專利名稱：以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，更為詳細(xì)的說是由載體箔、剝離層及極薄銅箔所構(gòu)成，應(yīng)用在高密度及精細(xì)線路的印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄
膜等基材。
背景技術(shù)：
附有載體的極薄銅箔用在電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)域做為高密度及精細(xì)線路用途的印刷電路板組件，現(xiàn)今講求的是輕、薄以及短、小化，對(duì)于電路線路的精密度要求亦趨向精密，銅箔的薄化處理需求也日益增加?，F(xiàn)行附有載體的極薄銅箔，一般是使用18 35μπι厚度的載體(銅箔或是鋁箔)，再經(jīng)由電鍍?cè)俑缴? 6 μ m厚的極薄電解銅箔。隨著各種電子組件的高密度體積化，電路基板的組合及其電路圖案亦須高密度化，例如封裝所使用的印刷電路板，其電路間的線寬與線距是需要30 μ m左右的高密度微細(xì)電路，若使用的電解銅箔較厚則會(huì)增加蝕刻Etching)的時(shí)間，其結(jié)果，將形成電路圖案?jìng)?cè)璧的垂直度被破壞，在線距要求較寬的電路上是不會(huì)產(chǎn)生，但對(duì)于較窄的電路則可能產(chǎn)生短路或斷線的問題。載體箔與極薄銅箔間的剝離層，常用有機(jī)系的含氮有機(jī)化合物或者無機(jī)系的鉻金屬或鉻酸鹽兩元合金無機(jī)膜層。使用有機(jī)系的有機(jī)剝離膜層缺點(diǎn)，不但有鍍液與廢水排放處理，增加了處理的費(fèi)用與時(shí)間問題，且在高溫的電路板制備工藝中會(huì)產(chǎn)生氣泡，引起電路板的制造質(zhì)量與產(chǎn)生電測(cè)試穩(wěn)定性問題。另一方面，剝離膜層由無機(jī)系兩元合金所組成，其膜層厚度比例是控制載體箔與極薄銅箔結(jié)合強(qiáng)度的重要因素，當(dāng)兩者比例控制不佳，容易有剝離不完全或極易剝離造成壓板后氧化變色等缺失。微細(xì)電路圖案用的極薄銅箔，是將在于載體箔上的剝離層直接加以電解沉積形成，最佳的厚度是5μπι以下。由于載體箔表面型態(tài)直接影響剝離層與極薄銅箔層，當(dāng)載體表面粗度過高時(shí)，后續(xù)電鍍的極薄銅箔也易有高粗度，進(jìn)而影響蝕刻性。另外，載體箔表面型態(tài)不均一時(shí)也會(huì)影響極薄銅箔的厚度均一性。同時(shí)當(dāng)載體箔具有針孔時(shí)，極薄銅箔也會(huì)具有針孔。由于載體箔為后續(xù)剝離層與極薄銅箔的基礎(chǔ)，因此載體銅箔的選用，相當(dāng)重要。 公知的發(fā)明，主要是以傳統(tǒng)HTE (High Temperature Elongation)銅箔、或是壓延銅箔做為載體銅箔，但是使用HTE銅箔，容易有表面均一性不佳，以及針孔等問題。另一方面，使用壓延銅箔因幅寬及成本等問題，而限制了產(chǎn)品的使用性。除此之外，極薄銅箔的壓合(mat)面與環(huán)氧樹脂基材的熱壓合，極薄銅箔壓合面的粗化處理、防銹處理以及硅烷涂布處理等都與基材的接著性息息相關(guān)，明顯影響產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔及其制造方法，以改進(jìn)背景技術(shù)中存在的缺陷。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，由載體箔、剝離層、及極薄銅箔經(jīng)電鍍組合而構(gòu)成；其中(1)載體層為超低棱線銅箔，其兩面光亮平滑，厚度為12_70μπι ；(2)剝離層是以含鉬、鎳、鉻及鉀的四元合金電鍍液電鍍于載體箔上形成，厚度為 1 6 μ m ； (3)極薄銅箔是在剝離層上施予 Cu2P2O7. 3H20 10 60g/L，K4P2O7 100 400g/L， pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)膜，再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度10 50A/ dm2，通電時(shí)間20秒電鍍成為厚度1 6 μ m的銅箔。所述以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，其中剝離層是由鉬、鎳、鉻、鉀四元合金的金屬或其金屬混合物形成剝離層。所述以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，其中載體層是超低棱線銅箔，其厚度為 12-70 μ m0所述以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，其中可用于高密度極精電路用途的印刷電路板、多層板印刷電路板、覆晶薄膜樹脂基材或聚亞酰胺薄膜。本發(fā)明提供的以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔的制造方法，包括(1)將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下的平整性極優(yōu)、厚度為12 70 μ m的南亞超低棱線銅箔置入于由a.硫酸鎳六水合物10 50g/L，b.鉬酸納二水合物0. 5 10g/L,c. K4P2O7 50 100g/L，d. CrO3 :0. 5 2g/L所構(gòu)成的電鍍液浴槽中，pH = 6 10，浴溫0 50°C，電流密度2. 5 6A/dm2，通電時(shí)間20秒加予電鍍制成吸附量為0. 05mg/dm2 60mg/dm2的剝離層；(2)在剝離層上施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍作為剝離層保護(hù)層；(3)再以銅濃度50 100g/L，硫酸濃度90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 10 50A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍1 6 μ m厚度的極薄銅箔。本發(fā)明以超低棱線銅箔為載體、四元合金剝離層、以及極薄銅箔所構(gòu)成的以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔如圖1所示。其載體層使用南亞的超低棱線銅箔，具有表面型態(tài)均一，表面粗度平滑以及無針孔的特點(diǎn)。而剝離層方面，其剝離層影響載體箔與極薄銅箔間的結(jié)合強(qiáng)度最大，此剝離層由四元合金的鉬、鎳、鉻、鉀金屬所構(gòu)成時(shí)，較二元合金更具良好的抗氧化特性與蝕刻特性，同時(shí)在高溫的熱壓環(huán)境下，載體箔與極薄銅箔仍舊擁有優(yōu)異的剝離特性，此為本發(fā)明的重要特性。


圖1為銅箔構(gòu)造示意圖。圖2為蝕刻(Etching)線路型態(tài)。圖3為載體箔與極薄銅箔應(yīng)用于不同基材的結(jié)合力。
附圖中主要組件符號(hào)說明1極薄銅箔，2剝離層，3載體箔，4蝕刻線路型態(tài)，5蝕刻基材型態(tài)。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供了一種以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，該極薄銅箔具有良好的抗氧化特性與蝕刻特性，在高溫的熱壓環(huán)境下載體箔與極薄銅箔仍舊擁有優(yōu)異的剝離特性， 同時(shí)載體銅箔厚度均一且針孔數(shù)量極少。一般附有載體的極薄銅箔的金屬載體箔，有鋁箔、銅箔、鈦箔、不銹鋼箔等等，其載體箔均以表面平整性極優(yōu)的金屬箔，厚度18 35 μ m,載體箔光澤面粗糙度(Surface Roughness ；指十點(diǎn)平均粗糙度值Rz，并以μ m為單位)在1. 5 μ m以下所構(gòu)成。本發(fā)明做為剝離層與極薄銅箔的基礎(chǔ)的載體層，為超低棱線銅箔(VLP銅箔)，其特點(diǎn)在于兩面呈現(xiàn)光亮特征，粗度低、厚度均一與無針孔。上述特性對(duì)于后續(xù)的剝離層與極薄銅箔皆有幫助。然而要強(qiáng)調(diào)的是，基于本發(fā)明后續(xù)所提的優(yōu)良剝離層與極薄銅箔層配方， 因此不論載體銅箔的種類或是厚度的變化，對(duì)于本發(fā)明附有載體銅箔的極薄銅箔其基本特性(如剝離特性、蝕刻特性與耐高溫特性等)其特性并不會(huì)有明顯劣化。但是若使用優(yōu)良的VLP銅箔，對(duì)于附有載體銅箔的極薄銅箔，其整體特性會(huì)有提升。本發(fā)明做為載體箔與極薄銅箔的架構(gòu)的剝離層，為影響結(jié)合力最大的重要電鍍層，剝離層結(jié)合力太強(qiáng)則無法剝離，太弱則在高溫?zé)釅汉舷螺d體箔與極薄銅箔極易分離，造成極薄銅箔光澤面氧化變色等問題，如何有效控制剝離層的均勻性與厚度，是目前必須克服的重要課題。為了克服上述缺失，本發(fā)明逐一試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)當(dāng)剝離層由電鍍具有剝離特性的四元合金的鉬、鎳、鉻、鉀等金屬構(gòu)成時(shí)，可克服上述缺失并達(dá)成本發(fā)明的目的。本發(fā)明的極薄銅箔是先使用pH = 6 10的焦磷酸銅電鍍?cè)?、后使用pH = 1 12的硫酸銅電鍍?cè)‰婂兘饘佥d體箔所形成，在剝離層上先電鍍形成焦磷酸銅層做為剝離層的防止層以保護(hù)剝離層不被硫酸銅電鍍?cè)∠吹簦绊懞罄m(xù)極薄銅箔的形成與剝離強(qiáng)度的改變。然后于硫酸銅電鍍?cè)≈行纬蓸O薄銅箔厚度1 6 μ m。以下為能進(jìn)一步明了技術(shù)特征，舉具備實(shí)施例以說明支持發(fā)明內(nèi)容。依照本發(fā)明，是將平整性極優(yōu)的銅箔制成載體箔置入硫酸鎳六水合物濃度10 50g/L，鉬酸納二水合物濃度 0. 5 10g/L, K4P2O7 :50 100g/L, CrO3 :0. 5 2g/L 的電鍍?cè)〔壑须婂冃纬蓜冸x層，接著于剝離層上再施以Cu2P2O7. 3H20 10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L浴的電鍍做為保護(hù)層，再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L的電解液電鍍成為3μπι以下的極薄銅箔。為了得到極薄銅箔表面與基板間有更強(qiáng)的剝離強(qiáng)度，本發(fā)明的極薄銅箔表面施以粗化處理，再于粗化處理表面附上具有防銹和耐熱性效果的鋅、鎳金屬以及鉻酸鹽，又為了提升極薄銅箔與基材的剝離強(qiáng)度，涂布硅烷使其具有提升剝離強(qiáng)度效果。實(shí)施例11、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下，平整性極優(yōu)，厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入硫酸鎳六水合物10 50g/L，鉬酸納二水合物0. 5 10g/L，K4P2O7 :50 100g/L，CrO3 :0. 5 2g/L，pH = 6 10，浴溫10 50°C，電流密度6 15A/dm2，通電時(shí)間20秒的鉬、鎳、鉻、鉀四元合金的電鍍?cè)〔壑须婂冎瞥删咩f、鎳、鉻、鉀合金剝離層。3、接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4、再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合(mat)面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，經(jīng)測(cè)試其載體箔與極薄銅箔無法剝離。實(shí)施例21、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下，平整性極優(yōu)，厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入硫酸鎳六水合物10 50g/L，鉬酸納二水合物0. 5 10g/L，K4P2O7 :50 100g/L,Cr03 :0. 5 2g/L，pH = 6 10，浴溫10 50°C，電流密度1 2. 5A/dm2，通電時(shí)間20秒的鉬、鎳、鉻、鉀四元合金的電鍍?cè)〔壑须婂冎瞥删咩f、鎳、鉻、鉀合金剝離層。3、接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4、再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，經(jīng)測(cè)試其載體箔與極薄銅箔幾乎無結(jié)合力。實(shí)施例31、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下，平整性極優(yōu)，厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入硫酸鎳六水合物10 50g/L，鉬酸納二水合物0. 5 10g/L，K4P207 :50 100g/L，CrO3 :0. 5 2g/L，PH 6 10，浴溫10 50°C,電流密度2. 5 6A/dm2，通電時(shí)間20秒的鉬、鎳、鉻、鉀四元合金的電鍍?cè)〔壑须婂冎瞥删咩f、鎳、鉻、鉀合金剝離層。3、接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4、再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔。以日本Siimadzu公司制的拉力試驗(yàn)機(jī)測(cè)得載體箔與極薄銅箔結(jié)合力為2. 87g/cm。比較例11、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下平整性極優(yōu)厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入硫酸鎳六水合物10 50g/L，鉬酸納二水合物0. 5 10g/L，K4P2O7 :50 100g/L，pH = 6 10，浴溫10 50°C，電流密度2. 5 6A/dm2，通電時(shí)間:20秒的鉬、鎳、
6鉀三元合金的電鍍?cè)〔壑兄瞥删咩f、鎳、鉀合金剝離層。3、接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4、再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，以日本Siimadzu公司制的拉力試驗(yàn)機(jī)測(cè)得載體箔與極薄銅箔結(jié)合力為5. 40g/cm。比較例21、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下平整性極優(yōu)厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入鉬酸納二水合物0. 5 10g/L，K4P2O7 :50 100g/L，CrO3 :0. 5 2g/L，pH =6 10，浴溫10 50°C，電流密度2. 5 6A/dm2，通電時(shí)間20秒的鉬、鉀、鉻三元合金的電鍍?cè)〔壑须婂冎瞥删咩f、鉀、鉻合金剝離層。3、接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，PH :6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4、再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔。經(jīng)測(cè)試其載體箔與極薄銅箔無法剝離。比較例31、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下平整性極優(yōu)厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入硫酸鎳六水合物10 50g/L，K4P2O7 :50 100g/L，CrO3 :0. 5 2g/L，pH =6 10，浴溫10 50°C，電流密度2. 5 6A/dm2，通電時(shí)間20秒的鎳、鉀、鉻三元合金的電鍍?cè)〔壑兄瞥删哝?、鉀、鉻合金剝離層。3.接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L, K4P2O7 :100 400g/L, pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4、再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，經(jīng)測(cè)試其載體箔與極薄銅箔無法剝離。比較例41、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下平整性極優(yōu)厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入硫酸鎳六水合物10 50g/L，鉬酸納二水合物0. 5 10g/L，Cr03 :0. 5 2g/L，pH = 6 10，浴溫10 50°C，電流密度2. 5 6A/dm2，通電時(shí)間:20秒的鎳、鉬、鉻三元合金的電鍍?cè)〔壑兄瞥删哝嚒f、鉻合金剝離層。3、接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4.再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔。以日本Siimadzu公司制的拉力試驗(yàn)機(jī)測(cè)得載體箔與極薄銅箔結(jié)合力為11. 45g/cm。比較例51、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下平整性極優(yōu)厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入硫酸鎳六水合物10 50g/L，鉬酸納二水合物0. 5 10g/L，Cr03 :0. 5 2g/L，檸檬酸鈉100 350g/L, pH = 6 10，浴溫10 50°C,電流密度2. 5 6A/dm2， 通電時(shí)間20秒的鎳、鉬、鉻、鈉四元合金的電鍍?cè)〔壑兄瞥删哝?、鉬、鉻、鈉合金剝離層。3、接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4、再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔。經(jīng)測(cè)試其載體箔與極薄銅箔無法剝離。比較例61、將光澤面粗糙度1. 5 μ m以下，平整性極優(yōu)，厚度18 μ m的南亞VLP銅箔做為載體箔。2、置入硫酸鎳六水合物10 50g/L，鉬酸納二水合物0. 5 10g/L，K4P2O7 :50 100g/L,Cr03 :0. 5 2g/L，pH = 6 10，浴溫10 50°C，電流密度2. 5 6A/dm2，通電時(shí)間20秒的鉬、鎳、鉻、鉀四元合金的電鍍?cè)〔壑须婂冎瞥删咩f、鎳、鉻、鉀合金剝離層。3、接著于剝離層上方施以 Cu2P2O7. 3H20 :10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)層。4、再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度 25A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍成為厚度3 μ m的極薄銅箔。5、再利用公知的粗化處理技術(shù)于壓合面施行銅粒子處理，然后再施以鍍鋅以及鉻酸鹽的防銹處理與涂布硅烷，制得以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔。以日本Siimadzu公司制的拉力試驗(yàn)機(jī)測(cè)得載體箔與極薄銅箔結(jié)合力為10. 8g/cm。由上述實(shí)施例、比較例及表1中，實(shí)施例1提高四元合金的電鍍電流密度，造成載體結(jié)合力過強(qiáng)無法剝離。反之，降低四元合金的電鍍電流密度則載體結(jié)合力變?nèi)?，造成載體箔與極薄銅箔間幾乎無結(jié)合力，如實(shí)施例2。比較例1的以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔的載體結(jié)合力5. 40g/cm與實(shí)施例3的2. 87g/cm相當(dāng)接近，載體箔與極薄銅箔間沒有剝離性的問題，但比較例1的極薄銅箔的光澤面抗氧化能力不足，有輕微氧化現(xiàn)象。
比較例4的以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔系載體結(jié)合力較高，載體箔與極薄銅箔間亦沒有剝離性的問題，但其四元合金鍍液卻有渾濁沉淀的現(xiàn)象，對(duì)于鍍液的管理與廢水排放等問題會(huì)增加很多的處理時(shí)間以及費(fèi)用。形成比較例1與比較例4的剝離層的金屬雖然皆具有剝離特性，但有抗氧化能力不足與鍍液渾濁沉淀的缺點(diǎn)，并不是最佳的選擇。其它比較例2、3及5的形成剝離層的金屬皆有載體結(jié)合力過強(qiáng)而無法順利與極薄銅箔剝離的問題。本發(fā)明具四元合金的以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔其載體結(jié)合力低，載體箔與極薄銅箔間沒有剝離性的問題，相較于實(shí)施例四元合金或如比較例4所形成的剝離層金屬以四元合金所成的載體箔結(jié)合力較低，有較佳的加工特性，且沒有鍍液混濁沉淀與廢水排放等問題，所以形成四元合金的金屬缺一不可。本發(fā)明以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔的載體箔與極薄銅箔的結(jié)合力低，形成剝離層的四元合金組合的技術(shù)方案未見有公開報(bào)道。本發(fā)明實(shí)施例的以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，對(duì)于環(huán)境忍受性相當(dāng)優(yōu)異， 載體剝離強(qiáng)度低具有耐高溫、耐濕氣、耐酸、耐堿等特性，在高溫的熱壓環(huán)境下載體箔與極薄銅箔仍舊擁有優(yōu)異的剝離特性，例如以樹脂基材做高溫?zé)釅汉?，壓合后撕除載體箔，觀察極薄銅箔光澤面無被氧化變色，對(duì)于環(huán)境忍受性相當(dāng)優(yōu)異；常溫結(jié)合力表現(xiàn)亦甚優(yōu)異如表 1 ；與各種高玻璃轉(zhuǎn)移溫度的基材做熱壓合，壓合后載體箔與極薄銅箔間的結(jié)合力亦是相當(dāng)優(yōu)異，如表2及圖3所示，可見載體箔與極薄銅箔結(jié)合力甚佳。本發(fā)明的以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔除了有優(yōu)異的剝離特性與對(duì)于環(huán)境的忍受性外，蝕刻特性也相當(dāng)優(yōu)異，蝕刻后形成電路圖案?jìng)?cè)璧的垂直度佳，電路圖案?jìng)?cè)璧下緣無殘留，而不會(huì)產(chǎn)生短路或斷線等問題。此特性有助于印刷電路板的電性信賴性與質(zhì)量穩(wěn)定性。詳見圖2。表1 剝離層形成金屬與載體間的結(jié)合力關(guān)系
權(quán)利要求
1.一種以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，由載體箔、剝離層、及極薄銅箔經(jīng)電鍍組合而構(gòu)成；其中(1)載體層為超低棱線銅箔，其兩面光亮平滑，厚度為12-70μπι;(2)剝離層是以含鉬、鎳、鉻及鉀的四元合金電鍍液電鍍于載體箔上形成，厚度為1 6 μ m ；(3)極薄銅箔是在剝離層上施予Cu2P2O7. 3H20 10 60g/L，K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍做為剝離層保護(hù)膜， 再以銅濃度50 100g/L，硫酸90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度10 50A/dm2，通電時(shí)間20秒電鍍成為厚度1 6 μ m的銅箔。
2.如權(quán)利要求1所述以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，其中，剝離層是由鉬、鎳、鉻、 鉀四元合金的金屬或其金屬混合物形成剝離層。
3.如權(quán)利要求1所述以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，其中，載體層是超低棱線銅箔，其厚度為12-70 μ m。
4.如權(quán)利要求1所述以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，其中，可用于高密度極精電路用途的印刷電路板、多層板印刷電路板、覆晶薄膜樹脂基材或聚亞酰胺薄膜。
5.如權(quán)利要求1所述以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔的制造方法，包括(1)將光澤面粗糙度1.5 μ m以下的平整性極優(yōu)、厚度為12 70 μ m的南亞超低棱線銅箔置入于由a.硫酸鎳六水合物10 50g/L，b.鉬酸納二水合物0.5 10g/L,c.K4P2O7 50 100g/L,d.CrO3 :0. 5 2g/L所構(gòu)成的電鍍液浴槽中，pH = 6 10，浴溫0 50°C，電流密度 2. 5 6A/dm2，通電時(shí)間20秒加予電鍍制成吸附量為0. 05mg/dm2 60mg/dm2的剝離層；(2)在剝離層上施以Cu2P2O7. 3H20 10 60g/L, K4P2O7 :100 400g/L，pH = 6 10，浴溫10 60°C，電流密度1 5A/dm2，通電時(shí)間15秒的電鍍作為剝離層保護(hù)層；(3)再以銅濃度50 100g/L，硫酸濃度90 125g/L，浴溫40 70°C，電流密度10 50A/dm2，通電時(shí)間20秒施行電鍍1 6 μ m厚度的極薄銅箔。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔，由載體箔、剝離層、以及極薄銅箔所形成。載體箔使用兩面平滑的超低棱線的銅箔，該超低棱線銅箔對(duì)于所承載的極薄銅箔可帶來無針孔、厚度均一性佳以及表面低粗度等優(yōu)點(diǎn)。而剝離層影響載體箔與極薄銅箔間的結(jié)合強(qiáng)度甚巨，是由具剝離特性的四元合金的金屬所構(gòu)成。本發(fā)明以超低棱線銅箔為載體的極薄銅箔的載體結(jié)合強(qiáng)度低，不但對(duì)于環(huán)境忍受性相當(dāng)優(yōu)異，尚具有耐高溫、耐濕氣、耐酸、耐堿等特性，在高溫的熱壓環(huán)境下載體箔與極薄銅箔仍舊擁有優(yōu)異的剝離特性。
文檔編號(hào)C25D3/38GK102233699SQ201010169850
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月29日
發(fā)明者林雅玫, 鄒明仁 申請(qǐng)人:南亞塑膠工業(yè)股份有限公司