專利名稱：用于磁頭的籽晶層去除的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般地說(shuō)本發(fā)明涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭制造，更具體地說(shuō)，涉及用于電鍍磁頭部件比如感應(yīng)線圈和磁極尖的籽晶層的制造和去除。
背景技術(shù)：
通常利用電鍍過(guò)程制造磁頭的幾個(gè)部件，并且在這種電鍍過(guò)程中開始步驟通常是導(dǎo)電籽晶層的淀積。經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑光刻構(gòu)造在籽晶層上，并且此后在經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑層內(nèi)在籽晶層上對(duì)所需的磁頭部件比如感應(yīng)線圈或磁極進(jìn)行電鍍。在部件的電鍍之后，去除光致抗蝕劑層，接著需要去除電鍍部件沒有覆蓋的籽晶層部分。需要實(shí)施籽晶層去除步驟以防止部件電短路。在已有技術(shù)的制造過(guò)程中，利用離子銑削步驟或?yàn)R射蝕刻步驟去除籽晶層。
已有技術(shù)的籽晶層去除步驟在磁頭中產(chǎn)生了不希望的問(wèn)題。一個(gè)問(wèn)題是去除的籽晶層部分沿電鍍部件側(cè)面重新淀積。這些重新淀積的籽晶層部分隨后可能剝落并使部件造成不希望的短路。此外，在籽晶層去除過(guò)程中離子銑削或?yàn)R射蝕刻過(guò)程也去除了暴露的電鍍部件的重要部分。因此，電鍍部件要被電鍍得比所需厚度更厚以使在籽晶層去除過(guò)程之后部件的剩余厚度符合需要。為制造具有這種附加厚度的部件，光致抗蝕劑溝的縱橫比必須同樣地增加，因此遇到了與光刻制造具有較高縱橫比的溝相關(guān)的問(wèn)題。此外，因?yàn)樾枰_保從在電鍍部件之間有效地去除籽晶層，因此通常嚴(yán)重地進(jìn)行過(guò)蝕刻，這就加重了上述的問(wèn)題。此外，過(guò)蝕刻可能損害在籽晶層下的層和結(jié)構(gòu)。
如上文所描述，本發(fā)明通過(guò)利用對(duì)活性離子蝕刻(RIE)去除過(guò)程敏感的籽晶層材料解決這些問(wèn)題。利用RIE籽晶層去除過(guò)程，消除了籽晶層重新淀積的問(wèn)題，也不需要增加部件的厚度，并且，因?yàn)樵谧丫又碌膶硬皇躌IE過(guò)程影響，因此電鍍部件基本不受RIE過(guò)程的腐蝕，籽晶層的過(guò)蝕刻不會(huì)成為問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
利用對(duì)活性離子蝕刻去除技術(shù)敏感的籽晶層制造本發(fā)明的磁頭的電鍍部件。優(yōu)選的籽晶層層包括鎢或鈦并通過(guò)濺射淀積過(guò)程制造它。籽晶層導(dǎo)電，并且電鍍部件(比如感應(yīng)線圈部件和磁極)有效地電鍍成制造在籽晶層上的光刻形成的光致抗蝕劑溝。在部件的電鍍之后，利用標(biāo)準(zhǔn)濕法化學(xué)處理去除光致抗蝕劑層以暴露籽晶層。接著，利用氟類物質(zhì)活性離子蝕刻過(guò)程大量地去除籽晶層，因此氟RIE過(guò)程形成了氣態(tài)氟化鎢或氟化鈦化合物去除產(chǎn)物。因?yàn)闅鈶B(tài)氟化物不重新淀積，因此克服了籽晶層沿電鍍部件的側(cè)面重新淀積的問(wèn)題。此外，因?yàn)榉鶵IE過(guò)程不會(huì)嚴(yán)重地腐蝕電鍍部件(比如銅感應(yīng)線圈部件和NiFe磁極部件)，因此不需要對(duì)這些部件電鍍附加的厚度。因此，在已有技術(shù)中出現(xiàn)的增加光致抗蝕劑溝的縱橫比的問(wèn)題就不存在。此外，由于氟RIE不腐蝕層(比如位于籽晶層之下的氧化鋁絕緣層)，因此過(guò)蝕刻不再是問(wèn)題。
本發(fā)明也包括增強(qiáng)的兩部分的籽晶層，其中下部分是鎢、鈦或鉭，上部分包括構(gòu)成要電鍍的部件的材料。這個(gè)兩部分的籽晶層比較有利，因?yàn)殒u、鈦或鉭籽晶層(尤其是鉭)可以形成不希望的氧化表面涂層，這個(gè)涂層抑制了與電鍍部件的粘合和導(dǎo)電，并且上部的籽晶層部分阻止了氧化物形成。
本發(fā)明的磁頭的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是消除了籽晶層在電鍍部件的側(cè)面上重新淀積。
本發(fā)明的磁頭的另一優(yōu)點(diǎn)是有效地實(shí)現(xiàn)了籽晶層的去除而不去除其它的磁頭部件的材料。
本發(fā)明的磁頭的進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)是可以使感應(yīng)線圈部件更加接近，這是因?yàn)楦佑行У貙?shí)現(xiàn)了在部件之間的籽晶層去除。
本發(fā)明的磁頭的另一優(yōu)點(diǎn)是可以更加容易地制造感應(yīng)線圈部件和磁極部件，這是因?yàn)楣庵驴刮g劑溝的縱橫比可以減小。
本發(fā)明的籽晶層去除過(guò)程的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它采用了在氣態(tài)化合物中去除籽晶層的活性離子蝕刻步驟。本發(fā)明的籽晶層去除過(guò)程的另一優(yōu)點(diǎn)是消除了籽晶層沿電鍍部件的側(cè)面重新淀積。
本發(fā)明的籽晶層去除過(guò)程的進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)是在籽晶層去除過(guò)程中不去除電鍍部件的材料。
參考附圖，通過(guò)閱讀下文的詳細(xì)描述本發(fā)明的這些和其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯然的。


附圖1所示為包括本發(fā)明的磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器的頂視圖；附圖2、3和4所示為用于在磁頭的感應(yīng)線圈的制造過(guò)程中已有技術(shù)的去除籽晶層的制造步驟的側(cè)面剖視圖；附圖5、6和7所示為利用用于本發(fā)明的磁頭的本發(fā)明的籽晶層的感應(yīng)線圈的構(gòu)造的側(cè)面剖視圖；附圖8、9和10所示為利用用于本發(fā)明的磁頭的本發(fā)明的可替換籽晶層的感應(yīng)線圈的構(gòu)造的側(cè)面剖視圖；附圖11、12、13和14所示為在本發(fā)明的磁頭的P2磁極尖的制造中使用的本發(fā)明的籽晶層的側(cè)面剖視圖；附圖15所示為用于P2磁極尖的制造的本發(fā)明的可替換的兩部分籽晶層的側(cè)面剖視圖；和附圖16所示為包括本發(fā)明的兩部分的籽晶層的制造的P2磁極尖的側(cè)面剖視圖。
具體實(shí)施例方式
附圖1所示為包括本發(fā)明的磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器的主要部件的頂視圖。硬盤驅(qū)動(dòng)器10包括可旋轉(zhuǎn)地安裝在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的主軸14上的磁性介質(zhì)硬盤12。傳動(dòng)臂16可旋轉(zhuǎn)地安裝在硬盤驅(qū)動(dòng)器10中，該硬盤驅(qū)動(dòng)器10帶有設(shè)置在傳動(dòng)臂16的遠(yuǎn)端22上的本發(fā)明的磁頭20。典型的硬盤驅(qū)動(dòng)器10可以包括可旋轉(zhuǎn)地安裝在主軸14上的多個(gè)盤12和多個(gè)傳動(dòng)臂16，所述多個(gè)傳動(dòng)臂具有安裝在傳動(dòng)臂的遠(yuǎn)端22上的磁頭20。正如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員十分熟悉的是，在硬盤驅(qū)動(dòng)器10運(yùn)行時(shí)，硬盤12在主軸14上旋轉(zhuǎn)并且磁頭20作為適合于在旋轉(zhuǎn)的盤的表面上飛旋的空氣軸承滑動(dòng)器作用?；瑒?dòng)器包括在其上制造了形成磁頭的各種層和結(jié)構(gòu)的襯底基底。這種磁頭大量制造在晶片襯底上并隨后切分為離散的磁頭20。
正如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員十分熟悉的是，硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭通常包括制造在磁頭的寫磁頭部分的磁極之間的扁平螺旋感應(yīng)線圈。附圖2-4所示為在已有技術(shù)中磁頭40的感應(yīng)線圈的制造步驟的側(cè)面剖視圖。如附圖2所示，多個(gè)感應(yīng)線圈匝44已經(jīng)制造在經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑48內(nèi)。感應(yīng)線圈44通常由銅構(gòu)成并以電鍍過(guò)程制造，其中籽晶層52先前已經(jīng)淀積在絕緣層56上，該絕緣層可以包括磁頭40的寫間隙層。籽晶層52通常由銅構(gòu)成。
正如大家十分熟悉的是，需要消除在感應(yīng)線圈44之間的籽晶層52的部分以防止感應(yīng)線圈的電短路，附圖3和4都是描述已有技術(shù)的籽晶層去除部分的側(cè)面剖視圖。首先，如附圖3所示，通常利用濕法化學(xué)處理去除在感應(yīng)線圈44之間的光致抗蝕劑48。此后，如附圖4所示，利用離子銑削或?yàn)R射蝕刻制造技術(shù)去除在感應(yīng)線圈44之間的銅籽晶層。在已有技術(shù)的磁頭制造過(guò)程中這個(gè)籽晶層去除技術(shù)會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題，并且在改善的磁頭設(shè)計(jì)包括彼此更加接近地放置的感應(yīng)線圈44的情況下這些問(wèn)題會(huì)成為更嚴(yán)重的問(wèn)題。具體地說(shuō)，如附圖4所示，已有技術(shù)的籽晶層去除過(guò)程通常導(dǎo)致籽晶層材料沿感應(yīng)線圈44的側(cè)面嚴(yán)重地重新淀積60。此外，通常努力地進(jìn)行可能損害其它的磁頭結(jié)構(gòu)的過(guò)蝕刻64以確保充分地去除在感應(yīng)線圈部件之間的籽晶層。這種籽晶層去除過(guò)程(和過(guò)蝕刻)也導(dǎo)致去除了感應(yīng)線圈部件44的重要的頂部部分68，并且在籽晶層去除的過(guò)程中可能去除多達(dá)3,000。為補(bǔ)償這種頂部去除，有意將感應(yīng)線圈部件制造得比所需的厚度更厚以使在完成了籽晶層去除步驟之后感應(yīng)線圈部件44的最終厚度適合。但是，這種制造比所需的感應(yīng)線圈部件44更厚的過(guò)程要求更高的縱橫比(深度與寬度比)的光刻溝，由此遇到了進(jìn)一步的制造問(wèn)題。本發(fā)明的改進(jìn)的籽晶層和籽晶層去除方法避免了這些問(wèn)題，并且使本發(fā)明的磁頭具有優(yōu)良的性能特性和更少的性能問(wèn)題，如下文結(jié)合附圖5-8所討論。
附圖5所示為適合于用作如在附圖1中所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭20的本發(fā)明的磁頭100的感應(yīng)線圈部分的側(cè)面剖視圖。如附圖5所示，磁頭100包括已經(jīng)制造在經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑層108內(nèi)的多個(gè)感應(yīng)線圈部件104。磁頭100的重要特征是籽晶層112由對(duì)活性離子蝕刻去除過(guò)程敏感的材料構(gòu)成，如下文所述。RIE可蝕刻的籽晶層112優(yōu)選包括鎢或鈦，在這種籽晶層中利用氟離子類物質(zhì)作為RIE處理。首先，利用本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員非常熟悉的常規(guī)的濺射淀積過(guò)程或CDV過(guò)程制造籽晶層112以使厚度大約為500至800。在籽晶層112的淀積和經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑溝108的制造之后，以與在已有技術(shù)中的方式基本類似的方式將感應(yīng)線圈部件104電鍍?cè)谧丫由?。此后，如附圖6所示，使用在已有技術(shù)中的常規(guī)濕化學(xué)去除過(guò)程去除在感應(yīng)線圈部件104之間的光致抗蝕劑。在感應(yīng)線圈部件104之間的籽晶層部分116由此暴露出來(lái)。
如下文附圖7所示，使用本發(fā)明的活性離子蝕刻過(guò)程，去除了在感應(yīng)線圈部件104之間的籽晶層部分116。如上文所述，本發(fā)明的重要特征在于籽晶層112由對(duì)活性離子蝕刻敏感的物質(zhì)構(gòu)成。在優(yōu)選的實(shí)施例中，使用產(chǎn)生包含氟離子類物質(zhì)的蝕刻源進(jìn)行活性離子蝕刻，在該蝕刻源中籽晶層反應(yīng)產(chǎn)物易揮發(fā)。因此，在使用鎢或鈦?zhàn)鳛樽丫?12時(shí)，以大約100ev的離子能量實(shí)施低偏置氟(low bias fluorine)RIE過(guò)程，在氣態(tài)的易揮發(fā)的氟化鎢或鈦中去除籽晶層部分116。用于RIE過(guò)程的適合的氟源化合物包括CF4、CHF3、SF6、C2F6和C3F8。在本發(fā)明的籽晶層的氟REI去除之后，實(shí)施如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的常規(guī)的磁頭制造步驟以完成本發(fā)明的磁頭100的制造過(guò)程。
通過(guò)對(duì)比附圖7和附圖4可以理解本制造過(guò)程的重要優(yōu)點(diǎn)。具體地說(shuō)，在附圖7的磁頭100中消除了附圖4的籽晶層重新淀積48，這是因?yàn)榉衔镒丫尤コa(chǎn)物易于揮發(fā)，因此在磁頭100中沒有形成籽晶層重新淀積。此外，銅感應(yīng)線圈部件104基本不受到氟RIE過(guò)程的影響，因此在RIE籽晶層去除過(guò)程中不會(huì)去除感應(yīng)線圈部件104的頂部。從而，通過(guò)對(duì)比本發(fā)明的磁頭的最初電鍍的感應(yīng)線圈部件104(參見附圖5)和已有技術(shù)的最初電鍍的感應(yīng)線圈部件44(如附圖2所示)可以看出，感應(yīng)線圈部件104不需要制造到已有技術(shù)的感應(yīng)線圈部件44的厚度，這是因?yàn)樵谧丫尤コ^(guò)程中不去除感應(yīng)線圈部件104的頂部部分。結(jié)果，制造感應(yīng)線圈部件104所需的光刻溝108的縱橫比沒有已有技術(shù)的光刻溝的縱橫比那么大。此外，本發(fā)明的氟RIE籽晶層去除過(guò)程對(duì)在籽晶層下的絕緣層(通常為氧化鋁)基本沒有腐蝕。這克服了已有技術(shù)的過(guò)蝕刻問(wèn)題，其中延長(zhǎng)實(shí)施消除已有技術(shù)的籽晶層的離子銑削或?yàn)R射蝕刻過(guò)程的時(shí)間周期以確保在感應(yīng)線圈部件44之間的籽晶層52完全消除，因此不會(huì)發(fā)生感應(yīng)線圈短路。此外，因?yàn)樵诟鶕?jù)本發(fā)明制造磁頭時(shí)不存在沿感應(yīng)線圈部件的側(cè)面的籽晶層重新淀積的問(wèn)題，因此感應(yīng)線圈部件可以制造得更緊密，正如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解的是這可以改善磁頭100的性能特征。
本發(fā)明的可替換和改進(jìn)的兩部分的籽晶層138可以通過(guò)在籽晶層112的頂部上的薄銅籽晶層上部部分140的淀積形成，如附圖8所示。具體地說(shuō)，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)籽晶層112的上表面可以在籽晶層112的頂部上形成阻止銅感應(yīng)線圈部件104的粘合和有效電鍍的氧化涂層。為防止在籽晶層112上的氧化表面的形成，在籽晶層淀積步驟之后具有大約100的厚度的上部薄銅膜層140濺射淀積在籽晶層112上。在這個(gè)兩部分的籽晶層器件中，下部的籽晶層112可以包括鎢、鈦或鉭。公知的是，如果沒有上部籽晶層140，則由于在其上產(chǎn)生的嚴(yán)重氧化作用，鉭也不會(huì)具有作為單獨(dú)的籽晶層的可接受的電鍍特性。薄膜銅上部籽晶層部分140起防止氧化表面涂層的形成的作用，并在經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑108內(nèi)促進(jìn)銅感應(yīng)線圈部件104的有效電鍍。但是，如附圖9所示，在光致抗蝕劑去除之后，在隨后的籽晶層去除過(guò)程中，銅薄膜上層140確實(shí)要求如在已有技術(shù)籽晶層去除中執(zhí)行的(如上文所描述)短離子銑削或?yàn)R射蝕刻去除步驟(通常使用Ar)。導(dǎo)致了已有技術(shù)中的籽晶層重新淀積問(wèn)題和感應(yīng)線圈部件頂部表面去除問(wèn)題；但是，因?yàn)殂~上層140實(shí)質(zhì)上比已有技術(shù)的籽晶層52更薄，因此同樣地極大地減小了重新淀積和感應(yīng)線圈材料去除問(wèn)題。正如下面的附圖10所示，在去除籽晶層138的銅薄膜上層140之后，實(shí)施氟RIE處理以去除在感應(yīng)線圈部件104之間的籽晶層138的下部部分112。利用可替換的兩部分的籽晶層138制造的磁頭100將具有包括鎢、鈦或鉭部分和銅部分這兩部分的感應(yīng)線圈部件之下的籽晶層部分。
本發(fā)明的籽晶層和RIE籽晶層去除方法也可以適用于寫磁頭的磁極(特別P2極尖)的制造，附圖11、12、13和14都示出了利用本發(fā)明的籽晶層和籽晶層去除方法的P2極尖的制造。具體地說(shuō)，附圖11所示為其中在P1磁極174的上表面168上通過(guò)濺射淀積已經(jīng)制造的本發(fā)明的籽晶層160的本發(fā)明的磁頭150的側(cè)面剖視圖。籽晶層160優(yōu)選包括鎢或鈦。經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑180已經(jīng)形成在籽晶層160的頂部上并且P2極尖188已經(jīng)制造在籽晶層160的頂部上的經(jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑180內(nèi)。通常通過(guò)將NiFe鐵磁材料電鍍?cè)谧丫?60上來(lái)制造P2極尖188。此后，如附圖12所示，利用常規(guī)的已有技術(shù)的濕化學(xué)過(guò)程去除光致抗蝕劑180。然后，如附圖13所示，利用本發(fā)明的氟RIE過(guò)程，去除鎢籽晶層160的暴露部分。在去除籽晶層160之后，正如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所熟知，比如應(yīng)用氬實(shí)施離子銑削步驟，以將凹槽190蝕刻成P1磁極以增強(qiáng)磁頭性能。此后，如附圖14所示，正如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所熟知，淀積絕緣材料194以封裝P2極尖188和其它的磁頭部件。
如附圖11-14所示，本發(fā)明的磁尖制造過(guò)程的重要特征在于實(shí)施籽晶層160的去除而沒有已有技術(shù)中的離子銑削或?yàn)R射蝕刻過(guò)程，并且不會(huì)發(fā)生如在已有技術(shù)的制造過(guò)程中那樣去除了P2極尖的頂部的材料。具體地說(shuō)，在已有技術(shù)中在去除籽晶層材料的同時(shí)，已有技術(shù)中利用離子銑削或?yàn)R射蝕刻的籽晶層去除過(guò)程去除了暴露的P2極尖的頂部部分。因此，如上文參考已有技術(shù)的感應(yīng)線圈部件44所討論，已有技術(shù)的P2極尖制造過(guò)程要求制造得比所需的P2極尖更厚，以便在利用已有技術(shù)的離子銑削或?yàn)R射蝕刻過(guò)程進(jìn)行籽晶層去除之后形成所需的P2極尖厚度。因此，要求具有比所需的縱橫比更高的光刻溝以制造更厚的已有技術(shù)的P2極尖。此外，因?yàn)楸景l(fā)明的P2極尖188不受到氟RIE籽晶層去除步驟的影響，因此本發(fā)明的磁頭150的光刻溝180的縱橫比更低，由此有利于制造本發(fā)明的P2極尖。當(dāng)然，在執(zhí)行P1磁極開槽步驟時(shí)，離子銑削步驟會(huì)去除P2極尖的某些頂部表面。
本發(fā)明的磁頭150的另一重要特征在于籽晶層160的厚度可以制造為大約500至2,000以將它用作寫間隙層。即，如附圖11-14所示，籽晶層160制造在P1磁極174和P2極尖188之間以用作寫間隙層160。在這方面鎢或鈦?zhàn)丫?60比較有效，這是因?yàn)樗粚?dǎo)磁，因此它可以起有效的寫間隙層的作用；但是，它導(dǎo)電，因此在制造NiFeP2極尖的電鍍過(guò)程中它可以用作良好的籽晶層。有利的是，在磁頭150中不要求淀積寫間隙層的額外步驟。在利用寫間隙/籽晶層和氟RIE籽晶層去除方法的情況下以及在實(shí)施P1磁極開槽步驟時(shí)，與已有技術(shù)相比減少了從P2極尖的尖端上去除的材料量，這是因?yàn)楸景l(fā)明的寫間隙層通過(guò)RIE過(guò)程而不是通過(guò)已有技術(shù)的離子銑削過(guò)程去除。
如上文所述，籽晶層160的頂部表面可以形成氧化表面涂層，這能阻止NiFe極尖188在它上面的粘合和電鍍。為克服這一點(diǎn)，如附圖15所示，在制造下部籽晶層之后優(yōu)選通過(guò)濺射淀積將NiFe上部籽晶層部分198制造在下部籽晶層部分160上以形成兩部分的籽晶層200。將NiFe上部籽晶層部分198淀積到大約100的厚度，并防止在下部籽晶層部分160上形成氧化表面，以便獲得NiFe P2極尖的電鍍的有效粘合和導(dǎo)電率。在這種兩部分籽晶層器件中，下部籽晶層160可以包括鎢、鈦或鉭。大家公知的是，如果沒有上部籽晶層198則由于在其上形成的嚴(yán)重的氧化的緣故，鉭不具有作為單獨(dú)的籽晶層的可接受的電鍍特性。在光致抗蝕劑的濕化學(xué)去除之后P2極尖188電鍍?cè)诮?jīng)構(gòu)圖的光致抗蝕劑180中。此后，如附圖16所示，在通過(guò)本發(fā)明的氟RIE過(guò)程去除了底部的鎢、鈦或鉭籽晶層部分160之后，必須首先進(jìn)行離子銑削或?yàn)R射蝕刻步驟(通常使用Ar)以去除籽晶層的NiFe頂層198。此外，在去除籽晶層160之后，可以實(shí)施進(jìn)一步的離子銑削步驟以將凹槽204蝕刻為P1磁極以形成理想的刻槽的P1磁極設(shè)計(jì)。在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員熟悉的進(jìn)一步的寫磁頭制造步驟之后，P2極尖188和其它的部件都封裝在絕緣層208中，如附圖16所示。
雖然參考某些優(yōu)選的實(shí)施例已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解的是，毫無(wú)疑問(wèn)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠在本發(fā)明的基本精神和范圍內(nèi)在形式和細(xì)節(jié)方面作出變型。因此，希望下文的權(quán)利要求都覆蓋這種變型和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種制造磁頭的方法，包括如下的步驟制造所說(shuō)的磁頭的寫磁頭部分，包括如下的步驟制造第一磁極；在所說(shuō)的第一磁極之上制造絕緣層；將籽晶層淀積在所說(shuō)的絕緣層；將感應(yīng)線圈電鍍?cè)谒f(shuō)的籽晶層上；利用RIE過(guò)程去除沒有被所說(shuō)的感應(yīng)線圈所覆蓋的所說(shuō)的籽晶層部分；其中所說(shuō)的RIE過(guò)程利用氟類物質(zhì)，而且所說(shuō)的籽晶層包括與所說(shuō)的氟類物質(zhì)形成氣態(tài)化合物的材料。
2.如權(quán)利要求1所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的籽晶層包括從鎢和鈦構(gòu)成的組中選擇的一種材料。
3.如權(quán)利要求2所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的籽晶層的厚度大致為500至800。
4.如權(quán)利要求2所述的制造磁頭的方法，其中以濺射淀積過(guò)程制造所說(shuō)的籽晶層。
5.如權(quán)利要求2所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的RIE過(guò)程利用從由CF4、CHF3、SF6、C2F6和C3F8構(gòu)成的組中選擇的化合物以提供所說(shuō)的氟離子類物質(zhì)。
6.如權(quán)利要求1所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的感應(yīng)線圈由銅構(gòu)成，其中所說(shuō)的籽晶層包括由銅構(gòu)成的上部部分和由從由鎢、鈦和鉭構(gòu)成的組中選擇的一種材料構(gòu)成的下部部分，以及其中所說(shuō)的感應(yīng)線圈電鍍?cè)谒f(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的銅上部部分上。
7.一種制造磁頭的方法，包括如下的步驟制造所說(shuō)的磁頭的寫磁頭部分，包括如下的步驟制造第一磁極；在所說(shuō)的第一磁極之上制造籽晶層；將第二磁極電鍍?cè)谒f(shuō)的籽晶層上；利用RIE過(guò)程去除沒有被所說(shuō)的第二磁極所覆蓋的所說(shuō)的籽晶層部分；其中所說(shuō)的RIE過(guò)程利用氟離子類物質(zhì)，而且所說(shuō)的籽晶層包括與所說(shuō)的氟離子類物質(zhì)形成氣態(tài)化合物的材料。
8.如權(quán)利要求7所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的籽晶層包括從鎢和鈦構(gòu)成的組中選擇的一種材料。
9.如權(quán)利要求8所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的籽晶層的厚度大致為500至800。
10.如權(quán)利要求8所述的制造磁頭的方法，其中以濺射淀積過(guò)程制造所說(shuō)的籽晶層。
11.如權(quán)利要求7所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的RIE過(guò)程利用從由CF4、CHF3、SF6、C2F6和C3F8構(gòu)成的組中選擇的化合物以提供所說(shuō)的氟離子類物質(zhì)。
12.如權(quán)利要求7所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的第二磁極包括NiFe，以及其中制造所說(shuō)的籽晶層以包括NiFe構(gòu)成的上部部分和由從由鎢、鈦和鉭構(gòu)成的組中選擇的一種材料構(gòu)成的下部部分，以及其中所說(shuō)的第二磁極電鍍?cè)谒f(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的NiFe上部部分上。
13.如權(quán)利要求7所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的籽晶層制造所說(shuō)的第一磁極上。
14.如權(quán)利要求13所述的制造磁頭的方法，其中所說(shuō)的籽晶層是淀積在所說(shuō)的第一磁極和所說(shuō)的第二磁極之間的寫間隙層。
15.一種磁頭，包括寫磁頭部分；設(shè)置在所說(shuō)的寫磁頭部分內(nèi)的絕緣層；設(shè)置在所說(shuō)的絕緣層上的籽晶層；設(shè)置在絕緣層上的感應(yīng)線圈；所說(shuō)的籽晶層包括從由鎢、鈦和鉭構(gòu)成的組中選擇的一種材料。
16.如權(quán)利要求15所述的磁頭，其中所說(shuō)的籽晶層的厚度大致為500至800。
17.如權(quán)利要求15所述的磁頭，其中所說(shuō)的感應(yīng)線圈包括銅，以及其中所說(shuō)的籽晶層包括下部部分和銅的上部部分，其中所說(shuō)的下部部分設(shè)置在所說(shuō)的絕緣層上，以及所說(shuō)的感應(yīng)線圈設(shè)置在所說(shuō)的銅的部分上。
18.如權(quán)利要求17所述的磁頭，其中所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的下部部分的厚度大致為500至800，以及所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的銅的部分的厚度大致為100。
19.一種磁頭，包括包括第一磁極和第二磁極的寫磁頭部分；在所說(shuō)的第一磁極和所說(shuō)的第二磁極之間設(shè)置的籽晶層，所說(shuō)的第二磁極設(shè)置在所說(shuō)的籽晶層上；所說(shuō)的籽晶層包括從由鎢、鉭和鈦組成的組中選擇的一種材料。
20.如權(quán)利要求19所述的磁頭，其中所說(shuō)的籽晶層的厚度大致為500至2,000。
21.如權(quán)利要求19所述的磁頭，其中所說(shuō)的第二磁極包括NiFe，以及其中所說(shuō)的籽晶層包括下部部分和由NiFe構(gòu)成的上部部分，以及其中所說(shuō)的第二磁極設(shè)置在所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的NiFe上部部分上。
22.如權(quán)利要求21所述的磁頭，其中所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的NiFe上部部分的厚度大致為100，所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的下部部分的厚度大致為500至2,000。
23.一種硬盤驅(qū)動(dòng)器，包括適合于在硬盤驅(qū)動(dòng)器上旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的至少一個(gè)硬盤；適合于在所說(shuō)的硬盤上飛旋以在所說(shuō)的硬盤上寫數(shù)據(jù)的至少一個(gè)磁頭，所說(shuō)的磁頭包括寫磁頭部分；設(shè)置在所說(shuō)的寫磁頭部分內(nèi)的絕緣層；設(shè)置在所說(shuō)的絕緣層上的籽晶層；設(shè)置在絕緣層上的感應(yīng)線圈；所說(shuō)的籽晶層包括從由鎢、鈦和鉭構(gòu)成的組中選擇的一種材料。
24.如權(quán)利要求23所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所說(shuō)的籽晶層的厚度大致為500至800。
25.如權(quán)利要求23所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所說(shuō)的感應(yīng)線圈包括銅，以及其中所說(shuō)的籽晶層包括銅部分和下部部分，其中所說(shuō)的下部部分設(shè)置在所說(shuō)的絕緣層上，以及所說(shuō)的感應(yīng)線圈設(shè)置在所說(shuō)的銅部分上。
26.如權(quán)利要求25所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的下部部分的厚度大致為500至800，以及所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的銅部分的厚度大致為100。
27.一種硬盤驅(qū)動(dòng)器，包括適合于在硬盤驅(qū)動(dòng)器上旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的至少一個(gè)硬盤；適合于在所說(shuō)的硬盤上飛旋以在所說(shuō)的硬盤上寫數(shù)據(jù)的至少一個(gè)磁頭，所說(shuō)的磁頭包括包括第一磁極和第二磁極的寫磁頭部分；在所說(shuō)的第一磁極和所說(shuō)的第二磁極之間設(shè)置的籽晶層，所說(shuō)的第二磁極設(shè)置在所說(shuō)的籽晶層上；所說(shuō)的籽晶層包括從由鎢、鉭和鈦組成的組中選擇的一種材料。
28.如權(quán)利要求27所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所說(shuō)的籽晶層的厚度大致為500至2,000。
29.如權(quán)利要求27所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所說(shuō)的第二磁極包括NiFe，以及其中所說(shuō)的籽晶層包括下部部分和由NiFe構(gòu)成的上部部分，以及其中所說(shuō)的第二磁極設(shè)置在所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的NiFe上部部分上。
30.如權(quán)利要求29所述的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的NiFe上部部分的厚度大致為100，所說(shuō)的籽晶層的所說(shuō)的下部部分的厚度大致為500至2,000。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于磁頭的籽晶層去除的方法，其中利用對(duì)活性離子蝕刻去除技術(shù)敏感的籽晶層制造磁頭的電鍍部件。該籽晶層包括鎢或鈦并通過(guò)濺射淀積過(guò)程制造，而且該籽晶層導(dǎo)電，其中電鍍部件(比如感應(yīng)線圈部件和磁極)有效地電鍍?cè)谥圃煸谧丫由系墓饪绦纬傻墓庵驴刮g劑溝上。在電鍍之后，利用標(biāo)準(zhǔn)濕法化學(xué)處理去除光致抗蝕劑層。利用氟類物質(zhì)活性離子蝕刻過(guò)程，較多地去除籽晶層，氟RIE過(guò)程形成了氣態(tài)氟化鎢或氟化鈦化合物去除產(chǎn)物。因?yàn)闅鈶B(tài)氟化物不重新淀積，因此克服了籽晶層沿電鍍部件的側(cè)面重新淀積的問(wèn)題。本發(fā)明也包括增強(qiáng)的兩部分的籽晶層，其中下部分是鎢、鈦或鉭，上部分包括構(gòu)成要電鍍的部件的材料。
文檔編號(hào)C25D7/00GK1628340SQ01820758
公開日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2001年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月16日
發(fā)明者理查德·西奧, 尼爾·L·羅伯遜, 帕特里克·R·韋布 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司