專利名稱：用于處理構(gòu)件表面的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于處理構(gòu)件表面的方法以及一種實(shí)施該表面處理方法的設(shè)備。
背景技術(shù)：
承受工作負(fù)荷的構(gòu)件，例如燃?xì)廨啓C(jī)的透平葉片，被實(shí)施電解質(zhì)處理，因此構(gòu)件在處理后可以重新加工。在燃?xì)廨啓C(jī)葉片的情況下，在構(gòu)件上承受工作負(fù)荷的MCrAlX層，通過浸入約50°-80℃熱的20％鹽酸內(nèi)被清除。在經(jīng)過一個根據(jù)經(jīng)驗(yàn)導(dǎo)出的持續(xù)時間后，將葉片從酸槽中取出，用水沖洗，以及接著噴磨。這種過程順序即電解質(zhì)浴和噴磨在這里多次重復(fù)，直至整個MCrAlX層去除或溶解。各工序的這種重復(fù)通常是必要的，因?yàn)橥ㄟ^電解質(zhì)只溶解MCrAlX層在表面附近含鋁的相。因此MCrAlX層位置更深的區(qū)域不能在一個步驟中溶解掉。在表面留下多孔的層體，它接著借助噴砂例如機(jī)械地去除。
葉片在電解質(zhì)內(nèi)停留的持續(xù)時間在這里并不反映對于各個葉片實(shí)際需要的直至停止溶解過程的時間，而是按標(biāo)準(zhǔn)確定一個規(guī)定的時間。在這里，在電解質(zhì)內(nèi)的停留時間基于一般的經(jīng)驗(yàn)值確定。
然而每個構(gòu)件分別受到嚴(yán)重程度不同的負(fù)荷，所以一個固定的時間規(guī)定值將導(dǎo)致構(gòu)件負(fù)荷表面不同的或不完全的溶解。往往構(gòu)件在除層已沒有進(jìn)一步進(jìn)展的情況下還停留在酸槽內(nèi)，直至走完預(yù)定的時間程序。
EP 1094134 A1和US 2003/0062271 A1公開了一些電化學(xué)去層的方法。
US 4539087公開了一種方法，其中測量電解過程的電流，由此可以借助電流變化過程作出判斷，何時應(yīng)停止該電解過程。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的是提供一種方法和設(shè)備，它允許個別化地確定每個構(gòu)件(類型，層厚、工作負(fù)荷狀態(tài)等)最少需要的處理持續(xù)時間。
上述目的首先通過一種用于處理至少一個構(gòu)件表面的方法來實(shí)現(xiàn)，按照該方法，將該至少一個構(gòu)件置入一種處理劑內(nèi)，在該至少一個構(gòu)件和至少另一個極上施加用于表面處理的一處理電壓，其中，在所述至少一個構(gòu)件和至少另一個極上施加一測量電壓，由此形成一個與時間有關(guān)的流動電流，該電流隨時間的變化過程表示表面處理的狀態(tài)并被用來判定是否終止或中斷所述表面處理。
上述目的另外通過一種用于處理至少一個構(gòu)件表面的設(shè)備來實(shí)現(xiàn)，該設(shè)備至少具有一個有待處理的構(gòu)件作為一電極、另一電極、一種處理劑以及一些電連接裝置，其中，所述至少一個構(gòu)件和另一極被置入所述處理劑中，所述電連接裝置則將所述至少一個構(gòu)件及另一極與一電源連接起來，按照本發(fā)明，存在另一些電引線，它們將所述至少一個構(gòu)件及另一極與另一電源連接起來。
按照本發(fā)明方法的一有利的擴(kuò)展設(shè)計，可采用一直流電壓作為所述處理電壓。作為其替代手段，所述處理電壓也可以是脈沖式電壓。
按照另一有利設(shè)計，可采用一直流電壓作為所述測量電壓。同樣作為其替代手段，所述測量電壓可以是脈沖式的。該脈沖式測量電壓優(yōu)選至少有時與所述脈沖式處理電壓共同施加，或者在所述脈沖式處理電壓的一脈沖間歇內(nèi)施加。在此，所述測量電壓的一脈沖持續(xù)時間要么比所述處理電壓的脈沖持續(xù)時間短，要么與所述處理電壓的脈沖持續(xù)時間相同。
按照本發(fā)明的又一設(shè)計，所述測量電壓與所述處理電壓的比例至少為1∶10，尤其是1∶10，優(yōu)選為1∶20或者為1∶30或者為1∶40或更小。
當(dāng)所述構(gòu)件具有一有待去除的層時，所述表面處理用于除去該層。但按照本發(fā)明的所述表面處理方法也可用于給所述至少一個構(gòu)件上鍍層。
按照本發(fā)明的一設(shè)計方案，可采用在所述處理劑內(nèi)的一個電極尤其是另一個構(gòu)件作為另一極?？墒褂靡环N酸作為所述處理劑。
比較有利的是，所述電流開始時隨時間增大，然后保持相對恒定。當(dāng)所述電流隨時間進(jìn)程尤其下降到一個預(yù)定的參考值時，標(biāo)志著所述除層的終點(diǎn)。
按照本發(fā)明的所述表面處理方法優(yōu)選分步驟實(shí)施，其中，在一個中間步驟進(jìn)行磨蝕除層，然后在處理劑內(nèi)重新對所述至少一個構(gòu)件進(jìn)行處理。優(yōu)選在在至少一個中間步驟中沖洗所述至少一個構(gòu)件。
按照本發(fā)明的方法既可用于處理唯一的一個構(gòu)件，也可用于至少處理兩個構(gòu)件，但此時要為它們分別確定一個自己的隨時間的變化過程。
按照本發(fā)明方法的一有利設(shè)計，為所述處理電壓和測量電壓采用一個公共的電路。作為替代方案，也可為所述處理電壓采用一第一電路以及為所述測量電壓采用一第二電路。
按照本發(fā)明設(shè)備的一擴(kuò)展設(shè)計，可采用另一電極來構(gòu)成所述第二電路。
上述各項(xiàng)擴(kuò)展設(shè)計可以按有利的方式互相任意組合。


下面借助附圖所示實(shí)施方式對本發(fā)明予以詳細(xì)說明，附圖中圖1表示一種實(shí)施本發(fā)明方法的設(shè)備；圖2、3、4表示隨時間的電壓變化曲線；圖5、6表示在實(shí)施本發(fā)明的方法時得到的電壓和電流隨時間的變化曲線；圖7表示一個透平葉片；圖8表示一個燃燒室；以及圖9表示一臺燃?xì)廨啓C(jī)。
具體實(shí)施例方式
圖1舉例表示按本發(fā)明的設(shè)備1，借助它可以實(shí)施按照本發(fā)明的方法。
所述設(shè)備1包括一個例如金屬、陶瓷或塑料(聚四氟乙烯、聚合物等)制的容器3，其中盛放一種處理劑6，例如一種酸6或一種電解質(zhì)6(含鍍層材料)，用于至少一個構(gòu)件9的表面處理，如除層或鍍層。在除層的情況下，容器3內(nèi)優(yōu)選地存在一種酸或酸混合物。反之，在鍍層時，電解質(zhì)6有用于鍍層的相應(yīng)的化學(xué)元素。在這里，在處理劑6內(nèi)例如置入單個構(gòu)件9，它的表面區(qū)應(yīng)溶解掉。這例如通過對構(gòu)件9例如承受工作負(fù)荷的表面的酸蝕實(shí)現(xiàn)。
若應(yīng)為兩個或多個構(gòu)件9除層，則例如兩個構(gòu)件9分別構(gòu)成一個電極(亦即陽極和陰極)，其中作為處理劑6應(yīng)當(dāng)使用一種含氮的處理劑6。
按本發(fā)明存在至少一個電壓/電流源18，它通過電連接裝置15與構(gòu)件9或另一個電極12電連接。第一電路可以這樣閉合，即，令連接裝置15與處于處理劑6內(nèi)的另一個電極亦即電極12連接，或與容器3連接，從而可使電流I在構(gòu)件9與極3、12之間流動，還可以測量此電流。電流經(jīng)構(gòu)件9通過構(gòu)件9承受負(fù)荷的表面和通過處理劑6流向電極12(或流向容器3)。在容器3內(nèi)也可以放置多個要除層的構(gòu)件9，在這種情況下可以針對每個構(gòu)件9逐個確定電流曲線I(t)，所以各構(gòu)件9必要時在處理劑6中停留不同的時間長度。
按本發(fā)明還可以存在另一個包括導(dǎo)線15′和電流/電壓源18′的第二電路，所以在那里同樣流動一個也可以測量的電流。導(dǎo)線15′因而同樣與構(gòu)件9和電極12連接。
圖2舉例表示按本發(fā)明的電壓變化曲線。
為了給一個大尺寸的構(gòu)件9除層，施加一種脈沖式的具有脈沖持續(xù)時間t30的處理電壓30，它例如在構(gòu)件9比較大時(38cm長)，如燃?xì)廨啓C(jī)葉片120、130(圖7、9)，產(chǎn)生電流達(dá)100A。脈沖持續(xù)時間t30可以始終是同樣的大小，或可以隨時間t改變。同樣，處理電壓的大小可以隨時間t改變。
但這些電流過大，以至于根據(jù)電流變化過程的過渡特性不能得到關(guān)于表面處理進(jìn)程的準(zhǔn)確信息(例如冷卻時間過長)。
因此，按本發(fā)明在電路(8、15、9、6、12)中將一個較小的例如脈沖式測量電壓33(1mv至50mv)疊加在較大的(用于除層的)處理電壓30上，或?qū)⑻幚黼妷?0短暫地(亦即至少有時)提高一個與測量電壓33值相應(yīng)的值。
測量電壓33的脈沖持續(xù)時間t33可以小于、等于或大于處理電壓30的脈沖持續(xù)時間t30。
當(dāng)測量電壓33的脈沖持續(xù)時間t33小于處理電壓30的脈沖持續(xù)時間t30時，測量電壓33可以在脈沖式處理電壓33的開始、中間或結(jié)束時施加。
較小的測量電壓33產(chǎn)生非常小的能更好測量的電流。
處理電壓30與測量電壓33信號的分離例如通過借助數(shù)學(xué)的信號分離法，例如傅里葉分析法分析電流曲線而實(shí)現(xiàn)。
相應(yīng)于除層用的處理電壓30和測量電壓33，可以使用例如三個電極(按本發(fā)明還可以存在另一個用于第二電路(圖1)的電極12′，第二電路包括導(dǎo)線15′和用于測量電壓33的電流/電壓源18′；因此，導(dǎo)線15′同樣與構(gòu)件9和例如與電極12′(用虛線表示的)連接，而不與電極12連接)，在這里，這些電壓在大的表面上疊加。電流信號在測量技術(shù)上的分離例如通過兩個部分脫耦的電路(15+18+9+6+12；15′+18′+9+6+12或12′)實(shí)現(xiàn)。
用于電解除層的較小的測量電壓33的量值很小或可以忽略不計。
同樣，在采用脈沖式處理電壓30的同時可以使用直流的測量電壓33″(虛線所示)。
圖3舉例表示按本發(fā)明方法的另一種按照本發(fā)明的電壓變化曲線。
在這里同樣使用一高的脈沖式除層處理電壓30，它產(chǎn)生很大的電流。
在這里，測量電壓例如同樣為脈沖式的并在處理電壓脈沖30的脈沖間歇36期間(t36)施加(t36＞t33)。這通過電壓脈沖30、33的同步化實(shí)現(xiàn)。
圖4舉例表示另一種電壓變化曲線。
在這里，一個恒定的大處理電壓30(直流電壓)施加在要電解除層的構(gòu)件9上，其中測量電壓33仍是脈沖式的以及疊加在處理電壓30上。
處理電壓30可以短時(相應(yīng)地脈沖式增大)提高一個相應(yīng)于測量電壓33大小的值，在這里只需要一個電路，或測量電壓33′(虛線表示)例如通過第二電路疊加在處理電壓上。
尤其在第二電路18′、15′、9、6、12或12′中同樣可以使用較小的直流測量電壓33″。脈沖持續(xù)時間t33、t30可以相同或不同(t30＝t33，t33＜t30，t33＞t30，t30＝t33和t36＞t30，等等)。
在用于除層的電解期間通過測量電壓引起的電流I(t)隨時間的變化曲線表示在圖5中。電流I(t)在一開始隨時間t增大，在某一時刻后首先基本上保持不變。除層此時尚未完成，也就是說，除層速率仍較高。在某個時間t后，電流I下降。電流I(在曲線I(t)內(nèi)的區(qū)域或點(diǎn)27)的這種下降表示，還只剩小量鍍層材料要溶解。因此，當(dāng)例如達(dá)到預(yù)定的電流強(qiáng)度參考值、或當(dāng)電流強(qiáng)度降低了某個值(見測量點(diǎn)27、22的差別)、或當(dāng)一條趨勢線得出電流強(qiáng)度已下降的變化過程時，溶解過程可以停止。
類似地這也可適用于鍍層過程，此時，消耗電解質(zhì)6，或由曲線I(t)下方的面積確定鍍層厚度。
本方法也可以分步驟實(shí)施。其中總是在方法的一個中間步驟實(shí)施磨蝕除層，去除酸產(chǎn)物的殘余和/或?qū)е录铀俪龑?，因?yàn)闃?gòu)件9在處理劑6內(nèi)停留一段時間后形成了一個脆性層，它可以通過磨蝕更好地去除。
同樣，可以在方法的一個中間步驟實(shí)施構(gòu)件9的水洗(沖洗)。之后，構(gòu)件9重新置入處理劑6內(nèi)。這些工藝步驟，即構(gòu)件9在處理劑6內(nèi)處理、噴砂磨蝕，可以任意重復(fù)。一個或多個構(gòu)件9的除層也可以在不存在處理電壓的情況下進(jìn)行，也就是說不產(chǎn)生電解除層過程。
圖6表示測量或處理電流和電壓實(shí)驗(yàn)確定的變化曲線。
在透平葉片(長度≈18cm，表面積≈150cm2)上施加一個恒定的處理電壓30為1.2V，其中作為電解質(zhì)例如使用含2％三乙醇胺的5％HCl(鹽酸)。處理電壓30用菱形表示，以及產(chǎn)生一10至11A的電流I(圖中未表示)。
用于確定終點(diǎn)的脈沖式測量電壓33在這里例如是50mV以及通過脈沖長度為例如0.5s的脈沖施加。測量電壓33與處理電壓30之比因而為1∶24，以及可選擇與之不同，例如是1∶10(或1∶20、1∶30或更大為1∶50、1∶100)。
測量電壓33在圖6中用正方形表示。基于測量電壓33測得的電流I在圖6中用三角形表示。一條分離線(虛線表示)表示光滑連接而成的和預(yù)期的時間變化曲線。這條曲線與圖2中的曲線對應(yīng)。
電流I(t)隨時間的變化曲線24也可以由一個個測量點(diǎn)21得出，它們按規(guī)則或不規(guī)則的間隔確定。
在后面的附圖中表示的如此除層的構(gòu)件，可如在下面的附圖中說明的那樣重新鍍層。
圖7表示葉片120、130透視圖，它沿一縱軸線121延伸。
葉片作為構(gòu)件9的例子可以是流體機(jī)械的工作葉片120或?qū)蛉~片130。流體機(jī)械可以是飛機(jī)的或用于發(fā)電的發(fā)電站的一燃?xì)廨啓C(jī)、一蒸汽輪機(jī)或一空氣壓縮機(jī)。
葉片120、130沿縱軸線121彼此相繼地有固定區(qū)400、與之毗鄰的葉片平臺403以及葉身406。作為導(dǎo)向葉片130，葉片可在其葉尖415處有另一個平臺(圖中未表示)。
在固定區(qū)400內(nèi)形成葉片根部183，它用于將工作葉片120、130固定在軸上或葉輪上(未表示)。葉根183例如設(shè)計為錘頭。也可以不同地設(shè)計為樅樹形葉片根部或燕尾形葉片根部。葉片120、130對于一種流過葉身406的介質(zhì)具有一個前緣409和一個后緣412。
傳統(tǒng)的葉片120、130在葉片120、130的所有區(qū)域400、403、406使用例如實(shí)心的金屬材料。在這里，葉片120、130可以用鑄造法制造，也可以借助定向凝固、通過鍛造工藝、通過銑削工藝或它們的組合制造。
具有單晶結(jié)構(gòu)的工件被用作那些在運(yùn)行時遭受高的機(jī)械、熱和/或化學(xué)負(fù)荷的機(jī)器構(gòu)件。此類單晶體工件的制造例如通過熔體的定向凝固實(shí)現(xiàn)。在這里涉及鑄造工藝，其中液態(tài)的金屬合金定向凝固為單晶體結(jié)構(gòu)，亦即單晶體工件。在這里，樹枝狀晶體沿?zé)崃鞫ㄏ?，并要么形成棒桿狀晶體結(jié)構(gòu)(柱狀的，亦即晶粒，它們沿工件全長延伸，以及在這里按通常的習(xí)慣用語稱為定向凝固)，要么形成單晶結(jié)構(gòu)，也就是說整個工件由唯一的一個晶體組成。在這些方法中，人們必須避免向球狀(多晶的)凝固轉(zhuǎn)變，因?yàn)橥ㄟ^不定向生長必然構(gòu)成橫向和縱向的晶界，它們使定向凝固或單晶的構(gòu)件優(yōu)良的特性消失。
若通常談到定向凝固的結(jié)構(gòu)，則既認(rèn)為是那些沒有晶界或最多有小角度晶界的單晶體，也認(rèn)為是棒桿狀晶體結(jié)構(gòu)，它們雖然有沿縱向延伸的晶界，但沒有橫向的晶界。對所述的這兩種晶體結(jié)構(gòu)人們也稱為定向凝固結(jié)構(gòu)(directionally solidified structures)。
由US-PS 6024792和EP 0892090A1已知這些方法。
再磨光意味著構(gòu)件120、130在其使用后必要時必須通過按本發(fā)明的方法除去保護(hù)層(例如通過噴砂處理)。然后去除腐蝕層和/或氧化層和/或氧化產(chǎn)物。必要時還要修復(fù)構(gòu)件120、130內(nèi)的裂紋。之后，例如通過按本發(fā)明的方法實(shí)施構(gòu)件120、130的再鍍層并重新使用構(gòu)件120、130。
葉片120、130可以設(shè)計為空心或?qū)嵭牡?。?dāng)葉片120、130應(yīng)冷卻時，它是空心的和必要時還有一些氣膜冷卻孔(未表示)。為防止腐蝕，葉片120、130例如有相應(yīng)的大多為金屬的鍍層，以及為隔熱大多還有一個陶瓷的涂層。
圖8表示燃?xì)廨啓C(jī)的燃燒室110。燃燒室110例如設(shè)計為所謂的環(huán)形燃燒室，其中許多沿周向圍繞透平軸103布置的燃燒器102通入一個公共的燃燒室內(nèi)腔。為此，燃燒室110在其總體上設(shè)計為繞透平軸103定位的環(huán)形結(jié)構(gòu)。
為達(dá)到比較高的效率，燃燒室110設(shè)計用于工質(zhì)M比較高的溫度為約1000℃至1600℃。為了即使在這些對于材料不利的運(yùn)行參數(shù)情況下仍能有比較長的工作壽命，燃燒室壁153在其面朝工質(zhì)M的那一側(cè)加上由熱屏元件155(構(gòu)件9的另一個例子)構(gòu)成的內(nèi)部砌襯。每個熱屏元件155在工質(zhì)側(cè)設(shè)計有一個特別耐熱的保護(hù)層或用耐高溫材料制成。此外，基于在燃燒室110內(nèi)部的高溫，為熱屏元件155或?yàn)槠涔潭ㄔO(shè)有一冷卻系統(tǒng)。
燃燒室壁及其鍍層的材料可類似于透平葉片。
圖9示例性地表示一個燃?xì)廨啓C(jī)100的局部縱剖面。
燃?xì)廨啓C(jī)100在內(nèi)部有一個繞旋轉(zhuǎn)軸線102旋轉(zhuǎn)地支承的轉(zhuǎn)子103，它也稱為透平轉(zhuǎn)子。沿轉(zhuǎn)子103依次是進(jìn)氣機(jī)殼104、壓縮機(jī)105、帶有多個同軸布置的燃燒器107的一例如花托狀的燃燒室110，尤其是環(huán)形燃燒室106、一透平機(jī)108以及排氣機(jī)殼109。環(huán)形燃燒室106與一個例如環(huán)形的熱燃?xì)馔ǖ?11連通。在那里例如四個串聯(lián)的透平級112構(gòu)成透平機(jī)108。每個透平級112例如由兩個葉片環(huán)構(gòu)成。沿工質(zhì)113的流動方向看，在熱燃?xì)馔ǖ?11內(nèi)隨導(dǎo)流葉排115之后是一個由工作葉片120構(gòu)成的葉排125。
導(dǎo)向葉片130固定在一定子143的內(nèi)殼體138上，而葉排125的工作葉片120例如借助透平葉輪133裝在轉(zhuǎn)子103上。一發(fā)電機(jī)或工作機(jī)械(未表示)與轉(zhuǎn)子103連接。
在燃?xì)廨啓C(jī)100運(yùn)行時，壓縮機(jī)105通過進(jìn)氣機(jī)殼104吸入并壓縮空氣135。在壓縮機(jī)105的朝向透平一側(cè)的端部提供的壓縮空氣導(dǎo)向燃燒器107，在那里與燃料混合?；旌衔锶缓笤谌紵?10內(nèi)燃燒形成工質(zhì)113。工質(zhì)113從那里出發(fā)沿?zé)崛細(xì)馔ǖ?11流過工作葉片130和導(dǎo)向葉片120。工質(zhì)113在工作葉片120上傳輸動量地膨脹，所以工作葉片120驅(qū)動轉(zhuǎn)子103以及轉(zhuǎn)子103帶動與之連接的工作機(jī)械。
遭遇熱工質(zhì)113的構(gòu)件在燃?xì)廨啓C(jī)100運(yùn)行期間承受熱負(fù)荷。沿工質(zhì)113流動方向看的第一透平級112的導(dǎo)向葉片130和工作葉片120，除作為環(huán)形燃燒室106的砌襯的熱屏元件外，受到最大的熱負(fù)荷。為了能承受住在那里存在的溫度，它們可以借助冷卻劑冷卻。同樣，構(gòu)件的基質(zhì)可以有一定向結(jié)構(gòu)，也就是說，它們是單晶體(SX結(jié)構(gòu))或只有縱向晶粒(DS結(jié)構(gòu))。作為用于構(gòu)件，尤其用于透平葉片120、130以及燃燒室110構(gòu)件的材料，使用例如鐵基、鎳基或鈷基的超級高溫合金。這些超級高溫合金例如由EP1204776、EP 1306454、EP 1319729、WO 99/67435或WO 00/44949已知，這些文件是本申請公開內(nèi)容的一部分。
同樣，葉片120、130可以有防腐蝕的鍍層(MCrAlX，M是鐵(Fe)，鈷(Co)，鎳(Ni)族中的至少一種元素，X是一種活性元素以及包括釔(Y)和/或硅和/或至少一種稀土元素)和通過隔熱層隔熱的涂層。隔熱層例如由ZrO2、Y2O4-ZrO2組成，也就是說，該隔熱層可通過添加氧化釔和/或氧化鈣和/或氧化鎂而部分穩(wěn)定或完全穩(wěn)定，或者不穩(wěn)定。通過適當(dāng)?shù)腻儗庸に?，例如電子束噴霧(EB-PVD)，在隔熱層內(nèi)造成棒桿狀的晶粒。
導(dǎo)向葉片130有一個面朝透平機(jī)108內(nèi)殼體138的導(dǎo)向葉片根部(這里沒有表示)和一個與該根部對置的導(dǎo)向葉片頂部。該導(dǎo)向葉片頂部面朝轉(zhuǎn)子103并固定在定子143的一固定環(huán)140上。
權(quán)利要求
1.一種用于處理至少一個構(gòu)件(9)表面的方法，其中，將該至少一個構(gòu)件(9)置入一種處理劑(6)內(nèi)，在該至少一個構(gòu)件(9)和至少另一個極(3、12)上施加用于表面處理的一處理電壓(30)，其特征為在所述至少一個構(gòu)件(9)和至少另一個極(12、12′)上施加一測量電壓(33)，由此流動一個與時間有關(guān)的電流(I(t))，該電流隨時間的變化過程表示表面處理的狀態(tài)并被用來判定是否終止或中斷所述表面處理。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為采用一直流電壓作為所述處理電壓(30)。
3.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述處理電壓(30)是脈沖式的。
4.按照權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征為采用一直流電壓作為所述測量電壓(33)。
5.按照權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征為所述測量電壓(33)是脈沖式的。
6.按照權(quán)利要求5所述的方法，其特征為所述脈沖式測量電壓(33)至少有時與所述脈沖式處理電壓(30)共同施加。
7.按照權(quán)利要求5所述的方法，其特征為所述脈沖式測量電壓(33)在所述脈沖式處理電壓(30)的一脈沖間歇(36)內(nèi)施加。
8.按照權(quán)利要求5、6或7所述的方法，其特征為所述測量電壓(33)的一脈沖持續(xù)時間(t33)比所述處理電壓(30)的脈沖持續(xù)時間(t30)短。
9.按照權(quán)利要求5、6或7所述的方法，其特征為所述測量電壓(33)的脈沖持續(xù)時間(t33)與所述處理電壓(30)的脈沖持續(xù)時間(t30)相同。
10.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述測量電壓(33)與所述處理電壓(30)相比的比例至少為1∶10。
11.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述測量電壓(33)與所述處理電壓(30)相比的比例為1∶10。
12.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述測量電壓(33)與所述處理電壓(30)相比的比例為1∶20。
13.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述測量電壓(33)與所述處理電壓(30)相比的比例為1∶30。
14.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述測量電壓(33)與所述處理電壓(30)相比的比例為1∶40或更小。
15.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述構(gòu)件(9)具有一有待去除的層；以及，所述表面處理用于除去所述至少一個構(gòu)件(9)的該層。
16.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述表面處理用于給所述至少一個構(gòu)件(9)上鍍層。
17.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為采用在所述處理劑(6)內(nèi)的一個電極(12、12′)尤其是另一個構(gòu)件(9)作為另一極。
18.按照權(quán)利要求1或15所述的方法，其特征為使用一種酸作為處理劑(6)。
19.按照權(quán)利要求1、15或18所述的方法，其特征為所述電流(I(t))開始時隨時間(t)增大，然后保持相對恒定。
20.按照權(quán)利要求1、15、18或19所述的方法，其特征為當(dāng)所述電流(I(t))隨時間進(jìn)程尤其下降到一個預(yù)定的參考值時，標(biāo)志著所述除層的終點(diǎn)。
21.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為所述表面處理分步驟實(shí)施，其中，在一個中間步驟進(jìn)行磨蝕除層，然后在處理劑(6)內(nèi)重新對所述至少一個構(gòu)件(9)進(jìn)行處理。
22.按照權(quán)利要求1或21所述的方法，其特征為在至少一個中間步驟中沖洗所述至少一個構(gòu)件(9)。
23.按照權(quán)利要求1、19、20、21或22所述的方法，其特征為處理唯一的一個構(gòu)件(9)。
24.按照權(quán)利要求1、19、20或21所述的方法，其特征為至少處理兩個構(gòu)件(9)，為它們(9)分別確定一個自己的隨時間的變化過程(I(t))。
25.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為為所述處理電壓(30)和測量電壓(33)采用一個公共的電路(12、18、15、9、6)。
26.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征為為所述處理電壓(30)采用一第一電路(12、18、15、9、6)以及為所述測量電壓(33)采用一第二電路(12、12′、18′、15′、9、6)。
27.一種用于處理至少一個構(gòu)件(9)表面的設(shè)備(1)，它至少具有一個有待處理的構(gòu)件(9)作為一電極、另一電極(3、12)、一種處理劑(6)以及一些電連接裝置(15)，其中，所述至少一個構(gòu)件(9)和另一極(3、12)被置入所述處理劑中，所述電連接裝置(15)則將所述至少一個構(gòu)件(9)及另一極(3、12)與一電源(18)連接起來，其特征為存在另一些電引線(15′)，它們將所述至少一個構(gòu)件(9)及另一極(3、12)與另一電源(18′)連接起來。
28.按照權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其特征為采用又一電極(12′)，以便構(gòu)成所述第二電路。
全文摘要
承受工作負(fù)荷的構(gòu)件往往可以通過酸處理重新投入使用。構(gòu)件在酸內(nèi)保持的持續(xù)時間迄今憑經(jīng)驗(yàn)確定，從而沒有考慮個性化的要求。按本發(fā)明的處理構(gòu)件表面的方法建議，在構(gòu)件上至少重復(fù)施加一測量電壓(33)，由此形成一流動電流I(t)，該電流隨時間的變化過程表示表面處理的狀態(tài)并被用來判定是否終止或中斷所述酸處理。
文檔編號C25F5/00GK1721580SQ20051008136
公開日2006年1月18日 申請日期2005年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者厄休斯·克魯格, 丹尼爾·科特維爾耶西, 拉爾夫·賴歇, 簡·斯坦巴克, 加布里埃爾·溫克勒 申請人:西門子公司