專利名稱：用于檢測重金屬離子的薄膜光尋址電位傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于檢測重金屬離子的薄膜光尋址電位傳感器。
背景技術(shù)：
重金屬離子(如Zn2+、Pb2+、Cd2+、Cu2+、Cr6+、Mn5+、As3+、Fe3+、Hg2+)能夠?qū)θ梭w產(chǎn)生有害甚至致命的影響，因此重金屬的定量檢測在藥物、食品、臨床和環(huán)境監(jiān)測等方面有著非常重要的意義。目前的檢測方法主要有原子吸收分光光度法和質(zhì)譜法等，但是采用這些方法的設(shè)備龐大，并且昂貴，需要復(fù)雜的預(yù)處理，測量周期長以及需要熟練的操作人員，這在實際應(yīng)用中帶來許多不方便。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種用于檢測重金屬離子的薄膜光尋址電位傳感器，能夠?qū)χ亟饘匐x子進行定性和定量檢測。
為了達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案如下選用p型或n型Si片作基底，在基底從下而上依次有SiO2層、金屬層、對重金屬離子敏感的薄膜。
所說的金屬層為下層為Cr，上層為Au；或下層為Ti，中層為Pt，上層Au；或上層為Ti，下層為Pt。
所說的對重金屬離子敏感的薄膜是Zn2+、Pb2+、Cd2+、Cu2+、Cr6+、Mn5+、As3+、Fe3+、Hg2+等敏感薄膜。
本發(fā)明具有的優(yōu)點是檢測器件小，試樣溶液少，測量快速，使用便捷，測量準確，幾乎沒有任何金屬離子能夠干擾測量。該薄膜傳感器可在江河湖海、生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域如血液、體液等、工業(yè)廢水、中藥、蔬菜、水果、茶葉等領(lǐng)域中對Hg2+進行定性和定量檢測。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。


圖1是本實用新型的的基本結(jié)構(gòu)圖；圖2是本實用新型的第一種傳感器的基本結(jié)構(gòu)圖；圖3是本實用新型的第二種傳感器的基本結(jié)構(gòu)圖；圖4是本實用新型的第三種傳感器的基本結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
如圖1所示，本實用新型選用p型或n型Si片作基底，在基底從下而上依次有SiO2層、金屬層、對重金屬離子敏感的薄膜。
所說的金屬層為下層為Cr，上層為Au，如圖2所示；或下層為Ti，中層為Pt，上層Au，如圖3所示；或上層為Ti，下層為Pt，如圖4所示。
所說的對重金屬離子敏感的薄膜是Zn2+、Pb2+、Cd2+、Cu2+、Cr6+、Mn5+、As3+、Fe3+、Hg2+廣等敏感薄膜。
該傳感器在使用時，在硅片下部用銀漿作歐姆接觸，以便引出導(dǎo)線，在敏感膜上部用環(huán)氧樹脂做成小腔，以便裝測試溶液，激發(fā)光源在硅片的后面照射，也可以在敏感膜上部照射激發(fā)，也就是在電解質(zhì)溶液上部照射激發(fā)，在電解質(zhì)溶液中放入?yún)⒈入姌O，在歐姆接觸和參比電極之間接固定偏壓，這樣就可以在電路回路中測量出由溶液中重金屬濃度所引起的光電流變化，從而測量出溶液中的重金屬含量。
權(quán)利要求1.一種用于檢測重金屬離子的薄膜光尋址電位傳感器，其特征在于選用p型或n型Si片作基底，在基底從下而上依次有SiO2層、金屬層、對重金屬離子敏感的薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于檢測重金屬離子的薄膜光尋址電位傳感器，其特征在于所說的金屬層為下層為Cr，上層為Au；或下層為Ti，中層為Pt，上層Au；或上層為Ti，下層為Pt。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于檢測重金屬離子的薄膜光尋址電位傳感器，其特征在于所說的對重金屬離子敏感的薄膜是Zn2+、Pb2+、Cd2+、Cu2+、Cr6+、Mn5+、As3+、Fe3+、Hg2+敏感薄膜。
專利摘要本實用新型公開了一種用于檢測重金屬離子的薄膜光尋址電位傳感器。該傳感器是選用p型或n型Si片作基底，在基底從下而上依次有SiO
文檔編號G01N27/333GK2660528SQ20032012284
公開日2004年12月1日 申請日期2003年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月21日
發(fā)明者王平, 門洪, 李毅 申請人:浙江大學(xué)