鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，該方法為：一、以水為溶劑配制電解液，然后將電解液置于電解槽中；二、將待處理的鎂或鎂合金置于電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極電解，在鎂或鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜。本發(fā)明通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂或鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂或鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉除了使陶瓷膜具有長(zhǎng)余輝發(fā)光特性外，還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
【專利說明】鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于微弧氧化處理【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]鎂合金是應(yīng)用在現(xiàn)代工業(yè)合金中比重最輕的一種合金，它具有較高的強(qiáng)度重量比和良好的防震性能，主要應(yīng)用在導(dǎo)彈導(dǎo)引系統(tǒng)，起落輪轂，發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)殼等零部件。近年來鎂及其合金成為輕質(zhì)結(jié)構(gòu)材料重要的代替產(chǎn)品。鎂合金還應(yīng)用在高強(qiáng)度、高減振性、電磁屏蔽性和要求良好的力學(xué)性能的汽車及電子工業(yè)領(lǐng)域。由于鎂的這些優(yōu)良特性，國際上對(duì)鎂的消耗日益增加，世界各國對(duì)鎂及其合金的開發(fā)研究也在積極進(jìn)行。我國的鎂蘊(yùn)藏豐富，近年來，我國開始研究開發(fā)鎂產(chǎn)品的成型及表面處理工藝。
[0003]發(fā)光材料在交通，工業(yè)以及人們?nèi)粘Ｉ钪杏猛緩V泛。其用于各種標(biāo)牌，交通路面劃線，高速公路，儀表表盤，電源開關(guān)，門窗把手，夜用物品上；也可作應(yīng)急照明之用，如電廠、車站、碼頭、船只、人防設(shè)施等；還可用于裝飾、裝修、工藝美術(shù)品，廣告上，具有很好的市場(chǎng)前景。
[0004]微弧氧化工藝是近年來發(fā)展起來的一種有色金屬(如鋁、鎂、鈦等)表面處理工藝，尤其是從二十世紀(jì)九十年代開始，該工藝已成為國內(nèi)學(xué)術(shù)界的研究熱點(diǎn)，并且逐漸得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)可。尤其是鎂合金表面微弧氧化處理，由于微弧氧化陶瓷層的較高硬度、抗擦傷及抗腐蝕能力，使該技術(shù)廣泛地應(yīng)用于鎂合金產(chǎn)品的表面處理。特別是陶瓷層表面均勻分布著大量盲性微孔的特性，能夠增加鎂合金產(chǎn)品的后續(xù)裝飾涂層與陶瓷層的結(jié)合強(qiáng)度。
[0005]目前，隨著鎂合金應(yīng)用范圍的不斷推廣，對(duì)鎂合金微弧氧化陶瓷膜的要求也不斷提高，鎂合金微弧氧化產(chǎn)品應(yīng)用于日常生活，道路交通，裝飾美化等方面的要求也日益提聞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法。該方法通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂或鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂或鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉除了使陶瓷膜具有長(zhǎng)余輝發(fā)光特性外，還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟:
[0008]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨25g~35g，氟化氫銨5g~20g，硼砂IOg~30g，納米鋁酸 鍶熒光粉30g~40g，然后將電解液置于電解槽中；
[0009]步驟二、將待處理的鎂或鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為5°C~10°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為300Hz~1000Hz，占空比為5%~45%，在電壓為250V~450V的條件下電解20min~60min，
在鎂或鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜。
[0010]上述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，步驟一中每升電解液中含磷酸氫二銨25g~35g,氟化氫銨8g~15g,硼砂15g~25g,納米招酸銀突光粉30g ~40g 。
[0011]上述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，步驟二中所述脈沖頻率為400Hz~600Hz。
[0012]上述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，步驟二中所述占空比為10%~20%O
[0013]上述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，步驟二中所述電壓為300V~400V。
[0014]上述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，步驟二中所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0015]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0016]1、本發(fā)明通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂或鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，制備的陶瓷膜具有極強(qiáng)的吸光、蓄光、發(fā)光能力。通過吸收各種可見光后，在暗處可持續(xù)12h以上散發(fā)余光。其發(fā)光強(qiáng)度和持續(xù)時(shí)間是硫化鋅熒光材料的數(shù)十倍，而且材料本身無毒無害，不含任何放射性元素，穩(wěn)定性和耐久性優(yōu)良，吸光和發(fā)光過程可重復(fù)，低度照明和指(顯)示作用良好，應(yīng)用范圍廣。
[0017]2、本發(fā)明電解過程中采用超聲波輔助，對(duì)添加納米鋁酸鍶熒光粉的電解液進(jìn)行處理，使納米熒光粉均勻懸浮于溶液中，有利于納米熒光粉均勻地進(jìn)入鎂合金表面陶瓷膜，進(jìn)而制備出理想的發(fā)光陶瓷膜。
[0018]3、采用本發(fā)明的方法制備的鎂或鎂合金表面長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜微孔數(shù)量大量減少，許多微孔被納米鋁酸鍶熒光粉填充封閉，說明納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔；另外，納米鋁酸鍶熒光粉除了使陶瓷膜具有長(zhǎng)余輝發(fā)光特性外，還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0019]4、本發(fā)明的方法簡(jiǎn)單高效，電解液成分綠色環(huán)保。
[0020]5、本發(fā)明的方法對(duì)鎂或鎂合金的材質(zhì)、形狀、尺寸等無特殊要求，因此該工藝具有良好的通用性。
[0021]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1制備的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜表面的SEM照片。
[0023]圖2為鎂合金微弧氧化陶瓷膜表面的SEM照片。
【具體實(shí)施方式】
[0024]實(shí)施例1[0025]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨30g，氟化氫銨Sg，硼砂20g，納米鋁酸鍶熒光粉35g，然后將電解液置于電解槽中；
[0026]步驟二、將待處理的鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為5°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為500Hz，占空比為10%，在電壓為350V的條件下恒壓電解30min，即在鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0027]對(duì)比例
[0028]按照實(shí)施例1的方法，采用不含納米鋁酸鍶熒光粉的電解液進(jìn)行微弧氧化電解，在鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的陶瓷膜。
[0029]圖1為實(shí)施例1制備的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜表面的SEM照片，從圖中可以看到陶瓷膜的微孔數(shù)量少，許多微孔已被納米鋁酸鍶熒光粉填充封閉；圖2為對(duì)比例制備的鎂合金微弧氧化陶瓷膜表面的SEM照片，從圖中可以看到陶瓷膜表面存在大量10微米左右的微孔。由此可見，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。納米鋁酸鍶熒光粉除了使陶瓷膜具有長(zhǎng)余輝發(fā)光特性外，還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0030]實(shí)施例2
[0031]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨30g，氟化氫銨Sg，硼砂20g，納米鋁酸鍶熒光粉35g，然后將電解液置于電解槽中；
[0032]步驟二、將待處理的鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為5°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為400Hz，占空比為15%，在電壓為350V的條件下恒壓電解30min，即在鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0033]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0034]實(shí)施例3
[0035]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨25g，氟化氫銨15g，硼砂20g，納米鋁酸鍶熒光粉35g，然后將電解液置于電解槽中；
[0036]步驟二、將待處理的鎂置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為8°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為400Hz，占空比為20%，在電壓為350V的條件下電解30min，即在鎂表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0037]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0038]實(shí)施例4
[0039]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨35g，氟化氫銨20g，硼砂25g，納米鋁酸鍶熒光粉40g，然后將電解液置于電解槽中；
[0040]步驟二、將待處理的鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為10°c，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為500Hz，占空比為15%，在電壓為400V的條件下電解30min，即在鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0041]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0042]實(shí)施例5
[0043]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨25g，氟化氫銨5g，硼砂30g，納米鋁酸鍶熒光粉30g，然后將電解液置于電解槽中；
[0044]步驟二、將待處理的鎂置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為10°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為300Hz，占空比為45%，在電壓為250V的條件下電解60min，即在鎂表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0045]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0046]實(shí)施例6
[0047]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨30g，氟化氫銨15g，硼砂10g，納米鋁酸鍶熒光粉30g，然后將電解液置于電解槽中；
[0048]步驟二、將待處理的鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為7°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為1000Hz，占空比為5%,在電壓為450V的條件下電解20min,即在鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0049]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0050]實(shí)施例7
[0051]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨25g，氟化氫銨15g，硼砂25g，納米鋁酸鍶熒光粉30g，然后將電解液置于電解槽中；
[0052]步驟二、將待處理的鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為8°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為600Hz，占空比為10%，在電壓為300V的條件下電解40min，即在鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0053]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0054]實(shí)施例8
[0055]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨35g，氟化氫銨Sg，硼砂15g，納米鋁酸鍶熒光粉40g，然后將電解液置于電解槽中；
[0056]步驟二、將待處理的鎂置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為10°c，采用 脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為600Hz，占空比為20%，在電壓為350V的條件下電解30min，即在鎂表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0057]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0058]實(shí)施例9
[0059]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨30g，氟化氫銨10g，硼砂20g，納米鋁酸鍶熒光粉35g，然后將電解液置于電解槽中；
[0060]步驟二、將待處理的鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為8°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為500Hz，占空比為15%，在電壓為350V的條件下電解30min，在鎂或鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解 液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0061]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0062]實(shí)施例10
[0063]步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨30g，氟化氫銨12g，硼砂18g，納米鋁酸鍶熒光粉35g，然后將電解液置于電解槽中；
[0064]步驟二、將待處理的鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為5°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為500Hz，占空比為10%，在電壓為400V的條件下電解20min，在鎂或鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜；所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理(可采用帶有超聲波發(fā)生器的電解槽或?qū)㈦娊獠壑糜谘b有超聲波振動(dòng)器的容器內(nèi))使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。
[0065]本實(shí)施例通過在微弧氧化電解液中添加納米鋁酸鍶熒光粉，在鎂合金表面制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜，納米鋁酸鍶熒光粉可以在微弧氧化處理時(shí)的微等離子體弧光放電過程中，通過鎂合金微弧氧化陶瓷膜的表面微米級(jí)的孔浸入陶瓷膜，并在高能反應(yīng)的瞬間與陶瓷膜燒結(jié)成一體，封閉微孔。另外，納米鋁酸鍶熒光粉還對(duì)多孔的陶瓷膜起到封閉、抗蝕的作用。
[0066]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明做任何限制，凡是根據(jù)發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變化，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保 護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: 步驟一、以水為溶劑配制電解液，每升電解液中含磷酸氫二銨25g~35g，氟化氫銨5g~20g，硼砂IOg~30g，納米鋁酸鍶熒光粉30g~40g，然后將電解液置于電解槽中； 步驟二、將待處理的鎂或鎂合金置于步驟一所述電解液中作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為5°C~10°C，采用脈沖式微弧氧化電源，調(diào)節(jié)脈沖頻率為300Hz~1000Hz,占空比為5%~45%，在電壓為250V~450V的條件下電解20min~60min，在鎂或鎂合金表面生長(zhǎng)一層均勻的長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，其特征在于，步驟一中每升電解液中含磷酸氫二銨25g~35g,氟化氫銨8g~15g,硼砂15g~25g，納米鋁酸鍶熒光粉30g~40g。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，其特征在于，步驟二中所述脈沖頻率為400Hz~600Hz。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，其特征在于，步驟二中所述占空比為10%~20%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，其特征在于，步驟二中所述電壓為300V~400V。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂或鎂合金表面微弧氧化制備長(zhǎng)余輝發(fā)光陶瓷膜的方法，其特征在于，步驟二中所述電解過程中對(duì)電解液進(jìn)行超聲波處理使得納米鋁酸鍶熒光粉均勻懸浮于電解液中。`
【文檔編號(hào)】C25D11/30GK103510140SQ201310503710
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】陳宏 , 郝建民, 林樹長(zhǎng), 任朋軍, 郝一鳴 申請(qǐng)人:長(zhǎng)安大學(xué)