技術(shù)編號(hào)：12585479
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例是有關(guān)于一種用于電鍍槽的高電阻虛擬陽(yáng)極、一種用以處理基板表面的電鍍槽以及一種處理基板表面的方法。背景技術(shù)制造半導(dǎo)體裝置通常需要形成導(dǎo)電體于半導(dǎo)體晶片上。舉例來(lái)說(shuō)，位于晶片上的導(dǎo)電引線通常通過(guò)電鍍(沉積)諸如銅的導(dǎo)電層于晶片上及圖案化溝渠內(nèi)而形成。電鍍涉及制造與導(dǎo)電層欲形成于其上的晶片表面(以下稱為“晶片鍍面”)之間的電接觸。然后電流通過(guò)位于陽(yáng)極與晶片鍍面(晶片鍍面為陰極)之間的電鍍?nèi)芤?即含有欲沉積的元素離子的溶液，例如含有Cu2+的溶液)。這將導(dǎo)致于晶片鍍面上發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，沉積出...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。