本發(fā)明實施例是有關(guān)于一種用于電鍍槽的高電阻虛擬陽極、一種用以處理基板表面的電鍍槽以及一種處理基板表面的方法。

背景技術(shù)：

制造半導(dǎo)體裝置通常需要形成導(dǎo)電體于半導(dǎo)體晶片上。舉例來說，位于晶片上的導(dǎo)電引線通常通過電鍍(沉積)諸如銅的導(dǎo)電層于晶片上及圖案化溝渠內(nèi)而形成。

電鍍涉及制造與導(dǎo)電層欲形成于其上的晶片表面(以下稱為“晶片鍍面”)之間的電接觸。然后電流通過位于陽極與晶片鍍面(晶片鍍面為陰極)之間的電鍍?nèi)芤?即含有欲沉積的元素離子的溶液，例如含有Cu²⁺的溶液)。這將導(dǎo)致于晶片鍍面上發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，沉積出導(dǎo)電層。

為了減少形成于晶片上的裝置在特性上的差異，均勻地沉積(具有均勻的厚度)導(dǎo)電層于晶片鍍面上是非常重要的。然而，由于“邊緣效應(yīng)”，常規(guī)的電鍍制程制造出的沉積導(dǎo)電層不均勻。邊緣效應(yīng)傾向讓沉積導(dǎo)電層在晶片邊緣附近比在晶片中央厚。因此，持續(xù)尋求避免邊緣效應(yīng)的改善方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)一些實施例，一種用于電鍍槽的高電阻虛擬陽極，包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位于第一層上，并且包含多個第二孔洞穿透第二層。

根據(jù)一些實施例，一種用以處理基板的表面的電鍍槽，包含基板支架、電鍍浴、陽極及高電阻虛擬陽極?；逯Ъ苡靡灾位?。陽極位于電鍍浴內(nèi)。高電阻虛擬陽極位于基板的表面與陽極之間。高電阻虛擬陽極包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位于第一層上，并且包含多個第二孔洞穿透第二層。

根據(jù)一些實施例，一種處理基板的表面的方法，包含：接收電鍍槽，電鍍槽包含：基板支架，用以支撐基板；電鍍??；陽極，位于電鍍浴內(nèi)；以及高電阻虛擬陽極，位于電鍍浴內(nèi)，高電阻虛擬陽極包含：第一層，包含多個第一孔洞穿透第一層，其中第一層包含可旋轉(zhuǎn)中央部分及可旋轉(zhuǎn)周邊部分圍繞可旋轉(zhuǎn)中央部分；以及第二層，位于第一層上，并且包含多個第二孔洞穿透第二層；旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)中央部分及可旋轉(zhuǎn)周邊部分的至少其中一者；安裝基板至基板支架內(nèi)；放置基板支架及基板至電鍍浴內(nèi)，以使高電阻虛擬陽極位于基板的表面與陽極之間；以及產(chǎn)生位于基板與陽極之間且穿過高電阻虛擬陽極的電流通量，以形塑電流通量，并形成電鍍層于基板的表面上。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下：

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第一層的上視示意圖；

圖2繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第二層的上視示意圖；

圖3A繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第一層及位于其上的第二層的上視示意圖；

圖3B繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的沿著圖3A剖面線段AA’的第一層與第二層的剖面示意圖；

圖4繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第一層的上視示意圖；

圖5繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第二層的上視示意圖；

圖6繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的包含高電阻虛擬陽極的電鍍槽的剖面示意圖；

圖7繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的使用電鍍槽處理基板表面的方法的流程圖。

具體實施方式

以下提供本發(fā)明的多種不同的實施例或?qū)嵗?，以實現(xiàn)所提供的標(biāo)的的不同技術(shù)特征。下述具體實例的元件和設(shè)計用以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅為示例，而非用以限定本發(fā)明。舉例而言，說明書中揭示形成第一特征結(jié)構(gòu)于第二特征結(jié)構(gòu)的上方，其包括第一特征結(jié)構(gòu)與第二特征結(jié)構(gòu)形成而直接接觸的實施例，亦包括于第一特征結(jié)構(gòu)與第二特征結(jié)構(gòu)之間另有其他特征結(jié)構(gòu)的實施例，亦即，第一特征結(jié)構(gòu)與第二特征結(jié)構(gòu)并非直接接觸。此外，本發(fā)明于各個實例中可能用到重復(fù)的參考符號及/或用字。這些重復(fù)符號或用字是為了簡化與清晰的目的，并非用以限定各個實施例及/或所述結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。

另外，空間相對用語，如“下”、“上”等，是用以方便描述一元件或特征與其他元件或特征在附圖中的相對關(guān)系。這些空間相對用語旨在包含除了附圖中所示的方位以外，裝置在使用或操作時的不同方位。裝置可被另外定位(例如旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)，而本文所使用的空間相對敘述亦可相對應(yīng)地進(jìn)行解釋。

如上所述，為了減少形成于晶片上的裝置在特性上的差異，均勻地沉積(具有均勻的厚度)導(dǎo)電層于晶片鍍面上是非常重要的。然而，由于“邊緣效應(yīng)”，常規(guī)的電鍍制程制造出的沉積導(dǎo)電層不均勻。邊緣效應(yīng)傾向讓沉積導(dǎo)電層在晶片邊緣附近比在晶片中央厚。

因此，本發(fā)明提供一種用于電鍍槽的高電阻虛擬陽極(high resistance virtual anode,HRVA)(亦稱流體擴(kuò)散板)，其包含第一層及第二層相互堆疊。第一層及第二層分別具有多個第一孔洞及多個第二孔洞，且第一層及/或第二層可旋轉(zhuǎn)，以調(diào)整通孔尺寸。換言之，包含第一層及第二層的高電阻虛擬陽極具有胡椒罐狀結(jié)構(gòu)，以調(diào)整通孔尺寸。此外，第一層及/或第二層可具有多個區(qū)域，且各個區(qū)域可獨立旋轉(zhuǎn)，以調(diào)整在不同區(qū)域的通孔尺寸，以任意調(diào)整電流通量及電鍍?nèi)芤毫髁?，從而形成沉積導(dǎo)電層所需的厚度輪廓于基板(例如半導(dǎo)體晶片)上。因此，本發(fā)明的高電阻虛擬陽極可廣泛應(yīng)用于電鍍制程中。詳細(xì)而言，舉例來說，本發(fā)明的高電阻虛擬陽極不僅可應(yīng)用在電鍍制程中形成均勻的導(dǎo)電層于300毫米的晶片上，還可應(yīng)用在更大的晶片上，例如450毫米的晶片，但不限于此。

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第一層100的上視示意圖。如圖1所示，第一層100包含多個第一孔洞110穿透第一層100。在一些實施例中，各個第一孔洞110具有大致相同或完全相同的直徑。然而，在實際應(yīng)用中，可以調(diào)整第一孔洞110的尺寸及分布，以符合需求，而不限于圖1例示者。在一些實施例中，第一層100是由電絕緣材料制成。

在一些實施例中，第一層100是可旋轉(zhuǎn)的。在一些實施例中，第一層100包含可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b?？尚D(zhuǎn)周邊部分100b圍繞可旋轉(zhuǎn)中央部分100a。在一些實施例中，可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b設(shè)置用以控制高電阻虛擬陽極的通孔尺寸，從而調(diào)整電鍍制程的電阻及電流通量。在其他實施例中，第一層包含不可旋轉(zhuǎn)的中央部分及可旋轉(zhuǎn)的周邊部分圍繞此不可旋轉(zhuǎn)的中央部分。

在一些實施例中，可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b包含多個可旋轉(zhuǎn)環(huán)狀部分102b、104b、106b共軸圍繞可旋轉(zhuǎn)中央部分100a。在實際應(yīng)用中，可調(diào)整環(huán)狀部分的數(shù)量及尺寸(例如上視寬度)，以符合需求，而不限于圖1例示者。

在一些實施例中，第一孔洞110的第一部分110a穿透第一層100的可旋轉(zhuǎn)中央部分100a，第一孔洞110的第二部分110b穿透第一層100的可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b。在實際應(yīng)用中，第一孔洞110的第一部分110a的尺寸及分布可與第一孔洞110的第二部分110b的尺寸及分布相同或不同，以符合需求，而不限于圖1例示者。

圖2繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第二層200的上視示意圖。如圖2所示，第二層200包含多個第二孔洞210穿透第二層200。在一些實施例中，各個第二孔洞210具有大致相同或完全相同的直徑。然而，在實際應(yīng)用中，可以調(diào)整第二孔洞210的尺寸及分布，以符合需求，而不限于圖2例示者。在一些實施例中，第二層200是由電絕緣材料制成。

在一些實施例中，圖1的第一孔洞110的其中一者設(shè)置用以部分或完全重疊圖2的第二孔洞210的其中一者。在一些實施例中，圖2的第二孔洞210具有一孔洞分布與圖1的第一孔洞110的孔洞分布相同。然而，在實際應(yīng)用中，第一層100的孔洞分布可與第二層200的孔洞分布不同，而不限于第1及2圖例示者。

圖3A繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第一層100與位于其上的第二層200的上視示意圖。如圖3A所示，第二層200設(shè)置于第一層100上方，且第一層100的可旋轉(zhuǎn)中央部分100a與可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b(例如可旋轉(zhuǎn)環(huán)狀部分102b、104b、106b)可獨立旋轉(zhuǎn)。在電鍍制程時，電鍍?nèi)芤簩牡谝豢锥?10與第二孔洞210的多個重疊部分中流過去，從而形成沉積導(dǎo)電層所需的厚度輪廓于基板上。

在一些實施例中，如圖3A所示，位于中央的通孔(即第一孔洞110與第二孔洞210的重疊部分)具有一面積大于位于周邊的通孔的面積，因此穿透高電阻虛擬陽極的中央的電流通量的百分比將高于穿透高電阻虛擬陽極的周邊的電流通量的百分比，以避免“邊緣效應(yīng)”。

圖3B繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的沿著圖3A剖面線段AA’的第一層100及第二層200的剖面示意圖。如圖3B所示，第一層100的中央(如可旋轉(zhuǎn)中央部分100a)具有一厚度t1小于或等于第一層100的周邊(如可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b)的厚度t2。在一些實施例中，厚度t1或t2介于2厘米至15厘米之間。在一些實施例中，厚度t1或t2介于2厘米至5厘米之間、5厘米至8厘米之間、8厘米至12厘米之間或12厘米至15厘米之間。在一些實施例中，厚度t1介于2厘米至8厘米之間。在一些實施例中，厚度t2介于8厘米至15厘米之間。在一些實施例中，第一層100的厚度自中央往周邊逐漸增加。在一些實施例中，第一層100的剖面為平凹狀。

在一些實施例中，第一孔洞的第一部分110a穿透第一層100的可旋轉(zhuǎn)中央部分100a，第一孔洞的第二部分110b穿透第一層100的可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b。在一些實施例中，第一孔洞的第一部分110a的其中一者具有一最大深度md1小于第一孔洞的第二部分110b的其中一者的一最大深度md2。

在一些實施例中，第二層200具有均勻的厚度。在一些實施例中，第二層200具有一厚度介于2厘米至15厘米之間。在一些實施例中，第二層200具有一厚度介于2厘米至5厘米之間、5厘米至8厘米之間、8厘米至12厘米之間或12厘米至15厘米之間。在一些實施例中，第二層200的一個第二孔洞210大致對準(zhǔn)或完全對準(zhǔn)第一層100的第一孔洞的第一部分110a的其中一者。在一些實施例中，第二層200的一個第二孔洞210未對準(zhǔn)第一層100的第一孔洞的第二部分110b的其中一者。

在其他實施例中，第二層的中央具有一厚度小于第二層的周邊的厚度。在其他實施例中，第二層的厚度自中央往周邊逐漸增加。在其他實施例中，第二層的剖面為平凹狀。

在一些實施例中，高電阻虛擬陽極包含三層或超過三層。在一些實施例中，參照圖3B，高電阻虛擬陽極不僅包含第一層100與第二層200，還包含第三層(未繪示)。在一些實施例中，第三層位于第二層200上方或位于第一層100下方。

圖4繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第一層100的上視示意圖。如圖4所示，第一層100包含多個第一孔洞110穿透第一層100。在一些實施例中，位于不同區(qū)域的第一孔洞110具有不同的直徑。

在一些實施例中，第一層100包含可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b。可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b圍繞可旋轉(zhuǎn)中央部分100a。在一些實施例中，可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b設(shè)置用以控制高電阻虛擬陽極的通孔尺寸，從而調(diào)整電鍍制程的電阻及電流通量。在一些實施例中，可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b包含多個可旋轉(zhuǎn)環(huán)狀部分102b、104b、106b共軸圍繞可旋轉(zhuǎn)中央部分100a。

在一些實施例中，第一孔洞110的第一部分110a穿透第一層100的可旋轉(zhuǎn)中央部分100a，第一孔洞110的第二部分110b穿透第一層100的可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b。在一些實施例中，第一孔洞110的第一部分110a的其中一者具有一直徑d1大于第一孔洞110的第二部分110b的其中一者的直徑d2。在一些實施例中，可旋轉(zhuǎn)中央部分100a具有一開口率高于可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b的開口率?！伴_口率”是指在一面積中，孔洞所占據(jù)的面積。

圖5繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的第二層200的上視示意圖。如圖5所示，第二層200包含多個第二孔洞210穿透第二層200。在一些實施例中，在不同位置的第二孔洞210具有不同的直徑。在一些實施例中，圖4的第一孔洞110的其中一者設(shè)置用以部分重疊或完全重疊圖5的第二孔洞210的其中一者。

圖6繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的包含高電阻虛擬陽極的電鍍槽的剖面示意圖。在一些實施例中，電鍍槽包含用以支撐基板300a(例如半導(dǎo)體晶片)的基板支架300、電鍍浴400、陽極500(即實際陽極)及高電阻虛擬陽極，如圖3B的包含第一層100及第二層200的高電阻虛擬陽極。在一些實施例中，電鍍槽還包含其他功能性元件，例如擴(kuò)散板、電鍍?nèi)芤簩?dǎo)入管、沖洗排水管線、電鍍?nèi)芤夯亓鞴芫€、任何其他功能性元件或其組合。

在一些實施例中，電鍍槽被包含在用于電鍍基板(例如半導(dǎo)體晶片)的電鍍工具(未繪示)內(nèi)?；鍟还?yīng)至此電鍍工具中。機(jī)器人可以在多維度下，從一個站點收取及移動基板至另一個站點。電鍍工具亦可包含其他設(shè)置用以進(jìn)行其他必要電鍍子制程的模塊，電鍍子制程例如旋轉(zhuǎn)沖洗及干燥、金屬及硅濕蝕刻、預(yù)濕及預(yù)化學(xué)處理、光阻剝離、表面預(yù)活化等。

基板支架300設(shè)置用以在電鍍沉積時，接收及支持基板300a。“基板支架”亦可稱為晶片支架、工件支架、蛤殼狀支架、蛤殼狀組件及蛤殼。在一些實施例中，基板支架300為Novellus Systems'tool。在一些實施例中，透過促動器，可使基板支架300垂直上升或下降，以將基板300a浸沒于電鍍槽的電鍍浴400中。在一些實施例中，基板300a具有導(dǎo)電種層(未繪示)于其上方。

在一些實施例中，基板支架(蛤殼)300包含兩個主要部件，其為錐體310及杯體320。在一些實施例中，杯體320設(shè)置用以提供基板300a停留于其上方的支撐。在一些實施例中，錐體310位于杯體320上，并設(shè)置用以向下壓基板300a的背面，以保持基板300a在位置上。在一些實施例中，基板支架300是透過心軸330而由馬達(dá)(未繪示)驅(qū)動，如圖6所示。在一些實施例中，心軸330從馬達(dá)傳遞扭矩至基板支架300，使保持在基板支架300內(nèi)的基板300a在電鍍制程時轉(zhuǎn)動。在一些實施例中，心軸330內(nèi)的汽缸還提供用以扣合杯體320于錐體310的垂直力。

在一些實施例中，高電阻虛擬陽極設(shè)置用以調(diào)整實際陽極500與基板300a表面之間的電流通量及電鍍?nèi)芤毫髁?。在一些實施例中，包含第一?00及第二層200的高電阻虛擬陽極的周邊被固定(密封)在電鍍浴(又稱為電鍍腔體)的壁(未標(biāo)示)上，并且與基板300a之間有一定距離。此距離由沉積于基板300a上的導(dǎo)電層所需的厚度輪廓決定。高電阻虛擬陽極越接近基板300a，高電阻虛擬陽極對于沉積于基板300a上的導(dǎo)電層所造成的厚度輪廓的影響越大。由于高電阻虛擬陽極被固定在電鍍浴的壁上，電鍍?nèi)芤簳鹘?jīng)高電阻虛擬陽極的第一孔洞110及第二孔洞210。

在一些實施例中，諸如直流電源的電源(未繪示)具有負(fù)輸出引線(未繪示)電連接基板300a。在一些實施例中，電源的正輸出引線電連接位于電鍍浴400內(nèi)的實際陽極500。在使用時，電源施加偏壓至基板300a，使基板300a相對于實際陽極具有負(fù)電位，從而引起電流從實際陽極500穿過高電阻虛擬陽極流至基板300a。如在此所述，以相同方向流過的電流作為凈正離子流量及相反的凈電子流量，其中電流定義為每單位時間下流經(jīng)一面積的電荷量。這也會引起電流通量從實際陽極500穿過高電阻虛擬陽極到達(dá)基板300a，其中電流通量被定義為通過一面積的力線(場線)的數(shù)量。此引起于基板300a上的電化學(xué)反應(yīng)(例如Cu²⁺+2e^-→Cu)，導(dǎo)致導(dǎo)電層(例如銅)沉積于基板300a上。于電鍍周期時，透過于實際陽極500內(nèi)溶解金屬(例如Cu→Cu²⁺+2e^-)補充電鍍?nèi)芤旱碾x子濃度。

實際陽極500位于電鍍浴400內(nèi)。在一些實施例中，通過泵浦(未繪示)，持續(xù)供應(yīng)電鍍?nèi)芤褐岭婂冊?00中。在一些實施例中，電鍍?nèi)芤和ㄟ^位于實際陽極500內(nèi)的多個孔洞(未繪示)，往上流至基板300a。

在一些實施例中，實際陽極500包含陽極杯(未繪示)、離子源材料(未繪示)及薄膜(未繪示)。在一些實施例中，陽極杯是由電絕緣材料制成，例如聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)。在一些實施例中，陽極杯包含具有多個間隔開的開口的盤狀基座部分位于陽極杯中，電鍍?nèi)芤簳鹘?jīng)這些開口。當(dāng)使用時，離子源材料會電化學(xué)溶解，補充電鍍?nèi)芤旱碾x子濃度。在一些實施例中，離子源材料被容置在陽極杯及薄膜所圍置的區(qū)域內(nèi)。薄膜覆蓋離子源材料，且具有高電阻，其可產(chǎn)生跨薄膜的壓降。這有利于減少離子源材料在溶解時改變形狀導(dǎo)致的電場變化。

包含第一層100及第二層200的高電阻虛擬陽極位于基板300a表面與實際陽極500之間。在一些實施例中，第一層100面對實際陽極500，第二層200面對基板300a的表面。在一些實施例中，第一層100具有平坦面100c及弧面100d相對設(shè)置，且第一層100的弧面100d面對實際陽極500。在一些實施例中，第一層100的平坦面100c面對第二層200。在一些實施例中，第一層100的平坦面100c接觸第二層200。在一些實施例中，高電阻虛擬陽極的中央具有一厚度t3小于高電阻虛擬陽極周邊的厚度t4；因此，在中央的高電阻虛擬陽極的電阻小于在周邊的電阻，且穿透高電阻虛擬陽極的中央的電流通量的百分比將高于穿透高電阻虛擬陽極的周邊的電流通量的百分比，以避免邊緣效應(yīng)。

圖7繪示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的使用電鍍槽處理基板表面的方法的流程圖。

在操作702中，如圖6所示，接收電鍍槽，其包含用以支撐基板300a(例如半導(dǎo)體晶片)的基板支架300、電鍍浴400、位于電鍍浴400內(nèi)的陽極500(即實際陽極)及位于電鍍浴400內(nèi)的高電阻虛擬陽極(例如包含第一層100及第二層200的第3A及3B圖的高電阻虛擬陽極)。

在一些實施例中，如第3A及3B圖所示，第一層100包含多個第一孔洞110穿透第一層100，其中第一層100包含可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及圍繞可旋轉(zhuǎn)中央部分100a的可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b。在一些實施例中，如第3A及3B圖所示，第二層200位于第一層100上，且第二層200包含多個第二孔洞210穿透第二層200。

在操作704中，如圖3A所示，旋轉(zhuǎn)高電阻虛擬陽極的可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b的至少其中一者，以調(diào)整高電阻虛擬陽極的通孔尺寸。在一些實施例中，旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)環(huán)狀部分102b、104b、106b的至少其中一者，以調(diào)整高電阻虛擬陽極的通孔尺寸。在一些實施例中，旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b的至少其中一者是由可編程序控制器進(jìn)行。在一些實施例中，旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b的至少其中一者是使用一程序進(jìn)行。在一些實施例中，旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b的至少其中一者是根據(jù)基板300a的尺寸(例如直徑)、沉積于基板300a上的導(dǎo)電層所需的厚度輪廓及任何其他合適的參數(shù)所決定。

在操作706中，如圖6所示，當(dāng)基板支架300打開時，安裝基板300a至基板支架300內(nèi)。詳細(xì)而言，基板300a被安裝至杯體320內(nèi)。在裝載基板300a后，錐體310扣合杯體320，以扣住基板300a并靠在杯體320邊緣。

在操作708中，如圖6所示，將基板支架300及基板300a放置到包含電鍍?nèi)芤旱碾婂冊?00內(nèi)，從而使高電阻虛擬陽極位于基板300a的表面與陽極500之間。在一些實施例中，放置基板支架300及基板300a至電鍍浴400內(nèi)是在旋轉(zhuǎn)高電阻虛擬陽極的可旋轉(zhuǎn)中央部分100a及可旋轉(zhuǎn)周邊部分100b的至少其中一者之后進(jìn)行。

在操作710中，如圖6所示，產(chǎn)生位于基板300a與實際陽極500之間且穿過高電阻虛擬陽極的電流通量，以形塑電流通量，并形成電鍍層(未繪示)于基板300a的表面上。在一些實施例中，由于高電阻虛擬陽極的中央的厚度t3小于高電阻虛擬陽極的周邊的厚度t4，高電阻虛擬陽極在中央的電阻比在周邊的電阻小。因此，穿透高電阻虛擬陽極的中央的電流通量的百分比高于穿透高電阻虛擬陽極的周邊的電流通量的百分比，以避免邊際效應(yīng)，從而沉積出均勻的導(dǎo)電層于基板300a上。

在一些具體實施例中，對于450毫米的晶片，使用商用高電阻虛擬陽極形成的導(dǎo)電層的厚度均勻度(等于厚度標(biāo)準(zhǔn)差/厚度平均值)為10％。在一些具體實施例中，使用本發(fā)明的高虛擬陽極形成的導(dǎo)電層的厚度均勻度為2.5％，代表本發(fā)明的高電阻虛擬陽極確實可解決邊緣效應(yīng)的問題。

根據(jù)一些實施例，一種用于電鍍槽的高電阻虛擬陽極，包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位于第一層上，并且包含多個第二孔洞穿透第二層。

根據(jù)一些實施例，一種用以處理基板的表面的電鍍槽，包含基板支架、電鍍浴、陽極及高電阻虛擬陽極?；逯Ъ苡靡灾位?。陽極位于電鍍浴內(nèi)。高電阻虛擬陽極位于基板的表面與陽極之間。高電阻虛擬陽極包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位于第一層上，并且包含多個第二孔洞穿透第二層。

根據(jù)一些實施例，一種處理基板的表面的方法，包含：接收電鍍槽，電鍍槽包含：基板支架，用以支撐基板；電鍍?。魂枠O，位于電鍍浴內(nèi)；以及高電阻虛擬陽極，位于電鍍浴內(nèi)，高電阻虛擬陽極包含：第一層，包含多個第一孔洞穿透第一層，其中第一層包含可旋轉(zhuǎn)中央部分及可旋轉(zhuǎn)周邊部分圍繞可旋轉(zhuǎn)中央部分；以及第二層，位于第一層上，并且包含多個第二孔洞穿透第二層；旋轉(zhuǎn)可旋轉(zhuǎn)中央部分及可旋轉(zhuǎn)周邊部分的至少其中一者；安裝基板至基板支架內(nèi)；放置基板支架及基板至電鍍浴內(nèi)，以使高電阻虛擬陽極位于基板的表面與陽極之間；以及產(chǎn)生位于基板與陽極之間且穿過高電阻虛擬陽極的電流通量，以形塑電流通量，并形成電鍍層于基板的表面上。

以上扼要地提及多種實施例的特征，因此熟悉此技藝的人士可較好了解本發(fā)明的各方面。熟悉此技藝的人士應(yīng)意識到，為了落實相同的目的及/或達(dá)到在此提出的實施例的相同優(yōu)點，其可輕易使用本發(fā)明以做為設(shè)計或修改其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。熟悉此技藝的人士亦應(yīng)了解的是，這些均等的構(gòu)造不背離本發(fā)明的精神及范圍，以及其人可在此進(jìn)行各種改變、取代、及替代而不背離本發(fā)明的精神及范圍。