電子部件及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供能夠提高外部電極的強(qiáng)度的電子部件及其制造方法。該電子部件的特征在于，具備：長(zhǎng)方體狀的坯體，具有相互對(duì)置的第一端面與第二端面、以及安裝面；和第一外部電極，跨在上述第一端面以及上述安裝面地設(shè)置，上述第一端面中的從上述安裝面起至沿該安裝面的法線(xiàn)方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的第一區(qū)域相對(duì)于該法線(xiàn)方向傾斜，以便隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向上向該安裝面靠近而向上述第二端面靠近，上述第一外部電極中的與上述第一區(qū)域接觸的部分的厚度隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向上向該安裝面靠近而變大。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電子部件及其制造方法，更確切地說(shuō)，涉及在坯體的表面設(shè)置有外部電極的電子部件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為以往的電子部件，例如公知有專(zhuān)利文獻(xiàn)I中記載的電感部件。圖26是專(zhuān)利文獻(xiàn)I中記載的電感部件500的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0003]電感部件500具備元件502以及端子電極504a、504b。元件502呈長(zhǎng)方體狀。端子電極504a跨在元件502的底面以及右面地設(shè)置。端子電極504b跨在元件502的底面以及左面地設(shè)置。
[0004]然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的電感部件500中，如圖26所示，在元件502的底面與右面的棱線(xiàn)以及底面與左面的棱線(xiàn)，端子電極504a、504b的厚度變薄。因此，端子電極504a、504b難以獲得足夠的強(qiáng)度。
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2006-114626號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠提高外部電極的強(qiáng)度的電子部件及其制造方法。
[0007]本發(fā)明的一方式所涉及的電子部件的特征在于，具備:長(zhǎng)方體狀的坯體，具有相互對(duì)置的第一端面與第二端面、以及安裝面;和第一外部電極，跨在上述第一端面以及上述安裝面地設(shè)置，上述第一端面中的從上述安裝面起至沿該安裝面的法線(xiàn)方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的第一區(qū)域相對(duì)于該法線(xiàn)方向傾斜，以便隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向靠近該安裝面而向上述第二端面靠近，上述第一外部電極中的與上述第一區(qū)域接觸的部分的厚度隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向靠近該安裝面而變大。
[0008]本發(fā)明的一方式所涉及的電子部件的制造方法的特征在于，具備:坯體制成工序，制成具有相互對(duì)置的第一端面與第二端面、以及安裝面的長(zhǎng)方體狀的坯體;研磨工序，對(duì)上述第一端面的至少一部分進(jìn)行研磨，由此使該第一端面中的從上述安裝面起至沿該安裝面的法線(xiàn)方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的第一區(qū)域相對(duì)于該法線(xiàn)方向傾斜，以便隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向靠近該安裝面而向上述第二端面靠近；以及電極形成工序，朝向上述安裝面供給電極材料，由此形成跨在上述第一端面以及該安裝面的第一外部電極。
[0009]根據(jù)本發(fā)明，能夠提高外部電極的強(qiáng)度。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1A是一實(shí)施方式所涉及的電子部件10的外觀立體圖。
[0011 ]圖1B是電子部件10的層疊體12的外觀立體圖。
[0012]圖2是電子部件10的層疊體20的分解立體圖。
[0013]圖3A是電子部件10的A-A的剖面結(jié)構(gòu)圖
[0014]圖3B是電子部件10的B-B的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0015]圖3C是電子部件10的C-C的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0016]圖4A是電子部件10的D-D的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0017]圖4B是電子部件10的E-E的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0018]圖4C是電子部件10的F-F的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0019]圖5是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0020]圖6是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0021 ]圖7是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0022]圖8是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0023]圖9是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0024]圖10是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0025 ]圖11是電子部件1制造時(shí)的工序剖面圖。
[0026]圖12是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0027]圖13是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0028]圖14是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0029]圖15是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0030]圖16是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0031 ]圖17是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0032]圖18是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0033]圖19是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0034]圖20是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0035]圖21是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0036]圖22是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。
[0037]圖23是電子部件10制造時(shí)的立體圖。
[0038]圖24是電子部件10制造時(shí)的立體圖。
[0039]圖25是電子部件10制造時(shí)的立體圖。
[0040]圖26是專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的電感部件500的剖面結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041 ]以下，對(duì)一實(shí)施方式所涉及的電子部件及其制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0042](電子部件的構(gòu)成)
[0043]以下，參照附圖對(duì)一實(shí)施方式所涉及的電子部件的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖1A是一實(shí)施方式所涉及的電子部件1的外觀立體圖。圖1B是電子部件1的層疊體12的外觀立體圖。圖2是電子部件10的層疊體20的分解立體圖。圖3A是電子部件1的A-A的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖3B是電子部件10的B-B的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖3C是電子部件10的C-C的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖4A是電子部件10的D-D的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖4B是電子部件10的E-E的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖4C是電子部件10的F-F的剖面結(jié)構(gòu)圖。此外，在圖3A?圖3C以及圖4A?圖4C中，省略了層疊體20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
[0044]在下文中，將電子部件10的層疊方向定義為z軸方向，將從z軸方向俯視時(shí)沿著電子部件的長(zhǎng)邊的方向定義為X軸方向、沿著短邊的方向定義為y軸方向。此外，X軸、y軸以及z軸相互正交。
[0045]電子部件10具備層疊體20、線(xiàn)圈30以及外部電極40a、40b。
[0046]如圖1B以及圖2所示，層疊體20通過(guò)絕緣體層22a?22f被層疊為從z軸方向的正方向側(cè)起依次排列而構(gòu)成，并呈長(zhǎng)方體狀。在下文中，將z軸方向的正方向側(cè)的面稱(chēng)為上面SI，將z軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱(chēng)為下面軸方向與下面S2的法線(xiàn)方向平行。另外，將X軸方向的正方向側(cè)的面稱(chēng)為端面S3，將X軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱(chēng)為端面S4。端面S3、S4在X軸方向上對(duì)置。另外，將y軸方向的正方向側(cè)的面稱(chēng)為側(cè)面S5，將y軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱(chēng)為側(cè)面S6 ο側(cè)面S5、S6在y軸方向上對(duì)置。
[0047]但是，如圖3A?圖3C所示，從y軸方向俯視時(shí)，端面S3稍微傾斜，以便隨著向z軸方向的負(fù)方向側(cè)前進(jìn)而向X軸方向的負(fù)方向側(cè)前進(jìn)。即，端面S3相對(duì)于Z軸方向傾斜，以便隨著在z軸方向靠近下面S2而向端面S4靠近。
[0048]而且，如圖2以及圖3A?圖3C所示，對(duì)端面S3與下面S2的棱線(xiàn)實(shí)施倒角。由此，端面S3與下面S2的接合部分帶圓角。另外，如圖2以及圖4A?圖4C所示，對(duì)端面S3與側(cè)面S5的棱線(xiàn)實(shí)施倒角。同樣，如圖2以及圖4A?圖4C所示，對(duì)端面S3與側(cè)面S6的棱線(xiàn)實(shí)施倒角。由此，端面S3與側(cè)面S5的接合部分以及端面S3與側(cè)面S6的接合部分帶圓角。其中，如圖4A?圖4C所示，端面S3與側(cè)面S5的接合部分的倒角直徑以及端面S3與側(cè)面S6的接合部分的倒角直徑隨著趨向于z軸方向的負(fù)方向側(cè)(即，隨著向下面S2靠近)而變大。
[0049]另外，如圖3A?圖3C所示，從y軸方向俯視時(shí)，端面S4稍微傾斜，以便隨著趨向于z軸方向的負(fù)方向側(cè)而趨向于X軸方向的正方向側(cè)。即，端面S4相對(duì)于Z軸方向傾斜，以便隨著在z軸方向上向下面S2靠近而向端面S3靠近。
[0050]而且，如圖2以及圖3A?圖3C所示，對(duì)端面S4與下面S2的棱線(xiàn)實(shí)施倒角。由此，端面S4與下面S2的接合部分帶圓角。另外，如圖2以及圖4A?圖4C所示，對(duì)端面S4與側(cè)面S5的棱線(xiàn)實(shí)施倒角。同樣，如圖2以及圖4A?圖4C所示，對(duì)端面S4與側(cè)面S6的棱線(xiàn)實(shí)施倒角。由此，端面S4與側(cè)面S5的接合部分以及端面S4與側(cè)面S6的接合部分帶圓角。其中，如圖4A?圖4C所示，端面S4與側(cè)面S5的接合部分的倒角直徑以及端面S4與側(cè)面S6的接合部分的倒角直徑隨著趨向于z軸方向的負(fù)方向側(cè)(即，隨著向下面S2靠近)而變大。
[0051]另外，各絕緣體層22a?22f在從z軸方向俯視時(shí)，呈長(zhǎng)方形形狀。絕緣體層22a?22f由含有金屬磁性體的粒子的樹(shù)脂制成。金屬磁性體例如是Fe-S1-Cr合金、Fe(羰基)等。另外，樹(shù)脂例如是環(huán)氧樹(shù)脂。此外，金屬磁性體的粒子也可以使用在表面形成了玻璃、樹(shù)脂等的絕緣被膜或進(jìn)行了表面氧化等表面改性的粒子。
[0052]如圖2所示，絕緣體層22a在層疊體20中位于z軸方向的最靠正方向側(cè)。另外，絕緣體層22a由磁性體構(gòu)成。
[0053]絕緣體層22b與絕緣體層22a的z軸方向的負(fù)方向側(cè)鄰接。另外，絕緣體層22b由磁性體所形成的磁性體層24b以及非磁性體所形成的非磁性體層26b構(gòu)成。非磁性體層26b是與絕緣體層22b的外緣平行地設(shè)置的帶狀的非磁性體層，在從z軸方向俯視時(shí)，呈一部分被切開(kāi)的長(zhǎng)方形形狀的框型。另外，磁性體層24b在從z軸方向俯視時(shí)，設(shè)置于非磁性體層26b的周?chē)约胺谴判泽w層26b的內(nèi)部。
[0054]絕緣體層22c與絕緣體層22b的z軸方向的負(fù)方向側(cè)鄰接。另外，絕緣體層22c由磁性體所形成的磁性體層24c以及非磁性體所形成的非磁性體層26c構(gòu)成。非磁性體層26c是與絕緣體層22c的外緣平行地設(shè)置的帶狀的非磁性體層，在從z軸方向俯視時(shí)，呈一部分被切開(kāi)的長(zhǎng)方形形狀的框型。磁性體層24c在從z軸方向俯視時(shí)，設(shè)置于非磁性體層26c的周?chē)约胺谴判泽w層26c的內(nèi)部。
[0055]絕緣體層22d與絕緣體層22c的z軸方向的負(fù)方向側(cè)鄰接。另外，絕緣體層22d由磁性體所形成的磁性體層24d以及非磁性體所形成的非磁性體層26d構(gòu)成。非磁性體層26d是與絕緣體層22d的外緣平行地設(shè)置的帶狀的非磁性體層，在從z軸方向俯視時(shí)，呈一部分被切開(kāi)的長(zhǎng)方形形狀的框型。磁性體層24d在從z軸方向俯視時(shí)，設(shè)置于非磁性體層26d的周?chē)约胺谴判泽w層26d的內(nèi)部。
[0056]絕緣體層22e與絕緣體層22d的z軸方向的負(fù)方向側(cè)鄰接。另外，絕緣體層22e由磁性體所形成的磁性體層24e以及非磁性體所形成的非磁性體層26e構(gòu)成。非磁性體層26e是與絕緣體層22e的外緣平行地設(shè)置的帶狀的非磁性體層，在從z軸方向俯視時(shí)，呈一部分被切開(kāi)的長(zhǎng)方形形狀的框型。磁性體層24e在從z軸方向俯視時(shí)，設(shè)置于非磁性體層26e的周?chē)约胺谴判泽w層26e的內(nèi)部。
[0057]絕緣體層22f在層疊體20中位于z軸方向的最靠負(fù)方向側(cè)。另外，絕緣體層22f由磁性體構(gòu)成。
[0058]如上所述，非磁性體層26b?26e在從z軸方向俯視時(shí)，相互重合，形成長(zhǎng)方形形狀的軌道。
[0059]如圖2所示，線(xiàn)圈30位于層疊體20的內(nèi)部，由線(xiàn)圈導(dǎo)體32b?32f以及通孔導(dǎo)體34b?34e構(gòu)成。另外，線(xiàn)圈30呈螺旋狀，該螺旋的中心軸與z軸平行。即，線(xiàn)圈30從z軸方向的正方向側(cè)俯視時(shí)，呈繞順時(shí)針?lè)较蚓砝@并且從z軸方向的正方向側(cè)向負(fù)方向側(cè)行進(jìn)的螺旋狀。此外，線(xiàn)圈30的材料為Au、Ag、Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料。
[0060]線(xiàn)圈導(dǎo)體32b是被設(shè)置成沿著非磁性體層26b的線(xiàn)狀的導(dǎo)體。因此，線(xiàn)圈導(dǎo)體32b在從z軸方向俯視時(shí)，與非磁性體層26b同樣地呈一部分被切開(kāi)的長(zhǎng)方形形狀的框型，并與非磁性體層26b在一致的狀態(tài)下重疊。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32b的一端從絕緣體層22b的X軸方向的正方向側(cè)的外緣向?qū)盈B體20的X軸方向的正方向側(cè)的端面S3露出。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32b的另一端在絕緣體層22b的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與y軸方向的正方向側(cè)的外緣所形成的角附近，與在z軸方向上將絕緣體層22b貫通的通孔導(dǎo)體34b連接。
[0061]線(xiàn)圈導(dǎo)體32c是被設(shè)置成沿著非磁性體層26c的線(xiàn)狀的導(dǎo)體。因此，線(xiàn)圈導(dǎo)體32c在從z軸方向俯視時(shí)，與非磁性體層26c同樣地呈一部分被切開(kāi)的長(zhǎng)方形形狀的框狀，并與非磁性體層26c在一致的狀態(tài)下重疊。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32c的一端在絕緣體層22c的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與y軸方向的正方向側(cè)的外緣所形成的角Cl的附近與通孔導(dǎo)體34b連接。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32c的另一端位于角Cl的附近且比線(xiàn)圈導(dǎo)體32c的一端更靠絕緣體層22c的中心的位置，與在z軸方向上將絕緣體層22c貫通的通孔導(dǎo)體34c連接。
[0062]線(xiàn)圈導(dǎo)體32d是被設(shè)置成沿著非磁性體層26d的線(xiàn)狀的導(dǎo)體。因此，線(xiàn)圈導(dǎo)體32d在從z軸方向俯視時(shí)，與非磁性體層26d同樣地呈一部分被切開(kāi)的長(zhǎng)方形的框型，并與非磁性體層26d在一致的狀態(tài)下重疊。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32d的一端在絕緣體層22d的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與y軸方向的正方向側(cè)的外緣所形成的角C2的附近與通孔導(dǎo)體34c連接。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32d的另一端位于角C2的附近且比線(xiàn)圈導(dǎo)體32d的一端更靠絕緣體層22d的外緣的位置，與在Z軸方向上將絕緣體層22d貫通的通孔導(dǎo)體34d連接。
[0063]線(xiàn)圈導(dǎo)體32e是被設(shè)置成沿著非磁性體層26e的線(xiàn)狀的導(dǎo)體。因此，線(xiàn)圈導(dǎo)體32e在從z軸方向俯視時(shí)，與非磁性體層26e同樣地呈一部分被切開(kāi)的長(zhǎng)方形的框型，并與非磁性體層26e在一致的狀態(tài)下重疊。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32e的一端在絕緣體層22e的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與y軸方向的正方向側(cè)的外緣所形成的角C3的附近與通孔導(dǎo)體34d連接。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32e的另一端位于角C3的附近且比線(xiàn)圈導(dǎo)體32e的一端更靠絕緣體層22e的中心的位置，與在z軸方向上將絕緣體層22e貫通的通孔導(dǎo)體34e連接。
[0064]線(xiàn)圈導(dǎo)體32f在從z軸方向俯視時(shí)，呈帶棱角的U字型，是沿絕緣體層22f的X軸方向的正負(fù)兩側(cè)的外緣以及y軸方向的負(fù)方向側(cè)的外緣設(shè)置的線(xiàn)狀的導(dǎo)體。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32f的一端在絕緣體層22f的X軸方向的正方向側(cè)的外緣與y軸方向的正方向側(cè)的外緣所形成的角的附近與通孔導(dǎo)體34e連接。而且，線(xiàn)圈導(dǎo)體32f的另一端從絕緣體層22f的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的外緣向?qū)盈B體20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的端面S4露出。
[0065]如上所述，線(xiàn)圈導(dǎo)體32b?32f在從z軸方向俯視時(shí)，相互重合，在非磁性體層26b?26e所形成的長(zhǎng)方形形狀的軌道上環(huán)繞。另外，線(xiàn)圈導(dǎo)體32b?32f與非磁性體層26b?26e在z軸方向上交替排列。
[0066]如圖1A所示，外部電極40a、40b是設(shè)置于層疊體20的表面的由金屬構(gòu)成的外部端子。更詳細(xì)地說(shuō)，外部電極40a跨在層疊體20的下面S2、與該下面S2鄰接的端面S3以及側(cè)面S5、S6地設(shè)置，并與線(xiàn)圈導(dǎo)體32b的一端連接。在外部電極40a中，將與下面S2、端面S3以及側(cè)面S5、S6各自接觸的部分稱(chēng)為接觸部42a、44a、46a、48a。
[0067]另外，接觸部42a將下面S2的X軸方向的正方向側(cè)的短邊附近覆蓋，呈長(zhǎng)方形形狀。接觸部44a將端面S3的大致整體覆蓋，呈長(zhǎng)方形形狀。接觸部46a將側(cè)面S5的X軸方向的正方向側(cè)的短邊附近以及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊的X軸方向的正方向側(cè)的短部附近覆蓋，呈三角形形狀。接觸部48a將側(cè)面S6的X軸方向的正方向側(cè)的短邊附近以及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊的X軸方向的正方向側(cè)的短部附近覆蓋，呈三角形形狀。
[0068]另外，如圖3A?圖3C以及圖4A?圖4C所示，接觸部44a的厚度隨著趨向于z軸方向的負(fù)方向側(cè)而變大。即，接觸部44a的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大。因此，接觸部44a的與y軸方向正交的剖面形狀呈三角形形狀。由此，接觸部44a的厚度在端面S3的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊處最大。
[0069]另外，如圖3A?圖3C以及圖4A?圖4C所示，接觸部46a、48a的厚度隨著趨向于z軸方向的負(fù)方向側(cè)而變大。即，接觸部46a、48a的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大。因此，接觸部46a、48a的與X軸方向正交的剖面形狀呈三角形形狀。由此，接觸部46a、48a的厚度分別在側(cè)面S5、S6的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊處最大。
[0070]外部電極40b跨在層疊體20的下面S2、與該下面S2鄰接的端面S4以及側(cè)面S5、S6地設(shè)置，并與線(xiàn)圈導(dǎo)體32f的另一端連接。由此，線(xiàn)圈30與外部電極40a、40b電連接。在外部電極40b中，將與下面S2、端面S3以及側(cè)面S5、S6各自接觸的部分稱(chēng)為接觸部42b、44b、46b、48b ο
[0071]另外，接觸部42b將下面S2的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊附近覆蓋，呈長(zhǎng)方形形狀。接觸部44b將端面S4的大致整體覆蓋，呈長(zhǎng)方形形狀。接觸部46b將側(cè)面S5的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊附近以及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的短部附近覆蓋，呈三角形形狀。接觸部48b將側(cè)面S6的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊附近以及z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的短部附近覆蓋，呈三角形形狀。
[0072]另外，如圖3A?圖3C以及圖4A?圖4C所示，接觸部44b的厚度隨著趨向于z軸方向的負(fù)方向側(cè)而變大。即，接觸部44b的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大。因此，接觸部44b的與y軸方向正交的剖面形狀呈三角形形狀。由此，接觸部44b的厚度在端面S4的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊處最大。
[0073]另外，如圖3A?圖3C以及圖4A?圖4C所示，接觸部46b、48b的厚度隨著趨向于z軸方向的負(fù)方向側(cè)而變大。即，接觸部46b、48b的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大。因此，接觸部46b、48b的與X軸方向正交的剖面形狀呈三角形形狀。由此，接觸部46b、48b的厚度在側(cè)面S5、S6的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊處最大。像以上那樣構(gòu)成的外部電極40a、40b由Cu、Ag或Cu與Ag的合金制成。
[0074]像以上那樣構(gòu)成的電子部件10被安裝為層疊體20的下面S2與電路基板對(duì)置。即，層疊體20的下面S2是安裝面。
[0075](電子部件的制造方法)
[0076]接下來(lái)，對(duì)電子部件10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5?圖22是電子部件10制造時(shí)的工序剖面圖。圖23?圖25是電子部件10制造時(shí)的立體圖。
[0077]首先，準(zhǔn)備加入填料的熱固性樹(shù)脂片(以下，稱(chēng)為樹(shù)脂片)260f。樹(shù)脂片260f所含有的填料例舉出硅、碳化硅、氧化鋁等絕緣類(lèi)的微小粒子。另外，樹(shù)脂的主劑能夠例舉出環(huán)氧類(lèi)的樹(shù)脂等。
[0078]接下來(lái)，如圖5所示，在樹(shù)脂片260f上載置Cu箔320f，將Cu箔320f與樹(shù)脂片260f?壓接。此時(shí)，為了同時(shí)進(jìn)行樹(shù)脂片260f與Cu箔320f的界面處的氣體的除去，優(yōu)選使用真空熱加壓裝置。另外，壓接的條件例如為90?200°C的溫度下，進(jìn)行I?30分鐘的抽真空，而且在0.5?1MPa下進(jìn)行I?120分鐘的加壓。此外，也可以通過(guò)輥壓或高溫沖壓等手段進(jìn)行壓接。
[0079]壓接后，為了使樹(shù)脂片260f固化而實(shí)施熱處理。該熱處理使用烘箱等高溫槽，例如在130?200°C的溫度下進(jìn)行10?120分鐘。
[0080]熱處理后，為了調(diào)節(jié)已壓接的Cu箔320f的厚度，實(shí)施電鍍Cu。具體而言，作為電鍍的前處理，利用酸性清潔劑對(duì)壓接有Cu箔320f的樹(shù)脂片260f進(jìn)行浸漬處理，除去Cu箔320f上的氧化被膜。接下來(lái)，使用主要成分為硫酸銅水溶液的電鍍液，以恒電流模式在Cu箔上實(shí)施電鍍Cu。電鍍Cu后，進(jìn)行水洗以及干燥。而且，以電鍍形成后的基板翹曲的抑制為目的，使用烘箱等高溫槽，例如在150?250°C的溫度下進(jìn)行60?180分鐘的熱處理。此外，在本工序中，也可以取代電鍍Cu，而使用蒸鍍、濺射等方法。
[0081 ]在結(jié)束厚度的調(diào)節(jié)的Cu箔320f上形成抗蝕劑圖案RPl。在抗蝕劑圖案RPl的形成工序中，首先，為了提高抗蝕劑圖案RPl與Cu箔320f的緊貼性，使用拋光研磨機(jī)使Cu箔320f?的表面粗糙化，并進(jìn)行水洗以及干燥。此外，粗糙化時(shí)，也可以使用銑磨、蝕刻等方法。接下來(lái)，如圖6所示，將抗蝕膜FRl層壓在Cu箔320f上。而且，通過(guò)膜掩模，對(duì)抗蝕膜FRl進(jìn)行曝光，從而被曝光的抗蝕膜固化。在抗蝕膜FRl固化后，將炭酸鈉作為顯影液來(lái)進(jìn)行顯影，從而除去未固化的抗蝕膜FR1。由此，在Cu箔320f上形成圖7所示那樣的抗蝕劑圖案RP1。之后，為了除掉顯影液而進(jìn)行水洗以及干燥。
[0082]通過(guò)濕式蝕刻對(duì)形成有抗蝕劑圖案RPl的Cu箔320f進(jìn)行蝕刻，如圖8所示，除去未被抗蝕劑圖案RPl覆蓋的Cu箔320f。此時(shí)，也可以代替濕式蝕刻而使用銑磨等。接下來(lái)，為了除去濕式蝕刻中使用過(guò)的溶液的殘?jiān)M(jìn)行水洗。而且，利用剝離液對(duì)Cu箔320f上的抗蝕劑圖案RPl進(jìn)行剝離。之后，通過(guò)水洗除去剝離液的殘?jiān)?，使其干燥。通過(guò)該工序，如圖9所示，在樹(shù)脂片260f上形成與電子部件10的線(xiàn)圈導(dǎo)體32f對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體圖案。
[0083]如圖10所示，在形成有導(dǎo)體圖案的樹(shù)脂片260f上進(jìn)而載放壓接有Cu箔320e的樹(shù)脂片260e并壓接。壓接的條件與上述同樣地使用真空熱加壓裝置在90?200°C的溫度下進(jìn)行I?30分鐘的抽真空，進(jìn)而在0.5?1MPa下進(jìn)行I?120分鐘的加壓。此時(shí)，為了調(diào)整被層疊、壓接的樹(shù)脂片整體的厚度，也可以使用限制壓接量的隔離件。此外，在本工序中被壓接的樹(shù)脂片260e之后成為電子部件10的非磁性體層26e，Cu箔320e成為線(xiàn)圈導(dǎo)體32e。此外，在本工序中，也可以在形成有導(dǎo)體圖案的樹(shù)脂片260f上壓接樹(shù)脂片260e，并在該樹(shù)脂片260e上壓接Cu箔320e。
[0084]對(duì)前工序中被壓接的Cu箔320e以及樹(shù)脂片260e形成通孔。在通孔形成工序中，首先，如圖11所示，在Cu箔320e上形成抗蝕劑圖案RP2。抗蝕劑圖案RP2的形成按照Cu箔320e表面的粗糙化、抗蝕膜的層壓、經(jīng)由膜掩模的曝光、以及顯影的順序進(jìn)行。接下來(lái)，通過(guò)濕式蝕刻對(duì)形成有抗蝕劑圖案RP2的Cu箔320e進(jìn)行蝕刻，并在蝕刻后除去抗蝕劑圖案RP2。由此，如圖12所示，在Cu箔320e形成通孔的一部分。而且，通過(guò)蝕刻除去Cu箔320e，并對(duì)樹(shù)脂片260e露出的部分照射激光，從而形成如圖13所示那樣的貫通Cu箔320e以及樹(shù)脂片260e的通孔。此時(shí)，也能夠使用鉆孔、溶解以及噴射等來(lái)形成通孔。然而，由于Cu箔反射激光，所以利用激光在脂片260e形成通孔，能夠抑制在Cu箔上形成額外的通孔。而且，為了除去因通孔形成而產(chǎn)生的污跡，進(jìn)行去污處理。此外，抗蝕劑圖案形成以及蝕刻中的具體的條件與對(duì)Cu箔320f進(jìn)行的情況下相同。
[0085]接下來(lái)，對(duì)通孔實(shí)施電鍍，形成將Cu箔320e和與線(xiàn)圈導(dǎo)體32f對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體圖案連接起來(lái)的通孔導(dǎo)體。在對(duì)通孔實(shí)施電鍍的工序中，首先，如圖14所示，在通孔的內(nèi)周面形成種子層50。通過(guò)以這種子層50為基礎(chǔ)來(lái)實(shí)施Cu電鍍，從而形成圖15所示那樣的將Cu箔320e和與線(xiàn)圈導(dǎo)體32f對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體圖案連接起來(lái)的通孔導(dǎo)體。此外，在本工序中所形成的通孔導(dǎo)體與通孔導(dǎo)體34e對(duì)應(yīng)。
[0086]在通孔導(dǎo)體形成后，對(duì)最上面的Cu箔進(jìn)行蝕刻來(lái)形成導(dǎo)體圖案，并在此進(jìn)一步壓接壓接有Cu箔的樹(shù)脂片，將進(jìn)行通孔以及通孔導(dǎo)體的形成這樣的上述的工序反復(fù)進(jìn)行，最后壓接樹(shù)脂片，從而圖16所示的包含線(xiàn)圈30的由非磁性體形成的線(xiàn)圈體118完成。此外，在線(xiàn)圈體118完成后，以該線(xiàn)圈體118的表面的平滑化為目的，通過(guò)拋光研磨、蝕刻、磨工、CMP(化學(xué)的機(jī)械研磨/Chemical Mechanical Polishing)等除去線(xiàn)圈體118表面的樹(shù)脂。由此，線(xiàn)圈體118中的線(xiàn)圈30的上面?zhèn)纫约跋旅鎮(zhèn)鹊姆谴判泽w層如圖17所示那樣被除去。
[0087]接下來(lái)，如圖18所示，對(duì)位于線(xiàn)圈體118的內(nèi)部的線(xiàn)圈30的內(nèi)周進(jìn)行噴砂，形成貫通孔H1。而且，利用切塊機(jī)、激光以及噴射等，如圖19所示那樣除去處于線(xiàn)圈30的外周側(cè)的樹(shù)脂。由此，非磁性體層26b?26e完成。此外，貫通孔的形成也可以使用激光、沖切等。
[0088]接下來(lái)，如圖20所示，在模具100上設(shè)置僅成為線(xiàn)圈30和非磁性體層26b?26e的線(xiàn)圈體118(以下，僅作為線(xiàn)圈體118)。而且，將含有金屬磁性體的粒子的樹(shù)脂片220a設(shè)置在線(xiàn)圈體118的上側(cè)上，并朝向下側(cè)對(duì)樹(shù)脂片220a進(jìn)行加壓。由此，線(xiàn)圈體118的上半部分埋沒(méi)到樹(shù)脂片220a中。樹(shù)脂片220a所包含的金屬磁性體的粒子的材料例如例舉出Fe — Si — Cr合金、Fe(羰基)等金屬磁性材料。另外，樹(shù)脂的主劑例舉出環(huán)氧類(lèi)的樹(shù)脂等。樹(shù)脂片220a是磁性體，之后成為電子部件10的絕緣體層22a以及磁性體層24b、24c。
[0089]接下來(lái)，如圖21所示，將上半部分埋沒(méi)到樹(shù)脂片220a中的線(xiàn)圈體118的上下反轉(zhuǎn)。而且，將含有金屬磁性體的粒子的樹(shù)脂片220b設(shè)置在上半部分埋沒(méi)到樹(shù)脂片220a中的線(xiàn)圈體118的上側(cè)，并朝向下側(cè)對(duì)樹(shù)脂片220b進(jìn)行加壓。由此，線(xiàn)圈體118的下半部分埋沒(méi)到樹(shù)脂片220b中。樹(shù)脂片220b所包含的金屬磁性體的粒子的材料例如例舉出Fe — Si — Cr合金、Fe(羰基)等金屬磁性材料。另外，樹(shù)脂的主劑例舉出環(huán)氧類(lèi)的樹(shù)脂等。樹(shù)脂片220b是磁性體，之后成為電子部件10的絕緣體層22f以及磁性體層24d?24e。之后，使用烘箱等高溫槽，例如在130?200 °C的溫度下進(jìn)行10?120分鐘的熱處理，從而母層疊體120完成。母層疊體120在z軸方向俯視時(shí)，具有多個(gè)層疊體20呈矩陣狀地排列的結(jié)構(gòu)。
[0090]接下來(lái)，如圖22所示，通過(guò)切塊機(jī)Dl將母層疊體120分割為多個(gè)層疊體20。由此，層疊體20的制成結(jié)束。
[0091 ]接下來(lái)，如圖23所示，將層疊體20矩陣狀地在平面上排列。此時(shí)，將多個(gè)層疊體20進(jìn)行配置，以便各層疊體20的下面S2朝向上側(cè)并且在相鄰的層疊體20彼此之間形成有微小間隙。在本實(shí)施方式中，沿X軸方向相鄰的兩個(gè)層疊體20之中的一方的層疊體20的端面S3與另一方的層疊體20的端面S4經(jīng)由間隙對(duì)置。而且，沿y軸方向相鄰的兩個(gè)層疊體20之中的一方的層疊體20的側(cè)面S5與另一方的層疊體20的側(cè)面S6經(jīng)由間隙對(duì)置。
[0092]接下來(lái)，在如圖23所示那樣排列多個(gè)層疊體20的狀態(tài)下，通過(guò)噴砂法對(duì)該多個(gè)層疊體20進(jìn)行研磨。具體而言，朝向矩陣狀地排列的層疊體20的下面S2(S卩，從圖23的上側(cè)朝向下側(cè))供給(噴著)研磨劑。由此，如圖24所示，對(duì)下面S2與端面S3、S4的棱線(xiàn)以及下面S2與側(cè)面S5、S6的棱線(xiàn)實(shí)施倒角。而且，研磨劑侵入端面S3與端面S4之間的間隙，對(duì)端面S3、S4進(jìn)行研磨。但是，與間隙的內(nèi)里部分相比，研磨劑更容易侵入間隙的入口部分，因此端面S3、S4的研磨量隨著從z軸方向的負(fù)方向側(cè)趨向于正方向側(cè)而變少。其結(jié)果是，隨著從z軸方向的負(fù)方向側(cè)趨向于正方向側(cè)，間隙的寬度變小。即，在一個(gè)層疊體20中，端面S3相對(duì)于z軸方向傾斜，以便隨著在z軸方向上向下面S2靠近而向端面S4靠近，端面S4相對(duì)于z軸方向傾斜，以便隨著在z軸方向上向下面S2靠近而向端面S3靠近。而且，研磨劑侵入側(cè)面S5與側(cè)面S6之間的間隙，對(duì)側(cè)面S5、S6進(jìn)行研磨。但是，與間隙的內(nèi)里部分相比，研磨劑更容易侵入間隙的入口部分，因此側(cè)面S5、S6的研磨量隨著從z軸方向的負(fù)方向側(cè)趨向于正方向側(cè)而變少。隨著從z軸方向的負(fù)方向側(cè)趨向于正方向側(cè)，間隙的寬度變小。其結(jié)果是，在一個(gè)層疊體20中，側(cè)面S5相對(duì)于z軸方向傾斜，以便隨著在z軸方向上向下面S2靠近而向側(cè)面S6靠近，側(cè)面S6相對(duì)于z軸方向傾斜，以便隨著在z軸方向上向下面S2靠近而向側(cè)面S5靠近。
[0093]接下來(lái)，如圖25所示，將在形成有外部電極40a、40b的部分具有開(kāi)口的掩模102配置在層疊體20的下面S2上。具體而言，將沿y軸方向延伸的帶狀的多個(gè)掩模102配置在沿y軸方向排列的層疊體20的各列。此時(shí)，對(duì)掩模102進(jìn)行配置，以便層疊體20的下面S2的X軸方向的兩側(cè)的短邊及其附近從掩模102露出。
[0094]接下來(lái)，如圖25所示，在矩陣狀地配置層疊體20并且配置了掩模102的狀態(tài)下，朝向?qū)盈B體20的下面S2(S卩，從圖25的上側(cè)朝向下側(cè))供給電極材料(Ti以及Cu)，并形成外部電極40a、40b的基底電極?；纂姌O的形成方法例如舉出濺射法、蒸鍍法。
[0095]這里，電極材料侵入端面S3與端面S4之間的間隙，在端面S3、S4上形成基底電極。但是，與間隙的內(nèi)里部分相比，電極材料更容易侵入間隙的入口部分，因此基底電極的膜厚隨著從Z軸方向的負(fù)方向側(cè)趨向于正方向側(cè)而變小。即，接觸部44a、44b的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大。
[0096]另外，電極材料侵入側(cè)面S5與側(cè)面S6之間的間隙，在側(cè)面S5、S6上形成基底電極。但是，與間隙的內(nèi)里部分相比，電極材料更容易侵入間隙的入口部分，因此基底電極的膜厚隨著從z軸方向的負(fù)方向側(cè)趨向于正方向側(cè)而變小。即，接觸部46a、46b、48a、48b的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大。
[0097]此后，通過(guò)滾鍍對(duì)外部電極40a、40b的基底電極的表面實(shí)施鍍Ni/Sn。通過(guò)以上工序，電子部件10完成。
[0098](效果)
[0099]根據(jù)以上那樣地構(gòu)成的電子部件10及其制造方法，能夠提高外部電極的強(qiáng)度。以下，舉外部電極40a為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0100]在電子部件10中，外部電極40a跨在端面S3與下面S2。而且，與端面S3接觸的接觸部44a的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大。由此，接觸部44a的厚度在端面S3的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊處最大。因此，在端面S3與下面S2的棱線(xiàn)處，外部電極40a變厚，夕卜部電極40a能夠獲得足夠的強(qiáng)度。此外，對(duì)于外部電極40b也可以同樣適用。
[0101]另外，在電子部件10中，能夠提高散熱性。以下，舉外部電極40a為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0102]在電子部件10中，在層疊體20內(nèi)產(chǎn)生的熱以放射狀地?cái)U(kuò)散。此時(shí)，熱的一部分在外部電極40a的接觸部44a從上側(cè)朝向下側(cè)傳導(dǎo)，向連接著外部電極40a的焊盤(pán)電極傳導(dǎo)。而且，熱在接觸部44a從上側(cè)向下側(cè)傳導(dǎo)時(shí)，放射狀地?cái)U(kuò)散。
[0103]因此，在電子部件10中，接觸部44a的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大。由此，熱在接觸部44a容易傳導(dǎo)。其結(jié)果是，電子部件10的散熱性提高。此外，對(duì)于外部電極40b也同樣適用。
[0104](其他實(shí)施方式)
[0105]本發(fā)明所涉及的電子部件及其制造方法并不局限于上述電子部件10及其制造方法，在其主旨的范圍內(nèi)可以變更。
[0106]此外，在電子部件10中，端面S3整體相對(duì)于z軸方向傾斜，但也可以是端面S3的一部分相對(duì)于z軸方向傾斜。具體而言，端面S3中的從下面S2起至沿z軸方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的區(qū)域相對(duì)于z軸方向傾斜即可，以便隨著在z軸方向上向下面S2靠近而向端面S4靠近。在該情況下，外部電極40a的接觸部44a可以覆蓋端面S3整體，也可以覆蓋端面S3中從下面S2起至沿z軸方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的區(qū)域。在將端面S3中從下面S2起至沿z軸方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的區(qū)域覆蓋的情況下，接觸部44a中與端面S3中的從下面S2起至沿z軸方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的區(qū)域接觸的部分的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大即可。此外，可以說(shuō)端面S4以及接觸部44b也與端面S4以及接觸部44a同樣。
[0107]另外，在電子部件10中，側(cè)面S5整體相對(duì)于z軸方向傾斜，但也可以是側(cè)面S5的一部分相對(duì)于z軸方向傾斜。具體而言，側(cè)面S5中的從下面S2起至沿z軸方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的區(qū)域相對(duì)于z軸方向傾斜即可，以便隨著在z軸方向上向下面S2靠近而向側(cè)面S6靠近。在該情況下，外部電極40a的接觸部46a可以到達(dá)側(cè)面S5的z軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊，也可以到達(dá)側(cè)面S5中的從下面S2起沿z軸方向離開(kāi)規(guī)定距離的地方。在到達(dá)側(cè)面S5中的從下面S2起沿z軸方向離開(kāi)規(guī)定距離的地方的情況下，接觸部46a中與側(cè)面S5中的從下面S2起至沿z軸方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的區(qū)域接觸的部分的厚度隨著在z軸方向上向下面S2靠近而變大即可。此外，可以說(shuō)側(cè)面S5以及接觸部46b、側(cè)面S6以及48a、48b也與側(cè)面S5以及接觸部44a同樣。
[0108]另外，層疊體20可以由無(wú)機(jī)氧化物(玻璃)制成。
[0109]另外，電子部件10可以通過(guò)將扁線(xiàn)卷繞為螺旋狀的線(xiàn)圈利用樹(shù)脂模制成形而制成。
[0110]此外，電子部件10具備線(xiàn)圈30，但也可以具備線(xiàn)圈以外的電路元件(例如電容、電阻等)。
[0111]此外，不需要對(duì)端面S3、S4以及側(cè)面S5、S6所有面進(jìn)行研磨，可以對(duì)上述面的至少一部分進(jìn)行研磨。
[0112]工業(yè)上的可利用性
[0113]如上所述，本發(fā)明對(duì)于電子部件及其制造方法是有用的，在能夠使外部電極的強(qiáng)度提高這一點(diǎn)上優(yōu)異。
[0114]符號(hào)說(shuō)明:
[0115]10...電子部件；12...層疊體;20...層疊體;30...線(xiàn)圈；S1...上面;S2...下面；S3、S4...端面;S5、S6...側(cè)面。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子部件，其特征在于，具備: 長(zhǎng)方體狀的坯體，具有相互對(duì)置的第一端面與第二端面、以及安裝面;和 第一外部電極，跨在所述第一端面以及所述安裝面地設(shè)置， 所述第一端面中的從所述安裝面起至沿該安裝面的法線(xiàn)方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的第一區(qū)域相對(duì)于該法線(xiàn)方向傾斜，以便隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向靠近該安裝面而向所述第二端面靠近， 所述第一外部電極中的與所述第一區(qū)域接觸的部分的厚度隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向靠近該安裝面而變大。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于， 所述坯體具有相互對(duì)置的第一側(cè)面以及第二側(cè)面， 所述第一側(cè)面中的從所述安裝面起至沿該安裝面的法線(xiàn)方向離開(kāi)所述規(guī)定距離為止之間的第二區(qū)域相對(duì)于該法線(xiàn)方向傾斜，以便隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向靠近該安裝面而向所述第二側(cè)面靠近， 所述第一外部電極跨在所述第一端面、所述第一側(cè)面以及所述安裝面地設(shè)置， 所述第一外部電極中的與所述第二區(qū)域接觸的部分的厚度隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向靠近該安裝面而變大。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其特征在于， 還具備電路元件，該電路元件設(shè)置于所述坯體，與所述第一外部電極電連接。4.一種電子部件的制造方法，其特征在于，具備: 坯體制成工序，制成具有相互對(duì)置的第一端面與第二端面、以及安裝面的長(zhǎng)方體狀的坯體； 研磨工序，對(duì)所述第一端面的至少一部分進(jìn)行研磨，由此使該第一端面中的從所述安裝面起至沿該安裝面的法線(xiàn)方向離開(kāi)規(guī)定距離為止之間的第一區(qū)域相對(duì)于該法線(xiàn)方向傾斜，以便隨著在該安裝面的法線(xiàn)方向靠近該安裝面而向所述第二端面靠近;以及 電極形成工序，朝向所述安裝面供給電極材料，由此形成跨在所述第一端面以及該安裝面的第一外部電極。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 在所述研磨工序中，在將多個(gè)所述坯體排列以便所述第一端面與所述第二端面經(jīng)由間隙對(duì)置的狀態(tài)下，通過(guò)噴砂法朝向所述安裝面供給研磨劑， 在所述電極形成工序中，在將多個(gè)所述坯體排列以便所述第一端面與所述第二端面經(jīng)由間隙對(duì)置的狀態(tài)下，朝向所述安裝面供給電極材料。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 在所述電極形成工序中，將在形成所述第一外部電極的部分具有開(kāi)口的掩模配置在所述安裝面上，供給所述電極材料。7.根據(jù)權(quán)利要求4?6中任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 在所述電極形成工序中，通過(guò)蒸鍍法或?yàn)R射法形成所述第一外部電極。
【文檔編號(hào)】H01F17/04GK105940473SQ201580006327
【公開(kāi)日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2015年1月22日
【發(fā)明人】北島正樹(shù), 佐藤芳春
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社村田制作所, 東光株式會(huì)社