1.一種電子裝置外殼的加工方法，其特征在于，包括：
提供一金屬基材；
對(duì)所述金屬基材進(jìn)行陽極氧化處理，以在所述金屬基材的表面上形成陽極氧化膜，所述陽極氧化膜具有多個(gè)膜孔；
對(duì)所述金屬基材進(jìn)行染色處理，以在所述陽極氧化膜的多個(gè)膜孔中填入夜光材料和染料；
對(duì)所述金屬基材進(jìn)行封孔處理。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置外殼的加工方法，其特征在于，對(duì)所述金屬基材進(jìn)行染色處理的步驟，具體包括：
將所述金屬基材浸入含有夜光材料的溶液中；
將所述金屬基材浸入染料溶液中，從而所述夜光材料位于所述膜孔的底部，所述染料位于所述膜孔的頂部。
3.如權(quán)利要求1所述的電子裝置外殼的加工方法，其特征在于，對(duì)所述金屬基材進(jìn)行染色處理的步驟，具體包括：
將夜光材料與染料混合后制成溶液；
將所述金屬基材浸入所述混合后的溶液中。
4.如權(quán)利要求1所述的電子裝置外殼的加工方法，其特征在于，在對(duì)所述金屬基材進(jìn)行陽極氧化處理之前，首先對(duì)所述金屬基材進(jìn)行陽極前預(yù)處理，所述陽極前預(yù)處理包括去脂、堿咬或化學(xué)拋光中的一種或多種。
5.如權(quán)利要求1所述的電子裝置外殼的加工方法，其特征在于，采用直流電流對(duì)所述金屬基材進(jìn)行陽極氧化處理。
6.如權(quán)利要求1所述的電子裝置外殼的加工方法，其特征在于，在對(duì)所述金屬基材進(jìn)行陽極氧化處理的步驟中，所述陽極氧化處理的電壓小于或等于16伏特，所述陽極氧化膜的厚度小于或等于20微米。
7.如權(quán)利要求1所述的電子裝置外殼的加工方法，其特征在于，在對(duì)所述金屬基材進(jìn)行封孔處理后，還包括：
對(duì)所述金屬基材進(jìn)行高光處理；
對(duì)所述金屬基材進(jìn)行第二次陽極氧化處理。
8.如權(quán)利要求7所述的電子裝置外殼的加工方法，其特征在于，在對(duì)所述金屬基材進(jìn)行第二次陽極氧化處理之后，還包括：
對(duì)所述金屬基材進(jìn)行第二次染色處理；
對(duì)所述金屬基材進(jìn)行第二次封孔處理。
9.一種電子裝置外殼，包括金屬基材及設(shè)于所述金屬基材表面的陽極氧化膜，所述陽極氧化膜包括多個(gè)膜孔，所述多個(gè)膜孔中分別填充有夜光材料與染料。
10.一種電子裝置，包括電子裝置外殼，所述電子裝置外殼包括金屬基材及設(shè)于所述金屬基材表面的陽極氧化膜，所述陽極氧化膜包括多個(gè)膜孔，所述多個(gè)膜孔中分別填充有夜光材料與染料。