1.壓延銅箔的表面黑化處理方法,其特征在于,依次包括如下步驟:
(1)電化學(xué)除油、(2)粗化處理、(3)固化處理、(4)鍍鎳鈷處理、(5)鍍鋅處理、(6)鈍化、(7)涂硅烷耦合劑處理和(8)烘干處理,獲得產(chǎn)品;
步驟(1)~步驟(6)的任一步驟中,均通有電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟(2)~步驟(7)的每個步驟之間,還包括水洗步驟;在步驟(1)和步驟(2)之間,還依次包括水洗、酸洗和水洗步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(1)的電化學(xué)除油包括2~4次,相鄰的兩次之間還包括水洗步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(2)的粗化處理包括2~4次,相鄰的兩次之間還包括水洗步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(3)的固化處理包括2~4次,相鄰的兩次之間還包括水洗步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的電化學(xué)除油步驟(1)中,除油溶液為氫氧化鈉水溶液,其中OH-濃度為30~40g/L,常溫,電流密度為2.5~3.5A/dm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的粗化處理步驟(2)中,所用粗化溶液的濃度為:
Cu2+20-40g/L,H2SO4100-150g/L,溫度為20-40℃,電流密度為15-50A/dm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,當采用2~4次的粗化處理過程時,初次粗化溶液含有如下濃度的組分:
Cu2+20-30g/L,H2SO4100-150g/L,溫度為20-40℃,電流密度為15-20A/dm2;處理時間為4~6s;
第二至第四次,粗化溶液含有如下組分濃度的組分:
Cu2+30-40g/L,H2SO4120-150g/L,溫度為20-40℃,電流密度為35-50A/dm2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的固化處理步驟(3)中,所用固化溶液含有如下濃度的組分:
Cu2+30-50g/L,H2SO480-110g/L,溫度為40-50℃,電流密度為8-20A/dm2。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,當采用2~4次的固化處理步驟時,初次固化處理步驟所用固化溶液含有如下濃度的組分:
Cu2+30-40g/L,H2SO480-110g/L,溫度為40-50℃,電流密度為15-20A/dm2;其余的固化處理步驟中,固化溶液含有如下濃度的組分:Cu2+40-50g/L,H2SO480-110g/L,溫度為40-50℃,電流密度為8-12A/dm2。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的鍍鎳鈷處理步驟(4)中,所用鍍鎳鈷溶液含有如下濃度的組分:
Ni2+40-60g/L,Co2+1-5g/L,NH4+20-50g/L,絡(luò)合劑22-28g/L,緩沖劑20-40g/L,黑化劑5-100g/L;
所述的絡(luò)合劑選自檸檬酸或檸檬酸鈉;
所述的緩沖劑選自硼酸;
所述黑化劑選自NH4+、K+、SCN-、NH2+、CS2-化合物中的一種;
電流密度16-24A/dm2,溫度為0-50℃,pH2-6。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的鍍鋅處理步驟(5)中,所用鍍鋅溶液含有如下濃度的組分:Zn2+20-30g/L;電流密度0.3-0.5A/dm2,溫度為20-30℃。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的鈍化步驟(6)中,所用鈍化溶液為含有如下組分的CrO3-1-5g/L溶液,電流密度0.2-0.4A/dm2,溫度為20-30℃。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的噴涂硅烷耦合劑處理步驟(7)中,噴涂的是重量濃度為3%~7%的硅烷偶聯(lián)劑水溶液,干基的硅烷耦合劑的噴涂重量為0.1-0.7克/cm2。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的酸洗溶液為硫酸,其中H+濃度為30-50g/L。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,所述的黑化劑選自KSCN、NH4SCN或SC(NH2)2。
17.根據(jù)權(quán)利要求1~16任一項所述的方法,其特征在于,步驟(1)至步驟(8),銅箔運行速度為20-30m/min,每個工序的停留時間為4-6s。