探測(cè)器及其制作方法，以及設(shè)置有所述平板探測(cè)器的攝像裝置，可以在不影響像素開(kāi)口率的情況下，增加存儲(chǔ)電容，提高圖像采集能力，從而有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:—種平板探測(cè)器，包括:基板；以及設(shè)置在所述基板上，用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在所述轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測(cè)元件；所述像素檢測(cè)元件包括:用于接收所述電荷的像素電極，存儲(chǔ)接收電荷的存儲(chǔ)電容，以及控制存儲(chǔ)電荷輸出的薄膜晶體管；所述存儲(chǔ)電容包括:第一電極，包括:相對(duì)設(shè)置的上電極和下電極，且所述上電極與所述下電極電性連接；第二電極，夾設(shè)在所述上電極和所述下電極之間；所述上電極與所述第二電極之間，及所述第二電極與所述下電極之間均設(shè)置有絕緣層。 優(yōu)選地，所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。
本發(fā)明的第一種實(shí)施方式中，所述下電極設(shè)置在所述基板上，所述下電極通過(guò)過(guò)孔與所述薄膜晶體管的源極相連。所述平板探測(cè)器還包括:覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層，所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上。所述平板探測(cè)器還包括:覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層，所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過(guò)所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中的過(guò)孔與所述薄膜晶體管的源極相連。本發(fā)明的第二種實(shí)施方式中，所述下電極設(shè)置在所述基板上；所述平板探測(cè)器還包括:覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層，所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上，所述第二電極通過(guò)過(guò)孔與所述薄膜晶體管的源極相連。所述平板探測(cè)器，還包括:覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層，所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過(guò)過(guò)孔與所述下電極相連?？蛇x地，所述平板探測(cè)器還包括:感光樹(shù)脂層，設(shè)置在所述上電極之上，所述像素電極設(shè)置在所述感光樹(shù)脂層上，并經(jīng)所述感光樹(shù)脂層中的過(guò)孔連接至所述薄膜晶體管的源極?？蛇x地，所述薄膜晶體管包括:柵金屬層，設(shè)置在基板上；柵絕緣層，覆蓋在所述柵金屬層上；有源層，設(shè)置在所述柵絕緣層上；源漏金屬層，設(shè)置在所述有源層上。本發(fā)明還提供一種攝像裝置，包括所述的任一平板探測(cè)器。另一方面，本發(fā)明還提供一種平板探測(cè)器的制作方法，包括:形成第一透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成所述下電極；形成薄膜晶體管的柵金屬層、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層；形成第一鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極對(duì)應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過(guò)孔；形成第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對(duì)應(yīng)位置形成第二電極；形成第二鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極上方對(duì)應(yīng)于所述第一鈍化層過(guò)孔的位置，設(shè)置第二鈍化層過(guò)孔；形成第三透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對(duì)應(yīng)位置形成上電極，且所述上電極通過(guò)所述第一鈍化層過(guò)孔及所述第二鈍化層過(guò)孔，與所述薄膜晶體管的源極相連。 可選地，所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。
所述方法，還包括:涂覆感光樹(shù)脂層，并采用構(gòu)圖工藝在所述第二鈍化層過(guò)孔的對(duì)應(yīng)位置，設(shè)置感光樹(shù)脂層過(guò)孔；形成第四透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成像素電極，且所述像素電極通過(guò)所述第一鈍化層過(guò)孔、所述第二鈍化層過(guò)孔及所述感光樹(shù)脂層過(guò)孔，與所述薄膜晶體管的源極相連?？蛇x地，所述采用構(gòu)圖工藝在所述上電極的對(duì)應(yīng)位置形成第二電極之后，形成第二鈍化層之前，還包括:在所述第二電極上形成金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成公共電極線。本實(shí)施例中的平板探測(cè)器，其存儲(chǔ)電容的第一電極采用相互連接的上電極和下電極，第二電極則隔著絕緣層(或者起絕緣作用的間隔層)設(shè)置在所述上電極、下電極之間，構(gòu)成兩個(gè)并聯(lián)電容。具體而言，上電極與第二電極形成第一電容，下電極與第二電極形成第二電容(相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的存儲(chǔ)電容)，且第一電容與第二電容為并聯(lián)關(guān)系，因此，本實(shí)施例中的存儲(chǔ)電容為第一電容與第二電容之和，而且，上電極遮擋下電極，下電極沒(méi)有占用額外像素區(qū)域，存儲(chǔ)電容的電極與其它數(shù)據(jù)線之間的距離可保持不變，不會(huì)影響寄生電容，因而也不需要為降低寄生電容而增大像素面積，當(dāng)然像素開(kāi)口率也不會(huì)受影響。因此，采用電容并聯(lián)的方式因此在不影響像素開(kāi)口率的情況下，增加了存儲(chǔ)電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中平板探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中平板探測(cè)器的存儲(chǔ)電容的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例二中平板探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例三中平板探測(cè)器制作方法的流程圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例三中形成下電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例三中形成柵金屬層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例三中形成柵絕緣層和有源層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例三中形成源漏金屬層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例三中形成第一鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例三中形成第二電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例三中形成公共電極線后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例三中形成第二鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例三中形成上電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14為本發(fā)明實(shí)施例三中形成感光樹(shù)脂后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15為本發(fā)明實(shí)施例四提供的另一平板探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1-薄膜晶體管，11-柵金屬層，12-柵絕緣層，13-有源層，14-源漏金屬層；2-存儲(chǔ)電容，21-上電極，22-下電極，23-第二電極；3_像素電極；10-基板，15-第一鈍化層，16-第二鈍化層，17-過(guò)渡層，18-公共電極線，19-連接線，20-感光樹(shù)脂層，A-過(guò)孔，B-過(guò)孔。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供一種平板探測(cè)器及其制作方法，采用電容并聯(lián)的方式在不影響像素開(kāi)口率的情況下，增加了存儲(chǔ)電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。此處所描述的具體實(shí)施方式
僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。需要說(shuō)明的是，對(duì)于液晶顯示領(lǐng)域的晶體管來(lái)說(shuō)，漏極和源極沒(méi)有明確的區(qū)別，因此本發(fā)明實(shí)施例中所提到的晶體管的源極可以為晶體管的漏極，晶體管的漏極也可以為晶體管的源極。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供一種平板探測(cè)器，該平板探測(cè)器包括:基板；以及設(shè)置在所述基板上，用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測(cè)元件；所述像素檢測(cè)元件包括:用于接收所述電荷的像素電極，存儲(chǔ)接收電荷的存儲(chǔ)電容，以及控制存儲(chǔ)電荷輸出的薄膜晶體管；如圖2所示(圖中僅示出存儲(chǔ)電容)，所述存儲(chǔ)電容包括:第一電極，包括:相對(duì)設(shè)置的上電極21和下電極22，上電極21和下電極22相連接；第二電極23，夾設(shè)在上電極21和下電極22之間；上電極21與第二電極23之間，第二電極23與下電極22之間均設(shè)置有絕緣層(圖中未示出)。本實(shí)施例平板探測(cè)器，轉(zhuǎn)化層將X射線轉(zhuǎn)換為電荷，轉(zhuǎn)化層之下設(shè)置有相互獨(dú)立的像素檢測(cè)元件，一個(gè)像素檢測(cè)元件用于采集一個(gè)像素信息，每個(gè)像素檢測(cè)元件均包括:接收所述電荷的像素電極，存儲(chǔ)接收電荷的存儲(chǔ)電容，以及控制存儲(chǔ)電荷輸出的薄膜晶體管。其中，在不同的器件結(jié)構(gòu)或者器件不同位置處，上述存儲(chǔ)電容中的絕緣層可以是柵絕緣層，也可以是鈍化層，或者柵絕緣層與鈍化層構(gòu)成的雙層膜層。當(dāng)然，上電極21與第二電極23之間，以及第二電極23與下電極22之間也可能存在一層或多層起絕緣作用的間隔層，并不限于所述的鈍化層和柵絕緣層，因此本實(shí)施例對(duì)此不作限定。本實(shí)施例提供的平板探測(cè)器，上電極21與第二電極23及中間所夾的絕緣層形成第一電容，下電極22與第二電極23及中間所夾的絕緣層形成第二電容，第一電容與第二電容并聯(lián)構(gòu)成本發(fā)明平板探測(cè)器的存儲(chǔ)電容；而且，上電極遮擋下電極，不需要占用額外的像素區(qū)域，從而可在不影響寄生電容的情況下，增加存儲(chǔ)電容(存儲(chǔ)電容變?yōu)榈谝浑娙菖c第二電容之和)，提高圖像采集能力，也有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。為了確保寄生電容不影響平板探測(cè)器的探測(cè)效果，設(shè)計(jì)時(shí)通常要保證電容電極與其它數(shù)據(jù)線保持相對(duì)比較遠(yuǎn)的距離，所以采用本發(fā)明所述電容并聯(lián)方式增加存儲(chǔ)電容時(shí)，在存儲(chǔ)電容的電極與其它數(shù)據(jù)線間距離保持不變(仍然相對(duì)比較遠(yuǎn))的前提下，寄生電容的變化可忽略。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例提供一種平板探測(cè)器，如圖3所示，平板探測(cè)器該包括:用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層(圖中未示出)和設(shè)置在轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測(cè)元件(圖中僅示出一個(gè))；所述像素檢測(cè)元件包括:用于接收所述電荷的像素電極3，存儲(chǔ)接收電荷的存儲(chǔ)電容2，以及控制存儲(chǔ)電荷輸出的薄膜晶體管I。薄膜晶體管I包括:柵金屬層11，設(shè)置在基板10上；柵絕緣層12，覆蓋在柵金屬層11上；有源層13，設(shè)置在柵絕緣層12上；源漏金屬層14，設(shè)置在有源層13上。薄膜晶體管I上(源漏金屬層14之上)覆蓋有第一鈍化層15。存儲(chǔ)電容2包括:第一電極和第二電極23,第一電極包括:相對(duì)設(shè)置的上電極21和下電極22。具體而言，存儲(chǔ)電容2的下電極22設(shè)置在基板上，下電極22之上覆蓋有柵絕緣層12，柵絕緣層12之上設(shè)置有第一鈍化層15 (第一鈍化層15在薄膜晶體管I之后形成，覆蓋在薄膜晶體管I及存儲(chǔ)電容2設(shè)置區(qū)域的柵絕緣層12上)，第二電極23設(shè)置在第一鈍化層15上，其中，第一鈍化層15在薄膜晶體管I的源極上方的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有過(guò)孔B，柵絕緣層12以及第一鈍化層15均在靠近薄膜晶體管I源極，且第二電極23未覆蓋的區(qū)域設(shè)置有過(guò)孔A，在形成第二電極23時(shí)，同步形成連接線19，連接線19通過(guò)過(guò)孔A和過(guò)孔B將下電極22與薄膜晶體管I的源極相連。第二電極23上還設(shè)置有公共電極線18，且公共電極線18與第二電極23直接相連，之上設(shè)置第二鈍化層16，第二鈍化層16之上設(shè)置第一電極中的上電極21，第二鈍化層16在薄膜晶體管I的源極的上方(第一鈍化層15上過(guò)孔B)的對(duì)應(yīng)位置同樣設(shè)置有過(guò)孔，該過(guò)孔的位置與第一鈍化層15過(guò)孔B的位置重合，使得薄膜晶體管I的源極在過(guò)孔處暴露，上電極21經(jīng)該過(guò)孔連接至薄膜晶體管I的源極。當(dāng)然，上電極21、下電極22，以及第二電極23也可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行靈活設(shè)置，只要電極之間設(shè)置有絕緣層或者其它起絕緣作用的間隔層即可。例如也可以，下電極22設(shè)置在基板10上，第二電極23設(shè)置在柵絕緣層12上(此時(shí)，第二電極23上的公共電極線18可與源漏金屬層14同步形成)，上電極21設(shè)置在第一鈍化層上，或者仍設(shè)置在第二鈍化層16上。在薄膜晶體管I和存儲(chǔ)電容2之上設(shè)置感光樹(shù)脂層20，通常為提高感光樹(shù)脂材料與底層金屬材料(上電極21)之間的粘附性，在涂覆感光樹(shù)脂材料形成感光樹(shù)脂層20之前，先沉積一層比較薄的過(guò)渡層17(例如氮化硅薄膜)。感光樹(shù)脂層20之上設(shè)置有像素電極3，像素電極3之上再設(shè)置轉(zhuǎn)化層(例如非晶硒層)。感光樹(shù)脂層20及過(guò)渡層17在薄膜晶體管I的源極的上方(第一鈍化層15及第二鈍化層16的過(guò)孔)的對(duì)應(yīng)位置設(shè)置有過(guò)孔，感光樹(shù)脂層20、第一鈍化層15和第二鈍化層16在薄膜晶體管I源極上方的過(guò)孔重合，在過(guò)孔處，像素電極3、上電極21、下電極22與薄膜晶體管I的源極相連。當(dāng)然，上電極21和下電極22也連接在一起。本實(shí)施例平板探測(cè)器，入射的X射線使轉(zhuǎn)化層(例如非晶硒層)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在外加偏壓電場(chǎng)作用下，電子和空穴對(duì)向相反的方向移動(dòng)形成電流，最終入射的X射線轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，像素電極接收電信號(hào)，在存儲(chǔ)電容中形成存儲(chǔ)電荷，薄膜晶體管控制存儲(chǔ)電荷的輸出。每一薄膜晶體管打開(kāi)期間輸出的儲(chǔ)存電荷量，對(duì)應(yīng)于入射X射線的劑量，從而通過(guò)讀出電路知道每一像素點(diǎn)的電荷量，進(jìn)而知道每一像素點(diǎn)的X線劑量，最終形成X線攝影圖像。其中，優(yōu)選地，上電極21與下電極22具有相同的圖形。上電極21與下電極22尺寸大小相當(dāng)，當(dāng)然，也可根據(jù)存儲(chǔ)電容的實(shí)際設(shè)計(jì)需要，對(duì)上電極21和/或下電極22的大小進(jìn)行變更。本實(shí)施例提供的平板探測(cè)器，采用電容并聯(lián)的方式可在不影響像素開(kāi)口率的情況下，增加存儲(chǔ)電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種攝像裝置，其包括上述任意一種平板探測(cè)器。存儲(chǔ)電容大，圖像采集能力高。實(shí)施例三另一方面，本發(fā)明還提供一種平板探測(cè)器的制作方法，如圖4所示，該方法包括:步驟101、形成第一透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成下電極22 ；本步驟中在基板10上形成第一透明導(dǎo)電膜，然后涂覆光刻膠，曝光顯影后形成下電極22，如圖5所示。下電極22的尺寸大小與現(xiàn)有技術(shù)中的電極尺寸大小相當(dāng)，當(dāng)然也可以根據(jù)存儲(chǔ)電容的實(shí)際需要，對(duì)該電極的大小進(jìn)行變更。步驟102、形成薄膜晶體管的柵金屬層、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層；本步驟中形成薄膜晶體管，以底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(柵極位于有源層的下方)為例具體如下所述:首先，形成柵金屬層11，具體地:可以在基板上采用磁控濺射的方法沉積金屬層，所述金屬層可以為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜；涂覆光刻膠，曝光顯影后形成柵電極光刻膠圖形，然后濕法刻蝕后形成柵電極，如圖6所示。當(dāng)然，也可以先在基板上形成柵金屬層11，再形成步驟101中的下電極22。然后，形成柵絕緣層12和有源層13，具體地，可采用PECVD的方法沉積柵絕緣層12，有源層非晶硅(a-si)層和N型摻雜非晶硅(a-si)層，然后涂覆光刻膠，曝光顯影后形成有源層光刻膠圖形，經(jīng)濕法刻蝕后形成有源層13圖形，如圖7所示。其中，柵絕緣層12在靠近薄膜晶體管I的源極的位置設(shè)置有過(guò)孔。最后，形成源漏金屬層14，具體地，可采用磁控濺射的方法沉積金屬層，金屬層材料可以采用柵電極可選的材料之一，優(yōu)選純鋁和純銅等電阻值比較低的材料，通過(guò)曝光顯影刻蝕后形成源漏金屬層14，如圖8所示。步驟103、形成第一鈍化層15，并采用構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管I的源極對(duì)應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過(guò)孔；本步驟中，可采用PECVD的方法沉積第一鈍化層15,然后涂覆光刻膠,曝光顯影后除形成與現(xiàn)有技術(shù)相同的圖形(薄膜晶體管I的源極對(duì)應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過(guò)孔B)夕卜，為實(shí)現(xiàn)下電極22與薄膜晶體管I的源極的連接，在像素區(qū)域在靠近薄膜晶體管I的源極附近，柵絕緣層12過(guò)孔的對(duì)應(yīng)位置，還形成過(guò)孔A，且該過(guò)孔A圖形下有下電極22。這樣，通過(guò)過(guò)孔刻蝕工藝，在過(guò)孔B處將薄膜晶體管I的源極裸露出來(lái)，在過(guò)孔A處將下電極22圖形裸露出來(lái)。步驟104、形成第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在下電極22的對(duì)應(yīng)位置形成第二電極23 ；本步驟中可采用磁控濺射的方法沉積第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在下電極22的對(duì)應(yīng)位置形成存儲(chǔ)電容的第二電極23 ;另外，在形成第二電極23時(shí)，在過(guò)孔A和過(guò)孔B之間(且第二電極23未覆蓋區(qū)域)同步形成連接線19，連接線19通過(guò)過(guò)孔A和過(guò)孔B將下電極22與薄膜晶體管I的源極連接在一起，如圖10所示。形成第二電極23之后，還包括:在第二電極23上形成金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成公共電極線18。具體地，可采用磁控濺射的方法沉積金屬層，金屬層材料可以采用柵電極可選的材料之一，優(yōu)選純鋁和純銅等電阻值比較低的材料，通過(guò)曝光顯影刻蝕后形成公共電極線，如圖11所示。公共電極線18覆蓋在第二電極23上，與第二電極23直接相連。步驟105、形成第二鈍化層16，并采用構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管I的源極上方對(duì)應(yīng)于第一鈍化層15過(guò)孔B的位置，設(shè)置第二鈍化層過(guò)孔；本步驟可采用PECVD的方法沉積第二鈍化層16，通過(guò)曝光顯影刻蝕后，在薄膜晶體管I的源極上方的區(qū)域形成過(guò)孔，如圖12所示。步驟106、形成第三透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在下電極22的對(duì)應(yīng)位置形成上電極21，且上電極21通過(guò)第一鈍化層過(guò)孔及第二鈍化層過(guò)孔，與薄膜晶體管I的源極相連。本步驟可采用磁控濺射的方法沉積第三透明導(dǎo)電膜，通過(guò)曝光顯影刻蝕后形成上電極21的圖形，且該上電極21通過(guò)第二鈍化層16上的過(guò)孔與薄膜晶體管I源極相連，顯然，通過(guò)這種方式，下電極22和上電極21連接在一起，同時(shí)與第二電極23形成兩個(gè)并聯(lián)電容，構(gòu)成存儲(chǔ)電容2，如圖13所示。本實(shí)施例提供的平板探測(cè)器的制作方法，形成并聯(lián)電容以構(gòu)成存儲(chǔ)電容，可在不影響像素開(kāi)口率的情況下，增加存儲(chǔ)電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。進(jìn)一步地，所述平板探測(cè)器的制作方法，還包括:步驟107、涂覆感光樹(shù)脂層20，并采用構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管I的源極上方第二鈍化層過(guò)孔的對(duì)應(yīng)位置(過(guò)孔B的位置)，設(shè)置感光樹(shù)脂層過(guò)孔；本步驟中涂覆感光樹(shù)脂層20，通常為提高感光樹(shù)脂材料與底層金屬材料(上電極21)之間的粘附性，在涂覆感光樹(shù)脂材料形成感光樹(shù)脂層20之前，先沉積一層比較薄的過(guò)渡層17，再采用涂膠的方式涂覆感光樹(shù)脂材料，其通常厚度在2至3微米之間，涂覆后通過(guò)曝光，顯影，退色，固化等工序，在第二鈍化層過(guò)孔的位置形成過(guò)渡層17及感光樹(shù)脂層20過(guò)孔。簡(jiǎn)言之，第一鈍化層15、第二鈍化層16、感光樹(shù)脂層20及過(guò)渡層17均在薄膜晶體管I的源極上方設(shè)置有過(guò)孔，這樣使得下一步驟中的像素電極3、上電極21、下電極22、以及薄膜晶體管I的源極均在過(guò)孔處連接在一起。如圖14所示。步驟108、形成第四透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成像素電極3，且像素電極3通過(guò)所述第一鈍化層過(guò)孔、所述第二鈍化層過(guò)孔及所述感光樹(shù)脂層過(guò)孔，與所述薄膜晶體管I的源極相連。繼續(xù)后繼流程，形成轉(zhuǎn)化層等完成所述平板探測(cè)器的制作。其中，優(yōu)選地，所述上電極21與所述下電極22具有相同的圖形。本實(shí)施例提供的平板探測(cè)器的制作方法，形成并聯(lián)電容以構(gòu)成存儲(chǔ)電容，可在不影響像素開(kāi)口率的情況下，增加存儲(chǔ)電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。實(shí)施例四本實(shí)施例還提供另一平板探測(cè)器及其制作方法，如圖15所示，該平板探測(cè)器與實(shí)施例一的不同之處在于:第二電極23通過(guò)過(guò)孔B連接到TFT的源極；第一電極的上電極21和下電極22通過(guò)過(guò)孔A相連接，公共電極線18設(shè)置在上電極21 (或下電極22)上，即第一電極的上電極21和下電極22與公共電極線18相連。本實(shí)施例平板探測(cè)器的制作方法，與實(shí)施例三大致類似，區(qū)別僅在于形成的柵絕緣層、第一鈍化層和第二鈍化層上的過(guò)孔A的位置不同，其中可選地第二電極也可以位于柵絕緣層上直接與TFT的源極相連。本發(fā)明實(shí)施例所述的技術(shù)特征，在不沖突的情況下，可任意相互組合使用。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種平板探測(cè)器，包括:基板；以及設(shè)置在所述基板上，用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在所述轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測(cè)元件；所述像素檢測(cè)元件包括:用于接收所述電荷的像素電極，存儲(chǔ)接收電荷的存儲(chǔ)電容，以及控制存儲(chǔ)電荷輸出的薄膜晶體管；其特征在于，所述存儲(chǔ)電容包括: 第一電極，包括:相對(duì)設(shè)置的上電極和下電極，且所述上電極與所述下電極電性連接； 第二電極，夾設(shè)在所述上電極和所述下電極之間； 所述上電極與所述第二電極之間，及所述第二電極與所述下電極之間均設(shè)置有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測(cè)器，其特征在于， 所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板探測(cè)器，其特征在于，所述下電極設(shè)置在所述基板上，所述下電極通過(guò)過(guò)孔與所述薄膜晶體管的源極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平板探測(cè)器，其特征在于，還包括: 覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層， 所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板探測(cè)器，其特征在于，還包括: 覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層， 所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過(guò)所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中的過(guò)孔與所述薄膜晶體管的源極相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板探測(cè)器，其特征在于，所述下電極設(shè)置在所述基板上；所述平板探測(cè)器還包括: 覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層， 所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上，所述第二電極通過(guò)過(guò)孔與所述薄膜晶體管的源極相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平板探測(cè)器，其特征在于，還包括: 覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層， 所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過(guò)過(guò)孔與所述下電極相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的平板探測(cè)器，其特征在于，還包括: 感光樹(shù)脂層，設(shè)置在所述上電極之上， 所述像素電極設(shè)置在所述感光樹(shù)脂層上，并經(jīng)所述感光樹(shù)脂層中的過(guò)孔連接至所述薄膜晶體管的源極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測(cè)器，其特征在于，所述薄膜晶體管包括: 柵金屬層，設(shè)置在所述基板上； 柵絕緣層，覆蓋在所述柵金屬層上； 有源層，設(shè)置在所述柵絕緣層上； 源漏金屬層，設(shè)置在所述有源層上。
10.一種攝像裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的平板探測(cè)器。
11.一種平板探測(cè)器的制作方法，其特征在于，包括: 形成第一透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成所述下電極；形成薄膜晶體管的柵金屬層、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層； 形成第一鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極對(duì)應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過(guò)孔； 形成第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對(duì)應(yīng)位置形成第二電極； 形成第二鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極上方對(duì)應(yīng)于所述第一鈍化層過(guò)孔的位置，設(shè)置第二鈍化層過(guò)孔； 形成第三透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對(duì)應(yīng)位置形成上電極，且所述上電極通過(guò)所述第一鈍化層過(guò)孔及所述第二鈍化層過(guò)孔，與所述薄膜晶體管的源極相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于， 所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，還包括: 涂覆感光樹(shù)脂層，并采用構(gòu)圖工藝在所述第二鈍化層過(guò)孔的對(duì)應(yīng)位置，設(shè)置感光樹(shù)脂層過(guò)孔； 形成第四透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成像素電極，且所述像素電極通過(guò)所述第一鈍化層過(guò)孔、所述第二鈍化層過(guò)孔及所述感光樹(shù)脂層過(guò)孔，與所述薄膜晶體管的源極相連。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，采用構(gòu)圖工藝在所述上電極的對(duì)應(yīng)位置形成第二電極之后，形成第二鈍化層之前，還包括: 在所述第二電極上形成金屬 層，并采用構(gòu)圖工藝形成公共電極線。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種平板探測(cè)器及其制作方法以及設(shè)置有所述平板探測(cè)器的攝像裝置，涉及攝像領(lǐng)域，可以在不影響像素開(kāi)口率的情況下，增加存儲(chǔ)電容，提高圖像采集能力，從而有助于實(shí)現(xiàn)平板探測(cè)器的高分辨率。本發(fā)明所述平板探測(cè)器，包括用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在所述轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測(cè)元件；像素檢測(cè)元件包括用于接收所述電荷的像素電極，存儲(chǔ)接收電荷的存儲(chǔ)電容，以及控制存儲(chǔ)電荷輸出的薄膜晶體管；存儲(chǔ)電容包括第一電極，包括相對(duì)設(shè)置的上電極和下電極，且上電極與下電極電性連接；第二電極，夾設(shè)在所述上電極和下電極之間；上電極與第二電極之間，第二電極與下電極之間均設(shè)置有絕緣層或者起絕緣作用的間隔層。
文檔編號(hào)H01L27/146GK103094295SQ20131002457
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2013年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月23日
發(fā)明者謝振宇 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司