本發(fā)明涉及半導體制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電鑄掩膜板的脫模方法。

背景技術(shù)：

oled(organiclight-emittingdiode，有機電激光顯示)主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)的方法將有機物分子以薄膜的形式沉積在基層上，在沉積過程中需要用到與oled像素單元相匹配的高精度掩膜板。

高精度掩膜板的制備方法包括化學刻蝕、電鑄等。電鑄法制備掩膜板具體包括：提供基體；在基體上涂覆貼膜；對貼膜進行曝光；去除部分貼膜；在去除部分形成電鑄層，所述電鑄層為掩膜板本體；將電鑄層從基體上剝離?，F(xiàn)有技術(shù)中，將電鑄層從基體上剝離通常采用機械剝離的方法，通過機械剝離直接將電鑄層與基體、芯膜或輔助電極進行分離，從而實現(xiàn)掩膜板脫模。

但采用機械剝離的方式進行掩膜板脫模時，容易造成掩膜板損壞，導致掩膜板良率較低，且機械脫模方法耗時較長，導致掩膜板的生產(chǎn)效率較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種電鑄掩膜板的脫模方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板機械脫模過程中出現(xiàn)損壞掩膜板而導致的生產(chǎn)效率較低以及耗時較長導致的掩膜板生產(chǎn)效率較低的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種電鑄掩膜板的脫模方法，包括：

提供基材，所述基材包括透明導電基板和位于所述透明導電基板的表面且具有開口的光阻劑層；

通過電鑄工藝在所述開口內(nèi)形成電鑄層；

采用激光照射所述透明導電基板背離所述電鑄層的表面，以使所述電鑄層與所述基材初步分離；

通過脫模工藝，將所述電鑄層與所述基材分離，得到所述掩膜板。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的電鑄掩膜板的脫模方法，包括提供基材，基材包括透明導電基板和位于透明導電基板上的具有開口的光阻劑，通過電鑄工藝在開口內(nèi)形成電鑄層。利用透明導電基板的透光性，從透明導電基板背離電鑄層的表面照射激光，所述激光作用于光阻劑，由于光阻劑吸收激光的能量后，發(fā)生融化、分解或燒蝕，使得光阻劑層與電鑄層、光阻劑層與透明導電基板的接觸面的粘附力降低，實現(xiàn)光阻劑層與電鑄層、透明導電基板的初步分離；同時激光作用于電鑄層和透明導電基板，使得電鑄層與透明導電基板吸收激光的能量轉(zhuǎn)化為熱量，電鑄層與透明導電基板均受熱，由于電鑄層與透明導電基板的熱膨脹系數(shù)不同，從而使得電鑄層與透明導電基板的熱膨脹不同，實現(xiàn)電鑄層與透明導電基板的初步分離。

即本發(fā)明中通過激光從透明導電基板背離電鑄層的表面照射，同時實現(xiàn)了光阻劑、電鑄層和透明導電基板三者之間的相互的初步分離，也即通過激光從透明導電基板背離光阻劑層的一側(cè)輻照后，實現(xiàn)了電鑄層與基材之間的初步分離，使得后續(xù)采用脫模工藝進行脫模時，電鑄層更加容易與基材分離開來，從而消除了現(xiàn)有技術(shù)中直接使用機械剝離脫模過程中對掩膜板造成的損壞，尤其對掩膜板的開口部分的損壞，進而提高掩膜板的良率。而且經(jīng)過激光照射實現(xiàn)電鑄層與基材初步分離后，能夠減少后續(xù)脫模過程中的耗時，從而提高掩膜板的生產(chǎn)效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種電鑄掩膜板的脫模方法流程示意圖；

圖2-圖5為本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板脫模方法對應(yīng)的制作步驟示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種電鑄掩膜板的脫模方法流程示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的又一種電鑄掩膜板的脫模方法流程示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)有技術(shù)中直接通過機械脫模工藝將電鑄層與基體、芯膜或輔助電極分離，由于電鑄層厚度通常在5μm-15μm范圍內(nèi)，厚度較薄，且電鑄層具有大量的開口，在采用機械脫模工藝進行脫模時，容易對電鑄層造成損壞，使得掩膜板的良率較低。而且機械脫模工藝中，為了避免對電鑄層造成損壞，機械應(yīng)力不能太大，從而造成機械脫模耗時較長，掩膜板的生產(chǎn)效率較低。

基于此，本發(fā)明提供一種電鑄掩膜板的脫模方法，包括：

提供基材，所述基材包括透明導電基板和位于所述透明導電基板的表面且具有開口的光阻劑層；

通過電鑄工藝在所述開口內(nèi)形成電鑄層；

采用激光照射所述透明導電基板背離所述電鑄層的表面，以使所述電鑄層與所述基材初步分離；

通過脫模工藝，將所述電鑄層與所述基材分離，得到所述掩膜板。

本發(fā)明實施例中僅通過增加一個激光照射的步驟即可實現(xiàn)電鑄層與光阻劑層、透明導電基板的初步分離，使得后續(xù)脫模過程的時間可以縮短，從而提高掩膜板的生產(chǎn)效率；而由于激光照射實現(xiàn)初步分離過程中，激光照射為非接觸式分離，激光對電鑄層的作用力相對于現(xiàn)有技術(shù)中的機械剝離時對電鑄層的作用力小很多，從而避免了初步分離過程中對掩膜板造成機械損壞，尤其對掩膜板上的開口造成機械損壞，而且由于初步分離，減小了電鑄層與基材之間的粘附力，從而能夠消除現(xiàn)有技術(shù)中直接使用機械剝離脫模過程中對掩膜板造成的損壞，進而提高了掩膜板的良率。

進一步地，本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板脫模方法，在現(xiàn)有技術(shù)脫模方法基礎(chǔ)上僅增加了激光照射的步驟，相對于在電鑄層和基材之間增加設(shè)置中間層，脫模時通過去除中間層實現(xiàn)電鑄層和基材的徹底分離，得到掩膜板；或脫模時通過分離電鑄層與中間層實現(xiàn)電鑄層與基材的徹底分離，得到掩膜板的脫模方法，本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板脫模方法的工藝更加簡單。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參見圖1，圖1為本發(fā)明實施例提供的一種電鑄掩膜板的脫模方法流程圖；所述電鑄掩膜板的脫模方法具體包括：

s01、提供基材，所述基材包括透明導電基板和位于所述透明導電基板的表面且具有開口的光阻劑層；

具體地，參見圖2，基材1包括透明導電基板11和位于透明導電基板11表面的光阻劑層12。本實施例中光阻劑層12上具有開口121，開口121的大小和形狀根據(jù)實際需求來確定，開口121與后續(xù)形成的掩膜板的非開口區(qū)對應(yīng)，而所述光阻劑層非開口區(qū)與所述掩膜板上的開口區(qū)對應(yīng)。因此，本實施例中根據(jù)顯示裝置的像素材料蒸鍍時所需的蒸鍍孔的大小及形狀設(shè)計開口121的大小及形狀，使得開口對應(yīng)所需得到的掩膜板中除蒸鍍孔外的位置。

需要說明的是，本實施例中光阻劑層的材料為在激光作用下容易分解、融化或燒蝕的高聚合物，可選的，所述光阻劑可選為光刻膠，具體的，所述光阻劑可選為光敏性聚酰亞胺。為了提高光阻劑層對激光的吸收，本發(fā)明實施例中還可以在光阻劑中加入碳納米粒子或染料，以調(diào)整光阻劑的吸收系數(shù)，從而使得光阻劑層分解、融化或燒蝕。

本實施例中可選的，所述碳納米粒子包括炭黑、石墨烯和碳納米管等，加入到光阻劑層中的碳納米粒子的量，本實施例中不做限定，可以依據(jù)光阻劑層的吸收系數(shù)進行調(diào)整。另外，光阻劑層中還可以加入染料，所述染料的選取，本實施例中也不進行限定，根據(jù)后續(xù)采用的激光的波長而選擇，當激光為紅外激光時，染料可選為吸收紅外光較強的染料，當激光為紫外激光時，染料可選為吸收紫外光較強的染料，從而通過加入染料，增加光阻劑層對激光能量的吸收，進而加速光阻劑層的融化、分解或燒蝕。

另外，本實施例中不限定透明導電基板11的具體形式，可選為掩膜板制作過程中的基體、芯膜或輔助電極。需要說明的是，為了能夠滿足后續(xù)電鑄或輔助電極沉積等方法制作電鑄層時，對基材導電性的要求，本實施例中的基板為透明導電基板，透明導電基板為透光率較高且具有電傳導特性的基板，本實施例中對透明導電基板11的材質(zhì)不做限定，可選的，透明導電基板11由導電玻璃材料制作形成，例如氧化銦錫(ito)玻璃或者摻雜氟的二氧化錫(fto)玻璃。

s02、通過電鑄工藝在所述開口內(nèi)形成電鑄層；

請參見圖3，圖3為在基材上制作電鑄層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中電鑄層13也即后續(xù)掩膜板的非開口區(qū)，即電鑄層為后續(xù)脫模后形成的掩膜板的本體。電鑄層13形成在光阻劑的開口121內(nèi)，光阻劑層12的非開口區(qū)對應(yīng)后續(xù)形成的掩膜板的開口區(qū)。本實施例中電鑄層13的厚度為5μm-15μm，包括端點值，從而使得到的掩膜板的厚度較小，以滿足高像素顯示屏的要求，同時也可以使得到的掩膜板具有較好的剛性。

本實施例中不限定電鑄層的材料，所述電鑄層可以為純鎳或鎳鐵合金。其中，本實施例中不限定鐵鎳合金的具體種類，可選為因瓦合金。因瓦合金具有較低的熱膨脹系數(shù)及較好的塑性及韌性。

s03、采用激光照射所述透明導電基板背離所述電鑄層的表面，以使所述電鑄層與所述基材初步分離；

如圖4所示，本實施例中采用激光從透明導電基板11背離電鑄層13的一側(cè)照射，也即采用激光照射透明導電基板11背離電鑄層13的表面，由于透明導電基板11具有光學透明特性，激光可以透過透明導電基板11同時被光阻劑層12和電鑄層13吸收。

需要說明的是，本發(fā)明實施例中通過激光照射，同時實現(xiàn)電鑄層與基材中的透明導電基板初步分離，以及電鑄層與基材中的光阻劑層初步分離。

具體地，通過激光照射，使得電鑄層與基材初步分離的原理包括以下兩個方面：

1)本實施例中光阻劑層中的聚合物高分子化學鍵在激光輻照下，吸收光子能量，使得光阻劑融化、分解或者燒蝕，從而實現(xiàn)電鑄層與基材的初步分離。

激光使光阻劑層融化或分解的機理在于：紅外激光輻照，使光阻劑中的高分子的偶極子轉(zhuǎn)向極化，偶極子的極化電場矢量落后于電磁場振動周期，導致產(chǎn)生與激光電磁場振動周期相同的交變電流，引發(fā)高分子內(nèi)部電場的功率耗散，從而將激光電磁場能量轉(zhuǎn)變成高分子內(nèi)部熱能，隨著激光輻照時間增加，光阻劑溫度迅速提高，直至光阻劑發(fā)生融化或分解。

激光使光阻劑層分解或燒蝕的機理在于：紫外激光或x射線輻照，使光阻劑中的高分子的化學鍵吸收光子能量發(fā)生斷裂，形成分子自由基團或小分子化合物而降解，甚至以氣體形態(tài)從材料中逃逸出來。

需要說明的是，本實施例中不限定激光的波長，所述激光可以是紅外波段的激光、紫外波段的激光或者x射線波段的激光。本實施例中根據(jù)光阻劑的材料不同、激光照射時間等參數(shù)選擇不同波長的激光。

2)本實施例中電鑄層與透明導電基板為不同的物質(zhì)，具有不同的熱膨脹系數(shù)，在激光的輻照下，吸收光子能量轉(zhuǎn)化為熱能，從而產(chǎn)生不同的熱膨脹，使得電鑄層與透明導電基板初步分離。

具體的，激光從透明導電基板背離電鑄層的一側(cè)照射，使得透明導電基板和電鑄層同時受熱，由于電鑄層為金屬層，金屬層的熱膨脹系數(shù)為10^-6μm/m.k數(shù)量級；而透明導電基板為玻璃，玻璃的熱膨脹系數(shù)為10^-5μm/m.k數(shù)量級，兩者熱膨脹系數(shù)差異較大，從而在激光的照射下，吸收熱量，膨脹不同，促進電鑄層和透明導電基板初步分離。

由于本實施例中采用激光照射一個步驟，需要實現(xiàn)電鑄層與基材的初步分離，包括電鑄層與透明導電基板、電鑄層與光阻劑層的分離，因此，本實施例中限定激光照射的方向如圖4所示，為從透明導電基板背離電鑄層的一側(cè)照射。

s04、通過脫模工藝，將所述電鑄層與所述基材分離，得到所述掩膜板。

如圖5所示，通過脫模工藝將電鑄層從基材上分離下來，得到帶有開口的掩膜板14。由于電鑄層與光阻劑、透明導電基板之間已經(jīng)初步分離，采用脫模工藝進行分離時，能夠相對容易地，將電鑄層從基材上剝離下來，從而減少了脫模的時間，提高了掩膜板的生產(chǎn)效率。而且由于電鑄層與基材已經(jīng)通過激光照射實現(xiàn)初步分離，激光照射為非接觸式分離，激光對電鑄層的作用力相對于現(xiàn)有技術(shù)中的機械剝離時對電鑄層的作用力小很多，從而避免了對掩膜板造成機械損壞，尤其對掩膜板上的開口造成機械損壞，提高了掩膜板的良率。

需要說明的是，本實施例中不限定所述脫模工藝的具體工藝，可選的，所述脫模工藝為機械剝離工藝或者超聲剝離工藝。由于機械剝離工藝和超聲剝離工藝的作用力不同，因此，具體選擇機械剝離工藝還是超聲剝離工藝，可以依據(jù)激光實現(xiàn)初步分離的程度進行選擇，例如，激光初步分離的程度較大，使得電鑄層與光阻劑層和透明導電基板之間的粘附力較小，可以優(yōu)選超聲剝離工藝進行掩膜板脫模；激光初步分離的程度較小，電鑄層與光阻劑層和透明導電基板之間的粘附力相對較大，可以優(yōu)選機械剝離工藝進行掩膜板脫模。

需要重點說明的是，本實施例中超聲剝離工藝具體包括：

調(diào)整超聲參數(shù)，包括超聲頻率和超聲時間；

提供超聲液；

將形成有電鑄層的基材放置在所述超聲液中進行超聲分離，得到所述掩膜板。

其中，可選地，超聲頻率為2khz，超聲時間為60s，超聲液可選為鄰苯二甲酸二甲酯(dmp)或二甲基甲酰胺(dmf)，濃度為0.1mol/l～0.2mol/l。需要說明的是，本實施例中進行超聲剝離后還可以包括檢測步驟，檢測超聲剝離工藝后的電鑄層與基材的分離程度，若電鑄層與基材未徹底分離，可再次進行超聲剝離，而后再檢測，循環(huán)多次超聲剝離步驟和檢測步驟，直至電鑄層與基材徹底分離，得到掩膜板為止。

綜上可以看出，本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板的脫模方法，包括提供基材，所述基材包括透明導電基板和位于所述透明導電基板的表面且具有開口的光阻劑層；通過電鑄工藝在所述開口內(nèi)形成電鑄層；采用激光照射所述透明導電基板背離所述電鑄層的表面，以使所述電鑄層與所述基材初步分離；通過脫模工藝，將所述電鑄層與所述基材分離，得到所述掩膜板。本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板的脫模方法，利用透明導電基板的透光性，從透明導電基板背離電鑄層的表面照射激光，所述激光作用于光阻劑，由于光阻劑吸收激光的能量后，發(fā)生融化、分解或燒蝕，使得光阻劑層與電鑄層、光阻劑層與透明導電基板的接觸面的粘附力降低，實現(xiàn)光阻劑層與電鑄層、透明導電基板的初步分離；同時激光作用于電鑄層和透明導電基板，使得電鑄層與透明導電基板吸收激光的能量轉(zhuǎn)化為熱量，電鑄層與透明導電基板均受熱，由于電鑄層與透明導電基板的熱膨脹系數(shù)不同，從而使得電鑄層與透明導電基板的熱膨脹不同，實現(xiàn)電鑄層與透明導電基板的初步分離。

本發(fā)明實施例中僅通過增加一個激光照射的步驟即可實現(xiàn)電鑄層與光阻劑層、透明導電基板的初步分離，使得后續(xù)脫模過程的時間可以縮短，從而提高掩膜板的生產(chǎn)效率；而由于激光照射實現(xiàn)初步分離過程中，激光照射為非接觸式分離，激光對電鑄層的作用力相對于現(xiàn)有技術(shù)中的機械剝離時對電鑄層的作用力小很多，從而避免了初步分離過程中對掩膜板造成機械損壞，尤其對掩膜板上的開口造成機械損壞，而且由于初步分離，減小了電鑄層與基材之間的粘附力，從而能夠消除現(xiàn)有技術(shù)中直接使用機械剝離脫模過程中對掩膜板造成的損壞，進而提高了掩膜板的良率。

進一步地，本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板脫模方法，在現(xiàn)有技術(shù)脫模方法基礎(chǔ)上僅增加了激光照射的步驟，相對于在電鑄層和基材之間增加設(shè)置中間層，脫模時通過去除中間層實現(xiàn)電鑄層和基材的徹底分離，得到掩膜板；或脫模時通過分離電鑄層與中間層實現(xiàn)電鑄層與基材的徹底分離，得到掩膜板的脫模方法，本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板脫模方法的工藝更加簡單。

另外，需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中的基板為不銹鋼基板或金屬基板，與電鑄層之間的結(jié)合力為金屬與金屬之間的結(jié)合力，物質(zhì)屬性相同，結(jié)合力較強，本發(fā)明中的透明導電基板為非金屬，與電鑄層之間的結(jié)合力為非金屬與金屬之間的結(jié)合力，物質(zhì)屬性不同，結(jié)合力相對較弱。發(fā)明人按照中國國家標準gb5210-85《涂層附著力的測定法拉開法》規(guī)定的方法分別測量了不銹鋼基板與電鑄層的附著力以及玻璃與電鑄層的附著力；測試結(jié)果表明：不銹鋼基板與電鑄層之間的附著力在9mpa～13mpa，玻璃與電鑄層的附著力在3mpa～5mpa，說明玻璃與電鑄層的附著力遠小于金屬基板與電鑄層的附著力。因此，本發(fā)明提供的電鑄掩膜板脫模方法中，將電鑄層與透明導電基板分離時，需要的作用力更弱，電鑄掩膜板脫模分離更加容易。

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明的電鑄掩膜板脫模方法做進一步說明。

如圖6所示，本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板脫模方法包括如下流程：

s101、提供基材，所述基材包括透明導電基板和位于所述透明導電基板的表面且具有開口的光阻劑層；

本實施例中基材包括透明導電基板和位于透明導電基板上的光阻劑層，所述光阻劑上具有多個開口。

由于ito具有導電性和高透過率，本實施例中可選的，所述透明導電基板為ito玻璃基板。透明導電基板可選為掩膜板制作過程中的基體、芯膜或輔助電極等，本實施例中對此不做限定。為了提高光阻劑層對激光的吸收，本發(fā)明實施例中還可以在光阻劑中加入碳納米粒子或染料，以調(diào)整光阻劑的吸收系數(shù)，從而使得光阻劑層分解、融化或燒蝕。

s102、通過電鑄工藝在所述開口內(nèi)形成電鑄層；

本實施例中掩膜板的制作方式為電鑄形成，因此采用電鑄工藝在光阻劑層的開口中形成電鑄層。為了滿足高像素顯示屏的要求，本實施例中可選的電鑄層的厚度為5μm-15μm，包括端點值，從而使得到的掩膜板的厚度較小，同時也可以使得到的掩膜板具有較好的剛性。

本實施例中不限定電鑄層的材料，所述電鑄層可以為純鎳或鎳鐵合金。其中，本實施例中不限定鐵鎳合金的具體種類，可選為因瓦合金。因瓦合金具有較低的熱膨脹系數(shù)及較好的塑性及韌性。

s103、采用波長為100nm～400nm的紫外激光從ito玻璃基板背離光阻劑層的一側(cè)進行輻照；

本實施例中采用波長為100nm～400nm的紫外激光從ito玻璃基板背離光阻劑層的一側(cè)進行輻照，通過對激光波長、光阻劑吸收系數(shù)和激光輻照時間的調(diào)控使得光阻劑層的高分子化學鍵吸收光子能量發(fā)生斷裂，形成分子自由基團或小分子化合物而分解，并且以氣體形態(tài)從材料中逃逸出來，實現(xiàn)電鑄層與基材的初步分離。

另外，由于電鑄層與透明導電基板為不同的物質(zhì)，具有不同的熱膨脹系數(shù)，在激光的輻照下，吸收光子能量轉(zhuǎn)化為熱能，從而產(chǎn)生不同的熱膨脹，使得電鑄層與透明導電基板在激光照射下能夠初步分離。

s104、通過超聲剝離方式實現(xiàn)電鑄層與基材的徹底分離。

由于光阻劑層在紫外激光的照射下發(fā)生分解，光阻劑分解后電鑄層與光阻劑層之間的粘附力較弱，可以采用剝離力較弱的超聲剝離。

其中，超聲剝離工藝具體包括：

調(diào)整超聲參數(shù)，包括超聲頻率和超聲時間；

提供超聲液；

將形成有電鑄層的基材放置在所述超聲液中進行超聲分離，得到所述掩膜板。

其中，可選地，超聲頻率為2khz，超聲時間為60s，超聲液可選為鄰苯二甲酸二甲酯(dmp)或二甲基甲酰胺(dmf)，濃度為0.1mol/l～0.2mol/l。需要說明的是，本實施例中進行超聲剝離后還可以包括檢測步驟，檢測超聲剝離工藝后的電鑄層與基材的分離程度，若電鑄層與基材未徹底分離，可再次進行超聲剝離，而后再檢測，循環(huán)多次超聲剝離步驟和檢測步驟，直至電鑄層與基材徹底分離，得到掩膜板為止。

本實施例中采用紫外激光從ito玻璃基板背離電鑄層的一側(cè)照射基材和電鑄層，使得電鑄層與基材進行初步分離，進而為后續(xù)脫模工藝提供初步分離的基礎(chǔ)，能夠縮短脫模工藝的時間，另外，透明導電基板為非金屬，與電鑄層之間的結(jié)合力為非金屬與金屬之間的結(jié)合力，物質(zhì)屬性不同，結(jié)合力相對現(xiàn)有技術(shù)中的金屬基板或不銹鋼基板與電鑄層的金屬與金屬之間的結(jié)合力較弱，也能夠縮短脫模工藝的時間，提高掩膜板的生產(chǎn)效率。

由于光阻劑層在紫外激光照射下分解，電鑄層與光阻劑層之間的粘附力較弱，可以采用剝離力較弱的超聲剝離。超聲剝離相對于機械剝離的作用力較弱，采用超聲剝離工藝代替機械剝離工藝實現(xiàn)掩膜板的脫模，能夠消除機械剝離脫模過程中對掩膜板造成的損壞，進而提高了掩膜板的良率。

如圖7所示，本發(fā)明實施例提供的電鑄掩膜板脫模方法包括如下流程：

s201、提供基材，所述基材包括透明導電基板和位于所述透明導電基板的表面且具有開口的光阻劑層；

本實施例中基材包括透明導電基板和位于透明導電基板上的光阻劑層，所述光阻劑上具有多個開口。

由于ito具有導電性和高透過率，本實施例中可選的，所述透明導電基板為ito玻璃基板。透明導電基板可選為掩膜板制作過程中的基體、芯膜或輔助電極等，本實施例中對此不做限定。為了提高光阻劑層對激光的吸收，本發(fā)明實施例中還可以在光阻劑中加入碳納米粒子或染料，以調(diào)整光阻劑的吸收系數(shù)，從而使得光阻劑層分解、融化或燒蝕。

s202、通過電鑄工藝在所述開口內(nèi)形成電鑄層；

本實施例中掩膜板的制作方式為電鑄形成，因此采用電鑄工藝在光阻劑層的開口中形成電鑄層。為了滿足高像素顯示屏的要求，本實施例中可選的電鑄層的厚度為5μm-15μm，包括端點值，從而使得到的掩膜板的厚度較小，同時也可以使得到的掩膜板具有較好的剛性。

本實施例中不限定電鑄層的材料，所述電鑄層可以為純鎳或鎳鐵合金。其中，本實施例中不限定鐵鎳合金的具體種類，可選為因瓦合金。因瓦合金具有較低的熱膨脹系數(shù)及較好的塑性及韌性。

s203、采用波長為750nm～2000nm的近紅外激光從ito玻璃基板背離光阻劑層的一側(cè)進行輻照；

本實施例中采用波長為750nm～2000nm的近紅外激光從ito玻璃基板背離光阻劑層的一側(cè)進行輻照，通過對激光波長、光阻劑吸收系數(shù)和激光輻照時間的調(diào)控使得光阻劑層發(fā)生融化，實現(xiàn)掩膜板與基體初步分離。

另外，由于電鑄層與透明導電基板為不同的物質(zhì)，具有不同的熱膨脹系數(shù)，在激光的輻照下，吸收光子能量轉(zhuǎn)化為熱能，從而產(chǎn)生不同的熱膨脹，使得電鑄層與透明導電基板在激光照射下能夠初步分離。

s204、通過機械剝離方式實現(xiàn)電鑄層與基材的徹底分離。

由于光阻劑層在近紅外激光的照射下發(fā)生融化，光阻劑融化后電鑄層與光阻劑層之間的粘附力相對較強，因此，本實施例中可選的，采用剝離力較強的機械剝離工藝實現(xiàn)電鑄層與基材的徹底分離。

本實施例中采用近紅外激光從ito玻璃基板背離電鑄層的一側(cè)照射基材和電鑄層，使得電鑄層與基材進行初步分離，進而為后續(xù)脫模工藝提供初步分離的基礎(chǔ)，能夠縮短脫模工藝的時間，另外，透明導電基板為非金屬，與電鑄層之間的結(jié)合力為非金屬與金屬之間的結(jié)合力，物質(zhì)屬性不同，結(jié)合力相對現(xiàn)有技術(shù)中的金屬基板或不銹鋼基板與電鑄層的金屬與金屬之間的結(jié)合力較弱，也能夠縮短脫模工藝的時間，提高掩膜板的生產(chǎn)效率。

而且采用激光照射進行初步分離，激光對電鑄層的作用力相對于現(xiàn)有技術(shù)中的機械剝離時對電鑄層的作用力小很多，從而避免了初步分離過程中對掩膜板造成機械損壞，尤其對掩膜板上的開口造成機械損壞，而且由于初步分離，減小了電鑄層與基材之間的粘附力，能夠消除現(xiàn)有技術(shù)中直接使用機械剝離脫模過程中對掩膜板造成的損壞，進而提高了掩膜板的良率。

需要說明的是，本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。