本發(fā)明涉及一種鍍覆裝置、鍍覆方法、及基板保持器。

背景技術(shù)：

一直以來，在設(shè)于半導(dǎo)體晶圓等基板表面的細(xì)微配線用槽、孔或抗蝕層開口部形成配線，或是在基板表面形成與封裝電極等電連接的凸塊(突起狀電極)。作為形成該配線及凸塊的方法，例如已知有電解鍍覆法、蒸鍍法、印刷法、球凸塊法等。伴隨半導(dǎo)體晶片的I/O數(shù)增加及窄間距化，多采用可細(xì)微化且性能比較穩(wěn)定的電解鍍覆法。

以電解鍍覆法形成配線或凸塊時(shí)，在設(shè)于基板上的配線用槽、孔、或抗蝕層開口部的屏蔽金屬表面形成低電阻種晶層(供電層)。而在該種晶層表面生長鍍覆膜。

一般而言，鍍覆的基板在其周緣部具有電接點(diǎn)。因而，對(duì)應(yīng)于鍍覆液的電阻值與從基板中央部至電接點(diǎn)的種晶層的電阻值的合成電阻的電流流至基板中央部。另外，大致對(duì)應(yīng)于鍍覆液的電阻值的電流流至基板周緣部(電接點(diǎn)附近)。也即，從基板中央部至電接點(diǎn)的種晶層的電阻值部分的電流不易流至基板中央部。電流集中于基板周緣部的現(xiàn)象稱為終端效應(yīng)(terminal effect)。

另外，以電解鍍覆法鍍覆的基板的形狀，已知為圓形基板、或四邊形基板(例如參照專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2)。

在圓形基板中，從圓形基板中央部至基板周緣部的距離在基板全周相同。因而，鍍覆于圓形基板時(shí)的終端效應(yīng)，在基板全部周圍大致同樣地產(chǎn)生。因此，對(duì)圓形基板鍍覆時(shí)，在基板中心部的鍍覆速度比基板周緣部低，且在基板中心部的鍍覆膜的膜厚比在基板周緣部的鍍覆膜薄。一直以來，為了抑制因終端效應(yīng)造成膜厚的面內(nèi)均勻性降低，從圓形基板周緣部均等地供給電流，并使用例如專利文獻(xiàn)3所公開的調(diào)整板，來調(diào)節(jié)施加于圓形基板的電場(chǎng)。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平09-125294號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特公平03-029876號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2005-029863號(hào)公報(bào)

發(fā)明所要解決的課題

但是，在多邊形基板中，從多邊形基板中央部至多邊形基板周緣部的距離根據(jù)位置而異。也即，多邊形基板的邊的中央部(頂點(diǎn)間的中央部)距基板中心部的距離比較短，而多邊形基板的頂點(diǎn)附近距基板中心部的距離比較長。因而，鍍覆于多邊形基板時(shí)的終端效應(yīng)在基板全部周圍不均勻地產(chǎn)生。

本發(fā)明人研究多邊形基板的鍍覆方法及鍍覆裝置時(shí)，研究了伴隨電解鍍覆的進(jìn)展而電流密度分布在多邊形基板上的變化。圖21A至圖21D為表示鍍覆于多邊形基板的一例的四邊形基板時(shí)，伴隨鍍覆的進(jìn)展的電流密度分布變化的概略圖。圖21A表示鍍覆初期四邊形基板的電流密度分布。如圖21A所示，由于四邊形基板S1的中心部C1因終端效應(yīng)其電阻值比周緣部高，因此電流密度最小。在圖21A所示的階段中，由于四邊形基板S1的邊中央?yún)^(qū)域A1距四邊形基板S1的中心部C1的距離比較短，因此在邊中央?yún)^(qū)域A1的電阻值比角部區(qū)域A2低。因而，在邊中央?yún)^(qū)域A1電場(chǎng)比較集中而電流密度高。另外，四邊形基板S1頂點(diǎn)附近的角部區(qū)域A2及位于邊中央?yún)^(qū)域A1與角部區(qū)域A2之間的中間區(qū)域A3，由于距中心部C1的距離比邊中央?yún)^(qū)域A1長，因此電阻值比邊中央?yún)^(qū)域A1高。因而，在圖21A所示的階段中，集中于角部區(qū)域A2及中間區(qū)域A3的電場(chǎng)不如邊中央?yún)^(qū)域A1。

進(jìn)行鍍覆時(shí)，如圖21B所示，電場(chǎng)也開始向距中心部C1的距離比較長的角部A2集中。另外，邊中央?yún)^(qū)域A1及中間區(qū)域A3中的電流密度，比圖21A所示的邊中央?yún)^(qū)域A1及中間區(qū)域A3中的電流密度小。這是因?yàn)?，隨著鍍覆進(jìn)行膜厚增加，而終端效應(yīng)的影響逐漸變小。

通過鍍覆進(jìn)一步進(jìn)行而使膜厚增加，從而如圖21C所示，緩和了電場(chǎng)在邊中央?yún)^(qū)域A1的集中。因而，邊中央?yún)^(qū)域A1的電流密度與中間區(qū)域A3的電流密度的差比圖21A及圖21B小。另外，電場(chǎng)對(duì)角部區(qū)域A2的集中，即使鍍覆進(jìn)行仍不太變化。

鍍覆進(jìn)一步進(jìn)行時(shí)，如圖21D所示，邊中央?yún)^(qū)域A1的電流密度與中間區(qū)域A3的電流密度幾乎無差異。另外，在角部區(qū)域A2繼續(xù)發(fā)生電場(chǎng)集中。

如關(guān)于圖21A至圖21D進(jìn)行說明的那樣，四邊形基板S1的邊中央?yún)^(qū)域A1在鍍覆的初期階段電場(chǎng)集中，隨著鍍覆進(jìn)行而電流密度變小。另外，四邊形基板S1的中間區(qū)域A3在鍍覆的初期階段電流密度比邊中央?yún)^(qū)域A1小，隨著鍍覆進(jìn)行而與邊中央?yún)^(qū)域A1的差異變小。因此，邊中央?yún)^(qū)域A1的鍍覆的膜厚比中間區(qū)域A3有增加的趨勢(shì)。

另外，在四邊形基板S1的角部區(qū)域A2，雖鍍覆初期階段電場(chǎng)集中小一些，但從鍍覆初期階段至結(jié)束時(shí)，電場(chǎng)一貫地繼續(xù)集中。因而，角部區(qū)域A2的膜厚比邊中央?yún)^(qū)域A1及中間區(qū)域A3有增加的趨勢(shì)。

如以上那樣，由于在多邊形基板的終端效應(yīng)根據(jù)基板周緣部的位置而異，因此在基板的周緣部產(chǎn)生電流密度分布不均勻。因而，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)鍍覆于多邊形基板的膜的面內(nèi)均勻性比圓形基板差的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述問題而做成的，其目的之一在使鍍覆于多邊形基板的膜的面內(nèi)均勻性提高。

用于解決課題的手段

本發(fā)明的第一方式提供一種鍍覆裝置。該鍍覆裝置具有：陽極保持器，該陽極保持器被構(gòu)成為保持陽極；基板保持器，該基板保持器被構(gòu)成為保持多邊形基板；鍍覆槽，該鍍覆槽用于收容所述陽極保持器及所述基板保持器，并將所述陽極及所述基板浸漬于鍍覆液；及控制裝置，該控制裝置用于控制在所述陽極與所述基板之間流動(dòng)的電流。所述基板保持器具有多個(gè)供電部件，該多個(gè)供電部件沿著所述多邊形基板的各邊而配置。所述控制裝置被構(gòu)成為，能夠以可同時(shí)對(duì)所述多個(gè)供電部件供給至少2個(gè)不同值的電流的方式來控制電流。

本發(fā)明的第二方式如上述鍍覆裝置的第一方式，其中，所述供電部件包含：第一供電部件，該第一供電部件能夠接觸于包含所述多邊形基板的邊的中央部的邊中央?yún)^(qū)域；第二供電部件，該第二供電部件能夠接觸于與所述邊中央?yún)^(qū)域鄰接的中間區(qū)域；及/或第三供電部件，該第三供電部件能夠接觸于比所述中間區(qū)域接近所述多邊形基板的角部的區(qū)域，所述控制裝置被構(gòu)成為，能夠以對(duì)所述第一供電部件、所述第二供電部件及/或所述第三供電部件分別供給不同值的電流的方式來控制電流。

本發(fā)明的第三方式如上述鍍覆裝置的第二方式，其中，所述控制裝置被構(gòu)成為，所述控制裝置被構(gòu)成為，能夠以流入所述第二供電部件的電流的值比流入所述第一供電部件的電流的值大的方式來控制所述電流。

本發(fā)明的第四方式如上述鍍覆裝置的第二或第三方式，其中，所述控制裝置被構(gòu)成為，能夠以開始鍍覆時(shí)將第一值的電流供給至所述第一供電部件，而后將比所述第一值大的第二值的電流供給至所述第一供電部件的方式來控制所述電流。

本發(fā)明的第五方式如上述鍍覆裝置的第四方式，其中，所述控制裝置被構(gòu)成為，能夠以流入所述第一供電部件的電流從所述第一值階段性增加至所述第二值的方式來控制所述電流。

本發(fā)明的第六方式如上述鍍覆裝置的第四方式，其中，所述控制裝置被構(gòu)成為，能夠以流入所述第一供電部件的電流從所述第一值連續(xù)性增加至所述第二值的方式來控制所述電流。

本發(fā)明的第七方式如上述鍍覆裝置的第二方式至第六方式中任何一種方式，其中，所述控制裝置被構(gòu)成為，以流入所述第三供電部件的電流的值比流入所述第一供電部件的電流的值小的方式來控制所述電流。

本發(fā)明的第八方式如上述鍍覆裝置的第二方式至第七方式中任何一種方式，其中，所述第三供電部件被構(gòu)成為，接觸于所述多邊形基板的邊的交點(diǎn)以外的區(qū)域。

本發(fā)明的第九方式，提供一種鍍覆方法，使電流在陽極與多邊形基板之間流動(dòng)，而對(duì)所述多邊形基板進(jìn)行鍍覆。該方法具有以下工序：沿著所述多邊形基板的各邊而使多個(gè)供電部件接觸；將所述陽極與所述多邊形基板浸漬于鍍覆液；及同時(shí)對(duì)所述多個(gè)供電部件供給至少2個(gè)不同值的電流。

本發(fā)明的第十方式如上述鍍覆方法的第九方式，其中，使所述多個(gè)供電部件接觸的工序包含以下工序：使第一供電部件接觸于包含所述多邊形基板的邊的中央部的邊中央?yún)^(qū)域；使第二供電部件接觸于與所述邊中央?yún)^(qū)域鄰接的中間區(qū)域；且/或使第三供電部件接觸于比所述中間區(qū)域接近所述多邊形基板的角部的區(qū)域，供給所述電流的工序包含以下工序：對(duì)所述第一供電部件、所述第二供電部件及/或所述第三供電部件分別供給不同值的電流。

本發(fā)明的第十一方式如上述鍍覆方法的第十方式，其中，供給所述電流的工序包含以下工序：以流入所述第二供電部件的電流的值比流入所述第一供電部件的電流的值大的方式，供給電流至所述第一供電部件及所述第二供電部件。

本發(fā)明的第十二方式如上述鍍覆方法的第十方式或第十一方式，其中，供給所述電流的工序包含以下工序：開始鍍覆時(shí)將第一值的電流供給至所述第一供電部件，而后將比所述第一值大的第二值的電流供給至所述第一供電部件。

本發(fā)明的第十三方式如上述鍍覆方法的第十二方式，其中，供給所述電流的工序包含以下工序：使流入所述第一供電部件的電流從所述第一值階段性增加至所述第二值。

本發(fā)明的第十四方式如上述鍍覆方法的第十二方式，其中，供給所述電流的工序包含以下工序：使流入所述第一供電部件的電流從所述第一值連續(xù)性增加至所述第二值。

本發(fā)明的第十五方式如上述鍍覆方法的第十方式至第十四方式中任何一種方式，其中，供給所述電流的工序包含以下工序：以流入所述第三供電部件的電流的值比流入所述第一供電部件的電流的值小的方式，供給電流至所述第一供電部件及所述第三供電部件。

本發(fā)明的第十六方式如上述鍍覆方法的第十方式至第十五方式中任何一種方式，其中，使第三供電部件接觸于所述多邊形基板的所述角部區(qū)域的工序包含以下工序：使所述第三供電部件接觸于所述多邊形基板的邊的交點(diǎn)以外的區(qū)域。

本發(fā)明的第十七方式，提供一種基板保持器，用于保持多邊形基板?；灞３制骶哂校夯灞３置妫摶灞３置嬗糜诒３炙龆噙呅位?；及多個(gè)供電部件，該多個(gè)供電部件用于對(duì)保持于所述基板保持面的所述多邊形基板供電，所述供電部件具有接點(diǎn)部，該接點(diǎn)部被構(gòu)成為能夠與所述多邊形基板接觸，所述接點(diǎn)部以沿著所述多邊形基板的邊的方式大致直線狀整齊排列。

本發(fā)明的第十八方式如上述基板保持器的第十七方式，其中，基板保持器具有：外部接點(diǎn)部，該外部接點(diǎn)部與用于供給電流至所述供電部件的電源電連接；及連接單元，該連接單元連接所述外部接點(diǎn)部與所述供電部件，所述供電部件包含：第一供電部件，該第一供電部件能夠接觸于包含所述多邊形基板的邊的中央部的邊中央?yún)^(qū)域；第二供電部件，該第二供電部件能夠接觸于與所述邊中央?yún)^(qū)域鄰接的中間區(qū)域；及/或第三供電部件，該第三供電部件能夠接觸于比所述中間區(qū)域接近所述多邊形基板的角部的區(qū)域，所述連接單元具有彼此電獨(dú)立的多個(gè)連接單元，該多個(gè)連接單元從所述外部接點(diǎn)部分別連接于所述第一供電部件、所述第二供電部件及/或第三供電部件。

本發(fā)明的第十九方式如上述基板保持器的第十八方式，其中，所述外部接點(diǎn)部具有：多個(gè)第一外部接點(diǎn)部，該多個(gè)第一外部接點(diǎn)部經(jīng)由所述連接單元而與所述第一供電部件連接；多個(gè)第二外部接點(diǎn)部，該第二外部接點(diǎn)部經(jīng)由所述連接單元而與所述第二供電部件連接；及/或多個(gè)第三外部接點(diǎn)部，該多個(gè)第三外部接點(diǎn)部經(jīng)由所述連接單元而與所述第三供電部件連接，所述連接單元具有：多條第一接點(diǎn)配線，該多條第一接點(diǎn)配線分別連接于所述多個(gè)第一外部接點(diǎn)部；第一板，該第一板與所述多條第一接點(diǎn)配線連接；第一供電配線，該第一供電配線電連接所述第一板與所述第一供電部件；多條第二接點(diǎn)配線，該多條第二接點(diǎn)配線分別連接于所述多個(gè)第二外部接點(diǎn)部；第二板，該第二板與所述多條第二接點(diǎn)配線連接；及第二供電配線，該第二供電配線電連接所述第二板與所述第二供電部件；與/或多條第三接點(diǎn)配線，該多條第三接點(diǎn)配線分別連接于所述多個(gè)第三外部接點(diǎn)部；第三板，該第三板與所述多條第三接點(diǎn)配線連接；及第三供電配線，該第三供電配線電連接所述第三板與所述第三供電部件。

本發(fā)明的第二十方式如上述基板保持器的第十七方式至第十九方式中任何一種方式，其中，所述第三供電部件被構(gòu)成為，接觸于所述多邊形基板的邊的交點(diǎn)以外的區(qū)域。

發(fā)明的效果

采用本發(fā)明可使鍍覆于多邊形基板的膜的面內(nèi)均勻性提高。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施方式的電解鍍覆裝置的整體配置圖。

圖2為鍍覆裝置中具備的鍍覆單元的概略側(cè)剖面圖(縱剖面圖)。

圖3為鍍覆單元使用的本實(shí)施方式的基板保持器的立體圖。

圖4為表示基板保持器的保持面的俯視圖。

圖5為第二保持部件的背面?zhèn)鹊那耙晥D。

圖6為設(shè)置于基板保持器的外部接點(diǎn)部的前視圖。

圖7為表示設(shè)置于保持面內(nèi)部的板的俯視圖。

圖8為表示基板保持器另外實(shí)施方式的立體圖。

圖9為表示基板與供電部件的位置關(guān)系的概略圖。

圖10為表示流入電路A、電路B、及電路C的電流的方案(recipe)例的曲線圖。

圖11為表示流入電路A、電路B、及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖12為表示流入電路A、電路B、及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖13為表示流入電路A、電路B、及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖14為表示流入電路A、電路B、及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖15為表示基板與供電部件的位置關(guān)系的概略圖。

圖16為表示流入電路A及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖17為表示流入電路A及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖18為表示流入電路A及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖19為表示流入電路A及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖20為表示流入電路A及電路C的電流的方案例的曲線圖。

圖21A為表示對(duì)多邊形基板的一例的四邊形基板進(jìn)行鍍覆時(shí)，伴隨鍍覆的進(jìn)展電流密度分布變化的概略圖。

圖21B為表示對(duì)多邊形基板的一例的四邊形基板進(jìn)行鍍覆時(shí)，伴隨鍍覆的進(jìn)展電流密度分布變化的概略圖。

圖21C為表示對(duì)多邊形基板的一例的四邊形基板進(jìn)行鍍覆時(shí)，伴隨鍍覆的進(jìn)展電流密度分布變化的概略圖。

圖21D為表示對(duì)多邊形基板的一例的四邊形基板進(jìn)行鍍覆時(shí)，伴隨鍍覆的進(jìn)展電流密度分布變化的概略圖。

符號(hào)說明

10 鍍覆單元

12 陽極

13 陽極底座

14 鍍覆槽

15A、15B、15C 電源

16 槳葉

17 控制裝置

20 調(diào)整板

21 開口

24 凸部件

30 基板保持器

31 第一保持部件

32 第二保持部件

32a 密封底座

32b 壓環(huán)

33 固定夾

34 保持面

35 支臂

37 外部接點(diǎn)部

37A 第一外部接點(diǎn)部

37B 第二外部接點(diǎn)部

37C 第三外部接點(diǎn)部

37D 第四外部接點(diǎn)部

38A、38B、38C 導(dǎo)電體

39 突條部

40 開口

41 供電部件

41A 第一供電部件

41B 第二供電部件

41C 第三供電部件

42A 第一腳部

42B 第二腳部

42C 第三腳部

43A 第一接點(diǎn)部

43B 第二接點(diǎn)部

43C 第三接點(diǎn)部

45A 第一接點(diǎn)配線

45B 第二接點(diǎn)配線

45C 第三接點(diǎn)配線

45D 第四接點(diǎn)配線

46A 第一板

46B 第二板

46C 第三板

46D 第四板

47A 第一供電配線

47B 第二供電配線

47C 第三供電配線

47D 第四供電配線

100 匣盒

102 匣盒臺(tái)

104 對(duì)準(zhǔn)器

106 自旋沖洗干燥機(jī)

120 基板裝卸部

122 基板搬送裝置

124 暫存盒

126 預(yù)濕槽

128 預(yù)浸槽

130a 第一清洗槽

130b 第二清洗槽

132 鼓風(fēng)槽

134 鍍覆槽

136 溢流槽

140 基板底座搬送裝置

142 第一輸送機(jī)

144 第二輸送機(jī)

146 槳葉驅(qū)動(dòng)裝置

150 軌條

152 放置板

A1 邊中央?yún)^(qū)域

A2 角部區(qū)域

A3 中間區(qū)域

C1 中心部

Wf 多邊形基板

S1 四邊形基板

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖來對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。以下說明的圖式中，對(duì)同一或相當(dāng)?shù)脑?biāo)注同一符號(hào)并省略重復(fù)的說明。

圖1表示本發(fā)明實(shí)施方式的鍍覆裝置的整體配置圖。如圖1所示，該鍍覆裝置具有：搭載收納半導(dǎo)體晶圓等基板的匣盒(cassette)100的2臺(tái)匣盒臺(tái)102；將基板的定向平面(Orientation flat)或凹槽等位置對(duì)準(zhǔn)指定方向的對(duì)準(zhǔn)器104；及使鍍覆處理后的基板高速旋轉(zhuǎn)而干燥的自旋沖洗干燥機(jī)106。在自旋沖洗干燥機(jī)106附近設(shè)有放置基板保持器30進(jìn)行基板的裝卸的基板裝卸部120。在這些單元100、104、106、120的中央配置有在這些單元間搬送基板的由搬送用機(jī)器人構(gòu)成的基板搬送裝置122。

基板裝卸部120；進(jìn)行基板保持器30的保管及暫時(shí)放置的暫存盒(stocker)124；使基板浸漬于純水的預(yù)濕槽126；蝕刻除去形成于基板表面的種晶層等導(dǎo)電層的表面氧化膜的預(yù)浸槽128；與基板保持器30一起以清洗液(純水等)清洗預(yù)浸后的基板的第一清洗槽130a；進(jìn)行清洗后基板的脫液的鼓風(fēng)槽132；與基板保持器30一起以清洗液清洗鍍覆后的基板的第二清洗槽130b；及鍍覆單元10依序配置于鍍覆裝置。

該鍍覆單元10在溢流槽136內(nèi)部收納多個(gè)鍍覆槽14而構(gòu)成。各鍍覆槽14在內(nèi)部收納1個(gè)基板，使基板浸漬于保持于內(nèi)部的鍍覆液中，對(duì)基板表面實(shí)施銅鍍覆等鍍覆。

鍍覆裝置具有基板保持器搬送裝置140，其位于這些各設(shè)備側(cè)方，并采用在這些各設(shè)備之間與基板一起搬送基板保持器30的例子如線性馬達(dá)方式。該基板保持器搬送裝置140具有：在基板裝卸部120、暫存盒124、預(yù)濕槽126、預(yù)浸槽128、第一清洗槽130a及鼓風(fēng)槽132之間搬送基板的第一輸送機(jī)(first transporter)142；及在第一清洗槽130a、第二清洗槽130b、鼓風(fēng)槽132及鍍覆單元10之間搬送基板的第二輸送機(jī)(second transporter)144。鍍覆裝置也可不具備第二輸送機(jī)144，而僅具備第一輸送機(jī)142。

在該基板保持器搬送裝置140的夾著溢流槽136的相反側(cè)配置有槳葉驅(qū)動(dòng)裝置146，其驅(qū)動(dòng)位于各鍍覆槽14的內(nèi)部，作為攪拌鍍覆槽14內(nèi)的鍍覆液的攪拌棒的槳葉16(參照?qǐng)D2)。

基板裝卸部120具備沿著軌條150橫方向滑動(dòng)自如的平板狀放置板152。2個(gè)基板保持器30以水平狀態(tài)橫向放置于該放置板152上，在一方基板保持器30與基板搬送裝置122之間進(jìn)行基板的交接后，放置板152橫方向滑動(dòng)，并在另一方基板保持器30與基板搬送裝置122之間進(jìn)行基板的交接。

圖2為圖1所示的鍍覆裝置中具備的鍍覆單元的概略側(cè)剖面圖(縱剖面圖)。如圖2所示，鍍覆單元10具有：以收容鍍覆液、基板保持器30及陽極保持器13而構(gòu)成的鍍覆槽14；及溢流槽(無圖示)。基板保持器30以保持多邊形的基板Wf的方式構(gòu)成，陽極保持器13以保持具有金屬表面的陽極12的方式構(gòu)成。

鍍覆單元10還具有：多個(gè)(本實(shí)施方式為3個(gè))電源15A、15B、15C；及用于分別獨(dú)立控制電源15A、15B、15C的控制裝置17。電源15A、15B、15C為以分別電連接于陽極12與基板Wf，使電流在陽極12與基板Wf之間流動(dòng)的方式構(gòu)成?？刂蒲b置17通過控制電源15A、15B、15C，以對(duì)設(shè)置于基板保持器30的后述的第一供電部件41A、41B、41C分別供給不同值電流的方式控制電流。

鍍覆單元10具有：用于調(diào)整基板Wf與陽極12間的電場(chǎng)的調(diào)整板20；及用于攪拌鍍覆液的槳葉16。調(diào)整板20配置于基板保持器30與陽極12之間。具體而言，調(diào)整板20的下端部插入設(shè)于鍍覆槽14底面的一對(duì)凸部件24之間，且調(diào)整板20相對(duì)于鍍覆槽14而固定。槳葉16配置于基板保持器30與調(diào)整板20之間。

調(diào)整板20在大致中央部具有對(duì)應(yīng)于基板Wf的形狀的開口21。在調(diào)整板20收容于鍍覆槽14的狀態(tài)下，對(duì)基板Wf與陽極12施加電壓時(shí)，來自陽極12的電流通過開口21而流入基板Wf。換言之，調(diào)整板20遮蔽形成于陽極12與基板Wf之間的一部分電場(chǎng)。

圖3為圖2所示的鍍覆單元10使用的本實(shí)施方式的基板保持器30的立體圖，圖4為表示基板保持器30的保持面的俯視圖。如圖3所示，基板保持器30具有：例如氯乙烯制的平板狀的第一保持部件31；及安裝于該第一保持部件31的第二保持部件32。第二保持部件32以將基板Wf按壓于第一保持部件31的方式可裝卸地安裝于第一保持部件31。

在基板保持器30的第一保持部件31的大致中央部設(shè)有用于放置基板Wf(圖示的例子為四邊形)而保持的保持面34(相當(dāng)于基板保持面的一例)(參照?qǐng)D4)。也即，從第一保持部件31拆卸圖3所示的第二保持部件32，而拆卸基板Wf時(shí)，保持面34作為第一保持部件31的一部分而出現(xiàn)。在第一保持部件31的保持面34周圍，圓周狀等間隔設(shè)有具有突出于內(nèi)方的突出部的倒L字狀固定夾(clamper)33。

在基板保持器30的第一保持部件31端部連結(jié)有搬送或懸掛支撐基板保持器30時(shí)成為支撐部的一對(duì)大致L字狀的支臂35。例如在圖1所示的暫存盒124中，通過在暫存盒124的周壁上面掛上支臂35，而垂直地懸掛支撐基板保持器30。此外，該懸掛支撐的基板保持器30的支臂35通過基板保持器搬送裝置140的第一輸送機(jī)142或第二輸送機(jī)144握持來搬送基板保持器30。另外，在預(yù)濕槽126、預(yù)浸槽128、清洗槽130a、130b、鼓風(fēng)槽132及鍍覆槽134中，基板保持器30依然經(jīng)由支臂35而懸掛支撐于這些的周壁。

此外，在支臂35的一方設(shè)有與圖1所示的電源15A、15B、15C電連接的外部接點(diǎn)部37。該外部接點(diǎn)部37經(jīng)由后述的多個(gè)連接單元而與設(shè)置于保持面34外周的多個(gè)導(dǎo)電體38A、38B、38C(參照?qǐng)D4)電連接。

第二保持部件32具有密封保持器32a，其具有露出基板Wf的大致四邊形的開口40。在密封保持器32a的外周部旋轉(zhuǎn)自如地安裝有用于將密封保持器32a按壓于第一保持部件54而固定的壓環(huán)32b。壓環(huán)32b在其外周部具有突出于外方的多個(gè)突條部39。突條部39的上表面與固定夾33的內(nèi)方突出部的下表面具有沿著旋轉(zhuǎn)方向彼此反方向傾斜的錐角面。

保持基板時(shí)，首先，在拆卸了第二保持部件32的狀態(tài)下，在第一保持部件31的保持面34(參照?qǐng)D4)上放置基板Wf，并將第二保持部件32安裝于第一保持部件31。繼續(xù)，使壓環(huán)32b順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)，使壓環(huán)32b的突條部39滑入固定夾33的內(nèi)方突出部內(nèi)部(下側(cè))。由此，經(jīng)由分別設(shè)于突條部39與固定夾33的錐角面，將第一保持部件31與第二保持部件32彼此旋緊鎖住而保持基板Wf。解除基板Wf的保持時(shí)，在鎖住第一保持部件31與第二保持部件32的狀態(tài)下，使壓環(huán)32b逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。由此，壓環(huán)32b的突條部39從倒L字狀的固定夾33脫離，而解除基板Wf的保持。

其次，詳細(xì)說明圖3所示的第二保持部件32。圖5為第二保持部件32的背面?zhèn)鹊那耙晥D。此處所謂背面?zhèn)仁侵笇D3所示的第二保持部件32的面作為表面?zhèn)葧r(shí)的背面?zhèn)?。如圖5所示，第二保持部件32具有沿著開口40周圍而配置的多個(gè)供電部件41。第二保持部件32安裝于第一保持部件31時(shí)，由于開口40以與基板Wf的各邊大致一致的方式配置，因此，此時(shí)供電部件41沿著基板Wf的各邊而配置于基板Wf上。

供電部件41包含：可接觸于包含基板Wf的邊的中央部的邊中央?yún)^(qū)域的第一供電部件41A；可接觸于與邊中央?yún)^(qū)域鄰接的中間區(qū)域的第二供電部件41B；及可接觸于比中間區(qū)域接近基板Wf的角部的角部區(qū)域的第三供電部件41C。第一供電部件41A具有：以與圖4所示的導(dǎo)電體38A接觸的方式而構(gòu)成的第一腳部42A；及以接觸于基板Wf的邊中央?yún)^(qū)域的方式而構(gòu)成的第一接點(diǎn)部43A。第二供電部件41B具有：以與圖4所示的導(dǎo)電體38B接觸的方式而構(gòu)成的第二腳部42B；及以接觸于基板Wf的中間區(qū)域的方式而構(gòu)成的第二接點(diǎn)部43B。第三供電部件41C具有：以與圖4所示的導(dǎo)電體38C接觸的方式而構(gòu)成的第三腳部42C；及以接觸于基板Wf的角部區(qū)域的方式而構(gòu)成的第三接點(diǎn)部43C。由于本實(shí)施方式的基板保持器30構(gòu)成為可保持多邊形的基板Wf，因此第一接點(diǎn)部43A、第二接點(diǎn)部43B及第三接點(diǎn)部43C沿著基板Wf的各邊大致直線狀整齊排列。

從圖1所示的電源15A、15B、15C，經(jīng)由圖3所示的外部接點(diǎn)部37、后述的多個(gè)連接單元、及圖4所示的多個(gè)導(dǎo)電體38A、38B、38C供給電流至第一供電部件41A、第二供電部件41B及第三供電部件41C。供給至第一供電部件41A、第二供電部件41B及第三供電部件41C的電流，從第一接點(diǎn)部43A、第二接點(diǎn)部43B及第三接點(diǎn)部43C分別供給至基板Wf。

第三供電部件41C以接觸于基板Wf的角部區(qū)域的方式而構(gòu)成，然而不接觸于基板Wf的角(邊的交點(diǎn))上。更佳的方式為，第三供電部件41C以不接觸于基板Wf的角(邊的交點(diǎn))附近的方式配置。此處，所謂基板Wf的角附近，是指圖21A至圖21D所示的電場(chǎng)容易集中的區(qū)域，例如是指從角(邊的交點(diǎn))起在一邊長度的20％長度以內(nèi)范圍的區(qū)域。具體而言，例如是指從基板Wf的角(邊的交點(diǎn))起約1.5cm的范圍，或是約1.0cm的范圍。如圖21A至圖21D的說明，多邊形基板Wf的角部附近電場(chǎng)有集中的趨勢(shì)。因而，本實(shí)施方式的基板保持器30通過第三供電部件41C接觸于基板Wf的角以外區(qū)域的方式而構(gòu)成，可使電流不易流入電場(chǎng)容易集中的區(qū)域。并且較佳的是，在從基板Wf的角起相當(dāng)于基板Wf的一邊長度的20％的長度以內(nèi)范圍，設(shè)置基板Wf與供電部件41不接觸的區(qū)域。此時(shí)，將供電部件41不與基板Wf接觸的區(qū)域設(shè)在從角起超過20％的區(qū)域時(shí)，也即供電部件41與基板Wf的接觸部從角起的距離過大時(shí)，因?yàn)榫徍徒遣扛浇碾妶?chǎng)集中所以降低角部附近的鍍覆膜集中。另外，此時(shí)，因?yàn)檫呏醒雲(yún)^(qū)域的鍍覆膜厚增加，所以可能無法確保鍍覆膜厚的均勻性。

其次，詳細(xì)說明圖3所示的外部接點(diǎn)部37。圖6為設(shè)置于基板保持器30的外部接點(diǎn)部37的前視圖。在圖6中，擴(kuò)大了基板保持器30的支臂35附近，并透過表示支臂35?；灞３制?0的外部接點(diǎn)部37具有：一對(duì)第一外部接點(diǎn)部37A、37A、一對(duì)第二外部接點(diǎn)部37B、37B、一對(duì)第三外部接點(diǎn)部37C、37C、及一對(duì)第四外部接點(diǎn)部37D、37D。在圖6中，在各個(gè)外部接點(diǎn)部37中僅表示一方。第一外部接點(diǎn)部37A、第二外部接點(diǎn)部37B、第三外部接點(diǎn)部37C及第四外部接點(diǎn)部37D彼此電獨(dú)立，可分別流入不同電流。

基板保持器30具有：分別連接第一外部接點(diǎn)部37A、37A的一對(duì)第一接點(diǎn)配線45A、45A；分別連接于第二外部接點(diǎn)部37B、37B的一對(duì)第二接點(diǎn)配線45B、45B；分別連接于第三外部接點(diǎn)部37C、37C的一對(duì)第三接點(diǎn)配線45C、45C；及分別連接于第四外部接點(diǎn)部37D、37D的一對(duì)第四接點(diǎn)配線45D、45D。在圖6中，各個(gè)接點(diǎn)配線中僅表示一方。第一接點(diǎn)配線45A、第二接點(diǎn)配線45B、第三接點(diǎn)配線45C及第四接點(diǎn)配線45D彼此電獨(dú)立，可分別流入不同電流。

圖7為表示設(shè)置于圖4所示的保持面34內(nèi)部的板的俯視圖?；灞３制?0具有：連接于一對(duì)第一接點(diǎn)配線45A的第一板46A；連接于一對(duì)第二接點(diǎn)配線45B的第二板46B；連接于一對(duì)第三接點(diǎn)配線45C的第三板46C；及連接于一對(duì)第四接點(diǎn)配線45D的第四板46D。第一板46A、第二板46B、第三板46C及第四板46D彼此電獨(dú)立，可分別流入不同電流。

第一板46A上經(jīng)由圖4所示的導(dǎo)電體38A而連接電連接第一板46A與第一供電部件41A的第一供電配線47A。第二板46B上經(jīng)由圖4所示的導(dǎo)電體38B而連接電連接第二板46B與第二供電部件41B的第二供電配線47B。第三板46C上經(jīng)由圖4所示的導(dǎo)電體38C而連接電連接第三板46C與第三供電部件41C的第三供電配線47C。第四板46D上連接第四供電配線47D。在本實(shí)施方式中第四外部接點(diǎn)部37D、37D、第四接點(diǎn)配線45D、45D、第四板46D與第四供電配線47D為預(yù)備的電流供給手段，且不構(gòu)成為對(duì)基板供給電流。根據(jù)需要也可將第四供電配線47D連接于供電部件41的任何一個(gè)。第一供電配線47A、第二供電配線47B、第三供電配線47C及第四供電配線47D彼此電獨(dú)立，可分別流入不同電流。

圖6及圖7所示的第一接點(diǎn)配線45A、第一板46A及第一供電配線47A構(gòu)成電連接第一外部接點(diǎn)部37A與第一供電部件41A的第一連接單元。此外，第二接點(diǎn)配線45B、第二板46B及第二供電配線47B構(gòu)成電連接第二外部接點(diǎn)部37B與第二供電部件41B的第二連接單元。同樣地，第三接點(diǎn)配線45C、第三板46C及第三供電配線47C構(gòu)成電連接第三外部接點(diǎn)部37C與第三供電部件41C的第三連接單元。各連接單元彼此電獨(dú)立，可分別流入不同電流。

如圖7所示，在第一板46A上連接2個(gè)第一接點(diǎn)配線45A。由此，即使2個(gè)第一外部接點(diǎn)部37A、37A之間有電阻差時(shí)，通過來自2個(gè)第一接點(diǎn)配線45A的電流流入1個(gè)第一板46A，可消除因該電阻差造成2個(gè)第一接點(diǎn)配線45A的電流值差異。第二板46B、第三板46C及第四板46D也具有同樣效果。

圖7所示的實(shí)施方式為，第一供電配線47A、第二供電配線47B、第三供電配線47C及第四供電配線47D分別僅圖示1條。但是，不限于此，也可根據(jù)供電部件41數(shù)量適當(dāng)增加配線數(shù)量，或使配線分歧。

如以上說明，本實(shí)施方式的基板保持器30由于第一接點(diǎn)部43A、第二接點(diǎn)部43B及第三接點(diǎn)部43C沿著基板Wf的邊大致直線狀整齊排列，因此可保持多邊形的基板Wf，并可對(duì)基板Wf供給電流。

此外，基板保持器30可從外部接點(diǎn)部37經(jīng)由第一連接單元、第二連接單元及第三連接單元，對(duì)第一供電部件41A、第二供電部件41B及第三供電部件41C分別供給不同值的電流。因而如后述，可根據(jù)基板Wf周緣部產(chǎn)生的不均勻的終端效應(yīng)，在基板Wf的邊中央?yún)^(qū)域、中間區(qū)域及角部區(qū)域流入不同值的電流，可使形成于基板Wf的膜厚的面內(nèi)均勻性提高。

另外，基板保持器30具有一對(duì)第一外部接點(diǎn)部37A、37A、一對(duì)第二外部接點(diǎn)部37B、37B、一對(duì)第三外部接點(diǎn)部37C、37C及一對(duì)第四外部接點(diǎn)部37D、37D，不過不限于此。例如，也可逐一設(shè)置各個(gè)外部接點(diǎn)部37。此外，基板保持器30也可構(gòu)成僅具有第一外部接點(diǎn)部37A、第二外部接點(diǎn)部37B、第三外部接點(diǎn)部37C及第四外部接點(diǎn)部37D中至少一個(gè)任意的外部接點(diǎn)部。同樣地，基板保持器30也可構(gòu)成具有第一連接單元、第二連接單元及第三連接單元中至少一個(gè)任意的連接單元。

圖8為表示基板保持器30的另外實(shí)施方式的立體圖。圖示的基板保持器30與圖3所示的基板保持器30比較，其保持的基板Wf的方向不同。如圖示，該基板保持器30以基板保持器30懸掛于圖2所示的鍍覆槽14的狀態(tài)下，基板Wf的角位于鉛直下方的方式保持基板Wf。由此，從鍍覆槽14撈起基板保持器30時(shí)，附著于基板Wf等的鍍覆液沿著大致四邊形的開口40邊緣移動(dòng)于下方，可從開口40下方的角部將鍍覆液迅速脫液。因此，在從鍍覆槽14撈起基板保持器30而搬出至下一個(gè)工序時(shí)，由于可在鍍覆槽14上迅速將鍍覆液脫液，因此可防止產(chǎn)生液體滴流等問題。

其次，說明在圖2所示的鍍覆單元10中對(duì)基板Wf進(jìn)行鍍覆的處理。如圖21A至圖21D的相關(guān)說明，多邊形基板Wf會(huì)產(chǎn)生沿著周緣部不均勻的終端效應(yīng)。因而，本發(fā)明的鍍覆裝置使用具有沿著多邊形基板的各邊而配置的多個(gè)供電部件41的基板保持器30，并以控制裝置17對(duì)多個(gè)供電部件41中的不同供電部件同時(shí)供給至少2個(gè)不同值的電流的方式構(gòu)成。由此，可根據(jù)多邊形基板Wf的不均勻的終端效應(yīng)，而在多邊形基板Wf周緣部流入適當(dāng)值的電流。以下說明的多個(gè)處理例示地說明：將3個(gè)不同值的電流同時(shí)流入基板Wf的處理(圖9至圖14)；及將2個(gè)不同值的電流同時(shí)流入基板Wf的處理(圖15至圖20)。但是，不限于這些例子，本發(fā)明的鍍覆裝置也可將4個(gè)以上不同值的電流同時(shí)流入基板Wf。此時(shí)，可適當(dāng)調(diào)整電流流入電接點(diǎn)的電源、外部接點(diǎn)部37、及連接單元(接點(diǎn)配線、板及供電配線)數(shù)量。如此，根據(jù)不均勻的終端效應(yīng)，通過對(duì)基板Wf同時(shí)局部流入不同值的電流，可使膜厚的面內(nèi)均勻性提高。

圖9為表示基板Wf與供電部件41的位置關(guān)系的概略圖。圖9所示的例子的基板Wf為四邊形，且沿著其4邊配置供電部件41。供電部件41如圖5的相關(guān)說明包含：可接觸于包含基板Wf的邊的中央部的邊中央?yún)^(qū)域的第一供電部件41A；可接觸于與邊中央?yún)^(qū)域鄰接的中間區(qū)域的第二供電部件41B；及可接觸于比中間區(qū)域接近基板Wf的角部的角部區(qū)域的第三供電部件41C。

第一供電部件41A與圖2所示的電源15A電連接，并通過電源15A施加電壓。此處，將包含第一供電部件41A與電源15A的回路稱為回路A。第二供電部件41B與圖2所示的電源15B電連接，并通過電源15B施加電壓。此處將包含第二供電部件41B與電源15B的回路稱為回路B。第三供電部件41C與圖2所示的電源15C電連接，并通過電源15C施加電壓。此處將包含第三供電部件41C與電源15C的回路稱為回路C。

其次，說明電源15A、15B、15C流入回路A、回路B及回路C的電流的方案例。圖10至圖14為表示流入回路A、回路B及回路C的電流方案例的曲線圖。在各曲線圖中，橫軸表示鍍覆時(shí)間(％)，縱軸表示每1個(gè)接點(diǎn)的平均電流值(A)。另外，電源15A、15B、15C為通過圖2所示的控制裝置17控制，而使圖10至圖14所示的電流流入回路A、回路B及回路C。

圖10所示的例子在整個(gè)鍍覆處理中，在回路A上流入約8A的定電流，在回路B上流入約10A的定電流，在回路C上流入約1A的定電流。也即，以在回路A、回路B及回路C上分別流入不同值的電流的方式來控制電源15A、15B、15C。

如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，基板Wf的邊中央?yún)^(qū)域A1中因終端效應(yīng)，四邊形基板S1的邊中央?yún)^(qū)域A1在鍍覆的初期階段電場(chǎng)集中，并隨著鍍覆進(jìn)行而電流密度減少。另外，四邊形基板S1的中間區(qū)域A3在鍍覆的初期階段電流密度比邊中央?yún)^(qū)域A1小，并隨著鍍覆進(jìn)行而縮小與邊中央?yún)^(qū)域A1的差。因此，邊中央?yún)^(qū)域A1比中間區(qū)域A3有鍍覆的膜厚增加的趨勢(shì)。另外，在四邊形基板S1的角部區(qū)域A2中，從鍍覆初期階段至結(jié)束時(shí)，電場(chǎng)持續(xù)集中。因而，角部區(qū)域A2比邊中央?yún)^(qū)域A1及中間區(qū)域A3有膜厚增加的趨勢(shì)。

因而，圖10所示的例子比其他回路減少供給至與有膜厚最大趨勢(shì)的角部區(qū)域接觸的第三供電部件41C(回路C)的電流值。另外，比回路B減少供給至與電場(chǎng)比中間區(qū)域容易集中的邊中央?yún)^(qū)域接觸的第一供電部件41A(回路A)的電流值。換言之，比其他回路增加供給至與基板Wf周緣部中電場(chǎng)最難集中的中間區(qū)域接觸的第二供電部件41B(回路B)的電流值。

如圖10所示，通過控制電源15A、15B、15C，來補(bǔ)償因多邊形基板Wf的終端效應(yīng)及/或鍍覆槽構(gòu)造造成電場(chǎng)不均勻而產(chǎn)生的膜厚面內(nèi)均勻性惡化，可使膜厚的面內(nèi)均勻性提高。

圖11所示的例子，為在回路A上，于鍍覆時(shí)間50％以前流入約4A，從鍍覆時(shí)間50％起流入約8A電流；在回路B上，整個(gè)鍍覆處理中流入約10A的電流；在回路C上，于鍍覆時(shí)間50％的前流入約2A，從鍍覆時(shí)間50％起流入約1A的電流。另外，圖11將切換各回路電流的時(shí)間設(shè)為鍍覆時(shí)間50％，不過也可選擇例如鍍覆時(shí)間40％、或鍍覆時(shí)間60％的其他數(shù)值。此處所謂“鍍覆時(shí)間”是指以(鍍覆時(shí)間)＝100×(經(jīng)過時(shí)間)/(鍍覆完成所需時(shí)間)而計(jì)算的數(shù)值(單位：％)。因此，所謂鍍覆時(shí)間50％是指在鍍覆完成所需時(shí)間中經(jīng)過一半時(shí)間的時(shí)刻。

圖11所示的例子與圖10所示的例子比較，不同之處為在鍍覆中途變更流入回路A及回路C的電流值。也即，使流入回路A的電流值在鍍覆中途階段性增加。如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，在基板的邊中央?yún)^(qū)域A1中，通過終端效應(yīng)而四邊形基板S1的邊中央?yún)^(qū)域A1在鍍覆的初期階段電場(chǎng)集中，并隨著鍍覆進(jìn)行而電流密度減少。因而，在電場(chǎng)集中的鍍覆初期階段相對(duì)減少電流值，而在電流密度變小的鍍覆中途階段相對(duì)增大電流值。如此，由于根據(jù)終端效應(yīng)使電流值變化，因此比定電流持續(xù)流動(dòng)的圖10的例子，可使膜厚的面內(nèi)均勻性更加提高。

此外，圖11所示的例子，為使流入回路C的電流值在鍍覆中途減少。如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，在基板的角部區(qū)域A2中，雖然從鍍覆初期階段至結(jié)束時(shí)，電場(chǎng)一貫地持續(xù)集中，但是鍍覆初期階段電場(chǎng)的集中小一些。因而，鍍覆的初期階段相對(duì)增加電流值，而在電場(chǎng)集中變大的鍍覆中途階段相對(duì)減少電流值。如此，由于根據(jù)終端效應(yīng)的變化而使電流值變化，因此比持續(xù)流入定電流的圖10的例子，可使膜厚的面內(nèi)均勻性更加提高。

圖12所示的例子為在回路A上，于鍍覆時(shí)間50％之前流入約4A，在鍍覆時(shí)間50％后流入約8A電流；而在回路B上，在整個(gè)鍍覆處理中流入約10A之電流；在回路C上，于鍍覆時(shí)間50％之前流入0A，在鍍覆時(shí)間50％后流入約1A的電流。

圖12所示的例子與圖11所示的例子比較，不同之處為在鍍覆時(shí)間50％之前電流不流入回路C。如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，基板之角部區(qū)域A2比邊中央?yún)^(qū)域A1及中間區(qū)域A3有膜厚增加的趨勢(shì)。因而，圖12所示的例子通過在鍍覆處理中對(duì)回路C設(shè)定不流入電流的時(shí)間，可抑制角部區(qū)域A2的膜厚增加。另外，圖12切換回路的電流的時(shí)間為鍍覆時(shí)間50％，不過，也可選擇例如鍍覆時(shí)間40％或鍍覆時(shí)間60％之其他數(shù)值。

圖13所示的例子為在回路A上，于鍍覆時(shí)間30％之前流入約2A，從鍍覆時(shí)間30％起至50％流入約4A，鍍覆時(shí)間50％后流入約8A的電流。此外，在回路B上，于整個(gè)鍍覆處理中流入約10A的電流；在回路C上，于鍍覆時(shí)間50％之前流入0A，在鍍覆時(shí)間50％后流入約1A的電流。

圖13所示的例子與圖12所示的例子比較，不同之處為隨著鍍覆處理進(jìn)行，流入回路A的電流值以多階段增加。如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，邊中央?yún)^(qū)域A1中的終端效應(yīng)逐漸變化。也即，邊中央?yún)^(qū)域A1的電場(chǎng)逐漸變化。因而，圖13所示的例子，由于根據(jù)終端效應(yīng)的變化而使流入回路A的電流值多階段增加，因此，比流入回路A的電流值以1個(gè)階段變化的圖12的例子，可使膜厚的面內(nèi)均勻性更加提高。另外，圖13如在回路A上流入約8A電流而切換電流的時(shí)間為鍍覆時(shí)間50％，不過也可選擇例如鍍覆時(shí)間40％或鍍覆時(shí)間60％的其他數(shù)值。

與使回路A的電流值多階段變化同樣地，根據(jù)需要也可使回路B及回路C的電流值以多階段變化。此外，也可使回路A、回路B及回路C的電流值不多階段變化，而以一次函數(shù)的方式連續(xù)性變化。此外，如圖14所示的例子，回路A、回路B及回路C的電流也可流入脈沖電流。

以上，說明對(duì)四邊形的基板Wf進(jìn)行鍍覆的處理，不過不限于此，對(duì)三角形、或五邊形以上的基板Wf也可以同樣的處理進(jìn)行鍍覆。

其次，說明對(duì)基板Wf進(jìn)行鍍覆的其他處理。圖15表示基板Wf與供電部件41的位置關(guān)系的概略圖。圖15所示的例子，基板Wf為六邊形，且沿著其6個(gè)邊配置供電部件41。

圖15所示的供電部件41包含：可接觸于包含基板Wf的邊的中央部的邊中央?yún)^(qū)域的第一供電部件41A；及可接觸于接近基板Wf的角部的角部區(qū)域的第三供電部件41C。也即，不存在圖5所示的對(duì)應(yīng)于可接觸于與邊中央?yún)^(qū)域鄰接的中間區(qū)域的第二供電部件41B的供電部件。

第一供電部件41A與圖2所示的電源15A電連接，并通過電源15A施加電壓。此處，將包含第一供電部件41A與電源15A的回路稱為回路A。第三供電部件41C與圖2所示的電源15C電連接，并通過電源15C施加電壓。此處，將包含第三供電部件41C與電源15C的回路稱為回路C。

其次，說明電源15A、15C流入回路A及回路C的電流的方案例。圖16至圖20為表示流入回路A及回路C的電流的方案例的曲線圖。各曲線圖中，橫軸表示鍍覆時(shí)間(％)，縱軸表示電流方案(A)。另外，電源15A、15C通過圖2所示的控制裝置17控制而使圖16至圖20所示的電流流入回路A及回路C。

圖16所示的例子為在整個(gè)鍍覆處理中于回路A上流入約8A，于回路C上流入約1A的定電流。也即，以回路A及回路C上分別流入不同值的電流的方式來控制電源15A、15B、15C。

如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，四邊形基板S1的邊中央?yún)^(qū)域A1通過終端效應(yīng)而在鍍覆初期階段電場(chǎng)集中，并隨著鍍覆進(jìn)行電流密度減少。另外，在四邊形基板S1的角部區(qū)域A2中，從鍍覆初期階段至結(jié)束時(shí)，電場(chǎng)持續(xù)集中。因而，角部區(qū)域A2比邊中央?yún)^(qū)域A1有膜厚增加的趨勢(shì)。

因而，圖16所示的例子，為使供給至接觸于有膜厚最大趨勢(shì)的角部區(qū)域的第三供電部件41C(回路C)的電流值比回路A小。

如圖16所示，通過控制電源15A、15C，補(bǔ)償因多邊形基板Wf的終端效應(yīng)及鍍覆槽構(gòu)造造成電場(chǎng)不均勻而產(chǎn)生的膜厚面內(nèi)不均勻惡化，可使膜厚的面內(nèi)均勻性提高。

在圖17所示的例子為在回路A上，于鍍覆時(shí)間50％之前流入約4A，鍍覆時(shí)間50％后流入約8A的電流；而在回路C上，于鍍覆時(shí)間50％之前流入約2A，鍍覆時(shí)間50％后流入約1A的電流。

圖17所示的例子與圖16所示的例子比較，不同之處為在鍍覆中途變更流入回路A及回路C的電流值。也即，使流入回路A的電流值在鍍覆中途階段性增加。如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，四邊形基板S1的邊中央?yún)^(qū)域A1因終端效應(yīng)而在鍍覆初期階段電場(chǎng)集中，并隨著鍍覆進(jìn)行而電流密度減少。因而，電場(chǎng)集中的鍍覆初期階段相對(duì)減少電流值，而在電流密度變小的鍍覆中途階段相對(duì)增加電流值。由于根據(jù)終端效應(yīng)使電流值變化，因此比持續(xù)流入定電流的圖16的例子，可使膜厚的面內(nèi)均勻性更加提高。

此外，圖17所示的例子在鍍覆中途使流入回路C的電流值減少。如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，在基板的角部區(qū)域A2從鍍覆的初期階段至結(jié)束時(shí)，電場(chǎng)一貫地持續(xù)集中，不過鍍覆初期階段電場(chǎng)集中小一些。因而，鍍覆的初期階段相對(duì)增加電流值，電場(chǎng)集中變大的鍍覆中途階段相對(duì)減少電流值。由于根據(jù)終端效應(yīng)的變化而使電流值變化，因此比持續(xù)流入定電流的圖16的例子，可使膜厚的面內(nèi)均勻性更加提高。

圖18所示的例子為在回路A上，于鍍覆時(shí)間50％之前流入約4A，鍍覆時(shí)間50％后流入約8A的電流；在回路C上，于鍍覆時(shí)間50％之前流入0A，在鍍覆時(shí)間50％后流入約1A的電流。

圖18所示的例子與圖17所示的例子比較，不同之處為在鍍覆時(shí)間50％之前電流不流入回路C。如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，基板的角部區(qū)域A2比邊中央?yún)^(qū)域A1及中間區(qū)域A3有膜厚增加的趨勢(shì)。因而，圖18所示的例子通過在鍍覆處理中設(shè)定電流不流入回路C的時(shí)間，可抑制角部區(qū)域A2的膜厚增加。

圖19所示的例子為在回路A上，于鍍覆時(shí)間30％之前流入約2A，從鍍覆時(shí)間30％至50％流入約4A，鍍覆時(shí)間50％后流入約8A的電流。此外，在回路C上，于鍍覆時(shí)間50％之前流入0A，鍍覆時(shí)間50％后流入約1A的電流。

圖19所示的例子與圖18所示的例子比較，不同之處為隨著鍍覆處理進(jìn)行，流入回路A的電流值多階段增加。如圖21A至圖21C的相關(guān)說明，終端效應(yīng)在邊中央?yún)^(qū)域A1逐漸變化。也即，邊中央?yún)^(qū)域A1的電場(chǎng)逐漸變化。因而，由于圖19所示的例子根據(jù)終端效應(yīng)的變化而使流入回路A的電流值多階段增加，因此流入回路A的電流值比1個(gè)階段變化的圖18的例子，可使膜厚的面內(nèi)均勻性更加提高。

與使回路A的電流值多階段變化同樣地，根據(jù)需要也可使回路C的電流值多階段變化。此外，也可使回路A及回路C的電流值并非多階段，而以一次函數(shù)的方式連續(xù)性變化。此外，如圖20所示的例子，回路A及回路C的電流也可流入脈沖電流。

圖15至圖20所示的例子為說明基板保持器30具有第一供電部件41A與第三供電部件41C的例子。但是，基板保持器30也可具備第一供電部件41A與第二供電部件41B而構(gòu)成。此時(shí)流入回路A及回路B的電流可與流入圖10至圖14所示的回路A及回路B的電流同樣。

以上說明本發(fā)明的實(shí)施方式，不過上述發(fā)明的實(shí)施方式是為了容易理解本發(fā)明，而并非限定本發(fā)明。本發(fā)明在不脫離其宗旨的情況下可以進(jìn)行變更、改良，并且本發(fā)明當(dāng)然包含其均等物。此外，在可解決上述問題的至少一部分的范圍、或達(dá)到效果的至少一部分的范圍中，可任意組合或省略記載于權(quán)利要求書及說明書中的各元件。