專利名稱：探頭部件及其制造技術(shù)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及探頭部件及其制造。探頭部件用于諸如半導(dǎo)體集成電路和液晶顯示板一類電子裝置(試驗(yàn)體)的電極，終端等的導(dǎo)電試驗(yàn)。
背景技術(shù)：
一般，導(dǎo)電試驗(yàn)是對(duì)例如半導(dǎo)體集成電路、液晶顯示板和印刷電路板一類產(chǎn)品進(jìn)行的，目的是檢查這些產(chǎn)品的工作是否滿意，是否能滿足說明書的要求。
在導(dǎo)電試驗(yàn)過程中，在探頭部件端部或其附近形成的探頭針緊靠在半導(dǎo)體集成電路、液晶顯示板、印刷電路板等的并列的電極上。用于導(dǎo)電試驗(yàn)的探頭部件包括“獨(dú)立線路”式和“插桿”式。“獨(dú)立線路”式的探頭部件的探頭針與試驗(yàn)體的電極一對(duì)一地接觸，與每一個(gè)電極獨(dú)立地導(dǎo)通?！安鍡U”式的探頭部件的探頭針同時(shí)與試驗(yàn)體的多個(gè)電極接觸。
目前，電極層沿著構(gòu)成液晶顯示板的玻璃板邊緣，以微米級(jí)的精細(xì)節(jié)距并列設(shè)置。為了進(jìn)行這種液晶顯示板的導(dǎo)電試驗(yàn)，要求導(dǎo)電試驗(yàn)裝置的探頭部件的探頭針與電極層的微米級(jí)精細(xì)的節(jié)距匹配。
電極層的節(jié)距為0.1mm或更小。很難通過機(jī)械沖壓來制造與這種節(jié)距匹配的探頭部件。
因此，要通過蝕劑或鍍覆來制造探頭部件。
在日本專利申請(qǐng)2552084號(hào)中說明了制造獨(dú)立線路式的探頭部件的方法。該專利申請(qǐng)公告提出粘接許多引線，用連接桿與引線的工作部分連接，并在粘接后切斷該連接桿。
在JP-B-7-56493中也說明了一種制造獨(dú)立線路式的探頭部件的方法。該專利公報(bào)建議將導(dǎo)電觸點(diǎn)終端蝕刻成預(yù)先確定的形狀和布局，將導(dǎo)電觸點(diǎn)終端粘接在一個(gè)絕緣件上，然后再切去導(dǎo)電觸點(diǎn)終端的二個(gè)末端。
在JP-A-11-337575中說明了制造獨(dú)立線路式的探頭部件的另一種方法。該專利公報(bào)提出的鍍覆金屬層上涂上一層希望厚度的保護(hù)層，將具有預(yù)先確定的圖形的掩膜放置在保護(hù)層表面上，進(jìn)行曝光和顯影，除去不需要的保護(hù)層，再將薄的鍍覆銅的種子層沉積在露出的鍍覆金屬層上，在種子層上生長(zhǎng)具有所希望厚度的探頭針，并只使銅的種子層溶解，將探頭針分離出來。這個(gè)專利公告還提出用鉆頭或激光形成穿過基片的孔，并將在探頭針上形成的定位突出部分與該孔配合，以便將探頭針固定在基片上。
在JP-A-8-110362和JP-A-11-64425中提出了“插桿(plunge)”式的探頭部件。
試驗(yàn)體和探頭針的電極的窄小的節(jié)距很難使電極與探頭針的位置對(duì)準(zhǔn)。
JP-A-10-339740說明了將具有在基片(薄膜)上形成的探頭引出的探頭部件(接觸探頭)在探頭裝置上定位和固定的方法。
利用日本專利公報(bào)2552084中所述的方法，很難將引線以位置對(duì)準(zhǔn)的高度精確度粘接在絕緣基座上。另外，當(dāng)切斷連接桿時(shí)，可能損壞引線。
利用JP-B-7-56493中所述的方法，很難在保持位置對(duì)準(zhǔn)高度精確的條件下，將導(dǎo)電的觸點(diǎn)終端與絕緣件粘接在一起。
利用JP-A-11-337575中所述的方法，則該薄的銅種子層與溶劑的接觸面積小，因此難以溶解種子層，并需要長(zhǎng)時(shí)間才能使探頭針分離。另外，也很難高度精確地用鉆頭或激光形成穿過基片的孔、和將探頭針放置在與該孔相適應(yīng)的位置上。
利用JP-A-10-339740所述的方法，穿過基片的、用于將探頭部件在探頭裝置上定位和固定的定位孔，是用不同于制造探頭針的金屬版印刷方法的方法制造的。因此，探頭針和定位孔之間很難達(dá)到高精度的位置對(duì)準(zhǔn)。這樣，很難保證探頭裝置和探頭針之間，與裝在探頭裝置上的試驗(yàn)體的電極和探頭針之間的高度的位置精度。
發(fā)明概述本發(fā)明的目的是要提供一種探頭部件，其探頭針可以高度精確地放置在基片上，并且用于將探頭部件安裝在裝置上的穿過基片的定位孔，可以高度精確地形成。另外，本發(fā)明還提供制造該探頭部件的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件，它包括一個(gè)基片；用光刻法在所述基片上形成的探頭針，所述探頭針的遠(yuǎn)端，從所述基片上突出出來，與試驗(yàn)體的電極接觸；和用光刻法，在所述基片上，相對(duì)于所述探頭針的一個(gè)預(yù)先確定的位置上形成的一個(gè)定位件，所述定位件緊靠著一個(gè)使所述基片相對(duì)于探頭裝置定位的零件。
定位件緊靠在一個(gè)使基片相對(duì)于探頭裝置定位的零件上，使得可利用該定位件作為位置參考，使基片放置和固定在探頭裝置上。該定位件利用光刻法，相對(duì)于探頭針放置在基片上，因此，探頭針相對(duì)于探頭裝置的位置精度高。這樣，可以改善探頭部件的探頭針相對(duì)于試驗(yàn)體的電極的位置精度。用于曝光和光刻法的轉(zhuǎn)移的光源或輻射源沒有限制。光刻法可以是光刻法，紫外線刻法，離子束刻法等。
所述定位件具有一個(gè)內(nèi)部夾子墊圈形狀(inner clip washer shape)，使得彈性突出部分圍繞著穿過所述基片的一個(gè)通孔的圓周延伸。由于定位件的定心作用，當(dāng)將使基片相對(duì)于探頭裝置定位的零件用壓力配合在內(nèi)部形狀為一個(gè)夾子墊圈的定位件中時(shí)，可以進(jìn)一步改善探頭針相對(duì)于探頭裝置的位置精度。
探頭部件還包括一個(gè)增強(qiáng)薄膜，該薄膜固定在所述基片上，并覆蓋在所述基片上的所述探頭針的一個(gè)區(qū)域和/或所述定位件的至少一個(gè)區(qū)域。該增強(qiáng)薄膜可防止探頭針和/或定位件與基片分離。在本說明書中，“在基片上的探頭針和/或定位件的至少一個(gè)區(qū)域”是指“在基片上的探頭針”和“定位件的至少一個(gè)區(qū)域”中的一個(gè)。
最好，所述探頭針和所述定位件由相同的材料制成，并且薄膜厚度相同。成的探頭針圖形的探頭針；和作在由所述探頭針末端形成的頂部表面上的，有多個(gè)小孔的探頭座。
由于形成多個(gè)穿過探頭座的小孔，用于除去目標(biāo)層的腐蝕劑的接觸面積可以擴(kuò)寬。最好，探頭座由在由抗蝕薄膜形成的框架內(nèi)形成的鍍覆層制成。
最好，在探頭座的表面上形成一個(gè)絕緣薄膜，和在該絕緣薄膜表面上形成探頭針。
最好，一個(gè)覆蓋所述探頭座和所述探頭針的保護(hù)薄膜。
最好，由與探頭座用相同材料制成的探頭針，在用鍍覆層制成的探頭座表面上形成。
最好，由鍍覆層制成的探頭針埋入由樹脂制成的探頭座中。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括同時(shí)分別用光刻法在所述基片上形成的探頭針，所述探頭針的遠(yuǎn)端，從所述基片上突出出來，與試驗(yàn)體的電極接觸；和同時(shí)用光刻法在所述基片上，相對(duì)于所述探頭針的一個(gè)預(yù)先確定的位置上形成的一個(gè)定位件，所述定位件緊靠著一個(gè)使所述基片相對(duì)于探頭裝置定位的零件的步驟。
由于探頭針和定位件同時(shí)用光刻法形成，因此探頭針和定位件的相對(duì)位置精度可以改善。因?yàn)槔枚ㄎ患鳛槲恢脜⒖迹瑢⒒胖煤凸潭ㄔ谔筋^裝置上，因此探頭針在探頭裝置上可以非常精確地放置。根據(jù)探頭部件的制造方法，可以改善探頭針相對(duì)于試驗(yàn)體電極的位置精度。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種制造與探頭裝置固定，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的方法，該方法包括在基片上形成一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；所述基片上利用標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考，通過光刻法形成遠(yuǎn)端從所述基片突出出來，并與試驗(yàn)體電極接觸的探頭針的步驟，和利用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考，通過光刻法形成緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭裝置定位的一個(gè)零件上的定位件的步驟。
由于利用公共的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考，通過光刻法形成探頭針和定位件，因此可以改善探頭針和定位件的相對(duì)位置精度。因?yàn)槔枚ㄎ患鳛槲恢脜⒖迹瑢⒒胖煤凸潭ㄔ谔筋^裝置上，因此可以很精確地將探頭針放置在探頭裝置上。根據(jù)探頭部件的制造方法，可以改善探頭針相對(duì)于試驗(yàn)體電極的位置精度。在形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記后，可以進(jìn)行形成探頭針的過程或形成定位件的過程。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了制造一個(gè)固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的方法，該方法包括利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，在所述基片上通過光刻法形成與試驗(yàn)體電極接觸，并從所述基片突出出來的探頭針和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；和在所述基片上形成緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭部件定位的一個(gè)零件上的定位件的步驟。
由于在形成探頭針的同時(shí)，利用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考形成定位件，因此探頭針和定位件的相對(duì)位置精度可以改善。因?yàn)槔枚ㄎ患鳛槲恢脜⒖?，將基片放置和固定在探頭裝置上，因此探頭針在探頭裝置上可以非常精確地放置。根據(jù)探頭部件的制造方法，可以改善探頭針相對(duì)于試驗(yàn)體電極的位置精度。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種制造固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體的功能的探頭部件的方法，該方法包括同時(shí)用光刻法在所述基片上分別形成緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭部件定位的一個(gè)零件上的定位件，和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；和利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，通過光刻法在基片上形成與試驗(yàn)體電極接觸，和從所述基片突出出來的探頭針的步驟。
由于在形成定位件的同時(shí)，利用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考形成探頭針，因此探頭針和定位件的相對(duì)位置精度可以改善。因?yàn)槔枚ㄎ患鳛槲恢脜⒖?，將基片放置和固定在探頭裝置上，因此探頭針在探頭裝置上可以非常精確地放置。根據(jù)探頭部件的制造方法，可以改善探頭針相對(duì)于試驗(yàn)體電極的位置精度。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種制造探頭部件的方法，它包括在基片表面上形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；在所述犧牲薄膜表面上形成一個(gè)在下面的薄膜的步驟；在所述在下面的表面上形成一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，該抗蝕薄膜具有與探頭部件圖形相適應(yīng)的開口和包括至少一個(gè)小孔；利用鍍覆法，在所述抗蝕薄膜的開口上，形成探頭部件圖形的步驟；所述探頭部件圖形包括探頭針和探頭座；除去所述抗蝕薄膜和在所述抗蝕薄膜下面的所述在下面的薄膜的步驟；和除去所述犧牲薄膜，得到探頭部件的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種制造探頭部件的方法，它包括在基片表面上形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；在所述犧牲薄膜表面上形成第一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，所述第一個(gè)抗蝕薄膜具有與探頭座圖形相應(yīng)的開口；利用鍍覆，在所述第一個(gè)抗蝕薄膜的開口中，形成探頭座圖形的步驟；在所述探頭座圖形表面上形成絕緣薄膜的步驟；除去第一個(gè)抗蝕薄膜，得到探頭座的步驟；在所述犧牲薄膜沒有形成探頭座的表面上形成一個(gè)金屬層的步驟；在所述絕緣薄膜和所述金屬層表面上形成在下面的薄膜的步驟；在所述在下面的薄膜表面上形成第二個(gè)抗蝕薄膜的步驟，所述第二個(gè)抗蝕薄膜具有與探頭針圖形相應(yīng)的開口；用鍍覆法，在所述第二個(gè)抗蝕薄膜的開口中形成探頭引出圖形的步驟；除去所述第二個(gè)抗蝕薄膜的步驟；和除去在所述第二個(gè)抗蝕薄膜下面的所述犧牲薄膜，得到探頭部件的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種制造探頭部件的方法，它包括在基片表面上形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；在所述犧牲薄膜表面上形成第一個(gè)在下面的薄膜的步驟；在所述第一個(gè)在下面的薄膜表面上形成第一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，該抗蝕薄膜具有與探頭針圖形相適應(yīng)的開口；利用鍍覆方法，在所述第一個(gè)抗蝕薄膜的開口中形成探頭針圖形的步驟；除去所述第一個(gè)抗蝕薄膜，得到探頭針圖形的步驟；利用鍍覆層覆蓋探頭針圖形，拋光鍍覆層表面，使鍍覆層表面與探頭針圖形表面齊平，然后在所述鍍覆層和探頭針圖形表面上形成絕緣薄膜的步驟；在所述絕緣薄膜表面上，形成第二個(gè)在下面的薄膜的步驟；在所述第二個(gè)在下面的薄膜表面上形成第二個(gè)抗蝕薄膜的步驟，所述第二個(gè)抗蝕薄膜具有與有至少一個(gè)小孔的探頭座相適應(yīng)的開口；用鍍覆法，在所述第二個(gè)抗蝕薄膜的開口中，形成探頭座圖形的步驟；和除去所述第二個(gè)抗蝕薄膜，所述第二個(gè)在下面的薄膜，所述絕緣薄膜，所述鍍覆層和所述犧牲薄膜，得到一個(gè)探頭部件的步驟。
探頭部件可以安裝在每一臺(tái)各種裝置上，使試驗(yàn)體的位置對(duì)準(zhǔn)精度高。因此，可以十分精確地進(jìn)行液晶顯示板等的導(dǎo)電試驗(yàn)。由于確定安裝位置的圖形和探頭針可以同時(shí)形成，因此定位孔的制造精度高。可以改善探頭針與試驗(yàn)體的相對(duì)位置精度。
根據(jù)制造探頭部件的方法，可以制造包括探頭針，探頭座，和用于將探頭部件安裝在每一臺(tái)各種裝置上的定位孔的探頭部件，并其位置精度高。
附圖的簡(jiǎn)要說明

圖1為表示探頭部件的第一個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖；
圖2為表示探頭部件的第二個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖；圖3A和3B為表示探頭部件的第三個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖和橫截面圖；圖4A和4B為表示探頭部件的第四個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖和橫截面圖；圖5A和5B為表示探頭部件的第5個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖和橫截面圖；圖6為表示圖1所示的探頭部件的改進(jìn)的平面圖；圖7為表示圖1所示的探頭部件的改進(jìn)的平面圖；圖8A～8C為表示探頭部件的第6個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖；圖9A和9B為表示探頭部件的第7個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖和橫截面圖；圖10為表示探頭部件的第8個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖；圖11A和11B為表示探頭部件的第9個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖和橫截面圖；圖12為表示探頭部件的第10個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖；圖13A和13B為表示探頭部件的第11個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖和橫截面圖；圖14A和14B為表示探頭部件的第12個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖和橫截面圖；圖15A和15B為表示探頭部件的第13個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖和橫截面圖；圖16A～16H為表示制造探頭部件的第一種方法的示意性橫截面圖；圖17A～17C為表示制造探頭部件的第二種方法的示意性平面圖；圖18A和18B為表示制造探頭部件的第三種方法的示意性平面圖；圖19A和19B為表示制造探頭部件的第4種方法的示意性平面圖；圖20A～20J為表示制造探頭部件的第5種方法的示意性橫截面圖；圖21A～21F為表示制造探頭部件的第6種方法的示意性橫截面圖；圖22A～22H為表示制造探頭部件的第7種方法的示意性橫截面圖；圖23A～23F為表示制造探頭部件的第8種方法的示意性橫截面圖；圖24AX和24AY～圖24LX和24LY為表示制造探頭部件的第9種方法的示意性橫截面圖；圖25A～25F為表示制造探頭部件的第10種方法的示意性橫截面圖；圖26為表示制造探頭部件的第10種方法的改進(jìn)的示意性橫截面圖；圖27A～27Q為表示制造探頭部件的第11種方法的示意性橫截面圖；圖28為表示如何使用利用實(shí)施例的方法制造的探頭部件的正視圖。
優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述現(xiàn)參照附圖來說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例?，F(xiàn)在來說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的探頭部件。首先說明圖1～圖5B所示的探頭部件10的第1～第5種結(jié)構(gòu)。探頭部件10的引線圖形14和定位件16作在基片12上。探頭部件10固定在位于試驗(yàn)體基座(樣品基座)上面的探頭裝置2上。在圖1～圖5B所示的例子中，雖然在探頭裝置2上固定了一個(gè)探頭部件10，但根據(jù)試驗(yàn)體的結(jié)構(gòu)，在探頭裝置2上可以固定多個(gè)探頭部件。例如，在探頭裝置上，可以在半徑方向以90°的節(jié)距固定4個(gè)探頭部件。
基片12由一個(gè)基本上為矩形的板制成?；?2的材料可以為絕緣材料，例如玻璃陶瓷、石英、二氧化鋯、玻璃、氧化鋁和合成樹脂；或是可以為導(dǎo)電材料，例如鐵鎳合金、銅、不銹鋼、硅、碳化硅和AlTiC。
引線圖形14是由多根在基片12的表面上形成的引線20構(gòu)成的。引線20可以相互間導(dǎo)電或相互間不導(dǎo)電。引線20利用光刻法在基片12上形成，它們的位置互相找平。一個(gè)撓性的印刷的平的線路電纜3，電氣上與引線20的近端連接。引線20的遠(yuǎn)端形成探頭針22。探頭針22之間的節(jié)距均勻，并且成直線平行延伸。引線20的材料可以為金屬，例如鎳合金和鎳。
利用光刻法，在基片12的表面上形成定位件16，它們與引線圖形14的探頭針22的位置找平。定位件16緊靠在探頭裝置2的固定夾具4上。與引線22相同，定位件16也由金屬制成，例如鎳合金和鎳。與合成樹脂(例如聚酰亞胺)比較，金屬的形狀穩(wěn)定性好，并且在溫度或潮濕作用下的變形小。定位件16緊靠在固定夾具4上可以確定基片12相對(duì)于探頭裝置2的位置。固定夾具4形成“一個(gè)使基片相對(duì)于探頭裝置定位的零件”。
現(xiàn)在來詳細(xì)說明探頭部件10的第1～第5個(gè)結(jié)構(gòu)。
(第一個(gè)結(jié)構(gòu))在圖1所示的第一個(gè)結(jié)構(gòu)中，每一根引線遠(yuǎn)端的探頭針22從基片12的一側(cè)12a突出出來。定位件16為L(zhǎng)字形，它沿著與探頭針22突出出來的側(cè)邊12a垂直的側(cè)邊12b，和與側(cè)邊12a相對(duì)的側(cè)邊12c延伸；并從側(cè)邊12b和12c突出出來。另一個(gè)定位件16也是L字形，它沿著與探頭針22突出出來的側(cè)邊12a垂直的側(cè)邊12d，和與側(cè)邊12a相對(duì)的側(cè)邊12c延伸；并從側(cè)邊12d和12c突出出來。在基片12外側(cè)的每一個(gè)定位件16的側(cè)邊17緊靠在U字形的固定夾具4的拐角5上。這樣，基片12相對(duì)于在探頭針22的延伸方向和與該延伸方向垂直的方向固定。如圖6所示，當(dāng)定位件16在多個(gè)位置時(shí)，可以形成多個(gè)柱狀(在圖6中為圓柱形)的固定夾具4以靠緊定位件16的外壁。
(第二個(gè)結(jié)構(gòu))在圖2所示的第二個(gè)結(jié)構(gòu)中，除了第一個(gè)結(jié)構(gòu)以外，形成了覆蓋定位件16的部分表面和固定在基片12上的增強(qiáng)薄膜24，和覆蓋探頭針22的基座部分的增強(qiáng)薄膜25。增強(qiáng)薄膜24和25的材料為合成樹脂等。增強(qiáng)薄膜24可防止在加在定位件16外側(cè)上的外力作用下，定位件16與基片12分離。增強(qiáng)薄膜25可防止探頭針22，在外力作用下與基片12分離?？梢圆皇褂枚€(gè)薄膜24和25，而只使用覆蓋定位件16的增強(qiáng)薄膜24和覆蓋探頭針22的基座部分的增強(qiáng)薄膜25中的一個(gè)薄膜。可以形成覆蓋定位件16和探頭針22的基座部分的一個(gè)增強(qiáng)薄膜。如圖7所示，為了進(jìn)一步提高增強(qiáng)薄膜24的強(qiáng)度，可以形成多個(gè)穿過定位件16的孔，并用與增強(qiáng)薄膜24的材料相同的材料充滿這些孔。
(第三個(gè)結(jié)構(gòu))圖3A為表示探頭部件10的第三個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖，而圖3B為沿著圖3A所示的B3-B3線所取的探頭部件10的橫截面圖。在第三個(gè)結(jié)構(gòu)中，定位件16和緊靠在定位件16上的固定夾具4與第一個(gè)結(jié)構(gòu)不同。在引線圖形14的二側(cè)，形成圓環(huán)形的定位件16，并與穿過基片12的通孔26重疊。定位件16用引線圖形的同樣材料制成，其厚度與引線圖形14相同。定位件16的孔的直徑比通孔26的直徑小。定位件16的孔的內(nèi)壁18在通孔26的開口上。圓柱形的固定夾具4裝在定位件16的孔中，使基片12全方向固定。
(第4個(gè)結(jié)構(gòu))圖4A為表示探頭部件10的第4個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖，而圖4B為沿著圖4A所示的B4-B4線所取的探頭部件10的橫截面圖。在第4個(gè)結(jié)構(gòu)中，定位件16的形狀與第三個(gè)結(jié)構(gòu)不同。定位件16在圓周上形成一些夾子形的內(nèi)部墊片，如同從內(nèi)圓周18向著徑向內(nèi)側(cè)伸出的突出部分一樣。最好，突出部分19在圓周上的分布節(jié)距相等。如圖4B所示，當(dāng)圓柱形固定夾具4裝入定位件16的孔中時(shí)，每一個(gè)突出部分向著裝入方向彈性變形。這個(gè)變形可吸收定位件的孔的直徑，和固定夾具4的外徑的制造公差，使定位件16以高精度相對(duì)于固定夾具4定心。
(第5個(gè)結(jié)構(gòu))圖5A為表示探頭部件10的第5個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖，而圖5B為沿著圖5A所示的B5-B5線所取的探頭部件10的橫截面圖。在第5個(gè)結(jié)構(gòu)中，在基片12上形成軸對(duì)稱的二個(gè)引線圖形14。構(gòu)成每一個(gè)引線圖形14的引線20的探頭針22為從基片12的表面垂直突出出來的桿形狀。沿著引線圖形14的探頭針22的柱的相對(duì)兩側(cè)上的側(cè)邊12b和12d，形成矩形的定位件16。定位件16從相應(yīng)的側(cè)邊12b和12d突出出來。定位件16的側(cè)邊17與側(cè)邊12b和12d平行。每一個(gè)定位件16的側(cè)邊17緊靠在柱形(在圖5A和5B中為圓柱形)的多個(gè)固定夾具4的圓周上。因此，基片12與探頭裝置2固定。固定在基片12上的增強(qiáng)薄膜28覆蓋著探頭針22的基座部分和定位件16的部分表面。增強(qiáng)薄膜28的材料為合成樹脂等。增強(qiáng)薄膜28可防止在加在探頭針和定位件16的側(cè)邊17上的外力，使探頭針22和定位件16與基片12分離。
在第5個(gè)結(jié)構(gòu)中，雖然定位件16的高度(薄膜厚度)設(shè)定得比探頭針22的高度低，如圖5B所示那樣，但定位件16的高度可以設(shè)置得比探頭針22高。在這種情況，定位件16的側(cè)邊17要防止被外力破壞。
(第6個(gè)結(jié)構(gòu))圖8A為表示探頭部件的第6個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖。在第6個(gè)結(jié)構(gòu)中，高度精確地并排排列在窄小的節(jié)距上的多個(gè)引線20的梳子形探頭針22，和與探頭針22的一端連接的探頭座110整體形成。探頭針22和探頭座110與同一個(gè)平面齊平。探頭針22和探頭座110用同一種材料(例如鎳合金)鍍覆制成。
第6個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件的探頭針22和探頭座110用同一種金屬制成，使引線20可以相互導(dǎo)電。第6個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件可適用于插桿式探頭部件，該部件可以同時(shí)對(duì)同一個(gè)裝置(例如液晶顯示板)的多個(gè)電極進(jìn)行導(dǎo)電試驗(yàn)。
可以形成通過探頭座110的定位孔111，將探頭部件10位置對(duì)準(zhǔn)地安裝在每一個(gè)裝置中。定位孔111的尺寸、形狀和位置根據(jù)安裝探頭部件10的每一個(gè)裝置來確定。例如，可以不如圖8A所示那樣，形成多個(gè)多邊形的孔，而可以形成可防止轉(zhuǎn)動(dòng)的一個(gè)多邊形孔或多孔圓形孔(參見圖8B)，或者可以形成多個(gè)可調(diào)整安裝位置的橢圓孔(參見圖8C)。
利用光阻材料可以非常精確地確定每一個(gè)定位孔111的位置，使探頭部件10可以位置對(duì)準(zhǔn)得非常精確地安裝在每一個(gè)裝置上。因此，可以非常精確地進(jìn)行液晶顯示板等的導(dǎo)電試驗(yàn)。
可以形成許多穿過探頭座110的小孔102。后面將要說明，在第6個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件的制造方法中，犧牲層可被蝕刻劑溶解，而使金屬箔的整體部分和下面的薄膜與基片分開。小孔112用于使?fàn)奚鼘雍臀g刻劑之間有大的接觸面積。雖然，小孔112的尺寸和數(shù)目沒有特別的限制，但最好形成小孔112時(shí)，使蝕刻劑與下面的薄膜之下的整個(gè)犧牲薄膜表面均勻接觸。這樣，可以大大縮短犧牲薄膜的溶解時(shí)間。
(第7個(gè)結(jié)構(gòu))圖9A為探頭部件10的第7個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖。圖9B為沿著圖9A所示的B9-B9線所取的探頭部件10的橫截面圖。
探頭部件10的探頭座110和梳子形的探頭針22作在多根引線20的遠(yuǎn)端。探頭針22以窄小的節(jié)距非常精確地并排排列。探頭針22堆疊在探頭座110上，并與該座作為一個(gè)整體。一個(gè)撓性的印刷線路平電纜3與探頭部件10連接，該平電纜3具有以窄小節(jié)距平行放置的多個(gè)電極113。探頭部件10和撓性的印刷線路平電纜3與每一對(duì)引線20和電氣上要連接的電極113連接在一起。
為了將探頭部件10安裝在每一個(gè)裝置上，使位置對(duì)準(zhǔn)，可以形成多個(gè)穿過探頭座110的定位孔111。定位孔111的尺寸、形狀和位置，根據(jù)安裝探頭部件10的每一個(gè)裝置來確定。利用光阻材料，可以非常精確地確定每一個(gè)定位孔1111的位置，使探頭部件10可以安裝在每一個(gè)裝置上，保持位置對(duì)準(zhǔn)的高精度。
在形成探頭針22的同時(shí)，可以在定位孔111的外圓周表面上，形成用與探頭針22相同的材料制造的定位件16。這個(gè)定位件16可以改善定位精度。下面將說明如圖9A和9B所示的保護(hù)薄膜32。
(第8個(gè)結(jié)構(gòu))圖10為表示探頭部件10的第8個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖。
在第8個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件中，可以形成穿過探頭座110的一個(gè)或多個(gè)小的孔112。如后面所述，在制造第8個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件的方法中，犧牲薄膜和銅鍍覆層被蝕刻劑溶解，使探頭針和探頭座的整體部分與基片分開。小孔112用于增大犧牲薄膜和蝕刻劑之間的接觸面積。雖然，小孔112的位置、尺寸和數(shù)目沒有特別的限制，但最好形成小孔112時(shí)，使蝕刻劑能與探頭座110下面的犧牲薄膜的整個(gè)表面均勻接觸。這樣，可以大大縮短犧牲薄膜的溶解時(shí)間。
(第9個(gè)結(jié)構(gòu))圖11A為表示探頭部件10的第9個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖。而圖11B為表示探頭部件10的第9個(gè)結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
探頭部件10的探頭座110和梳子形的探頭針22作在多根引線20的遠(yuǎn)端。探頭針22以窄小的節(jié)距非常精確地并排排列。探頭針22堆疊在探頭座110上，并與該座作為一個(gè)整體。一個(gè)撓性的印刷線路平電纜3與探頭部件10連接，該平電纜3具有以窄小節(jié)距平行放置的多個(gè)電極113。探頭部件10和撓性的印刷線路平電纜3與每一對(duì)引線20和電氣上要連接的電極113連接在一起。
為了將探頭部件10安裝在每一個(gè)裝置上，使位置對(duì)準(zhǔn)，可以形成多個(gè)穿過探頭座110的定位孔111。定位孔111的尺寸、形狀和位置，根據(jù)安裝探頭部件10的每一個(gè)裝置來確定。利用光阻材料，可以非常精確地確定每一個(gè)定位孔1111的位置，使探頭部件10可以安裝在每一個(gè)裝置上，保持位置對(duì)準(zhǔn)的高精度。
在形成探頭針22的同時(shí)，可以在定位孔111的外圓周表面上，形成用與探頭針22相同的材料制造的定位件16。
同時(shí)，形成確定安裝位置的圖形和探頭針。這樣，可以非常精確地形成定位孔，使探頭針和試驗(yàn)體之間的位置精度可以改善。
(第10個(gè)結(jié)構(gòu))圖12為表示探頭部件10的第10個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖。
在第10個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件中，可以形成多個(gè)穿過探頭座110的小孔112。如后面所述，在制造第10個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件的方法中，犧牲薄膜被蝕刻劑溶解，使探頭針和探頭座的整體部分與基片分開。小孔112用于增大犧牲薄膜和蝕刻劑之間的接觸面積。雖然，小孔112的位置、尺寸和數(shù)目沒有特別的限制，但最好形成小孔112時(shí)，使蝕刻劑能與探頭座110下面的犧牲薄膜的整個(gè)表面均勻接觸。這樣，可以大大縮短犧牲薄膜的溶解時(shí)間。
(第11個(gè)結(jié)構(gòu))圖13A為表示探頭部件10的第11個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖，而圖13B為沿著圖13A所示的B13-B13線所取的探頭部件10的橫截面圖。
第11個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件的探頭座部分110由樹脂層110a制成。
在這個(gè)探頭部件中，為了使探頭針22與探頭座110電氣上絕緣，形成探頭針22的探頭座110的部分由光敏的聚酰亞胺樹脂層110a等制成。由于樹脂層110的線膨脹系數(shù)大和受溫度變化而變形，因此，探頭針的位置精度低。這樣，最好是探頭座110的樹脂層110a所占的面積較小。
當(dāng)將這個(gè)探頭部件安裝在每一個(gè)導(dǎo)電試驗(yàn)裝置上時(shí)，定位框114與導(dǎo)電試驗(yàn)裝置的座115的安裝件116配合。
(第12個(gè)結(jié)構(gòu))圖14A為表示探頭部件10的第12個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖，而圖14B為沿著圖14A所示的B14-B14線所取的探頭部件10的橫截面圖。
第12個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件具有穿過定位框114的定位孔114a。
如下面所述，定位框114和定位孔114a同時(shí)形成。因此，定位框114和定位孔114a的位置精度高。探頭針2試驗(yàn)體之間的位置精度可以改善。
當(dāng)將這個(gè)探頭部件安裝在每一個(gè)導(dǎo)電試驗(yàn)裝置上時(shí)，導(dǎo)電試驗(yàn)裝置的座115的定位銷116插入定位孔114a中。
由于探頭部件探頭座110的樹脂層110a所占的面積小，因此可以防止探頭針的位置精度因溫度變化而降低。由于在靠近定位孔114a的區(qū)域中不使用樹脂，因此可以防止探頭針的位置精度因溫度變化而降低。
(第13個(gè)結(jié)構(gòu))圖15A為表示探頭部件10的第13個(gè)結(jié)構(gòu)的平面圖，而圖15B為沿著圖15A所示的B15-B15線所取的探頭部件10的橫截面圖。
第13個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件具有探頭座110，在多個(gè)引線20的遠(yuǎn)端，以窄小的節(jié)距非常精確地并排排列的梳子形探頭針22和定位框114。探頭針22和定位框114堆疊在探頭座110上，并與該座形成一個(gè)整體。
定位框114在探頭座110的二側(cè)上，與引線20平行。定位框114用與探頭針相同的材料制成。定位框114的尺寸、形狀和位置，根據(jù)安裝探頭部件10的每一個(gè)導(dǎo)電試驗(yàn)裝置來確定。
如下所述，確定安裝位置的定位框114和探頭針22同時(shí)形成。因此，定位框114的位置精度高。探頭針22和試驗(yàn)體之間的位置精度可以改善。
當(dāng)將這個(gè)探頭部件安裝在每一個(gè)導(dǎo)電試驗(yàn)裝置上時(shí)，定位框114與導(dǎo)電試驗(yàn)裝置的座的安裝件116配合。
探頭部件10的結(jié)構(gòu)已經(jīng)在上面說明。下面將說明制造探頭部件10的方法。首先，說明第1～第7種制造方法。第1～第7種制造方法可用于探頭部件10的第1～第5個(gè)結(jié)構(gòu)中的任何一個(gè)結(jié)構(gòu)。作為例子，將說明制造具有第一個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件的第1～第6種方法。第7種方法將以制造具有第5個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件作為例子來說明。
(第一種制造方法)圖16A～16H為表示制造探頭部件的第一種方法的示意性橫截面圖。利用這個(gè)制造方法，可以制造具有圖1所示的第一個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
如圖16A所示，首先在絕緣材料—例如玻璃陶瓷，石項(xiàng)和氧化鋯—制成的基片12的表面層上形成凹部50。在接著進(jìn)行的加工后，凹部50的內(nèi)壁成為基片12的側(cè)邊12a、12b和12d。
如圖16B所示，在基片12的表面上形成一個(gè)犧牲薄膜52。犧牲薄膜52的材料可以為金屬合成樹脂(例如環(huán)氧樹脂和尿烷樹脂)或無機(jī)鹽(例如碳酸鈣)。如果使用金屬，則使用與制造引線圖形14不同的金屬(例如銅)。如果使用銅，則形成在下面的層52a，然后在下面的層52a表面上，利用鍍覆，飛濺等方法形成一個(gè)銅的薄膜52b。例如，在下面的層52a為厚度為30納米(nm)的鉻層和厚度為300納米的銅層構(gòu)成的復(fù)合材料層。銅薄膜52b充滿在凹部50中。
如圖16C所示，將犧牲薄膜52拋光，露出基片12的表面并磨平該表面，只讓犧牲薄膜52留在凹部50中。
如圖16D所示，在拋光的表面55上形成厚度均勻的引線圖形14的位于下面的薄膜56和定位件16。在位于下面的薄膜56的表面上涂敷光阻材料。在光阻材料的表面上，設(shè)置具有預(yù)先確定的圖形的掩膜。通過顯影過程除去不需要的光阻材料，形成抗蝕薄膜58?？刮g薄膜有露出形成引線圖形14的區(qū)域的開口59a，和露出形成定位件16的區(qū)域的開口59b。開口59b中的二個(gè)在充滿犧牲薄膜52的凹部上面形成。
如圖16E所示，在經(jīng)過利用以硫酸作為主要成分的已知的鐵—鎳鍍覆液的鍍覆，在該位于下面的薄膜56的表面上形成在上述開口59a和59b上露出的覆蓋薄膜57?？梢杂迷摳采w薄膜57作為引線圖形14和定位件16。因此，在開口59a和59b的底部，形成由相同材料制成的引線圖形14和定位件16。
如圖16F所示，利用諸如N-甲基-2-吡咯烷一類的液體，通過超聲波清洗抗蝕薄膜58的表面，除去抗蝕薄膜58。接著利用例如離子碾磨一類的平行剪切法或例如離子束腐蝕一類的腐蝕方法，除去沒有被覆蓋薄膜57覆蓋的該位于下面的薄膜56。
通過圖16D～16F所示的過程，可以同時(shí)利用光刻法形成由位于下面的薄膜56和覆蓋薄膜57制成的引線圖形14和定位件16。因此，可以形成引線圖形14的探頭針22和定位件16，使它們的相對(duì)位置精度高。
如圖16G所示，除去留在凹部50中的犧牲薄膜52。如果犧牲薄膜52由銅制成，則利用對(duì)銅的溶解優(yōu)先于其他材料的溶解的腐蝕劑來溶解犧牲薄膜52。
如圖16H所示，沿著切割線切割基片12，達(dá)到基片的底部。引線圖形14(圖16H中沒有示出)的探頭針22和定位件16，沿著切割線從基片12的側(cè)邊12a、12b和12d突出出來。
(第二種制造方法)圖17A～17C為表示制造探頭部件的第二種方法的示意性橫截面圖。利用這種制造方法，可以制造具有圖1所示的第一個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
如圖17A所示，在基片12的表面上預(yù)先確定的位置上形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30可用光刻法、印刷法或機(jī)械加工形成。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形狀可以如圖17A所示的十字形，或者為其中心能夠正確表示特定位置的多角形或圓。
如圖17B所示，利用與第一種制造方法相同的方法，只在基片12的表面上形成引線圖形14。在這種情況下，在與圖16D相適應(yīng)的過程中，在利用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30作為參考點(diǎn)確定預(yù)先確定的位置上，形成穿過抗蝕薄膜58的開口59a。在相應(yīng)于圖16D～16F的過程中，利用光刻法形成引線圖形14的探頭針22，使其相對(duì)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記有高的位置精度。
如圖17C所示，在基片12表面上形成定位件16。在這種情況下，在與圖16D相應(yīng)的過程中，在利用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為參考點(diǎn)確定的預(yù)先確定的位置上，形成穿過抗蝕薄膜58的開口59b。在與圖16D～16F相應(yīng)的過程中，利用光刻法，形成定位件16，使其相對(duì)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30的位置精度高。
這樣，可以形成在由共用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30確定的位置上非常精確地形成的探頭針22和定位件，使它們的相對(duì)位置精度高。圖17B所示的過程和圖17C所示的過程順序可以顛倒，效果相同。
(第三種制造方法)圖18A和18B為表示制造探頭部件的第三種方法的示意性平面圖。利用這種方法，可以制造具有圖1所示的第一個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
在第三種制造方法中，第二種制造方法的一部分經(jīng)過改造。即圖17A所示的過程省去了，圖17B所示的過程用圖18A所示的過程代替。在圖18A所示的過程中，當(dāng)用與第一種制造方法相同的方法形成引線圖形14時(shí)，同時(shí)形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30。在與圖16D所示過程相應(yīng)的過程中，不需形成開口59b，即可形成穿過抗蝕薄膜58的，用于形成引線圖形14的開口59a和露出形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30的區(qū)域用的開口。利用與圖16D～16F所示過程相應(yīng)的過程，可以同時(shí)利用光刻法形成引線圖形14和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30。
在圖18A所示過程以后，在圖18B所示的過程中，利用與圖17C所示的第二種制造方法相同的方法，形成定位件16。由于定位件16可以非常精確地在與形成引線圖形14的同時(shí)，在由對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30確定的位置上形成，因此，它相對(duì)于引線圖形14的探頭針22的位置，具有高的相對(duì)位置精度。
(第4種制造方法)圖19A和19B為表示制造探頭部件的第4種方法的示意性平面圖。利用這種制造方法，可以制造具有圖1所示的第一個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
在第4種制造方法中，第二種制造方法的一部分經(jīng)過改造。即省去了圖17A所示的過程，圖19A所示的過程在圖17B所示的過程之前進(jìn)行。在圖19A所示的過程中，在用與第一種制造方法相同的方法形成定位件16的同時(shí)，形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30。在與圖16D所示的過程相應(yīng)的過程中，不用形成開口59a，可以形成用于形成定位件16的開口59b，和用于露出形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30的區(qū)域的開口。在與圖16D～16F相應(yīng)的過程中，同時(shí)用光刻法形成定位件16和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30。
在圖19A所示的過程后，在圖19B所示的過程中，利用與圖17C所示的第二種制造方法相同的方法，形成引線圖形14。由于引線圖形14的探頭針22是在形成定位件16的同時(shí)，在由對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30確定的位置上，非常精確地形成的，因此，它們相對(duì)于定位件16的相對(duì)位置精度高。
在第2～第4種制造方法中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30、引線圖形14的探頭針22和定位件16的材料，薄膜厚度(高度)可以是不同的。在這種情況下，只有定位件16的機(jī)械強(qiáng)度高，或?qū)?zhǔn)標(biāo)記30作得薄。這時(shí)，位于下面的薄膜56和構(gòu)成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30的覆蓋薄膜57，引線圖形14和定位件16的材料和沉積條件可以不同。如果只使定位件16的機(jī)械強(qiáng)度高，則通過遮蔽對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記30和引線圖形14，再進(jìn)行鍍覆，可將鍍覆薄膜沉積在定位件16的表面上。
(第5種制造方法)圖20A～20J表示制造探頭部件的第5種方法的示意性橫截面圖。利用這種方法，可以制造具有圖1所示的第一個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
如圖20A所示，在基底板60的表面上形成第一個(gè)犧牲薄膜62?；装?0的材料可以為玻璃、陶瓷、硅酮、金屬等。例如，第一個(gè)犧牲薄膜62為用飛濺法形成的厚度為0.03微米(μm)的鉻薄膜和厚度為0.3微米的銅薄膜制成的復(fù)合材料薄膜。
如圖20B所示，在第一個(gè)犧牲薄膜62上形成厚度均勻的第一個(gè)位于下面的薄膜64。在接著進(jìn)行的過程以后，第一個(gè)位于下面的薄膜64成為引線圖形14和定位件16。例如，第一個(gè)位于下面的薄膜64為厚度為0.02微米的鈦薄膜與厚度為0.15微米的鐵—鎳合金薄膜形成的復(fù)合材料薄膜。接著，在第一個(gè)位于下面的薄膜64上形成抗蝕薄膜66。形成穿過抗蝕薄膜66的開口67，露出形成引線圖形14和定位件16的區(qū)域。
如圖20C所示，在露出在開口67上的第一個(gè)位于下面的薄膜64的表面上，形成覆蓋薄膜68。在經(jīng)過接下去的過程后，覆蓋薄膜68成為引線圖形14和定位件16。例如，利用以硫酸作為主要成分的已知的鐵—鎳鍍覆液，通過鍍覆鎳合金，可以形成覆蓋薄膜68。因此，引線圖形14和定位件16用相同材料制成，其厚度相同。
如圖20D所示，利用有機(jī)溶劑可以除去抗蝕掩膜66。接著，利用離子碾壓等方法除去沒有被覆蓋薄膜68覆蓋的第一個(gè)位于下面的薄膜64。
利用圖20B～20D所示的過程，可以同時(shí)用光刻法形成由第一個(gè)位于下面的薄膜64和覆蓋薄膜68構(gòu)成的引線圖形14和定位件16，并且引線圖形14的探頭針22和定位件16的相對(duì)位置精度高。可以不使用利用保護(hù)層的鍍覆，而通過腐蝕由鍍覆形成導(dǎo)電薄膜，或印刷導(dǎo)電膏，形成覆蓋薄膜68。利用光刻法，可以得到引線圖形14和定位件16的高的尺寸精度。
如圖20E所示，在第一個(gè)犧牲薄膜62和覆蓋薄膜68的表面上形成第二個(gè)犧牲薄膜70。例如，通過將銅等鍍覆在另一個(gè)犧牲薄膜62的表面上，并使鍍覆的銅在覆蓋薄膜68的表面上溢流，可以形成第二個(gè)犧牲薄膜70。接著，拋光和磨平第二個(gè)犧牲薄膜70的表面，露出覆蓋薄膜68的表面。
如圖20F所示，在第二個(gè)犧牲薄膜70和覆蓋薄膜68的表面上，形成一個(gè)絕緣薄膜72。絕緣薄膜72與第二個(gè)位于下面的薄膜74和后面要說明的支承薄膜78一起，構(gòu)成基片12。絕緣薄膜的材料可以為二氧化硅，氧化鋁等。其次，在絕緣薄膜72上形成與第一個(gè)位于下面的薄膜64相同的第二個(gè)位于下面的薄膜74。
如圖20G所示，在第二個(gè)位于下面的薄膜74的表面上涂上光阻材料。在光阻材料表面上，放置一個(gè)具有預(yù)先確定圖形的掩膜。利用顯影過程除去不必要的光阻材料，形成一個(gè)抗蝕薄膜76。抗蝕薄膜76有一個(gè)用于露出形成基片12的區(qū)域的開口。開口77的形狀與由第一個(gè)位于下面的薄膜64和覆蓋薄膜68構(gòu)成的引線圖形14和定位件16相適應(yīng)。
如圖20H所示，在開口77的底面上露出的第二個(gè)位于下面的薄膜74的表面上，形成一個(gè)支承薄膜78。例如，可將金屬鍍覆在開口77的底面上而形成支承薄膜78。
如圖20I所示，與抗蝕薄膜66和第一個(gè)位于下面的薄膜64相同，除去抗蝕薄膜76和沒有被支承薄膜78覆蓋的第二個(gè)位于下面的薄膜74。其次，利用離子腐蝕方法，除去沒有被第二個(gè)位于下面的薄膜74覆蓋的絕緣薄膜72。
如圖20J所示，除去第一和第二個(gè)犧牲薄膜62和70。這樣，就形成了帶有整體的引線圖形14和定位件16的基片12。當(dāng)除去第一個(gè)犧牲薄膜62時(shí)，基底板60與引線圖形14和定位件16分離。如果犧牲薄膜62和70由銅制成，可以使用對(duì)銅的溶解優(yōu)先于其他材料的溶解的腐蝕劑，來溶解犧牲薄膜62和70。在用腐蝕方法除去犧牲薄膜62和70之前，形成穿過支承薄膜78，第二個(gè)位于下面的薄膜74和絕緣薄膜72的孔，使?fàn)奚∧?2和72可以更快的速度分離。
(第6個(gè)制造方法)圖21A～21F為表示制造探頭部件的第6種方法的示意性橫截面圖。利用這種方法，可以制造具有圖1所示第一個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
如圖21A所示，在基底板80的表面上形成犧牲薄膜82?；装?0的材料可以為不銹鋼。犧牲薄膜82由鍍覆金屬或飛濺法形成。
如圖21B～21D所示，引線圖形14和定位件16利用與圖20B～20D所示的第5種制造方法相同的方法形成。即如圖21B所示，形成抗蝕薄膜85，該薄膜85上具有露出形成引線圖形14和定位件16的區(qū)域的開口84。其次如圖21C所示，在露出在開口84底部上的犧牲薄膜82的表面上，形成引線圖形14和引線20和定位件16。此后，如圖21D所示，除去抗蝕薄膜85。由于引線圖形14和定位件16是同時(shí)用光刻法形成的，因此引線圖形14的探頭針22和定位件16的相對(duì)位置精度高。
如圖21E所示，利用粘接劑89將薄膜88固定在引線圖形14和定位件16的表面上。這個(gè)薄膜88可作基片12使用。例如，如圖21E所示，薄膜88為金屬層88a和可以增加薄膜88的相對(duì)于膨脹和收縮的機(jī)械強(qiáng)度的合成樹脂層88b構(gòu)成的一個(gè)復(fù)合材料薄膜。復(fù)合材料薄膜的金屬層88a的材料為鎳合金，銅等，而合成樹脂層88b的材料為聚酰亞胺等。
如圖21F所示，犧牲薄膜82與基底板80分開。然后，利用腐蝕等方法除去犧牲薄膜82。以后，如需要，可用鍍覆黃金89覆蓋引線圖形14的引線的外表面。如圖21F所示，鍍覆黃金89可以在定位件16的外表面上形成；或者為了提高定位件16和固定夾具14之間的靠緊的位置對(duì)準(zhǔn)精度，可以不形成鍍覆黃金89。
(第7種制造方法)圖22A～22H為表示制造探頭部件的第7種方法的示意性橫截面圖。利用這種方法，可以制造具有如圖5A和5B所示的第5個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
如圖22A所示，在由單晶硅制成的基底板90的表面上，用光刻法形成金屬沉積薄膜91和92。金屬沉積薄膜91具有與探頭針22的布局相適應(yīng)的圖形，而金屬沉積薄膜92具有與定位件16的布局相適應(yīng)的圖形。金屬沉積薄膜91和92的材料可以為黃金。
如圖22B所示，利用VLS(蒸氣—液體—固體)生長(zhǎng)法，可使被金屬沉積薄膜91和92覆蓋的基底板90生長(zhǎng)大約1～500微米(μm)。
如圖22C所示，只除去覆蓋著形成定位件16的生長(zhǎng)區(qū)域94的金屬沉積薄膜92。例如，通過用抗蝕薄膜覆蓋金屬沉積薄膜91，進(jìn)行離子碾壓或腐蝕，然后再除去抗蝕薄膜，可以有選擇地除去金屬沉積薄膜92。
如圖22D所示，利用VLS方法，只可使被金屬沉積薄膜91覆蓋的生長(zhǎng)區(qū)域93進(jìn)一步生長(zhǎng)。根據(jù)探頭針22的長(zhǎng)度不同，形成探頭針22的生長(zhǎng)區(qū)域93生長(zhǎng)成桿形狀，其長(zhǎng)度達(dá)到大約200～5000微米。
如圖22E所示，沉積覆蓋生長(zhǎng)區(qū)域93的合成樹脂95，并使樹脂硬化，生長(zhǎng)區(qū)域93的上表面拋光，使該上表面齊平。在這種情況下，如圖22E所示，可以除去覆蓋生長(zhǎng)區(qū)域93的上表面的金屬沉積薄膜91，或留下一部分金屬沉積薄膜91。
如圖22F所示，在除去合成樹脂95后，用導(dǎo)電薄膜96覆蓋基底板90和生長(zhǎng)區(qū)域93與94的表面。例如，導(dǎo)電薄膜96可通電鍍覆金屬(例如黃金和銠)而形成。為了保持探頭針22之間的電氣絕緣，除了頂部表面以外的生長(zhǎng)區(qū)域93可用合成樹脂(例如聚酰亞胺)涂敷。
利用圖22A～22F所示的過程，可同時(shí)用光刻法形成由生長(zhǎng)區(qū)域93和導(dǎo)電薄膜96構(gòu)成的引線圖形14的探頭針22，和由生長(zhǎng)區(qū)域94與導(dǎo)電薄膜96構(gòu)成的定位件16。因此，探頭針22和定位件16的相對(duì)位置精度高。
如圖22G所示，探頭針22的基本部分和定位件16的部分表面被合成樹脂覆蓋，形成一個(gè)增強(qiáng)薄膜28。
如圖22H所示，探頭針22，定位件16和增強(qiáng)薄膜28與基底板90分開。其次，除了探頭針22以外，將這個(gè)分離的結(jié)構(gòu)與帶有引線圖形14的圖形99的基片12粘接。通過正確地粘接探頭針22和圖形99，就完成了引線圖形14。
在第7種制造方法中，覆蓋構(gòu)成探頭針22的生長(zhǎng)區(qū)域93的金屬沉積薄膜91可以有選擇地除去，而留下覆蓋構(gòu)成定位件16的生長(zhǎng)區(qū)域94的金屬沉積薄膜92。通過使定位件16的高度(厚度)比探頭針22的高度大，可以提高定位件16的機(jī)械強(qiáng)度。
(第8種制造方法)圖23A～23F為表示制造探頭部件的第8種方法的示意性橫截面圖。利用這種方法，可以制造具有圖8A～8C所示的第6個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
在這種制造探頭部件的方法中，如圖23A所示，首先利用飛濺法、真空沉積法、離子鍍覆等方法，最好是飛濺法，在基片130的表面上形成一個(gè)犧牲薄膜131。在犧牲薄膜131的表面上，形成探頭部件的位于下面的薄膜132。
雖然沒有特別限制，基片130的材料為厚度為幾mm的玻璃板，合成樹脂板、陶瓷板、硅板、金屬板等。
犧牲薄膜131的材料最好為厚度為0.1～5.0微米的銅薄膜、銅(Cu)/鉻(Cr)薄膜等。如果使用銅/鉻薄膜作為犧牲薄膜131，則可以首先飛濺鉻，形成一個(gè)緊密的接觸層，然后在該緊密的接觸層上飛濺銅。在這種情況下，例如，鉻薄膜的厚度為0.03微米，而銅薄膜的厚度為大約0.3微米。
該位于下面的薄膜132最好為厚度為大約0.05～0.5微米的鈦(Ti)/鎳(Ni)—鐵(Fe)薄膜等。如果形成鈦/鎳—鐵薄膜作為位于下面的薄膜132，則首先用飛濺法形成鈦薄膜作為緊密接觸層；而在鈦薄膜上，用飛濺法形成鎳—鐵薄膜。在這種情況下，鈦薄膜的厚度為0.02微米，而鎳—鐵薄膜的厚度大約為0.15微米。
使用位于下面的薄膜132是因?yàn)椋绻竺嫠f明的光阻材料制成的抗蝕薄膜直接在犧牲薄膜131上形成，則不能得到有高溶解度的抗蝕薄膜。根據(jù)光阻材料種類的不同，可以省去位于下面的薄膜132。由于位于下面的薄膜132與光阻材料的潤(rùn)濕性好，因此可以在犧牲薄膜131上形成具有高溶解度和所希望形狀的抗蝕薄膜。
如圖23B所示，在位于下面的薄膜132的表面上，可將光阻材料涂敷至任意厚度。在光阻材料表面上，設(shè)置具有預(yù)先確定的圖形的掩膜。為了形成具有與預(yù)先確定的探頭部件圖形相應(yīng)的開口的抗蝕薄膜133，可利用曝光和顯影過程除去不必要的光阻材料?？刮g薄膜133的厚度最好為10～200微米。
抗蝕薄膜133的開口的探頭部件圖形包括形成構(gòu)成探頭部件的探頭針和探頭座的圖形，以及用于形成定位件(例如一個(gè)或多個(gè)定位孔和定位框)的圖形。另外還包括用于形成如圖8A～8C所述的小孔的圖形。
由于使用光阻材料的抗蝕薄膜133，構(gòu)成探頭引出端的引線的圖形，以窄小的節(jié)距(例如，窄小和均勻的間跑)形成。這樣，利用這個(gè)抗蝕薄膜133形成的探頭針可以窄小的節(jié)距平行地構(gòu)成。同樣，利用抗蝕薄膜133形成的探頭部件的探頭針和探頭座的相對(duì)位置精度高。定位孔和小孔的位置對(duì)準(zhǔn)精度也高。
如圖23C所示，利用以硫酸為主要成分的已知的鐵—鎳鍍覆液進(jìn)行鍍覆，可在沒有被抗蝕薄膜133覆蓋的位于下面的薄膜132的表面上，形成鎳合金的金屬箔134，金屬箔134的厚度可按所希望的設(shè)置。
如圖23D所示，利用例如N-甲基-2-吡咯烷一類的液體，通過超聲波清洗抗蝕薄膜133和位于下面的薄膜132之間的界面，可除去抗蝕薄膜133。在這種情況下，將基片130，抗蝕薄膜133等組成的結(jié)構(gòu)體浸入N-甲基-2-吡咯烷中，并在85下進(jìn)行超聲波清洗，可以有效地除去抗蝕薄膜133。
如圖23E所示，利用離子碾壓方法，除去露出的位于下面的薄膜132，使位于下面的薄膜132和金屬箔134的外部尺寸相同。
如圖23F所示，金屬箔134和位于下面的薄膜132的整體部分可以與基片130分離。這樣，可得到帶有金屬箔和位于下面的薄膜132的探頭部件10。利用制造具有第6個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件的方法，可以不需要用機(jī)械方法或釬焊劑或粘接劑連接探頭針和探頭座，即可整體地形成探頭針和探頭座。因此，可防止探頭針破壞。還可以使探頭針和探頭座的相對(duì)位置精度高。
由于不需要切斷探頭座，因此可以非常精確地確定外部尺寸，并可防止在切割過程中探頭針被破壞。
(第10種制造方法)圖24AX～24LY為表示制造探頭部件的第9個(gè)方法的示意性橫截面圖。利用這個(gè)制造方法，可以制造如圖9A和9B所示的第7個(gè)結(jié)構(gòu)或如圖10所示的第8個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
圖24AX，24BX，…24LX為沿著與探頭部件的縱向方向平行的方向所取的橫截面圖；而圖24AY，24BY…24LY為表示在探頭部件的探頭座中形成定位孔的過程的橫截面圖。
在制造探頭部件的第9個(gè)方法中，如圖24AX和24BY所示，首先在基片140的表面上，用飛濺，真空沉積，離子鍍覆等方法，最好是用飛濺方法形成一個(gè)犧牲薄膜141。在犧牲薄膜141的表面上，涂敷一層任意厚度的光阻材料。在光阻材料表面上沉積具有預(yù)先確定圖形的一個(gè)掩膜。為了形成具有與探頭部件的探頭座的圖形相適應(yīng)的開口的第一個(gè)抗蝕薄膜142，可用曝光和顯影方法，除去不必要的光阻材料。第一個(gè)抗蝕薄膜142的厚度為10～200微米。接著，利用以硫酸作為主要成分的已知的鐵—鎳鍍覆液，進(jìn)行鍍覆，在沒有被第一個(gè)抗蝕薄膜142覆蓋的犧牲薄膜141的表面上，形成第一個(gè)鎳合金的金屬箔143。第一個(gè)金屬箔143的厚度可按所希望的設(shè)置。
雖然沒有特別限制，基片140的材料的厚度為幾mm的玻璃板，合成樹脂板、陶瓷板、硅板、金屬板等。
犧牲薄膜141的材料最好為厚度為0.1～5.0微米的銅薄膜，銅(Cu)/鉻(Cr)薄膜等。如果使用銅/鉻薄膜作為犧牲薄膜141，則首先飛濺鉻形成一個(gè)緊密的接觸層，然后在這個(gè)緊密的接觸層上飛濺銅。在這種情況下，鉻薄膜的厚度為0.03微米，銅薄膜的厚度大約為0.3微米。
當(dāng)形成第一個(gè)抗蝕薄膜142時(shí)，同時(shí)可以不但形成與探頭座相適應(yīng)的開口，而且還可形成一個(gè)或多個(gè)定位孔或小孔。
如圖24BX和24BY所示，在第一個(gè)抗蝕薄膜142和第一個(gè)金屬箔143的表面上，形成絕緣薄膜144。絕緣薄膜144是利用飛濺，CVD等方法形成的厚度大約為0.1～20微米的二氧化硅薄膜，鋁薄膜等。如后所述，絕緣薄膜144的目的是將第一個(gè)金屬箔143和要在第一個(gè)金屬箔143上面形成的探頭針進(jìn)行電氣絕緣。
如圖24CX和24CY所示，除去第一個(gè)抗蝕薄膜142，在犧牲薄膜141的表面上留下探頭座110。探頭座110由第一個(gè)金屬箔143和絕緣薄膜144構(gòu)成。為了除去第一個(gè)抗蝕薄膜142，可用N-甲基-2-吡咯烷清洗第一個(gè)抗蝕薄膜142和犧牲薄膜141之間的界面。在這種情況下，將由基片140，第一個(gè)抗蝕薄膜142等構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體浸入N-甲基-2-吡咯烷中，在85下進(jìn)行超聲波清洗，可以有效地除去第一個(gè)抗蝕薄膜142。
如圖24DX和24DY所示，除去帶有第一個(gè)抗蝕薄膜142的犧牲薄膜141的整個(gè)表面，即不帶有第一個(gè)金屬箔143的犧牲薄膜141的整個(gè)表面用銅鍍覆，形成一個(gè)鍍覆銅的層145。鍍覆銅層145的厚度比探頭座110的厚度大。
如圖24EX和24EY所示，拋光該鍍覆銅層148，使它與探頭座110齊平。
如圖24FX和24FY所示，在探頭座110和鍍覆銅層145的表面上，用飛濺法形成探頭部件的位置于下面的薄膜146。
該位于下面的薄膜146最好為大約0.05～0.5微米厚的鈦(Ti)/鎳(Ni)—鐵(Fe)薄膜等。如果使用鈦/鎳—鐵薄膜作為位于下面的薄膜146，則首先用飛濺方法，將鈦薄膜作成緊密接觸層，然后在鈦薄膜上，用飛濺法形成鎳—鐵薄膜。在這種情況下，鈦薄膜的厚度為0.02微米，而鎳—鐵薄膜的厚度大約為0.15微米。
如圖24GX和24GY所示，在位于下面的薄膜146的表面上，涂敷任意厚度的光阻材料。在光阻材料表面上，沉積具有預(yù)先確定圖形的掩膜。為了形成具有與探頭針的圖形相應(yīng)的開口的第二個(gè)抗蝕薄膜147，利用曝光和顯影過程，除去不必要的光阻材料。第二個(gè)抗蝕薄膜147的厚度為10～200微米。除了與探頭針的圖形相應(yīng)的開口外，可以同時(shí)形成與確定安裝位置用的定位件和圖形相適應(yīng)的開口。
如圖24HX和24HY所示，利用以硫酸作為主要成分的已知的鐵—鎳鍍覆液進(jìn)行鍍覆，在沒有被第二個(gè)抗蝕薄膜147覆蓋的位于下面的薄膜146的表面上，形成第二個(gè)鎳合金金屬箔(圖形)148。第二個(gè)金屬箔(圖形)148的厚度可以按希望設(shè)置。
如圖24IX和24IY所示，除去第二個(gè)抗蝕薄膜147，為了除去第二個(gè)抗蝕薄膜147，要用N-甲基-2-吡咯烷清洗第二個(gè)抗蝕薄膜147和位于下面的薄膜146之間的界面。在這種情況下，將由基片140，第二個(gè)抗蝕薄膜147等構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體浸入N-甲基-2-吡咯烷中，并在85下進(jìn)行超聲波清洗，可以有效地除去第二個(gè)抗蝕薄膜147。
如圖24JX和24JY所示，利用離子碾壓法除去露出的位于下面的薄膜146，使位于下面的薄膜146和第二個(gè)金屬箔(圖形)148的外部尺寸相同，而由位于下面的薄膜146和第二個(gè)金屬箔148構(gòu)成的探頭針22留在探頭座110上。
如圖24KX和24KY所示，為了改善探頭座110和探頭針22之間的緊密接觸，和保護(hù)探頭部件的線路，與探頭座110緊密接觸的探頭針區(qū)域用保護(hù)薄膜32覆蓋。在這種情況下，將光敏聚酰亞胺，紫外線硬化的粘接劑，Cardo式絕緣材料，光阻材料等涂敷在探頭針與探頭座110緊密接觸的區(qū)域上，并且硬化或與干燥的薄膜連接，從而形成保護(hù)薄膜32。
如圖24LX和24LY所示，利用對(duì)銅的溶解優(yōu)先于對(duì)其他材料的溶解的腐蝕劑，來溶解犧牲薄膜141和鍍覆銅層145。這樣，可使探頭針22和探頭座110的整體部分與基片140分開，形成帶有探頭針22和探頭座110的探頭部件10。
利用制造探頭部件的第9種方法，不需要用機(jī)械方法或用釬焊料或粘接劑將探頭針與探頭座連接，而是利用各種薄膜的層疊，即可以整體地形成探頭針22和探頭座110。因此可以防止探頭針損壞。也可以使探頭針和探頭座110的相對(duì)位置精度高。
由于不需要切割探頭座110，可以非常精確地確定外部尺寸，防止探頭針22在切割過程中損壞。
利用光阻材料，可以形成穿過探頭座110的定位孔，其位置對(duì)準(zhǔn)的精度高。這樣，可以使位置非常精確地對(duì)準(zhǔn)地，將探頭部件10安裝在每一個(gè)裝置上。因此，可以非常精確地進(jìn)行液晶顯示板等的導(dǎo)電試驗(yàn)。
由于確定安裝位置用的定位件的圖形和探頭針22同時(shí)形成，因此定位孔的精度高，可以改善探頭針22和試驗(yàn)體的相對(duì)位置精度。
在這個(gè)實(shí)施例中，雖然形成了保護(hù)薄膜32，但也可以形成不帶保護(hù)薄膜32的探頭部件10。另外一種方案是，在探頭部件10與基片140分開后，可以形成保護(hù)薄膜32。
為了縮短探頭部件10與基片140分開所需的時(shí)間，基片140可用銅制成不形成犧牲薄膜141。在這種情況下，如果銅基片140的機(jī)械強(qiáng)度不夠，可將密實(shí)和穩(wěn)定的、由玻璃、陶瓷等制成的基片襯在基片140上。
在這個(gè)實(shí)施例中，在形成探頭座110后，還可將探頭針22堆疊在探頭座110上。相反，在形成探頭針22后，可將探頭座110堆疊在探頭針上。
(第10種制造方法)圖25A～25F為表示制造探頭部件的第10種方法的示意性橫截面圖。利用這種制造方法，可以制造具有第9～12個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
在第10種制造探頭部件的方法中，如圖25A所示，首先在基片150表面上，利用飛濺、真空沉積、離子鍍覆等方法，最好是利用飛濺法，形成犧牲薄膜151。在犧牲薄膜151上，利用飛濺法形成探頭部件的位于下面的薄膜152。在位于下面的薄膜152上，涂敷任意厚度的光阻材料。在光阻材料表面上，沉積具有預(yù)先確定圖形的掩膜。利用曝光和顯影過程，除去不必要的光阻材料，形成具有與探頭針圖形相應(yīng)的開口的抗蝕薄膜153。
由于用于確定安裝位置的定位件的圖形和探頭針圖形同時(shí)形成，因此定位孔的精度高，可以改善探頭針和試驗(yàn)體的相對(duì)位置精度。
雖然沒有特別限制，基片150的材料的厚度為幾mm的玻璃板，合成樹脂板、陶瓷板、硅板、金屬板等。
犧牲薄膜151的材料最好為厚度為0.1～5.0微米的銅薄膜，銅(Cu)/鉻(Cr)薄膜等。如果使用銅/鉻薄膜作為犧牲薄膜141，則首先飛濺鉻形成一個(gè)緊密的接觸層，然后在這個(gè)緊密的接觸層上飛濺銅。在這種情況下，鉻薄膜的厚度為0.03微米，銅薄膜的厚度大約為0.3微米。
位于下面的薄膜152最好為厚度大約為0.05～0.5微米厚的鈦(Ti)/鎳(Ni)—鐵(Fe)薄膜等。如果用鈦/鎳—鐵薄膜作為位于下面的薄膜152，則首先用飛濺法形成鈦薄膜作為一個(gè)緊密接觸層，然后用飛濺法在該鈦薄膜上形成鎳—鐵薄膜。在這種情況下，鈦薄膜的厚度為0.02微米，而鎳—鐵薄膜厚度大約為0.15微米。
使用該位于下面的薄膜152是因?yàn)椋绻苯訉⒑笫龅墓庾璨牧现瞥傻目刮g薄膜作在犧牲薄膜151上，則不能得到溶解度大的抗蝕薄膜。由于該位于下面的薄膜152與光阻材料的潤(rùn)濕性好，因此可以在犧牲薄膜151上形成溶解度大和所希望形狀的抗蝕薄膜。根據(jù)光阻材料種類不同，可以省去該位于下面的薄膜152。
抗蝕薄膜153的厚度最好為10～200微米。
由于使用光阻材料制成的抗蝕薄膜153，可以窄小的節(jié)距平行地形成構(gòu)成探頭針的引線圖形。同樣，探頭針和探頭座的相對(duì)位置精度高。定位孔的位置對(duì)準(zhǔn)精度也高。
如圖25B所示，利用以硫酸作為主要成分的已知的鐵—鎳鍍覆液進(jìn)行鍍覆，可以在沒有被抗蝕薄膜153覆蓋的位于下面的薄膜152的表面上，形成探頭針的鎳合金金屬箔(圖形)154。該金屬箔(圖形)154的厚度可以按希望設(shè)置。
如圖25C所示，除去抗蝕薄膜153。為了除去第一個(gè)抗蝕薄膜153，用N-甲基-2-吡咯烷清洗第一個(gè)抗蝕薄膜153和位于下面的薄膜152之間的界面。在這種情況下，將由基片150，抗蝕薄膜153等組成的結(jié)構(gòu)體浸入N-甲基-2-吡咯烷中，在85下進(jìn)行超聲波清洗，可以有效地除去第一個(gè)抗蝕薄膜153。
如圖25D所示，利用離子碾壓法除去露出的位于下面的薄膜152，使位于下面的薄膜152與金屬箔(圖形)154的外部尺寸相同，而由位于下面的薄膜152和金屬箔154構(gòu)成的探頭針22留在犧牲薄膜151的表面上。
如圖25E所示，通過涂敷光敏聚酰亞胺，紫外線硬化的粘接劑，Ceralo式絕緣材料，光阻材料等，或固定一個(gè)干燥薄膜，可以在位于下面的薄膜152和金屬箔154互相緊密接觸的區(qū)域上，形成探頭座110。探頭座110可以部分地覆蓋探頭針22或完全覆蓋要埋入探頭座110中的探頭針22。探頭座110也有探頭針保護(hù)薄膜的作用。
在用光阻材料形成探頭座110時(shí)，將所希望厚度的光阻材料涂在探頭針22上。在光阻材料表面上沉積具有預(yù)先確定圖形的掩膜。利用曝光和顯影方法除去不必要的光阻材料，形成探頭座的外形。除了探頭座的外形以外，還可同時(shí)形成穿過探頭座110的一個(gè)或多個(gè)定位孔或小孔。
如圖25F所示，利用對(duì)銅的溶解優(yōu)先于對(duì)其他材料的溶解的腐蝕劑，溶解犧牲薄膜151。因此，可將探頭針22和探頭座110的整體部分與基片150分開，形成帶有探頭針22和探頭座110的探頭部件10。
利用制造探頭部件的第10種方法，不需要用機(jī)械方法或用釬焊料或粘接劑將探頭針與探頭座連接，而是利用各種薄膜的層疊，即可以整體地形成探頭針22和探頭座110。因此可以防止探頭針損壞。
可以使探頭針22和探頭座110的相對(duì)位置精度高。
由于利用光阻材料制成探頭座110，定位孔的位置對(duì)準(zhǔn)精度高。因此，可以使位置對(duì)準(zhǔn)很精確地將探頭部件10安裝在每一個(gè)裝置上。因此可以非常精確地進(jìn)行液晶顯示板等的導(dǎo)電試驗(yàn)。
由于確定安裝位置用的定位件圖形和探頭針22同時(shí)形成，定位孔的精度高，可以改善探頭針22和試驗(yàn)體的相對(duì)位置精度。
為了縮短探頭部件10與基片150分開所需的時(shí)間，基片150可用銅制成不形成犧牲薄膜151。在這種情況下，如果銅基片150的機(jī)械強(qiáng)度不夠，可將密實(shí)和穩(wěn)定的、由玻璃、陶瓷等制成的基片襯在基片150上。
如果探頭座110由樹脂制成，則探頭座110可因溫度變化而膨脹或收縮，得不到精確的尺寸。在這種情況下，如圖26所示，將難以受溫度變化而膨脹或收縮的材料制成的座片155(例如陶瓷、石英或硅)用粘接劑固定在探頭座110上。
(第11種制造方法)圖27A～27Q為表示制造探頭部件的第11種方法的示意性橫截面圖。利用這種制造方法，可以制造具有第13種結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
在第11種制造探頭部件的方法中，如圖27A所示，首先利用飛濺、真空沉積、離子鍍覆等方法，最好是用飛濺法，在基片160表面上形成犧牲薄膜161。
雖然沒有特別限制，基片160的材料的厚度為幾mm的玻璃板，合成樹脂板、陶瓷板、硅板、金屬板等。
犧牲薄膜161的材料最好為厚度為0.1～5.0微米的銅薄膜，銅(Cu)/鉻(Cr)薄膜等。如果使用銅/鉻薄膜作為犧牲薄膜161，則首先飛濺鉻形成一個(gè)緊密的接觸層，然后在這個(gè)緊密的接觸層上飛濺銅。在這種情況下，鉻薄膜的厚度為0.03微米，銅薄膜的厚度大約為0.3微米。
如圖27B所示，在犧牲薄膜161表面上，利用飛濺法形成探頭針的第一個(gè)位于下面的薄膜162。
該第一個(gè)位于下面的薄膜162最好為大約0.05～0.5微米厚的鈦(Ti)/鎳(Ni)—鐵(Fe)薄膜等。如果使用鈦/鎳—鐵薄膜作為位于下面的薄膜162，則首先用飛濺方法，將鈦薄膜作成緊密接觸層，然后在鈦薄膜上，用飛濺法形成鎳—鐵薄膜。在這種情況下，鈦薄膜的厚度為0.02微米，而鎳—鐵薄膜的厚度大約為0.15微米。
使用第一個(gè)位于下面的薄膜162是因?yàn)椋绻苯訉⒑笫龅挠晒庾璨牧现瞥傻目刮g薄膜作在犧牲薄膜161上，則得不到具有大的溶解度的抗蝕薄膜。根據(jù)光阻材料種類不同，可以省去第一個(gè)位于下面的薄膜162。
如圖27C所示，在第一個(gè)位于下面的薄膜162的表面上，涂敷一層任意厚度的光阻材料。在光阻材料表面上沉積具有預(yù)先確定圖形的一個(gè)掩膜。為了形成具有與探頭部件的探頭座的圖形相適應(yīng)的開口的第一個(gè)抗蝕薄膜163，可用曝光和顯影方法，除去不必要的光阻材料。第一個(gè)抗蝕薄膜163的厚度為10～200微米。
當(dāng)形成第一個(gè)抗蝕薄膜163時(shí)，除了與探頭針相適應(yīng)的圖形外，也可同時(shí)形成與確定探頭部件位置用的一個(gè)或多個(gè)框相適應(yīng)的圖形，一個(gè)或多個(gè)定位孔和小孔。
如圖27D所示，利用以硫酸作為主要成分的已知的鐵—鎳鍍覆液進(jìn)行鍍覆，可在沒有被第一個(gè)抗蝕薄膜163覆蓋的位于下面的薄膜162的表面上，形成用作探頭針和定位件的第一個(gè)鎳合金金屬箔(圖形)164。第一個(gè)金屬箔(圖形)164的厚度可按希望設(shè)置。
如圖27E所示，除去第一個(gè)抗蝕薄膜163。為了除去第一個(gè)抗蝕薄膜163，可用N-甲基-2-吡咯烷清洗第一個(gè)抗蝕薄膜163和第一個(gè)位于下面的薄膜162之間的界面。在這種情況下，將由基片140，第一個(gè)抗蝕薄膜163等構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體浸入N-甲基-2-吡咯烷中，在85下進(jìn)行超聲波清洗，可以有效地除去第一個(gè)抗蝕薄膜163。
如圖27F所示，利用離子碾壓法除去露出的位于下面的薄膜162，使第一個(gè)位于下面的薄膜162和第一個(gè)金屬箔164的外部尺寸相同，而由第一個(gè)位于下面的薄膜162和第一個(gè)金屬箔164組成的探頭針22留在犧牲薄膜161的表面上。
如圖27G所示，犧牲薄膜161和探頭針22的表面被鍍覆銅層165覆蓋。在這種情況下，廣泛地形成鍍覆銅層165，使?fàn)奚∧?61和探頭針22的全部表面完全被覆蓋。
如圖27H所示，用金剛石稀漿拋光鍍覆銅層165，使鍍覆銅層165的上表面與探頭針22齊平。
如圖27I所示，在探頭針22和鍍覆銅層165的表面上形成絕緣薄膜166。絕緣薄膜166可以是用飛濺法，CVD等方法形成的厚度為大約0.1～20微米的二氧化硅薄膜，鋁薄膜等。形成絕緣薄膜166是為了使探頭針22和要在探頭針22上形成的探頭座電氣上絕緣。
如圖27J所示，在絕緣薄膜166表面上，用飛濺法形成探頭座的第二個(gè)位于下面的薄膜167。第二個(gè)位于下面的薄膜167用與第一個(gè)位于下面的薄膜162相同的材料制成。
如圖27K所示，在第二個(gè)位于下面的薄膜167的表面上涂敷任意厚度的光阻材料。在光阻材料表面上，沉積具有預(yù)先確定圖形的掩膜。利用曝光和顯影過程，除去不必要的光阻材料，形成具有與探頭座圖形相應(yīng)的開口的第二個(gè)抗蝕薄膜168。第二個(gè)抗蝕薄膜168的厚度為10～200微米。除了與探頭座圖形相應(yīng)的開口外，可以同時(shí)形成與確定探頭部件位置用的一個(gè)或多個(gè)框圖形的圖形相適應(yīng)的開口，一個(gè)或多個(gè)定位孔和小孔。
第二個(gè)抗蝕薄膜168所用的光阻材料可以與第一個(gè)抗蝕薄膜163所用的光阻材料相同。
如圖27L所示，利用以硫酸為主要成分的已知的鐵—鎳鍍覆液進(jìn)行鍍覆，在第二個(gè)位于下面的薄膜167上沒有被第二個(gè)抗蝕薄膜168覆蓋的表面上，形成探頭座的第二個(gè)鎳合金金屬箔169。第二個(gè)金屬箔169的厚度可按希望設(shè)置。
如圖27M所示，除去第二個(gè)抗蝕薄膜168。為了除去第二個(gè)抗蝕薄膜168，用N-甲基-2-吡咯烷清洗第二個(gè)抗蝕薄膜168和第二個(gè)位于下面的薄膜167之間的界面。在這種情況下，將由基片160、第二個(gè)抗蝕薄膜168等構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體浸入N-甲基-2-吡咯烷中，在85下進(jìn)行超聲波清洗，可以有效地除去第二個(gè)抗蝕薄膜168。
如圖27N所示，用離子碾壓法去除露出的第二個(gè)在下面的薄膜167，使第二個(gè)在下面的薄膜167與第二個(gè)金屬箔169的外部尺寸相同。
如圖27P所示，用離子腐蝕法去除露出的絕緣薄膜166，使絕緣薄膜166與第二個(gè)金屬箔169的外部尺寸相同，從而得到由絕緣薄膜166和第二個(gè)金屬箔169構(gòu)成的探頭座110。
如圖27Q所示，利用對(duì)銅的溶解優(yōu)于對(duì)其他物質(zhì)的溶解的腐蝕劑，溶解犧牲薄膜161和鍍覆銅層165。因此，可將探頭針22和探頭座110的整體部分從基片160上分開，可以形成帶有探頭針22和探頭座110的探頭部件10。
采用第11種制造探頭部件的方法，不需要用機(jī)械方法或用釬焊料或粘接劑將探頭針與探頭座連接，而是利用各種薄膜的層疊，即可以整體地形成探頭針22和探頭座110。因此可以防止探頭針損壞。
也可以使探頭針和探頭座110的相對(duì)位置精度高。
由于探頭針22和探頭座110是用光阻材料制成的，因此定位框、定位孔和小孔的位置對(duì)準(zhǔn)精度高。因此，探頭部件10可以高度的位置對(duì)準(zhǔn)精度安裝在每一個(gè)裝置上。因此可以非常精確地進(jìn)行液晶顯示板等的導(dǎo)電試驗(yàn)。
由于可以同時(shí)形成包括框架、定位孔和小孔的定位件與探頭針22，因此可以改善探頭針22和試驗(yàn)體的相對(duì)位置精度。
已經(jīng)結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例說明了探頭部件及其制造方法。
如果要形成多個(gè)穿過探頭座的小孔，則可以非常有效地腐蝕探頭部件。
如果探頭部件是在由光阻材料制成的框架中用鍍覆法制成的，則探頭座的厚度均勻。另外，包括定位孔、定位框的穿過和在探頭座上形成的定位件及小孔的位置對(duì)準(zhǔn)精度高。
如果在通過鍍覆(electroplating)制成的探頭座的表面上形成絕緣薄膜和在用光阻材料制成的絕緣薄膜上形成探頭針，則可以形成溶解度大的探頭針圖形，使探頭針可以非常精確地形成。
如果探頭座和探頭針用保護(hù)薄膜覆蓋，則可以改善探頭座和探頭針之間的緊密接觸，并可保護(hù)探頭針的線路。
如果在用鍍覆法制成的探頭座上形成探頭針，則通過使用與探頭座相同的材料(相同的合金)，可以改善探頭座和探頭針之間的接觸，并使探頭針和探頭座的相對(duì)位置精度高。
如果用鍍覆制成的探頭針埋入由樹脂制成的探頭座中，則在探頭針和探頭座的整體部分中的探頭針不會(huì)損壞。另外，探頭針和探頭座的制造和連接相對(duì)位置精度高。
圖28為表示如何使用由實(shí)施例的方法制造的探頭部件的正視圖。圖28中表示了具有圖9A和9B所示的第7個(gè)結(jié)構(gòu)的探頭部件10。
探頭部件10的探頭座110粘接在沒有示出的導(dǎo)電試驗(yàn)裝置的座100的連接表面100a上。探頭部件10通過撓性線路平電纜3組成的電極(沒有示出)，與導(dǎo)電試驗(yàn)裝置的電子線路電氣上連接。
為了將探頭部件10粘接在座110上，垂直安裝在座100的連接表面上，并在銷子101的頂部有螺紋的定位銷101插入通過探頭座110的定位孔111中，并且固定夾具102(例如螺母)擰入該定位銷中。
將探頭部件10的探頭針22的頂部，推向試驗(yàn)體110(要測(cè)量的)的電極—例如放在由絕緣材料制成的試驗(yàn)體基座(樣品基座)103上的液晶顯示板—即可進(jìn)行導(dǎo)電試驗(yàn)。
已結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例說明了本發(fā)明。本發(fā)明不是僅限于上述實(shí)施例。顯然，技術(shù)熟練的人可以進(jìn)行各種改造、改進(jìn)、綜合等。
權(quán)利要求
1.一種固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件，它包括一個(gè)基片；用光刻法在所述基片上形成的探頭針，所述探頭針的遠(yuǎn)端，從所述基片上突出出來，與試驗(yàn)體的電極接觸；和用光刻法，在所述基片上，相對(duì)于所述探頭針的一個(gè)預(yù)先確定的位置上形成的一個(gè)定位件，所述定位件緊靠著一個(gè)使所述基片相對(duì)于探頭裝置定位的零件。
2.如權(quán)利要求1所述的探頭部件，其中，所述定位件具有一個(gè)內(nèi)部夾子墊圈形狀，彈性突出部分圍繞著穿過所述基片的一個(gè)通孔的圓周延伸。
3.如權(quán)利要求1所述的探頭部件，它還包括一個(gè)增強(qiáng)薄膜，該薄膜固定在所述基片上，并覆蓋在所述基片上的所述探頭針的一個(gè)區(qū)域和/或所述定位件的至少一個(gè)區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的探頭部件，其中，所述探頭針和所述定位件由相同的材料制成，并且薄膜厚度相同。
5.一種固定在探頭裝置上用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件，它包括包括一個(gè)在下面的薄膜和在該在下面的薄膜上形成的探頭針圖形的探頭針；和作在由所述探頭針末端形成的頂部表面上的有多個(gè)小孔的探頭座。
6.如權(quán)利要求5所述的探頭部件，其中，所述探頭座的絕緣薄膜作在所述探頭針的頂部表面上。
7.如權(quán)利要求5所述的探頭部件，它還包括一個(gè)覆蓋所述探頭座和所述探頭針的保護(hù)薄膜。
8.如權(quán)利要求6所述的探頭部件，其中，除了絕緣薄膜以外，所述探頭座用與所述探頭針用相同的材料制成。
9.如權(quán)利要求5所述的探頭部件，其中，所述探頭座覆蓋所述探頭針。
10.一種固定在探頭裝置上用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括(a)準(zhǔn)備基片的步驟；(b)在所述基片的表面層上形成一個(gè)凹部的步驟；(c)在所述基片的凹部中形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；(d)在所述基片和所述犧牲薄膜表面上形成一個(gè)在下面的薄膜的步驟；(e)形成一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，該抗蝕薄膜在所述在下面的薄膜表面上有開口，使在所述犧牲薄膜表面上形成的所述在下面的薄膜的至少一部分露出在該開口的底部上；(f)在露出在該開口底部上的所述在下面的薄膜表面上，形成一個(gè)覆蓋薄膜的步驟；(g)除去抗蝕薄膜的步驟；(h)除去沒有被所述覆蓋薄膜覆蓋的所述在下面的薄膜；(i)除去犧牲薄膜的步驟；和(j)沿著通過該凹部的切割線切割所述基片的步驟；其中，所述步驟(a)～(j)可同時(shí)在所述基片上形成遠(yuǎn)端從所述基片突出出來，并與試驗(yàn)體電極接觸的探頭針，和緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭裝置定位的一個(gè)零件上的定位件。
11.一種固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括(a)準(zhǔn)備基片的步驟；(b)在所述基片表面上形成一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；(c)在所述基片的表面層上形成一個(gè)凹部的步驟；(d)在所述基片的凹部中形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；(e)在所述基片和所述犧牲薄膜表面上形成一個(gè)在下面的薄膜的步驟；(f)形成一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，該抗蝕薄膜在所述在下面的薄膜表面上有開口，使在所述犧牲薄膜表面上形成的所述在下面的薄膜的至少一部分露出在該開口的底部上；(g)在露出在該開口底部上的所述在下面的薄膜表面上，形成一個(gè)覆蓋薄膜的步驟；(h)除去抗蝕薄膜的步驟；(i)除去沒有被所述覆蓋薄膜覆蓋的所述在下面的薄膜；(j)除去犧牲薄膜的步驟；和(k)沿著通過該凹部的切割線切割所述基片的步驟；其中，在步驟(a)和(b)以后，所述步驟(c)～(k)利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，在所述基片上形成與試驗(yàn)體電極接觸，并從所述基片突出出來的探頭針；和利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，在所述基片上形成緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭部件定位的一個(gè)零件上的定位件。
12.一種固定在探頭裝置上用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括(a)準(zhǔn)備基片的步驟；(b)在所述基片的表面層上形成一個(gè)凹部的步驟；(c)在所述基片的凹部中形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；(d)在所述基片和所述犧牲薄膜表面上形成一個(gè)在下面的薄膜的步驟；(e)形成一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，該抗蝕薄膜在所述在下面的薄膜表面上有開口，使在所述犧牲薄膜表面上形成的所述在下面的薄膜的至少一部分露出在該開口的底部上；(f)在露出在該開口底部上的所述在下面的薄膜表面上，形成一個(gè)覆蓋薄膜的步驟；(g)除去抗蝕薄膜的步驟；(h)除去沒有被所述覆蓋薄膜覆蓋的所述在下面的薄膜；(i)除去犧牲薄膜的步驟；和(j)沿著通過該凹部的切割線切割所述基片的步驟；其中，首先，所述步驟(a)～(j)在所述基片上分別形成與試驗(yàn)體電極接觸，和從所述基片突出出來的探頭針；和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；和然后，在所述步驟(b)～(j)利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，在所述基片上形成緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭部件定位的一個(gè)零件的定位件。
13.一種固定在探頭裝置上用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括(a)準(zhǔn)備基片的步驟；(b)在所述基片的表面層上形成一個(gè)凹部的步驟；(c)在所述基片的凹部中形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；(d)在所述基片和所述犧牲薄膜表面上形成一個(gè)在下面的薄膜的步驟；(e)形成一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，該抗蝕薄膜在所述在下面的薄膜表面上有開口，使在所述犧牲薄膜表面上形成的所述在下面的薄膜的至少一部分露出在該開口的底部上；(f)在露出在該開口底部上的所述在下面的薄膜表面上，形成一個(gè)覆蓋薄膜的步驟；(g)除去抗蝕薄膜的步驟；(h)除去沒有被所述覆蓋薄膜覆蓋的所述在下面的薄膜；(i)除去犧牲薄膜的步驟；和(j)沿著通過該凹部的切割線切割所述基片的步驟；其中，首先，步驟(a)～(j)在所述基片上分別形成緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭部件定位的一個(gè)零件上的定位件，和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；和然后，所述步驟(b)～(j)中，利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，形成與試驗(yàn)體電極接觸，和從所述基片突出出來的探頭針。
14.一種制造探頭部件的方法，它包括在基片表面上形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；在所述犧牲薄膜表面上形成一個(gè)在下面的薄膜的步驟；在所述在下面的表面上形成一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，該抗蝕薄膜具有與探頭部件圖形相適應(yīng)的開口和包括至少一個(gè)小孔；通過鍍覆在所述抗蝕薄膜的開口上，形成探頭部件圖形的步驟；所述探頭部件圖形包括探頭針和探頭座；除去所述抗蝕薄膜和在所述抗蝕薄膜下面的所述在下面的薄膜的步驟；和除去所述犧牲薄膜，得到探頭部件的步驟。
15.一種制造探頭部件的方法，它包括在基片表面上形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；在所述犧牲薄膜表面上形成第一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，所述第一個(gè)抗蝕薄膜具有與探頭座圖形相應(yīng)的開口；利用鍍覆，在所述第一個(gè)抗蝕薄膜的開口中，形成探頭座圖形的步驟；在所述探頭座圖形表面上形成絕緣薄膜的步驟；除去第一個(gè)抗蝕薄膜，得到探頭座的步驟；利用鍍覆在所述犧牲薄膜沒有形成探頭座的表面上形成一個(gè)金屬層的步驟；在所述絕緣薄膜和所述金屬層表面上形成在下面的薄膜的步驟；在所述在下面的薄膜表面上形成第二個(gè)抗蝕薄膜的步驟，所述第二個(gè)抗蝕薄膜具有與探頭針圖形相應(yīng)的開口；用鍍覆法，在所述第二個(gè)抗蝕薄膜的開口中形成探頭針圖形的步驟；除去所述第二個(gè)抗蝕薄膜的步驟；和除去在所述第二個(gè)抗蝕薄膜下面的所述犧牲薄膜，得到探頭部件的步驟。
16.一種制造探頭部件的方法，它包括在基片表面上形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；在所述犧牲薄膜表面上形成第一個(gè)在下面的薄膜的步驟；在所述第一個(gè)在下面的薄膜表面上形成第一個(gè)抗蝕薄膜的步驟，該抗蝕薄膜具有與探頭針圖形相適應(yīng)的開口；利用鍍覆方法，在所述第一個(gè)抗蝕薄膜的開口中形成探頭針圖形的步驟；除去所述第一個(gè)抗蝕薄膜，得到探頭針圖形的步驟；利用鍍覆層覆蓋探頭針圖形，拋光鍍覆層表面，使鍍覆層表面與探頭針圖形表面齊平，然后在所述鍍覆層和探頭針圖形表面上形成絕緣薄膜的步驟；在所述絕緣薄膜表面上，形成第二個(gè)在下面的薄膜的步驟；在所述第二個(gè)在下面的薄膜表面上形成第二個(gè)抗蝕薄膜的步驟，所述第二個(gè)抗蝕薄膜具有與有至少一個(gè)小孔的探頭座相適應(yīng)的開口；用鍍覆法，在所述第二個(gè)抗蝕薄膜的開口中，形成探頭座圖形的步驟；和除去所述第二個(gè)抗蝕薄膜，所述第二個(gè)在下面的薄膜，所述絕緣薄膜，所述鍍覆層和所述犧牲薄膜，得到一個(gè)探頭部件的步驟。
17.一種制造探頭部件的方法，它包括在基片表面上形成一個(gè)犧牲薄膜的步驟；在所述犧牲薄膜表面上形成一個(gè)在下面的薄膜的步驟；在所述在下面的表面上形成一個(gè)具有與探頭針圖形相應(yīng)的開口的抗蝕薄膜的步驟；用鍍覆方法，在所述抗蝕薄膜的開口中形成探頭針圖形的步驟；除去所述抗蝕薄膜和在所述抗蝕薄膜下面的所述在下面的薄膜的步驟；在由探頭針末端形成的頂面上，形成探頭座的步驟，所述探頭座由樹脂制成；和除去所述犧牲薄膜，得到一個(gè)探頭部件的步驟。
18.一種固定在探頭裝置上用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括利用光刻技術(shù)，同時(shí)在一基片上形成遠(yuǎn)端從所述基片突出出來，并與試驗(yàn)體電極接觸的探頭針，和緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭裝置定位的一個(gè)零件上的定位件的步驟。
19.一種固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括在一基片表面上形成一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；采用光刻技術(shù)利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，在所述基片上形成與試驗(yàn)體電極接觸，并從所述基片突出出來的探頭針的步驟；和采用光刻技術(shù)利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，在所述基片上形成緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭部件定位的一個(gè)零件上的定位件。
20.一種固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括采用光刻技術(shù)在所述基片上同時(shí)形成具有從所述基片突出出來的遠(yuǎn)端并且與試驗(yàn)體電極接觸探頭針和一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟；和采用光刻技術(shù)利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，在所述基片上形成緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭部件定位的一個(gè)零件上的定位件。
21.一種固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件的制造方法，該方法包括采用光刻技術(shù)在所述基片上同時(shí)形成一定位件和一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的步驟，該定位件緊靠在使所述基片相對(duì)于探頭部件定位的一個(gè)零件上；和采用光刻技術(shù)利用所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為位置參考點(diǎn)，在所述基片上形成具有從所述基片突出出來的遠(yuǎn)端并且與試驗(yàn)體電極接觸的探頭針的步驟。
全文摘要
一種固定在探頭裝置上，用于測(cè)試試驗(yàn)體功能的探頭部件。該探頭部件包括一個(gè)基片；用光刻法在所述基片上形成的探頭針，所述探頭針的遠(yuǎn)端，從所述基片上突出出來，與試驗(yàn)體的電極接觸；和用光刻法，在所述基片上，相對(duì)于所述探頭針的一個(gè)預(yù)先確定的位置上形成的一個(gè)定位件，所述定位件緊靠著一個(gè)使所述基片相對(duì)于探頭裝置定位的零件。
文檔編號(hào)G01R1/067GK1409119SQ02142760
公開日2003年4月9日 申請(qǐng)日期2002年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月20日
發(fā)明者寺田佳樹, 澤田修一, 服部敦夫 申請(qǐng)人:雅馬哈株式會(huì)社