1.一種流體移動(dòng)器，包括：
具有一個(gè)或更多個(gè)出口開口的腔室；
第一流體隔膜，所述第一流體隔膜具有在所述腔室中能夠移動(dòng)以使流體在出口開口處移動(dòng)的部分；以及
所述腔室中的線圈組件，所述線圈組件鄰近所述第一流體隔膜被定位并且磁耦合至所述流體隔膜以響應(yīng)于所述線圈中的電流在所述腔室中移動(dòng)所述流體隔膜的能夠移動(dòng)的部分，所述線圈組件包括具有開口的線圈，以及所述開口中的插塞或所述線圈的外圍周圍的支撐件中的至少一個(gè)，所述支撐件被布置成在所述腔室中支撐所述線圈，
其中，所述插塞和/或所述支撐件包括具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料，并且被布置成使得由所述線圈中的電流產(chǎn)生的使所述流體隔膜運(yùn)動(dòng)的磁場(chǎng)線通過所述插塞和/或所述支撐件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞和所述支撐件，其中，所述插塞和所述支撐件各自包括具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體移動(dòng)器，其中，所述第一流體隔膜和所述線圈組件被布置成使得在所述流體隔膜運(yùn)動(dòng)期間沒有所述流體隔膜的部分進(jìn)入所述線圈的所述開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞，其中，所述插塞完全堵塞所述開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體移動(dòng)器，包括所述支撐件，其中，支撐件包括限定孔的板，所述線圈在所述孔處被所述支撐件支撐。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的流體移動(dòng)器，其中，所述支撐件在所述孔的周圍緊鄰所述線圈的外圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞，其中，所述插塞和所述支撐件各自包括具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的流體移動(dòng)器，其中，所述支撐件、所述線圈和所述插塞限定平的結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的流體移動(dòng)器，其中，所述第一流體隔膜包括電樞，所述電樞被形成為具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料的平板。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的流體移動(dòng)器，其中，所述流體隔膜是定位在所述線圈的頂部上方的第一流體隔膜，所述流體移動(dòng)器還包括定位在所述線圈的底部下方的第二流體隔膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞，其中，所述支撐件、所述線圈和所述插塞限定與所述第一流體隔膜相反的第一平表面，并且其中，所述支撐件、所述線圈和所述插塞限定與所述第二流體隔膜相反的第二平表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞，其中，所述插塞和所述支撐件各自包括具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料，并且其中，所述線圈被布置成基于所述線圈的繞組中的電流將所述第一流體隔膜和所述第二流體隔膜朝彼此移動(dòng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的流體移動(dòng)器，其中，在所述第一流體隔膜與所述線圈組件之間以及在所述第二流體隔膜與所述線圈組件之間分別存在上間隙和下間隙，并且其中，所述流體移動(dòng)器被布置成基于所述第一流體隔膜和所述第二流體隔膜的相對(duì)于所述殼體的運(yùn)動(dòng)而在所述上間隙和所述下間隙中移動(dòng)流體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈組件被布置成相對(duì)于所述腔室保持固定。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體移動(dòng)器，其中，所述流體隔膜被布置成在所述腔室中進(jìn)行振動(dòng)運(yùn)動(dòng)，其中，所述流體隔膜的一部分以0.1Hz至1kHz或更高的頻率在所述腔室中運(yùn)動(dòng)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體移動(dòng)器，其中，所述流體隔膜具有相對(duì)于所述腔室固定的外圍，并且所述線圈組件被布置成相對(duì)于所述腔室移動(dòng)所述流體隔膜的位于所述外圍內(nèi)部的部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈具有環(huán)狀形狀。
18.一種流體移動(dòng)器，包括：
具有一個(gè)或更多個(gè)出口開口的腔室；
流體隔膜，所述流體隔膜具有在所述腔室中能夠移動(dòng)以使流體在所述出口開口處移動(dòng)的部分；以及
所述腔室中的線圈組件，所述線圈組件耦合至所述流體隔膜以在所述腔室中移動(dòng)所述流體隔膜的所述部分，所述線圈組件包括具有開口的線圈，以及所述開口中的插塞或支撐件中的至少一個(gè)，所述支撐件被布置成在所述腔室中支撐所述線圈，使得所述線圈和所述插塞和/或所述支撐件限定與所述流體隔膜相反的平表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的流體移動(dòng)器，包括所述支撐件，所述支撐件被形成為具有孔的平板，所述線圈被定位在所述孔中。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈的上表面與所述支撐件的上表面位于同一平面中。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈的下表面與所述支撐件的下表面位于同一平面中。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞，其中，所述線圈的所述上表面與所述插塞的上表面位于同一平面中。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈的下表面與所述插塞的下表面位于同一平面。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞，并且其中，所述線圈、所述支撐件和所述插塞一起形成所述平表面。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的流體移動(dòng)器，其中，所述流體隔膜是定位在所述線圈的頂部上方的第一流體隔膜，所述流體移動(dòng)器還包括定位在所述線圈的底部的下方的第二流體隔膜。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞，其中，所述平表面是第一平表面，并且所述插塞和所述線圈一起限定與所述第二流體隔膜相反的第二平表面。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈被布置成響應(yīng)于所述線圈的繞組中的電流而將所述第一流體隔膜和所述第二流體隔膜朝彼此移動(dòng)。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的流體移動(dòng)器，其中，在所述第一流體隔膜和所述線圈組件之間以及在所述第二流體隔膜和所述線圈之間分別存在上間隙和下間隙，并且其中，所述流體移動(dòng)器被布置成基于所述第一流體隔膜和所述第二流體隔膜的相對(duì)于所述殼體的運(yùn)動(dòng)在所述上間隙和所述下間隙中移動(dòng)流體。
29.根據(jù)權(quán)利要求18所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈組件被布置成相對(duì)于所述腔室保持固定。
30.根據(jù)權(quán)利要求18所述的流體移動(dòng)器，其中，所述流體隔膜包括與所述線圈組件的所述平表面相反的平隔膜表面。
31.根據(jù)權(quán)利要求18所述的流體移動(dòng)器，其中，所述流體隔膜被布置成在所述腔室中進(jìn)行振動(dòng)運(yùn)動(dòng)，其中，所述流體隔膜的一部分以0.1Hz至1kHz或更高的頻率在所述腔室中運(yùn)動(dòng)。
32.根據(jù)權(quán)利要求18所述的流體移動(dòng)器，其中，所述流體隔膜具有相對(duì)于所述腔室固定的外圍，并且所述線圈組件被布置成相對(duì)于所述腔室移動(dòng)所述流體隔膜的位于所述外圍內(nèi)部的部分。
33.一種流體移動(dòng)器，包括：
具有一個(gè)或更多個(gè)出口開口的腔室；
流體隔膜，所述流體隔膜具有在所述腔室中能夠移動(dòng)以使流體在所述出口開口處移動(dòng)的部分；以及
所述腔室中的線圈組件，所述線圈組件耦合至所述流體隔膜以在所述腔室中移動(dòng)所述流體隔膜的所述部分，所述線圈組件包括具有開口的線圈，以及所述開口中的插塞或支撐件中的至少一個(gè)，所述支撐件被布置成在所述腔室中支撐所述線圈，使得所述線圈和所述插塞和/或所述支撐件限定與所述流體隔膜相反的表面，
其中，在所述線圈組件的所述表面與所述流體隔膜之間存在間隙，并且其中，所述間隙具有均勻的厚度。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的流體移動(dòng)器，其中，所述插塞和/或所述支撐件各自包括具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的流體移動(dòng)器，包括所述插塞，其中，所述插塞被形成為平板，并且所述流體移動(dòng)器包括形成為平板的板。
36.一種流體移動(dòng)器，包括：
具有一個(gè)或更多個(gè)出口開口的腔室；
流體隔膜，所述流體隔膜具有在所述腔室中能夠移動(dòng)以使流體在所述出口開口處移動(dòng)的部分；以及
所述腔室中的線圈組件，所述線圈組件耦合至所述流體隔膜以在所述腔室中移動(dòng)所述流體隔膜的所述部分，所述線圈組件包括具有開口的線圈，以及所述開口中的插塞或支撐件中的至少一個(gè)，所述支撐件被布置成在所述腔室中支撐所述線圈，其中，所述線圈和所述插塞和/或所述支撐件一起限定平的結(jié)構(gòu)。
37.一種流體移動(dòng)器，包括：
具有一個(gè)或更多個(gè)出口開口的腔室；
第一流體隔膜和第二流體隔膜，所述第一流體隔膜和所述第二流體隔膜各自具有在所述腔室中能夠移動(dòng)以使流體在所述出口開口處移動(dòng)的部分；以及
所述腔室中的線圈組件，所述線圈組件被定位在所述第一流體隔膜與所述第二流體隔膜之間并且磁耦合至所述流體隔膜以在所述腔室中移動(dòng)所述流體隔膜的能夠移動(dòng)的部分，所述線圈組件包括具有開口的線圈，以及所述線圈的所述開口中的插塞。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的流體移動(dòng)器，還包括用于所述線圈的支撐件，其中，所述支撐件限定孔，所述線圈在所述孔處被所述支撐件支撐，并且其中，所述支撐件在所述線圈的外圍周圍緊鄰所述線圈。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的流體移動(dòng)器，其中，所述支撐件包括具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈的第一上表面和所述支撐件的第二上表面限定與所述第一流體隔膜相反的平表面。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈的第二下表面和所述支撐件的第二下表面限定與所述第二流體隔膜相反的平表面。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的流體移動(dòng)器，其中，所述插塞包括具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料。
43.根據(jù)權(quán)利要求37所述的流體移動(dòng)器，其中，所述插塞包括具有大于一的相對(duì)磁導(dǎo)率的材料。
44.根據(jù)權(quán)利要求37所述的流體移動(dòng)器，其中，所述第一隔膜和所述第二隔膜各自包括第一電樞和第二電樞，所述第一電樞和所述第二電樞分別被定位在所述第一隔膜的鄰近所述線圈組件的一側(cè)和所述第二隔膜的鄰近所述線圈組件的一側(cè)。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的流體移動(dòng)器，其中，所述第一電樞和所述第二電樞各自限定與所述線圈和所述插塞相反的平表面。
46.根據(jù)權(quán)利要求45，還包括用于所述線圈的支撐件，其中，所述支撐件限定孔，所述線圈在所述孔處被所述支撐件支撐，其中，所述支撐件、所述線圈和所述插塞一起限定分別與所述第一電樞和所述第二電樞的平表面相反的第一平表面和第二平表面。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈組件被布置成響應(yīng)于所述線圈的繞組中的電流而將所述第一電樞和所述第二電樞朝彼此移動(dòng)。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的流體移動(dòng)器，其中，在所述第一電樞與所述線圈組件之間以及在所述第二電樞與所述線圈組件之間分別存在上間隙和下間隙，并且其中，所述流體移動(dòng)器被布置成基于所述第一電樞和所述第二電樞的相對(duì)于所述殼體的運(yùn)動(dòng)而在所述上間隙和所述下間隙中移動(dòng)流體。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的流體移動(dòng)器，其中，所述支撐件、所述線圈和所述插塞被布置成相對(duì)于所述腔室保持固定，并且其中，所述第一間隙和所述第二間隙通過所述支撐件中的一個(gè)或更多個(gè)孔彼此流體連通。
50.根據(jù)權(quán)利要求48所述的流體移動(dòng)器，其中，在所述第一電樞和所述第二電樞上，所述上間隙和所述下間隙的厚度是均勻的。
51.根據(jù)權(quán)利要求37所述的流體移動(dòng)器，其中，所述第一流體隔膜和所述第二流體隔膜被布置成在所述腔室中進(jìn)行振動(dòng)運(yùn)動(dòng)，其中，所述第一流體隔膜和所述第二流體隔膜以0.1Hz至1kHz或更高的頻率運(yùn)動(dòng)。
52.根據(jù)權(quán)利要求37所述的流體移動(dòng)器，其中，所述插塞具有被插塞的均勻厚度分開的、第一相反平表面和第二相反平表面。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈的厚度等于所述插塞的所述均勻厚度。
54.根據(jù)權(quán)利要求52所述的流體移動(dòng)器，其中，所述第一隔膜和所述第二隔膜各自包括第一電樞和第二電樞，所述第一電樞和所述第二電樞分別被定位在第一隔膜的鄰近所述線圈和所述插塞的一側(cè)以及第二隔膜的鄰近所述線圈和所述插塞的一側(cè)，并且其中，所述第一電樞和所述第二電樞各自被形成為厚度均勻的平板。
55.根據(jù)權(quán)利要求37所述的流體移動(dòng)器，其中，所述線圈具有環(huán)狀形狀。