一種銀改性材料的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種銀改性材料的制備方法，包括以下步驟：(1)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材；(2)電沉積，配制沉積液，該沉積液中溶質(zhì)主要包括：CuSO4·5H2O、Ag2SO4、Na2SO4和十六烷基三甲基溴化銨，以惰性石墨作為陽(yáng)極，以步驟(1)的泡沫鎳基材作為陰極，然后以恒定電流進(jìn)行電沉積，制備得到銀?銅/泡沫鎳電極，即Ag?Cu/泡沫鎳電極。本發(fā)明銀改性材料的制備方法，采用電沉積法制備Ag改性電極銀?銅/泡沫鎳電極，不但制備條件易于控制，而且Ag、Cu呈微米/納米形狀負(fù)載于泡沫鎳上，提高了原Ag電極材料的表面積，促進(jìn)了電極的電催化活性。
【專利說(shuō)明】
一種銀改性材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于環(huán)境保護(hù)與治理領(lǐng)域，具體涉及一種銀改性材料的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，溴系阻燃劑是全球消耗量最大的有機(jī)阻燃劑，溴系阻燃劑具有阻燃效果好、價(jià)格低廉及添加量少等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于降低電路板、紡織品等易燃物的可燃性。常見(jiàn)的溴系阻燃劑有四溴雙酚A、多溴聯(lián)苯醚、多溴聯(lián)苯以及六溴環(huán)十二烷。其中，四溴雙酚A合成工藝簡(jiǎn)單，阻燃效果好，是溴系阻燃劑中產(chǎn)量最大，使用最廣泛的，全球產(chǎn)量每年大約12萬(wàn)噸。但是，在生產(chǎn)四溴雙酚A的過(guò)程中，會(huì)有一定量的四溴雙酚A及其代謝產(chǎn)物釋放到環(huán)境中，由于四溴雙酸A是一種內(nèi)分泌干擾物，其在環(huán)境中的難降解性、累積性及其生物毒性，亟需尋找快速高效降解的方法。
[0003]電催化還原技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)是:無(wú)需消耗化學(xué)試劑、多功能性、高能源效率、環(huán)境兼容性以及容易控制等，使它成為污染物降解的較好選擇。在鹵代有機(jī)污染物的還原降解中也有有一定的研究基礎(chǔ)，如氯代有機(jī)物的降解。電催化還原的機(jī)理主要為:在出存在的條件下，催化金屬吸附出形成吸附態(tài)的[H]，吸附態(tài)的[H]對(duì)R-X(X = F、Cl、Br)進(jìn)行斷裂，實(shí)現(xiàn)脫鹵。Br與Cl屬于同主族元素，C-Br鍵的電負(fù)性稍弱于C-Cl鍵，電催化還原的機(jī)理是適用于溴代有機(jī)物的。在電還原降解鹵代有機(jī)物的研究中，核心是制備高催化活性及穩(wěn)定性強(qiáng)的電極。
[0004]尤其，近年來(lái)發(fā)現(xiàn)伴隨烷烴自由基和Ag單質(zhì)生成的同時(shí)還有偶聯(lián)物R-R的形成，這是有利于有機(jī)鹵代物在脫鹵過(guò)程中發(fā)生C-X的斷裂，進(jìn)而促使單質(zhì)Ag對(duì)有機(jī)鹵代物的催化還原已成為研究的熱點(diǎn)，但是由于Ag是貴金屬比較稀有，直接用Ag作為電極所需的成本較高，不利于后續(xù)的擴(kuò)大使用。
[0005]公開(kāi)于該【背景技術(shù)】部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本發(fā)明的總體背景的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種銀改性材料的制備方法，從而克服現(xiàn)有技術(shù)中銀的使用量大、外加氫氣存在潛在危險(xiǎn)的缺點(diǎn)。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種銀改性材料的制備方法，包括以下步驟:
[0008](I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材；
[0009](2)電沉積，配制沉積液，該沉積液中溶質(zhì)主要包括:CuS04.5H20、Ag2SO4、Na2SO4和十六烷基三甲基溴化銨，以惰性石墨作為陽(yáng)極，以步驟(I)的泡沫鎳基材作為陰極，然后以恒定電流進(jìn)行電沉積，制備得到銀-銅/泡沫鎳電極，即Ag-Cu/泡沫鎳電極。
[0010]優(yōu)選地，上述技術(shù)方案中，所述沉積液中，CuS04.5H20、Ag2S04、Na2S04和十六烷基三甲基溴化銨的摩爾濃度比為5-20: 0.075-0.3:10:lo
[0011]優(yōu)選地，上述技術(shù)方案中，所述步驟(2)中進(jìn)行電沉積時(shí)恒定電流為5-20mA。
[0012]優(yōu)選地，上述技術(shù)方案中，所述步驟(2)中進(jìn)行電沉積的時(shí)間為15-60min。
[0013]優(yōu)選地，上述技術(shù)方案中，所述步驟(I)中對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理為，對(duì)泡沫鎳基材進(jìn)行酸處理除去泡沫鎳基材表面氧化層，然后在乙醇中進(jìn)行超聲處理，再置入水中進(jìn)行超聲處理。
[0014]優(yōu)選地，上述技術(shù)方案中，泡沫鎳酸處理所用的酸為硫酸。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果:
[0016](I)本發(fā)明銀改性材料的制備方法，采用電沉積法制備Ag改性電極銀-銅/泡沫鎳電極，不但制備條件易于控制，而且Ag、Cu呈微米/納米形狀負(fù)載于泡沫鎳上，提高了原Ag電極材料的表面積，促進(jìn)了電極的電催化活性。制備方法簡(jiǎn)單且適用于四溴雙酸A電催化還原的Ag改性電極，降低Ag電極中銀的使用量，提高體系電催化活性，有利于四溴雙酚A電還原降解，保證電催化還原降解四溴雙酚A的快速、高效進(jìn)行，同時(shí)由于體系自主產(chǎn)氫能力增強(qiáng)，可以避免外加出時(shí)的潛在危險(xiǎn)。
[0017](2)過(guò)渡金屬Cu加入Ag中一方面增強(qiáng)了Ag電極材料的電催化活性，另一方面減少了 Ag的使用量，降低了生成成本，有利于推廣使用。
[0018](3)采用泡沫鎳為貴金屬Ag的基底材料，一方面由于泡沫鎳具有剛性強(qiáng)、呈網(wǎng)狀的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)增大了Ag改性電極的表面積，則有利于傳質(zhì)和提高了電極的電化學(xué)活性;另一方面采用Ag改性電極電催化還原降解四溴雙酚A，可以解決Ag形成的二元催化劑難回收，造成二次污染的問(wèn)題。
[0019](4)負(fù)載的微米/納米銅顆粒形成多邊形的非晶型物質(zhì)。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是未經(jīng)處理的泡沫鎳電極的SEM圖；
[0021 ]圖2是經(jīng)本發(fā)明的制備方法處理后制得Ag-Cu/泡沫鎳電極的SEM圖；
[0022]圖3是經(jīng)本發(fā)明的制備方法處理后制得Ag-Cu/泡沫鎳的EDS圖。
[0023]圖4是經(jīng)實(shí)施例1和實(shí)施例2的制備方法處理后制得Ag-Cu/泡沫鎳的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0024]圖5是經(jīng)實(shí)施例3和實(shí)施例4的制備方法處理后制得Ag-Cu/泡沫鎳的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0025]圖6是經(jīng)實(shí)施例5和實(shí)施例6的制備方法處理后制得Ag-Cu/泡沫鎳的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0026]圖7是經(jīng)實(shí)施例7和實(shí)施例8的制備方法處理后制得Ag-Cu/泡沫鎳的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)描述，但應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受【具體實(shí)施方式】的限制。
[0028]除非另有其它明確表示，否則在整個(gè)說(shuō)明書和權(quán)利要求書中，術(shù)語(yǔ)“包括”或其變換如“包含”或“包括有”等等將被理解為包括所陳述的元件或組成部分，而并未排除其它元件或其它組成部分。
[0029]實(shí)施例1
[0030]Ag-Cu/泡沫鎳電極材料的制備過(guò)程，包括以下步驟:
[0031 ] (I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材;首先，將泡沫鎳基體材料剪成3cm X5cm大小，將剪裁好的泡沫鎳基體材料置于ImoVU^H2SO4中處理5min，以除去表面的氧化層；隨后，將經(jīng)酸處理的泡沫鎳基體依次在乙醇、去離子水中超聲15min，除去表面的有機(jī)物。
[0032](2)電沉積:配制10mL電沉積液，其溶液中CuSO4.5H20、Na2S04、CTAB及Ag2SO4的摩爾濃度分別為0.015mol/L、0.01mol/L、0.00Imol/L及0.000075mol/L,以惰性石墨電極為陽(yáng)極，經(jīng)預(yù)處理的泡沫鎳基體材料為陰極，在室溫條件下，以1011^的恒電流進(jìn)行電沉301]1；[11，制備得到Ag-Cu/泡沫鎳電極。
[0033]如圖1所示為泡沫鎳基底材料的掃描電鏡圖，泡沫鎳表面光滑，是一種三維骨架結(jié)構(gòu)，具有較大的孔容。
[0034]如圖2所示為實(shí)施例1制得Ag-Cu/泡沫鎳電極的掃描電鏡圖，圖中泡沫鎳骨架上的存在了微米/納米顆粒，表明Ag、Cu微米/納米粒子均負(fù)載到其表面。
[0035]如圖3所示為本實(shí)施例1制得Ag-Cu/泡沫鎳電極的EDS圖，此圖可以表明鉑改性電極中存在0、六8、(:11、祖四種元素，貝歸03圖譜定性說(shuō)明八8、(:11已經(jīng)成功負(fù)載到48-(:11/泡沫鎳電極表面。
[0036]在四溴雙酚A初始濃度20mg/L，初始pH=3的條件下，以鉑電極為對(duì)電極、飽和甘汞電極為參比電極及Ag-Cu/泡沫鎳電極為工作電極的三電極體系情況下，測(cè)定Ag改性電極對(duì)四溴雙酚A的電催化性能。如圖4所示為本實(shí)施例1制得的Ag-Cu/泡沫鎳電極的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0037]實(shí)施例2
[0038]Ag-Cu/泡沫鎳電極材料的制備過(guò)程，包括以下步驟:
[0039](I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材;首先，將泡沫鎳基體材料剪成3cm X5cm大小，將剪裁好的泡沫鎳基體材料置于ImoVU^H2SO4中處理5min，以除去表面的氧化層；隨后，將經(jīng)酸處理的泡沫鎳基體依次在乙醇、去離子水中超聲15min，除去表面的有機(jī)物。
[0040](2)電沉積:配制10mL電沉積液，其溶液中CuSO4.5H20、Na2S04、CTAB及Ag2SO4的摩爾濃度分別為0.015mol/L、0.0lmol/L、0.00Imol/L及0.0003mol/L,以惰性石墨電極為陽(yáng)極，經(jīng)預(yù)處理的泡沫鎳基體材料為陰極，在室溫條件下，以1011^的恒電流進(jìn)行電沉301]1；[11，制備得到Ag-Cu/泡沫鎳電極。
[0041 ]在四溴雙酚A初始濃度20mg/L，初始pH= 3的條件下，以鉑電極為對(duì)電極、飽和甘汞電極為參比電極及Ag-Cu/泡沫鎳電極為工作電極的三電極體系情況下，測(cè)定Ag改性電極對(duì)四溴雙酚A的電催化性能。如圖4所示為本實(shí)施例2制得的Ag-Cu/泡沫鎳電極的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0042]由圖4可知，實(shí)例2中的峰電流密度和響應(yīng)強(qiáng)度都有所下降，這有可能銀的負(fù)載量太多，在電極表面形成了太多的氫氣，不利于溶液與電極的充分接觸，從而阻礙了反應(yīng)的進(jìn)行。
[0043]實(shí)施例3
[0044]Ag-Cu/泡沫鎳電極材料的制備過(guò)程，包括以下步驟:
[0045](I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材;首先，將泡沫鎳基體材料剪成3cm X5cm大小，將剪裁好的泡沫鎳基體材料置于ImoVU^H2SO4中處理5min，以除去表面的氧化層；隨后，將經(jīng)酸處理的泡沫鎳基體依次在乙醇、去離子水中超聲15min，除去表面的有機(jī)物。
[0046](2)電沉積:配制10mL電沉積液，其溶液中CuSO4.5H20、Na2S04、CTAB及Ag2SO4的濃度分別為0.00511101/1、0.0111101/1、0.00111101/1及0.001511101/1，以惰性石墨電極為陽(yáng)極，經(jīng)預(yù)處理的泡沫鎳基體材料為陰極，在室溫條件下，以1mA的恒電流進(jìn)行電沉30min，制備得至IjAg-Cu/泡沫鎳電極。
[0047]在四溴雙酚A初始濃度20mg/L，初始pH=3的條件下，以鉑電極為對(duì)電極、飽和甘汞電極為參比電極及Ag-Cu/泡沫鎳電極為工作電極的三電極體系情況下，測(cè)定Ag改性電極對(duì)四溴雙酚A的電催化性能。如圖5所示為本實(shí)施例3制得的Ag-Cu/泡沫鎳電極的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0048]實(shí)施例4
[0049]Ag-Cu/泡沫鎳電極材料的制備過(guò)程，包括以下步驟:
[0050](I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材;首先，將泡沫鎳基體材料剪成3cm X5cm大小，將剪裁好的泡沫鎳基體材料置于ImoVU^H2SO4中處理5min，以除去表面的氧化層；隨后，將經(jīng)酸處理的泡沫鎳基體依次在乙醇、去離子水中超聲15min，除去表面的有機(jī)物。
[0051 ] (2)電沉積:配制10mL電沉積液，其溶液中CuSO4.5H20、Na2S04、CTAB及Ag2SO4的濃度分別為0.0211101/1、0.0111101/1、0.00111101/1及0.001511101/1，以惰性石墨電極為陽(yáng)極，經(jīng)預(yù)處理的泡沫鎳基體材料為陰極，在室溫條件下，以1mA的恒電流進(jìn)行電沉30min，制備得到Ag-Cu/泡沫鎳電極。
[0052]在四溴雙酚A初始濃度20mg/L，初始pH=3的條件下，以鉑電極為對(duì)電極、飽和甘汞電極為參比電極及Ag-Cu/泡沫鎳電極為工作電極的三電極體系情況下，測(cè)定Ag改性電極對(duì)四溴雙酚A的電催化性能。如圖5所示為本實(shí)施例4制得的Ag-Cu/泡沫鎳電極的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0053]由圖5可知，實(shí)例4的峰電流密度和響應(yīng)強(qiáng)度都增大，因?yàn)殂~離子濃度的增加不但提高了溶液的導(dǎo)電性，還有銅的負(fù)載量的增加，這都是有利于電極的催化活性的提高了。
[0054]實(shí)施例5
[0055]Ag-Cu/泡沫鎳電極材料的制備過(guò)程，包括以下步驟:
[0050](I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材;首先，將泡沫鎳基體材料剪成3cmX5cm大小，將剪裁好的泡沫鎳基體材料置于ImoVU^H2SO4中處理5min，以除去表面的氧化層；隨后，將經(jīng)酸處理的泡沫鎳基體依次在乙醇、去離子水中超聲15min，除去表面的有機(jī)物。
[0057](2)電沉積:配制10mL電沉積液，其溶液中CuSO4.5H20、Na2S04、CTAB及Ag2SO4的濃度分別為 0.01511101/1、0.0111101/1、0.00111101/1及0.001511101/1，以惰性石墨電極為陽(yáng)極，經(jīng)預(yù)處理的泡沫鎳基體材料為陰極，在室溫條件下，以5mA的恒電流進(jìn)行電沉30min，制備得到Ag-Cu/泡沫鎳電極。
[0058]在四溴雙酚A初始濃度20mg/L，初始pH=3的條件下，以鉑電極為對(duì)電極、飽和甘汞電極為參比電極及Ag-Cu/泡沫鎳電極為工作電極的三電極體系情況下，測(cè)定Ag改性電極對(duì)四溴雙酚A的電催化性能。如圖6所示為本實(shí)施例5制得的Ag-Cu/泡沫鎳電極的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0059]實(shí)施例6
[0060]Ag-Cu/泡沫鎳電極材料的制備過(guò)程，包括以下步驟:
[0061 ] (I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材;首先，將泡沫鎳基體材料剪成3cm X5cm大小，將剪裁好的泡沫鎳基體材料置于ImoVU^H2SO4中處理5min，以除去表面的氧化層；隨后，將經(jīng)酸處理的泡沫鎳基體依次在乙醇、去離子水中超聲15min，除去表面的有機(jī)物。
[0062](2)電沉積:配制10mL電沉積液，其溶液中CuSO4.5H20、Na2S04、CTAB及Ag2SO4的濃度分別為0.0211101/1、0.0111101/1、0.00111101/1及0.001511101/1，以惰性石墨電極為陽(yáng)極，經(jīng)預(yù)處理的泡沫鎳基體材料為陰極，在室溫條件下，以1mA的恒電流進(jìn)行電沉30min，制備得到Ag-Cu/泡沫鎳電極。
[0063]在四溴雙酚A初始濃度20mg/L，初始pH=3的條件下，以鉑電極為對(duì)電極、飽和甘汞電極為參比電極及Ag-Cu/泡沫鎳電極為工作電極的三電極體系情況下，測(cè)定Ag改性電極對(duì)四溴雙酚A的電催化性能。如圖6所示為本實(shí)施例6制得的Ag-Cu/泡沫鎳電極的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0064]由圖6可知，實(shí)例6的峰電流密度和響應(yīng)強(qiáng)度都增大，因?yàn)橥ㄟ^(guò)沉積電流的大小可以控制沉積在電極表面的納米粒子的尺寸、形態(tài)及沉積量、晶粒尺寸、鍍層的厚度、電極表面的粗糙度、電阻率，所以沉積電流變大是有利于電極表面形成尺寸較小的顆粒，也可以增大鍍層的厚度，同時(shí)，電極表面的粗糙度也增大，這些都是有利于電極的催化活性的增加。
[0065]實(shí)施例7
[0066]Ag-Cu/泡沫鎳電極材料的制備過(guò)程，包括以下步驟:
[0067](I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材;首先，將泡沫鎳基體材料剪成3cmX5cm大小，將剪裁好的泡沫鎳基體材料置于ImoVU^H2SO4中處理5min，以除去表面的氧化層；隨后，將經(jīng)酸處理的泡沫鎳基體依次在乙醇、去離子水中超聲15min，除去表面的有機(jī)物。
[0068](2)電沉積:配制10mL電沉積液，其溶液中CuSO4.5H20、Na2S04、CTAB及Ag2SO4的濃度分別為 0.01511101/1、0.0111101/1、0.00111101/1及0.001511101/1，以惰性石墨電極為陽(yáng)極，經(jīng)預(yù)處理的泡沫鎳基體材料為陰極，在室溫條件下，以1mA的恒電流進(jìn)行電沉15min，制備得至IjAg-Cu/泡沫鎳電極。
[0069]在四溴雙酚A初始濃度20mg/L，初始pH=3的條件下，以鉑電極為對(duì)電極、飽和甘汞電極為參比電極及Ag-Cu/泡沫鎳電極為工作電極的三電極體系情況下，測(cè)定Ag改性電極對(duì)四溴雙酚A的電催化性能。如圖7所示為本實(shí)施例7制得的Ag-Cu/泡沫鎳電極的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0070]實(shí)施例8
[0071 ] Ag-Cu/泡沫鎳電極材料的制備過(guò)程，包括以下步驟:
[0072](I)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材;首先，將泡沫鎳基體材料剪成3cmX5cm大小，將剪裁好的泡沫鎳基體材料置于ImoVU^H2SO4中處理5min，以除去表面的氧化層；隨后，將經(jīng)酸處理的泡沫鎳基體依次在乙醇、去離子水中超聲15min，除去表面的有機(jī)物。
[0073](2)電沉積:配制10mL電沉積液，其溶液中CuSO4.5H20、Na2S04、CTAB及Ag2SO4的濃度分別為 0.01511101/1、0.0111101/1、0.00111101/1及0.001511101/1，以惰性石墨電極為陽(yáng)極，經(jīng)預(yù)處理的泡沫鎳基體材料為陰極，在室溫條件下，以1mA的恒電流進(jìn)行電沉60min，制備得至IjAg-Cu/泡沫鎳電極。
[0074]在四溴雙酚A初始濃度20mg/L，初始pH=3的條件下，以鉑電極為對(duì)電極、飽和甘汞電極為參比電極及Ag-Cu/泡沫鎳電極為工作電極的三電極體系情況下，測(cè)定Ag改性電極對(duì)四溴雙酚A的電催化性能。如圖7所示為本實(shí)施例8制得的Ag-Cu/泡沫鎳電極的電化學(xué)性能測(cè)試圖。
[0075]由圖7可知，實(shí)例8的峰電流密度和響應(yīng)強(qiáng)度都有所提高，因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)沉積時(shí)間可以控制沉積在電極表面的納米粒子的沉積量，所以沉積時(shí)間增大，可以增加沉積量，這樣有利于電極的催化活性提尚。
[0076]前述對(duì)本發(fā)明的具體示例性實(shí)施方案的描述是為了說(shuō)明和例證的目的。這些描述并非想將本發(fā)明限定為所公開(kāi)的精確形式，并且很顯然，根據(jù)上述教導(dǎo)，可以進(jìn)行很多改變和變化。對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行選擇和描述的目的在于解釋本發(fā)明的特定原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)并利用本發(fā)明的各種不同的示例性實(shí)施方案以及各種不同的選擇和改變。本發(fā)明的范圍意在由權(quán)利要求書及其等同形式所限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種銀改性材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理，該基材為泡沫鎳基材； (2)電沉積，配制沉積液，該沉積液中溶質(zhì)主要包括:CUS04.5H20、Ag2SO4、Na2SO4和十六烷基三甲基溴化銨，以惰性石墨作為陽(yáng)極，以步驟(I)的泡沫鎳基材作為陰極，然后以恒定電流進(jìn)行電沉積，制備得到銀-銅/泡沫鎳電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀改性材料的制備方法，其特征在于，所述沉積液中，CuSO4.5H20、Ag2S04、Na2S04和十六烷基三甲基溴化銨的摩爾濃度比為5-20: 0.075-0.3:10:1。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀改性材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中進(jìn)行電沉積時(shí)恒定電流為5-20mA。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀改性材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中進(jìn)行電沉積的時(shí)間為15_60min。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀改性材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(I)中對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理為，對(duì)泡沫鎳基材進(jìn)行酸處理除去泡沫鎳基材表面氧化層，然后在乙醇中進(jìn)行超聲處理，再置入水中進(jìn)行超聲處理。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的銀改性材料的制備方法，其特征在于，泡沫鎳酸處理所用的酸為硫酸。
【文檔編號(hào)】C25D3/56GK106086955SQ201610580925
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月21日 公開(kāi)號(hào)201610580925.7, CN 106086955 A, CN 106086955A, CN 201610580925, CN-A-106086955, CN106086955 A, CN106086955A, CN201610580925, CN201610580925.7
【發(fā)明人】喻澤斌, 黃麗蓉, 李宗宸, 呂保玉, 胡曉
【申請(qǐng)人】廣西大學(xué)