的一端略微凸出于基板11的表面之上。
[0048]將一面具有電極14的芯片13置于腔體20中，且該芯片13的電極14正面對準(zhǔn)引線10并通過導(dǎo)電漿料15燒結(jié)在一起。參照圖1c?圖1d所示，首先可在芯片13的電極14和引線10上涂覆導(dǎo)電漿料15，之后將芯片13置于腔體20中，并保證電極14正面對準(zhǔn)引線10，進行燒結(jié)，使得電極14和引線10通過導(dǎo)電漿料15實現(xiàn)電性連接。可選但非限制，上述的導(dǎo)電漿料15為含金屬的導(dǎo)電漿料15，進一步可選的，該導(dǎo)電漿料15為銀漿。在利用導(dǎo)電漿料15將芯片13的電極14與引線41燒結(jié)在一起時，燒結(jié)的溫度在400°C?500°C的范圍內(nèi)，其中，450°C左右為最佳。
[0049]參照圖1e所示，灌入封接材料16并進行燒結(jié)，以將芯片13固定在20腔體中。例如在一可選的實施例中，沿殼體12與芯片13的間隙灌入封接材料16，之后進行燒結(jié)并加固。在對封接材料16進行燒結(jié)時，燒結(jié)溫度小于前文的導(dǎo)電漿料15的燒結(jié)溫度，一般控制在400°C的燒結(jié)溫度以下，以避免導(dǎo)電漿料15被燒結(jié)融化，而影響到器件的穩(wěn)定性。
[0050]利用一頂蓋17將腔體20予以密封，參照圖1f所示。可選但非限制，采用激光焊接的方法，將一金屬材質(zhì)的頂蓋17固定在殼體12上，以將腔體20予以密封。
[0051]實施例二
[0052]參照圖2a所不，首先提供一基板101，該基板101上固定有一殼體102，基板101和殼體102構(gòu)成一具有開口的腔體200。可選但非限制，該基板101為玻璃基板。在基板101上與封裝芯片對應(yīng)的位置打孔，形成圖2b所示結(jié)構(gòu)。在一可選的實施例中，可以采用激光、鉆孔、硼砂等方式來在基板101中形成通孔150。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可先行將殼體102固定在基板101上，之后對基板101進行打孔處理；又或者先對基板101進行打孔，之后再將殼體102固定在基板100上，這對本發(fā)明并不會造成任何實質(zhì)性的影響。
[0053]如圖2c?2d所示，將一面具有電極104的芯片103置于腔體200中并通過封裝材料106固定在基板101上，且電極104面朝并對準(zhǔn)通孔150設(shè)置，如圖2c?2d所示。其中，通過在芯片103和/或基板101對立面涂覆封裝材料106后，進行燒結(jié)處理，以將基板101和芯片103固定在一起。在此需要注意的是，在完成燒結(jié)后，需要保證電極104不被封裝材料106所包覆，便于后續(xù)電極的引出。在此過程中，通過對封裝材料106進行燒結(jié)處理以將芯片103牢牢固定在基板101上，且燒結(jié)溫度小于玻璃基板101的軟化溫度。在一可選的實施例中，封裝材料106的燒結(jié)溫度為500°C左右。
[0054]可選擇性地將圖2d所示的器件翻轉(zhuǎn)180°，將基板101的通孔面朝上放置，將至少一引線100的一端插進通孔150?？蛇x的，引線100靠近腔體150的一端凸出于基板150表面?？蛇x的，該引線100可直接與芯片103的電極104形成接觸，這對本發(fā)明并不會造成任何實質(zhì)性的影響。
[0055]沿著引線100與通孔150之間的縫隙灌入導(dǎo)電漿料105，將封裝材料106之間的空隙完全填充，并進行燒結(jié)，以實現(xiàn)引線100與電極104之間的電連接，如圖2e所示?？蛇x但非限制，選用含有金屬的導(dǎo)電漿料105進行燒結(jié)。進一步可選的，該導(dǎo)電漿料105為銀漿。在一可選的實施例中，在對導(dǎo)電漿料105進行燒結(jié)處理的過程中，其燒結(jié)溫度小于基板101的軟化溫度，典型燒結(jié)溫度450°C左右。
[0056]之后，在基板101背離腔體200的另一面涂覆封裝材料107并進行燒結(jié)，將通孔150予以密封，并起到加固引線100的作用。在對封裝材料107進行燒結(jié)處理的過程中，其燒結(jié)溫度小于基板101的軟化溫度，典型燒結(jié)溫度450°C左右。
[0057]之后，利用一頂蓋108將腔體200予以密封?？蛇x但非限制，采用激光焊接的方法，將一金屬材質(zhì)的頂蓋108固定在殼體102上，以將腔體20予以密封。
[0058]綜上所述，由于本發(fā)明采用了如上技術(shù)方案，通過將芯片與帶有金屬絲的玻璃基板用導(dǎo)電漿料燒結(jié)連接在一起，再通過封接玻璃進行加固處理，進而極大地提升了器件的耐高溫能力和可靠性，使得器件在惡劣條件下的工作性能更加穩(wěn)定。
[0059]以上對本發(fā)明的較佳實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一基板，所述基板中設(shè)置有若干貫穿其整個厚度的通孔，且該基板上固定有一殼體，所述殼體與所述基板之間構(gòu)成一具有開口的腔體； 將一面具有電極的芯片置于所述腔體中并通過封裝材料固定在所述基板上，且所述電極面朝并對準(zhǔn)所述通孔設(shè)置； 將至少一引線的一端穿過所述通孔； 利用導(dǎo)電漿料將所述引線與所述電極連接在一起； 利用一頂蓋將所述腔體予以密封。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板為玻璃基板。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述殼體和所述頂蓋均為金屬材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，導(dǎo)電漿料將所述引線與所述電極連接在一起的方法為首先在所述芯片的電極和所述引線上涂覆所述導(dǎo)電漿料，之后將所述芯片置于所述腔體中，并保證所述電極正面對準(zhǔn)所述引線，進行燒結(jié)，使得所述電極和所述引線通過所述導(dǎo)電漿料實現(xiàn)電性連接。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，導(dǎo)電漿料將所述引線與所述電極連接在一起的方法為在將所述引線的一端穿過所述通孔后，利用所述通孔灌入所述導(dǎo)電漿料并進行燒結(jié)，以將所述引線和所述電極進行連接。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電漿料燒結(jié)的過程中，燒結(jié)的溫度在400°C?500°C的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將芯片固定在所述基板上的步驟包括: 在所述芯片和/或基板的對立面涂覆封裝材料后，進行燒結(jié)處理，以將所述基板和所述芯片進行固定。
8.如權(quán)利要求4、5或7所述的方法，其特征在于，在對所述封接材料進行燒結(jié)時，封接材料的燒結(jié)溫度小于所述導(dǎo)電漿料的燒結(jié)溫度。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電漿料為含有金屬的導(dǎo)電漿料。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用激光焊接將所述頂蓋固定在所述殼體上，以將所述腔體予以密封。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述引線靠近所述腔體的一端與所述基板齊平或凸出于所述基板表面。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在所述基板背離所述腔體的另一面涂覆封裝材料并進行燒結(jié)，將所述通孔予以密封，并固定所述引線。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種芯片封裝方法，具體包括如下步驟：提供一基板，所述基板中設(shè)置有若干貫穿的通孔，且該基板上固定有一殼體，所述殼體與所述基板之間構(gòu)成一具有開口的腔體；將一面具有電極的芯片置于所述腔體中并通過封裝材料固定在所述基板上，且所述電極面朝并對準(zhǔn)所述通孔設(shè)置；將至少一引線的一端穿過所述通孔；利用導(dǎo)電漿料將所述引線與所述電極連接在一起；利用一頂蓋將所述腔體予以密封。發(fā)明通過將芯片與帶有金屬絲的玻璃基板用導(dǎo)電漿料燒結(jié)連接在一起，再通過封接玻璃進行加固處理，進而極大地提升了器件的耐高溫能力和可靠性，使得器件在惡劣條件下的工作性能更加穩(wěn)定。
【IPC分類】B81C3-00
【公開號】CN104555906
【申請?zhí)枴緾N201510039507
【發(fā)明人】陳敏, 張永平, 馬清杰
【申請人】中航（重慶）微電子有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2015年1月26日