技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種于凹入結(jié)構(gòu)內(nèi)電鍍金屬的方法及位于凹入結(jié)構(gòu)內(nèi)的電鍍層。于凹入結(jié)構(gòu)內(nèi)電鍍金屬的方法，包含使凹入結(jié)構(gòu)的表面接觸包含金屬離子、加速劑、抑制劑與整平劑的電鍍?nèi)芤?，其中凹入結(jié)構(gòu)具有至少二個(gè)伸長區(qū)域及一個(gè)交界區(qū)域側(cè)向位于此二個(gè)伸長區(qū)域之間，且加速劑：抑制劑：整平劑的摩爾濃度比為(8?15)：(1.5?3)：(0.5?2)；電鍍金屬，以形成電鍍層于凹入結(jié)構(gòu)內(nèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：粘耀仁;吳鈞儒;張簡旭珂;彭郁仁;洪奇成;王喻生
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.24
技術(shù)公布日：2017.07.25