1.一種鍵合方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，所述第一凸臺結構的頂面與所述第二凸臺結構的頂面齊平；
3.根據權利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，在將所述第一襯底的正面與所述第二襯底正面相對，使所述鍺層與所述第一鋁墊對準，并使所述第二凸臺結構與所述第二鋁墊對準之前，還包括：
4.根據權利要求3所述的鍵合方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度大于所述第一鋁墊的厚度，且所述鈍化層的厚度小于所述第二鋁墊與所述第二凸臺結構的厚度之和。
5.根據權利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，所述共晶鍵合工藝采用的工藝條件包括：
6.一種鍵合結構，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的鍵合結構，其特征在于，所述第一凸臺結構的底面與所述第二凸臺結構的底面齊平；
8.根據權利要求6所述的鍵合結構，其特征在于，所述第二襯底的頂面還設有沿所述鋁鍺互熔鍵合層周向分布的鈍化層。
9.根據權利要求8所述的鍵合結構，其特征在于，所述鈍化層的厚度大于所述第一鋁墊的厚度，且所述鈍化層的厚度小于所述第二鋁墊與所述第二凸臺結構的厚度之和。
10.一種mems器件的制作方法，其特征在于，包括：
11.根據權利要求10所述的mems器件的制作方法，其特征在于，所述第一凸臺結構的頂面與所述第二凸臺結構的頂面齊平；
12.根據權利要求10所述的mems器件的制作方法，其特征在于，在將所述器件晶圓背面與所述基底晶圓的正面相對，使所述第一凸臺結構與所述第一鋁墊對準，并使所述第二凸臺結構與所述第二鋁墊對準之前，還包括：
13.根據權利要求12所述的mems器件的制作方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度大于所述第一鋁墊的厚度，且所述鈍化層的厚度小于所述第二鋁墊與所述第二凸臺結構的厚度之和。
14.根據權利要求10所述的mems器件的制作方法，其特征在于，所述共晶鍵合工藝采用的工藝條件包括：
15.一種mems器件，其特征在于，包括：
16.根據權利要求15所述的mems器件，其特征在于，所述第一凸臺結構的頂面與所述第二凸臺結構的頂面齊平；
17.根據權利要求15所述的mems器件，其特征在于，所述絕緣層上還設有沿所述鋁鍺互熔鍵合層周向分布的鈍化層。
18.根據權利要求17所述的mems器件，其特征在于，所述鈍化層的厚度大于所述第一鋁墊的厚度，且所述鈍化層的厚度小于所述第二鋁墊與所述第二凸臺結構的厚度之和。