含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]參考圖1所示，含有傳感器單元的模組包括模組基板1、已經(jīng)封裝好的傳感器單體100、以及其它單元7，傳感器單體100包括外殼2和單體基板5圍成的封裝結(jié)構(gòu)，在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)有傳感器的芯片，包括MEMS傳感器芯片3和與所述MEMS傳感器芯片3通過引線4電連接的ASIC芯片5。目前對于這種含有傳感器單元的模組一般是將封裝好的傳感器單體和其它單元通過SMT焊接貼于模組基板上，形成最終的模組應(yīng)用產(chǎn)品。這種技術(shù)方案中對傳感器單體和其它單元的SMT焊接過程有可能對傳感器單體內(nèi)部的芯片產(chǎn)生嚴重影響，例如SMT焊接過程中的回流現(xiàn)象會造成傳感器功能降低或漂移。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的是提供含有傳感器單元的模組的新的封裝方案，以避免上述SMT焊接過程對傳感器的影響。
[0004]本實用新型提供了一種含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)，包括:模組基板，傳感器單元的芯片、封裝件；所述傳感器單元的芯片直接設(shè)置在所述模組基板上，所述封裝件與所述模組基板圍成封裝結(jié)構(gòu)將所述傳感器單元封裝在內(nèi)。
[0005]進一步的，還包括貼裝在所述模組基板上的其它單元。
[0006]優(yōu)選的，所述傳感器單元的芯片通過導電膠粘接在所述模組基板上，或者焊接在所述模組基板上。
[0007]優(yōu)選的，所述封裝件為外殼或者注塑膠。
[0008]優(yōu)選的，所述外殼為金屬外殼或基板外殼。
[0009]其中，所述傳感器單元的芯片包括MEMS傳感器芯片和與所述MEMS傳感器芯片電連接的ASIC芯片。
[0010]本實用新型具有以下有益效果:
[0011]I)將傳感器單元的芯片直接加工在模組基板上，而不是將傳感器單元的芯片先封裝形成傳感器單體然后再通過SMT焊接在模組基板上，避免了傳感器單體SMT焊接過程對傳感器性能的影響。
[0012]2)先將模組的其它單元貼裝于模組基板上，然后再將傳感器單元的芯片直接加工在模組基板上，避免了其它單元SMT焊接過程對傳感器性能的影響。
[0013]3)簡化了模組產(chǎn)品的制造工序和結(jié)構(gòu)，因此降低了模組產(chǎn)品的成本，同時還降低了傳感器單元的高度。
[0014]通過以下參照附圖對本實用新型的示例性實施例的詳細描述，本實用新型的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。
【附圖說明】
[0015]被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本實用新型的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本實用新型的原理。
[0016]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)。
[0017]圖2是本實用新型含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的制造過程示意圖。
[0018]圖3是本實用新型含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4是本實用新型含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖5是本實用新型含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0021]現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本實用新型的各種示例性實施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達式和數(shù)值不限制本實用新型的范圍。
[0022]以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本實用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0023]對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細討論，但在適當情況下，技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當被視為說明書的一部分。
[0024]在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。
[0025]應(yīng)注意到:相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。
[0026]參考圖2所示，提供了本實用新型含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的制造過程，包括以下步驟:S1、提供模組基板、傳感器單元的芯片、以及其它單元；S2、先將其它單元貼裝在模組基板上；S3、再將傳感器單元的芯片直接加工在模組基板上并且進行封裝。
[0027]在步驟S3中，可以用導電膠將傳感器單元的芯片粘接在模組基板上，或者將傳感器單元的芯片焊接在模組基板上。
[0028]在步驟S3中，可以利用外殼和部分模組基板圍成封裝腔體以將傳感器單元的芯片封裝在內(nèi)，或者用注塑膠覆蓋傳感器單元的芯片以實現(xiàn)封裝。
[0029]其中，外殼可以為金屬外殼或者基板外殼。
[0030]其中，傳感器單元的芯片包括MEMS傳感器芯片和與MEMS傳感器芯片電連接的ASIC芯片。
[0031]參考圖3所示為含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例，包括模組基板
1、傳感器單元，以及其他單元7。傳感器單元的MEMS傳感器芯片3和ASIC芯片5直接設(shè)置在模組基板I上，利用基板圍成的基板外殼21與模組基板I圍成封裝腔體將MEMS傳感器芯片3和ASIC芯片5封裝在內(nèi)。MEMS傳感器芯片3和ASIC芯片5通過引線4電連接，ASIC芯片5通過另一引線與模組基板I上的電路電連接。
[0032]參考圖4所示為含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例，和第一實施例的不同之處在于，是通過注塑膠22從上方完全覆蓋MEMS傳感器芯片3和ASIC芯片5以形成對兩者的封裝。
[0033]參考圖5所示為含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例，和第一實施例的不同之處在于，包括兩個傳感器單元，第一傳感器單元包括MEMS傳感器芯片31和ASIC芯片51，兩者通過引線41電連接；第二傳感器單元包括MEMS傳感器芯片32和ASIC芯片52，兩者通過引線42電連接。金屬外殼23和模組基板I圍成封裝腔體，將MEMS傳感器芯片31、ASIC芯片51、MEMS傳感器芯片32、以及ASIC芯片52全部封裝在內(nèi)。
[0034]在以上三個實施例中，可以采用下列方式將傳感器單元的芯片固定在模組基板I上:用導電膠將所述傳感器單元的芯片粘接在所述模組基板上，或者將所述傳感器單元的芯片焊接在所述模組基板上。
[0035]本實用新型具有以下有益效果:
[0036]I)將傳感器單元的芯片直接加工在模組基板上，而不是將傳感器單元的芯片先封裝形成傳感器單體然后再通過SMT焊接在模組基板上，避免了傳感器單體SMT焊接過程對傳感器性能的影響。
[0037]2)先將模組的其它單元貼裝于模組基板上，然后再將傳感器單元的芯片直接加工在模組基板上，避免了其它單元SMT焊接過程對傳感器性能的影響。
[0038]3)簡化了模組產(chǎn)品的制造工序和結(jié)構(gòu)，因此降低了模組產(chǎn)品的成本，同時還降低了傳感器單元的高度。
[0039]雖然已經(jīng)通過例子對本實用新型的一些特定實施例進行了詳細說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進行說明，而不是為了限制本實用新型的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本實用新型的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。
【主權(quán)項】
1.一種含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 模組基板，傳感器單元的芯片、封裝件； 所述傳感器單元的芯片直接設(shè)置在所述模組基板上，所述封裝件與所述模組基板圍成封裝結(jié)構(gòu)將所述傳感器單元封裝在內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括貼裝在所述模組基板上的其它單J L.ο
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳感器單元的芯片通過導電膠粘接在所述模組基板上，或者焊接在所述模組基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝件為外殼或者注塑膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼為金屬外殼或基板外殼。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳感器單元的芯片包括MEMS傳感器芯片和與所述MEMS傳感器芯片電連接的ASIC芯片。
【專利摘要】本實用新型公開了一種含有傳感器單元的模組的封裝結(jié)構(gòu)，包括：模組基板，傳感器單元的芯片、封裝件；所述傳感器單元的芯片直接設(shè)置在所述模組基板上，所述封裝件與所述模組基板圍成封裝結(jié)構(gòu)將所述傳感器單元封裝在內(nèi)。本實用新型能夠盡量避免SMT焊接過程對傳感器性能的影響。
【IPC分類】B81B7-02, B81C1-00, B81B7-00
【公開號】CN204550044
【申請?zhí)枴緾N201520231841
【發(fā)明人】端木魯玉, 張俊德, 宋青林
【申請人】歌爾聲學股份有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年4月16日