涉及例如薄片頂表面面積中的三阱梳狀蜿蜒結(jié)構(gòu)的離子注入?？蛇x擇地，可集成STI蜿蜒結(jié)構(gòu)。例如，具有阱貫穿測(cè)量的平面二極管可用于裂縫檢測(cè)。例如，可使用柵多晶硅乃至W/0柵多晶下方的FG梳狀蜿蜒。例如，可使用FG柵多晶泄漏/貫穿結(jié)構(gòu)。例如，梳狀電阻或(梳狀-蜿蜒)貫穿電壓的檢測(cè)可導(dǎo)致薄片(膜結(jié)構(gòu))中的裂縫檢測(cè)。
[0084]上述實(shí)施例可能例如在具有例如碳犧牲層的FEOL (前端制程)/BEOL (后端制程)之間的薄的薄片變體的情況下。例如可使用在多晶片之間具有介電隔離的雙薄片。然而，在薄的多晶薄片中實(shí)現(xiàn)裂縫檢測(cè)結(jié)構(gòu)伴隨成本增加者(adder)發(fā)生。檢測(cè)上部和下部多晶片之間的漏電流可用于薄片(膜結(jié)構(gòu))的裂縫檢測(cè)。關(guān)于實(shí)施例，多晶薄片可具有例如300nm的整體厚度。
[0085]當(dāng)在計(jì)算機(jī)或處理器上執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序時(shí)，實(shí)施例還可提供具有用于執(zhí)行上述方法之一的程序代碼的計(jì)算機(jī)程序。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)容易意識(shí)到各種上述方法的動(dòng)作可通過(guò)編程的計(jì)算機(jī)來(lái)執(zhí)行。因此，一些實(shí)施例還意圖覆蓋程序存儲(chǔ)設(shè)備，例如數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，其是指令的機(jī)器或計(jì)算機(jī)可讀的并且編碼機(jī)器可執(zhí)行的或計(jì)算機(jī)可執(zhí)行的程序，其中指令執(zhí)行上述方法的動(dòng)作中的一些或全部。程序存儲(chǔ)設(shè)備例如可以是數(shù)字存儲(chǔ)器、例如磁盤和磁帶的磁存儲(chǔ)介質(zhì)、硬盤或可選可讀的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。實(shí)施例還意圖覆蓋編程以執(zhí)行上述方法的動(dòng)作的計(jì)算機(jī)，或者編程以執(zhí)行上述方法的動(dòng)作的(現(xiàn)場(chǎng))可編程的邏輯陣列((F)PLA)或(現(xiàn)場(chǎng))可編程門陣列((F) PGA)。
[0086]描述和附圖僅示出了本公開的原理。由此應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠想出個(gè)種布置，盡管沒(méi)有在這里明確描述或示出，這些布置體現(xiàn)了本公開的原理并被包括在其精神和范圍內(nèi)。而且，在這里引用的所有示例主要意圖明白地僅用于教育目的以幫助讀者理解由一個(gè)或多個(gè)發(fā)明人貢獻(xiàn)的本公開和概念的原理來(lái)促進(jìn)本領(lǐng)域，并被解釋為不具有對(duì)這樣具體敘述的示例和條件的限制。而且，在這里敘述本公開的原理、方面和實(shí)施例，以及其具體的示例的所有的陳述意圖包括其等效形式。
[0087]表示為“用于......的裝置”(執(zhí)行特定的功能)的功能塊應(yīng)該被理解為功能塊包括配置成分別執(zhí)行特定功能的電路。因此“用于某事物的裝置”還可被理解為“配置成或適于某事物的裝置”。因此配置成執(zhí)行特定功能的裝置不暗示這樣的裝置有必要正執(zhí)行該功能(在給定的時(shí)刻處)。
[0088]圖中示出的各種元件的功能(包括標(biāo)記為“裝置”、“用于提供傳感器信號(hào)的裝置”、“用于生成傳輸信號(hào)的裝置”等的任何功能塊)可通過(guò)使用專用硬件以及能夠執(zhí)行與適合軟件相關(guān)聯(lián)的軟件的硬件來(lái)提供，所述專用硬件例如是“信號(hào)提供者”、“信號(hào)處理單元”、“處理器”、“控制器”等。而且，在這里描述為“裝置”的任何實(shí)體可對(duì)應(yīng)于或作為“一個(gè)或多個(gè)模塊”、“一個(gè)或多個(gè)器件”、“一個(gè)或多個(gè)單元”等實(shí)現(xiàn)。當(dāng)通過(guò)處理器提供時(shí)，功能可通過(guò)單個(gè)專用處理器，通過(guò)單個(gè)共享處理器或通過(guò)多個(gè)單獨(dú)處理器(其中的一些處理器可被共享)來(lái)提供。而且，術(shù)語(yǔ)“處理器”或“控制器”的明確使用不應(yīng)該被解釋為排他地指代能夠執(zhí)行軟件的硬件，而可暗中包括但不限于數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)硬件、網(wǎng)絡(luò)處理器、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、用于存儲(chǔ)軟件的只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、以及非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。還可包括其他的硬件，常規(guī)的和/或定制的。
[0089]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解在這里的任何框圖表示體現(xiàn)本公開的原理的例證電路的概念上的視圖。類似地，應(yīng)該理解任何流程表，流程圖，狀態(tài)傳輸圖，偽碼等表示可基本上在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中表示并由計(jì)算機(jī)或處理器執(zhí)行的各種過(guò)程，無(wú)論是否明確示出這樣的計(jì)算機(jī)或處理器。
[0090]而且，下面的權(quán)利要求在此并入到詳細(xì)的描述中，其中每個(gè)權(quán)利要求可作為分開的實(shí)施例獨(dú)立存在。雖然每個(gè)權(quán)利要求可作為分開的實(shí)施例獨(dú)立存在，但是應(yīng)該注意盡管從屬權(quán)利要求可在權(quán)利要求中指代一個(gè)或多個(gè)其他權(quán)利要求的特定組合，其他實(shí)施例還可包括具有彼此從屬或獨(dú)立的權(quán)利要求的主題的從屬權(quán)利要求的組合。在這里提出這樣的組合除非說(shuō)明了特定組合不是意圖的。而且，意圖還包括權(quán)利要求對(duì)任何其它獨(dú)立權(quán)利要求的特征，即使該權(quán)利要求不直接從屬于該獨(dú)立權(quán)利要求。
[0091]還應(yīng)該注意說(shuō)明書或權(quán)利要求中公開的方法可通過(guò)具有用于執(zhí)行這些方法的相應(yīng)動(dòng)作中的每一個(gè)的裝置的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0092]而且，應(yīng)該理解說(shuō)明書或權(quán)利要求中公開的多個(gè)動(dòng)作或功能的公開內(nèi)容可以不被解釋為按照特定的次序。因此，多個(gè)動(dòng)作或功能的公開內(nèi)容將不將其限制到特別的次序，除非這些動(dòng)作或功能因技術(shù)原因而不可相互交換。而且，在一些實(shí)施例中，單個(gè)的動(dòng)作可包括或可被分解為多個(gè)子動(dòng)作。這些子動(dòng)作可被包括在該單個(gè)動(dòng)作的公開內(nèi)容中且可以是該單個(gè)動(dòng)作的公開內(nèi)容的部分。除非明確排除。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種微機(jī)電器件，包括: 可移動(dòng)結(jié)構(gòu)，其中可移動(dòng)結(jié)構(gòu)包括測(cè)試結(jié)構(gòu)，如果可移動(dòng)結(jié)構(gòu)被損壞，則測(cè)試結(jié)構(gòu)改變電特性。2.根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件，其中可移動(dòng)結(jié)構(gòu)包括表示布置在可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的微機(jī)電元件上方的并且與微機(jī)電元件電隔離的膜結(jié)構(gòu)的測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少一部分的導(dǎo)電層。3.根據(jù)權(quán)利要求2的微機(jī)電器件，其中缺陷檢測(cè)電路連接到微機(jī)電元件和導(dǎo)電層。4.根據(jù)權(quán)利要求3的微機(jī)電器件，其中缺陷檢測(cè)電路檢測(cè)導(dǎo)電層和微機(jī)電元件之間的漏電流的增加或貫穿電壓的降低。5.根據(jù)權(quán)利要求2的微機(jī)電器件，其中導(dǎo)電層與半導(dǎo)體器件的晶體管的柵電極同時(shí)制造。6.根據(jù)權(quán)利要求2的微機(jī)電器件，其中導(dǎo)電層通過(guò)與微機(jī)電器件的晶體管的柵氧化物可同時(shí)制造的氧化物來(lái)與微機(jī)電元件隔離。7.根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件，其中可移動(dòng)結(jié)構(gòu)包括可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的第一橫向摻雜區(qū)域和可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的第二橫向摻雜區(qū)域之間的Pn結(jié)。8.根據(jù)權(quán)利要求6的微機(jī)電器件，其中缺陷檢測(cè)電路連接到第一橫向摻雜區(qū)域和第二橫向摻雜區(qū)域。9.根據(jù)權(quán)利要求7的微機(jī)電器件，其中缺陷檢測(cè)電路被配置成檢測(cè)第一橫向摻雜區(qū)域和第二橫向摻雜區(qū)域之間的漏電流的增加或貫穿電壓的降低。10.根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件，其中可移動(dòng)結(jié)構(gòu)包括淺溝槽隔離蜿蜒結(jié)構(gòu)。11.根據(jù)權(quán)利要求10的微機(jī)電器件，其中可移動(dòng)結(jié)構(gòu)包括橫向分離測(cè)試結(jié)構(gòu)的兩個(gè)導(dǎo)電梳狀結(jié)構(gòu)的淺溝槽隔離蜿蜒結(jié)構(gòu)。12.根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件，其中可移動(dòng)結(jié)構(gòu)包括夾在上部膜層和下部膜層之間的介電隔離層。13.根據(jù)權(quán)利要求12的微機(jī)電器件，其中缺陷檢測(cè)電路連接到上部膜層和下部膜層。14.根據(jù)權(quán)利要求13的微機(jī)電器件，其中缺陷檢測(cè)電路被配置成檢測(cè)上部膜層和下部膜層之間的漏電流的增加或貫穿電壓的降低。15.根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件，包括連接到可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的缺陷檢測(cè)電路，其中缺陷檢測(cè)電路被配置成獨(dú)立于檢測(cè)可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的主要功能的感測(cè)電路而檢測(cè)測(cè)試結(jié)構(gòu)的電特性的改變。16.根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件， 其中測(cè)試結(jié)構(gòu)包括與膜結(jié)構(gòu)的膜層電絕緣的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)， 其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)是到達(dá)遍及大于整個(gè)膜層的50 %的層，梳狀結(jié)構(gòu)或蜿蜒結(jié)構(gòu)。17.根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件， 其中微機(jī)電器件包括布置在襯底的至少一部分和表不可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的膜結(jié)構(gòu)之間的腔， 其中膜結(jié)構(gòu)包括如果膜結(jié)構(gòu)被損壞則改變電特性的測(cè)試結(jié)構(gòu)。18.根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件，包括配置成感測(cè)膜結(jié)構(gòu)的扭曲的感測(cè)電路。19.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1的微機(jī)電器件的壓力傳感器器件。20.一種檢測(cè)微機(jī)電器件的損壞的方法，微機(jī)電器件包括可移動(dòng)結(jié)構(gòu)，其中可移動(dòng)結(jié)構(gòu)包括改變電特性的測(cè)試結(jié)構(gòu)，該方法包括:檢測(cè)可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的電測(cè)試結(jié)構(gòu)的電特性的改變；以及指示電特性從預(yù)先限定的容許的范圍的偏離。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及檢測(cè)半導(dǎo)體器件損壞的方法。一種包括可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的微機(jī)電器件，其中該可移動(dòng)結(jié)構(gòu)包括測(cè)試結(jié)構(gòu)，如果可移動(dòng)結(jié)構(gòu)被損壞，則測(cè)試結(jié)構(gòu)改變電特性。
【IPC分類】B81B5/00, B81B7/02
【公開號(hào)】CN104891420
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510187614
【發(fā)明人】D·梅因霍爾德
【申請(qǐng)人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年3月5日
【公告號(hào)】DE102015102734A1, US20150253375