專利名稱：陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術：
有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diodes,0LED)以其制備工藝簡單、成本低、發(fā)光顏色可在可見光區(qū)內(nèi)任意調(diào)節(jié)以及易于大面積和柔性彎曲等優(yōu)點，被認為是未來最重要的顯示技術之一。尤其是白光OLED (WOLED)的功率效率已經(jīng)超過了 601m/W，壽命達到了 2萬個小時以上，極大地推動了 WOLED的發(fā)展。如圖1中(a)所示，其中一種WOLED采用紅綠藍三基色摻雜成有機發(fā)光層102，使 得有機發(fā)光層102發(fā)出白光,有機發(fā)光層102位于陰極101和陽極103之間，發(fā)光層發(fā)出的白光通過陰極101反射后從陽極103的一側(cè)出射。為了提高光的透過率，增大WOLED顯示裝置的亮度，在陽極的一側(cè)，且對應彩膜上每一種顏色濾光片的區(qū)域各設有半反半透層103 ',從而形成微腔結(jié)構(gòu)(microcavity structure),如圖1中(b)所示,微腔結(jié)構(gòu)是指在一反射層和一半反半透層間形成的厚度為微米量級的結(jié)構(gòu)，其加強光的強度的原理為光線會在層中不斷反射，由于諧振作用，故最終從半反半透層射出的光線中特定波長的光會得到加強，而該得到加強的波長與微腔厚度有關。在白光有機發(fā)光二極管顯示裝置中，不同像素單元是用于發(fā)出不同顏色的光的，因此不同像素單元中的微腔應能使不同波長的光(與微腔外對應的彩膜顏色相同的光)獲得增強，即不同像素單元中的微腔厚度不同。如圖2和3所示為現(xiàn)有的兩種WOLED陣列基板的層次結(jié)構(gòu)示意圖，彩膜位于微腔結(jié)構(gòu)的外部，由上述原理可知彩膜上每種顏色對應的微腔結(jié)構(gòu)厚度不一樣，如圖2中的300和圖3中的400。由于各色光的波長不一樣，其對應的微腔結(jié)構(gòu)也不盡相同，厚度的也不同。例如圖3中，Cathode為有機發(fā)光二極管的陰極，Anode為陽極，兩者之間為發(fā)白光的有機發(fā)光層(通常采用RGB三原色的有機材料混合而成)。R、G、B及W分別代表紅光、綠光、藍光及白光的出光區(qū)域，Red CF.Green CF和Blue CF分別為彩膜上紅色、綠色及藍色的濾光片。各色光的微腔結(jié)構(gòu)都包括位于OC層(保護層)上方的IZO或ITO層,對于R、G、B,還包括SiNx及SiOx (硅的氮化物及硅的氧化物)層，對于R和B還包括除了陽極以外的IZO/ITO層，WOLED發(fā)出的白光透過上述各層后，對應色光的透過率會增大。如圖4所示，點線對應無微腔結(jié)構(gòu)時的透過率(即亮度)，實線對應有微腔結(jié)構(gòu)的透過率，對于藍光透過率大約為原來的1. 6倍，對于綠光透過率大約為原來的2. 5倍，對于紅光透過率大約為原來的2. 2倍。由圖2和圖3可看出，雖然現(xiàn)有的微腔結(jié)構(gòu)增大了光的透過率，但現(xiàn)有的微腔結(jié)構(gòu)層次結(jié)構(gòu)比較復雜，而且每個顏色的濾光片對應的區(qū)域制作不同厚度的微腔結(jié)構(gòu)，制作工藝較復雜。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術問題
本發(fā)明要解決的技術問題是如何實現(xiàn)制作工藝簡單的微腔結(jié)構(gòu)，從而增大WOLED顯示裝置的透過率。(二)技術方案為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述有機發(fā)光二極管在遠離基板的方向上依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、反射光線的第二電極；半反半透層，位于所述有機發(fā)光二極管與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間；
彩膜，位于所述有機發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層之間，且彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同；所述有機發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)。其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動薄膜晶體管；所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二漏極與所述有機發(fā)光二極管的第一電極電連接。其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上還形成有鈍化層；所述有機發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機發(fā)光二極管的第二電極為陰極，第一電極為陽極，且所述陽極通過所述鈍化層的過孔連接第二漏極，所述半反半透層形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和鈍化層之間，且位于所述像素單元的像素區(qū)域及所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏區(qū)域，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述發(fā)光二極管的陽極位于所述彩膜上方。其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上還形成有鈍化層；所述有機發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機發(fā)光二極管的第一電極為陰極，第二電極為陽極，且所述陰極通過所述鈍化層的過孔連接第二漏極，所述半反半透層形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和鈍化層之間，且位于所述像素單元的像素區(qū)域及所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏區(qū)域，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述發(fā)光二極管的陰極位于所述彩膜上方。其中，所述彩膜和所述第一電極之間還設有樹脂層，所述第一電極通過貫穿樹脂層及鈍化層的過孔連接所述第二漏極。其中，對應像素單元的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏區(qū)域的半反半透層，分別位于所述第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的下方，且所述半反半透層的圖形與所述第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的圖形一致。其中，在所述像素單元的所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對應區(qū)域，且位于所述第一電極之上還形成有像素定義層。
其中，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過率為5°/Γ95%。其中，所述半反半透層厚度為10人 200Α-其中，所述彩膜的厚度為1000 A 40000Α其中，所述彩膜包括紅綠藍、紅綠藍黃或紅綠藍白模式的彩膜。本發(fā)明還提供了一種陣列基板制作方法，包括步驟在基板上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、半反半透層及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個像素單元；在所述像素單元的像素區(qū)域形成彩膜的圖形； 在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機發(fā)光二極管，使所述彩膜位于所述有機發(fā)光二極管和所述半反半透層之間。其中，所述在基板上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、半反半透層及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個像素單元的步驟具體包括在基板上依次形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極、柵絕緣層、有源層、絕緣層及絕緣層上過孔的圖形；形成半反半透薄膜和源漏金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成半反半透層及薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏極的圖形；形成鈍化層。其中，在所述像素單元的像素區(qū)域形成彩膜的圖形的步驟具體包括形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形，且每種顏色的彩色濾光薄膜厚度不同。其中，在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機發(fā)光二極管具體包括通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層上刻蝕形成過孔；形成透明導電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成所述有機發(fā)光二極管的第一電極的圖形，使所述第一電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成絕緣薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素定義層的圖形，以將待形成的有機發(fā)光二極管的位置定義在所述像素區(qū)域；形成有機發(fā)光層； 形成所述有機發(fā)光二極管的用于反射光線的第二電極，從而形成所述有機發(fā)光二極管。其中，形成彩膜的圖形后，形成有機發(fā)光二極管之前還包括形成樹脂層。其中，在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機發(fā)光二極管具體包括通過構(gòu)圖工藝形成貫穿所述樹脂層和鈍化層的過孔；形成透明導電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成所述有機發(fā)光二極管的第一電極的圖形，使所述第一電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成絕緣薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素定義層的圖形，以將待形成的有機發(fā)光二極管的位置定義在所述像素區(qū)域；形成有機發(fā)光層；
形成所述有機發(fā)光二極管的用于反射光線的第二電極，從而形成所述有機發(fā)光二極管。其中，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過率為5°/Γ95%。其中，所述半反半透層厚度為1 οΑ 200Α,,其中，所述彩膜的厚度為1000人 40000A0本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。 (三)有益效果本發(fā)明通過在半反半透層與有機發(fā)光二極管的反射電極(陰極或陽極)之間形成微腔結(jié)構(gòu)，彩膜位于該微腔結(jié)構(gòu)內(nèi)部，不但增大了光的透過率，而且對于每個像素單元，由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，故本發(fā)明的陣列基板制備工藝簡單，成本低。


圖1中(a)是現(xiàn)有的無微腔結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光二極管示意圖，(b)是現(xiàn)有的微腔結(jié)構(gòu)原理示意圖；圖2是現(xiàn)有的一種帶有微腔結(jié)構(gòu)的WOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有的另一種帶有微腔結(jié)構(gòu)的WOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是微腔結(jié)構(gòu)對透過率的提升曲線示意圖；圖5是本發(fā)明實施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是制作圖5的陣列基板的方法流程中在基板上形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及半反半透層的示意圖；圖7是在圖6的基板基礎上形成鈍化層圖形的示意圖；圖8是在圖7的基板基礎上形成彩膜圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9在圖8的基板基礎上形成樹脂層圖形的結(jié)構(gòu)不意圖；圖10在圖9的基板基礎上形成陽極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11在圖10的基板基礎上形成像素定義層圖形的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。如圖5所示，本實施例的陣列基板包括形成在基板I上的多條柵線、數(shù)據(jù)線及柵線和數(shù)據(jù)線交叉形成的像素單元。像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及由薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，有機發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域(通常指像素單元中除薄膜晶體管以外的顯示區(qū)域)，即圖5中A區(qū)域。像素單元還包括彩膜9。有機發(fā)光二極管在遠離基板I的方向上依次包括透明的第一電極11、發(fā)光層13、反射光線的第二電極14。為了實現(xiàn)微腔結(jié)構(gòu)，本實施例陣列基板的像素單元中還包括半反半透層8。半反半透層8位于有機發(fā)光二極管與薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間。彩膜9位于有機發(fā)光二極管的第二電極14與半反半透層8之間，且彩膜9中不同顏色濾光片的厚度不同。半反半透層8和彩膜9位于所述像素單元的像素區(qū)域A。半反半透層8的一部分還位于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏極區(qū)域(該區(qū)域存在半反半透層是由于在制作過程中與源漏極采用同一次Mask形成導致的)。有機發(fā)光二極管的第二電極14與半反半透層8形成微腔結(jié)構(gòu)，其中，彩膜9位于微腔結(jié)構(gòu)內(nèi)部，具體位于有機發(fā)光二極管的第二電極14與半反半透層8之間。因此可通過控制彩膜9的厚度調(diào)節(jié)微腔厚度；由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，不需要額外對某個顏色的像素單獨制作其它層來控制厚度，故本發(fā)明的陣列基板制備工藝簡單，成本低。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)具體如圖5所示，包括形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2〗及柵線(圖中未示出柵線，由于制作工序的不同，第一源漏層6及第二源漏層6 '下方可能存在半反半透層，且該半反半透層的圖形與第一源漏層6和第二源漏層6 '的圖形一致。由于半反半透層位于第一源漏層6、第二源漏層6 '的下方，因此半反半透層也為導電材料)，形成在第一柵極2、第二柵極2 '及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的 第一有源層4和第二有源層4丨，形成在第一有源層4和第二有源層4丨之上的絕緣層5，形成在絕緣層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6 '之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣層5及第一源漏層6形成開關薄膜晶體管，第二柵極2丨、柵絕緣層3、第二有源層4丨、絕緣層5及第二源漏層6丨形成驅(qū)動薄膜晶體管。本實施例中，半反半透層8形成在絕緣層5和鈍化層7之間，彩膜9形成在鈍化層7之上。有機發(fā)光二極管位于半反半透層8和彩膜9的上方，且通過像素定義層(PixelDefine layer, PDL) 12形成在像素區(qū)域A。本實施例中，第一電極11為陽極，第二電極14為陰極(也可以是第一電極11為陰極，第二電極14為陽極)，第一電極11通過鈍化層7上的過孔連接第二漏極。第二電極14可以是由反射材料制作的反射電極，也可以是在第二電極14上涂有反射層形成反射電極。開關薄膜晶體管的柵極(第一柵極2)連接柵線，源極(第一源極)連接數(shù)據(jù)線，漏極(第一漏極)連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極(第二柵極2丨)，驅(qū)動薄膜晶體管的源極(第二源極)連接電源電壓，漏極(第二漏極)連接有機發(fā)光二極管的第一電極11。白光有機發(fā)光層13發(fā)出的白光透過第一電極11及以下的各層后從基板I底部出射，如圖5所示。當白光照射到半反半透層8后，一部分光線出射，一部分光線反射，反射的光線再經(jīng)過第二電極14反射，反射光在半反半透層8和第二電極14之間反射過程中，由于諧振作用，故最終從半反半透層8射出的光線中對應顏色波長的光會得到加強，從而增大透過率。為了增大微腔結(jié)構(gòu)的空間距離，進一步增大透過率，在彩膜9和陽極11之間還形成有樹脂層10，第一電極11通過貫穿鈍化層7和樹脂層10的過孔連接第二漏極。本實施例中，半反半透層8由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，其透過率為59Γ95% ;厚度為10人 200人。彩膜9的厚度為1000Α 40000人,彩膜9可以為紅綠藍、紅綠藍黃或紅綠藍白模式的彩膜。本發(fā)明還提供了一種制作上述陣列基板的方法，包括步驟一在基板I上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、半反半透層8及鈍化層7的圖形，以確定基板I上的多個像素單元。具體步驟如下
如圖6所示，在基板上依次形成(可以是涂敷、濺射、沉積等多種方式)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極(第一柵極2、第二柵極2 ')、柵絕緣層、有源層(第一有源層4、第二有源層4')、絕緣層5及絕緣層5上過孔的圖形。形成半反半透薄膜和源漏金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝)形成半反半透層8及薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏極(第一源漏層6、第二源漏層6 ')的圖形。半反半透薄膜由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，其厚度為I OA 200A，透過率為59Γ95%。此處通過一次構(gòu)圖工藝同時形成半反半透層8和第一源漏層6、第二源漏層6 '的圖形，顯然，第一源漏層6和第二源漏層6 '下方也存在半反半透層，且與所述第一源漏層6和第二源漏層6'的圖形一致。該步驟之后的基板如圖6所示，示出了一個像素單元的結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域為非像素區(qū)域，像素區(qū)域為Α。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括開關薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管，其中，由第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣層5及第一源漏
層6 (包括第一源極和第一漏極層)形成開關薄膜晶體管；由第二柵極2丨、柵絕緣層3、第二有源層4 ’、絕緣層5及第二源漏層6 ’ (包括第二源極和第二漏極層)形成驅(qū)動薄膜晶體管。形成鈍化層7，形成鈍化層7后的基板如圖7所示。步驟二 如圖8所示，在像素單元的像素區(qū)域A形成彩膜9的圖形，使彩膜9的不同顏色濾光片的厚度不同。該步驟具體包括彩膜9的形成是分多次(RGB為3次)形成，每一次形成一種顏色濾光片的圖形，逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜9的圖形。具體方式為在鈍化層7上形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構(gòu)圖工藝在像素區(qū)域A形成該顏色濾光片的圖形。按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜9的圖形，且在形成每一種顏色濾光片的圖形時，所形成的每種顏色的彩色濾光薄膜厚度不同，從而使得最終形成的彩膜9的不同顏色濾光片的厚度不同。優(yōu)選的，彩膜9的厚度在IOOOA 40000A之間；之所以彩膜的厚度范圍較大，是因為彩膜位于微腔結(jié)構(gòu)中，因此可通過調(diào)節(jié)彩膜的厚度而控制微腔厚度，從而使各像素單元中的微腔結(jié)構(gòu)增強與其彩膜9顏色相同的光。由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，不需要額外對某個顏色的像素單獨制作其它層來控制厚度，故本發(fā)明的陣列基板制備工藝簡單，成本低。步驟三在像素單元的像素區(qū)域A形成有機發(fā)光二極管，使彩膜9位于有機發(fā)光二極管和半反半透層8之間。該步驟具體包括如圖9所示，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層7上刻蝕形成過孔。為了增大微腔結(jié)構(gòu)的空間距離，進一步增大透過率，還可以在鈍化層7上形成樹脂層10，過孔貫穿鈍化層7和樹脂層10。如圖10所示，形成透明導電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有機發(fā)光二極管的第一電極11的圖形，使第一電極11通過過孔連接薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，具體連接驅(qū)動薄膜晶體管的漏極。如圖11所示，形成絕緣薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素定義層12的圖形，以將待形成的有機發(fā)光二極管的位置定義在像素區(qū)域A ;形成有機發(fā)光層13及有機發(fā)光二極管的第二電極14，從而形成有機發(fā)光二極管，最終形成的陣列基板如圖5所示。第二電極14為反射電極，在制作時可采用反射材料形成，或在形成第二電極14之前形成反射層，再將第二電極14形成在反射層上，或形成第二電極14，再在第二電極14上形成反射層。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為電子紙、OLED面板、OLED顯示器、OLED電視、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權利要求限定。
權利要求
1.一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，所述有機發(fā)光二極管在遠離基板的方向上依次包括透明的第一電極、 發(fā)光層、反射光線的第二電極；半反半透層，位于所述有機發(fā)光二極管與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間；彩膜，位于所述有機發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層之間，且彩膜的不同顏色濾光片的厚度不同；所述有機發(fā)光二極管的第二電極與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極， 形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關薄膜晶體管，所述第二柵極、 柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動薄膜晶體管；所述驅(qū)動薄膜晶體管的第二漏極與所述有機發(fā)光二極管的第一電極電連接。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上還形成有鈍化層；所述有機發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機發(fā)光二極管的第二電極為陰極，第一電極為陽極，且所述陽極通過所述鈍化層的過孔連接第二漏極，所述半反半透層形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和鈍化層之間，且位于所述像素單元的像素區(qū)域及所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏區(qū)域，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區(qū)域， 所述發(fā)光二極管的陽極位于所述彩膜上方。
4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上還形成有鈍化層；所述有機發(fā)光二極管形成在所述鈍化層的上方，所述有機發(fā)光二極管的第一電極為陰極，第二電極為陽極，且所述陰極通過所述鈍化層的過孔連接第二漏極，所述半反半透層形成在所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和鈍化層之間，且位于所述像素單元的像素區(qū)域及所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏區(qū)域，所述彩膜形成在所述鈍化層之上，且位于所述像素單元的像素區(qū)域， 所述發(fā)光二極管的陰極位于所述彩膜上方。
5.如權利要求3或4所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜和所述第一電極之間還設有樹脂層，所述第一電極通過貫穿樹脂層及鈍化層的過孔連接所述第二漏極。
6.如權利要求3和4所述的陣列基板，其特征在于，對應像素單元的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏區(qū)域的半反半透層，分別位于所述第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的下方， 且所述半反半透層的圖形與所述第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的圖形一致。
7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述像素單元的所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)對應區(qū)域，且位于所述第一電極之上還形成有像素定義層。
8.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過率為59Γ95%。
9.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半反半透層厚度為.10Α 200Α。
10.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜的厚度為 1000 A 40000尤
11.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜包括紅綠藍、紅綠藍黃或紅綠藍白模式的彩膜。
12.—種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟在基板上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、半反半透層及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個像素單元；在所述像素單元的像素區(qū)域形成彩膜的圖形；在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機發(fā)光二極管，使所述彩膜位于所述有機發(fā)光二極管和所述半反半透層之間。
13.如權利要求12所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述在基板上形成包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、半反半透層及鈍化層的圖形，以確定基板上的多個像素單元的步驟具體包括在基板上依次形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極、柵絕緣層、有源層、絕緣層及絕緣層上過孔的圖形；形成半反半透薄膜和源漏金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成半反半透層及薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源漏極的圖形；形成鈍化層。
14.如權利要求12所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述像素單元的像素區(qū)域形成彩膜的圖形的步驟具體包括形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構(gòu)圖工藝在所述像素區(qū)域形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形，且每種顏色的彩色濾光薄膜厚度不同。
15.如權利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機發(fā)光二極管具體包括通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層上刻蝕形成過孔；形成透明導電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成所述有機發(fā)光二極管的第一電極的圖形，使所述第一電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成絕緣薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素定義層的圖形，以將待形成的有機發(fā)光二極管的位置定義在所述像素區(qū)域；形成有機發(fā)光層；形成所述有機發(fā)光二極管的用于反射光線的第二電極，從而形成所述有機發(fā)光二極管。
16.如權利要求12所述的陣列基板制作方法，其特征在于，形成彩膜的圖形后，形成有機發(fā)光二極管之前還包括形成樹脂層。
17.如權利要求16所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述像素單元的像素區(qū)域形成有機發(fā)光二極管具體包括通過構(gòu)圖工藝形成貫穿所述樹脂層和鈍化層的過孔；形成透明導電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成所述有機發(fā)光二極管的第一電極的圖形，使所述第一電極通過所述過孔連接所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成絕緣薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素定義層的圖形，以將待形成的有機發(fā)光二極管的位置定義在所述像素區(qū)域；形成有機發(fā)光層；形成所述有機發(fā)光二極管的用于反射光線的第二電極，從而形成所述有機發(fā)光二極管。
18.如權利要求12 17中任一項所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過率為5% 95%。
19.如權利要求12 17中任一項所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述半反半透層厚度為1 οΛ 200A0
20.如權利要求12 17中任一項所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述彩膜的厚度為=IOOOA 40000A,
21.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求f 11中任一項所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，有機發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域，有機發(fā)光二極管在遠離基板的方向上依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、反射光線的第二電極；半反半透層，位于有機發(fā)光二極管與薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間；彩膜，位于有機發(fā)光二極管的第二電極與半反半透層之間；有機發(fā)光二極管的第二電極與半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)。還公開了上述陣列基板的制作方法及包括上述陣列基板的顯示裝置。本發(fā)明在陣列基板上實現(xiàn)了結(jié)構(gòu)，制作工藝簡單的微腔結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L51/52GK103000662SQ20121053756
公開日2013年3月27日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權日2012年12月12日
發(fā)明者宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請人:京東方科技集團股份有限公司