本申請(qǐng)涉及微電子，尤其涉及一種電子器件的制備方法及電子器件。

背景技術(shù)：

1、目前，mems(微機(jī)電系統(tǒng))器件芯片生產(chǎn)工藝中，會(huì)涉及到多種空腔結(jié)構(gòu)。例如：腔體濾波器就是采用諧振腔體結(jié)構(gòu)的微波濾波器，一個(gè)腔體能夠等效成電感并聯(lián)電容，從而形成一個(gè)諧振級(jí)，實(shí)現(xiàn)微波濾波功能；電容式麥克風(fēng)核心組成部件是振膜和背板構(gòu)成的腔體，振膜和背板腔體構(gòu)成了平行板電容器，振膜在聲波壓力的作用下會(huì)發(fā)生位移導(dǎo)致電容大小發(fā)生變化，從而將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)；還有氣體傳感器的體硅空腔結(jié)構(gòu)等。

2、然而，現(xiàn)有的空腔結(jié)構(gòu)的加工工藝中，腔體內(nèi)殘留的液體容易導(dǎo)致腔體結(jié)構(gòu)發(fā)生變形，導(dǎo)致電子器件失效，產(chǎn)品的良率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電子器件的制備方法及電子器件，能夠提高電子器件產(chǎn)品的良率。

2、本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種電子器件的制備方法，包括：

3、在硅片的一側(cè)依次設(shè)置第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，其中，所述第二介質(zhì)層包覆所述第一介質(zhì)層；

4、在所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述硅片的一側(cè)設(shè)置光刻膠，以及利用光刻工藝對(duì)所述光刻膠進(jìn)行圖形化處理，以在所述光刻膠上形成多個(gè)第一過孔；

5、通過所述第一過孔對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，以在所述第二介質(zhì)層形成多個(gè)第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔連通；

6、通過所述第二過孔，去除所述第一介質(zhì)層，以在所述第二介質(zhì)層形成空腔結(jié)構(gòu)，得到過渡基片，其中，所述第二過孔與所述空腔結(jié)構(gòu)連通，所述第二過孔在所述硅片上的正投影落在所述空腔結(jié)構(gòu)在所述硅片上的正投影內(nèi)；

7、對(duì)所述空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次干燥處理，其中，至少一次干燥處理是利用異丙醇進(jìn)行的。

8、在一些實(shí)施方式中，對(duì)所述空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次干燥處理，包括：

9、對(duì)所述空腔結(jié)構(gòu)和第二過孔進(jìn)行第一次通入異丙醇；

10、對(duì)所述空腔結(jié)構(gòu)和第二過孔進(jìn)行第二次通入異丙醇。

11、在一些實(shí)施方式中，在所述第一次通入異丙醇的步驟中，所述過渡基板在所述異丙醇中的浸泡時(shí)間為第一時(shí)間；

12、在所述第二次通入異丙醇的步驟中，所述過渡基板在所述異丙醇中的浸泡時(shí)間為第二時(shí)間；

13、所述第一時(shí)間與所述第二時(shí)間相同。

14、在一些實(shí)施方式中，對(duì)所述空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次干燥處理，包括：

15、向所述空腔結(jié)構(gòu)和第二過孔內(nèi)通入異丙醇；

16、利用熱氮?dú)獯祾咚鲞^渡基片表面以及所述空腔結(jié)構(gòu)；和/或，

17、利用烘箱蒸烤所述過渡基片。

18、在一些實(shí)施方式中，對(duì)所述空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次干燥處理之后，包括：

19、向所述空腔結(jié)構(gòu)和第二過孔內(nèi)通入液態(tài)二氧化碳，以去除所述空腔結(jié)構(gòu)和第二過孔內(nèi)的異丙醇。

20、在一些實(shí)施方式中，所述異丙醇單次浸泡所述空腔結(jié)構(gòu)的時(shí)間范圍為5至10min；和/或，

21、所述熱氮?dú)獾臏囟确秶鸀?0至60℃；和/或,

22、所述烘箱溫度范圍為40至60℃。

23、在一些實(shí)施方式中，在所述空腔結(jié)構(gòu)通入異丙醇之前，還包括：

24、對(duì)所述過渡基片表面以及所述空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少一次去離子水清洗。

25、在一些實(shí)施方式中，所述空腔結(jié)構(gòu)的深度與所述第二過孔的深度相同；和/或，

26、所述空腔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第二過孔的側(cè)壁平行；或，

27、所述第二過孔靠近所述空腔結(jié)構(gòu)的一端口徑大于遠(yuǎn)離所述空腔結(jié)構(gòu)的一端的口徑。

28、在一些實(shí)施方式中，電子器件的制備方法，還包括：

29、所述空腔結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述硅片一側(cè)的口徑與所述空腔結(jié)構(gòu)靠近所述硅片一側(cè)的口徑相同。

30、本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面，提供一種電子器件，是根據(jù)第一方面所述的電子器件的制備方法制備得到的。

31、本申請(qǐng)實(shí)施例，通過濕法刻蝕得到空腔結(jié)構(gòu)，對(duì)空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次干燥處理，利用異丙醇分別與空腔內(nèi)的水、被水稀釋的刻蝕液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將空腔結(jié)構(gòu)內(nèi)的殘余水以及被水稀釋的刻蝕液分離至空腔結(jié)構(gòu)的外部。同時(shí)異丙醇可以快速風(fēng)干空腔內(nèi)部的殘余水以及被水稀釋的刻蝕液。對(duì)對(duì)空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少一次異丙醇處理，可以避免空腔結(jié)構(gòu)的腔體內(nèi)殘留液滯留在空腔結(jié)構(gòu)內(nèi)，使得與空腔結(jié)構(gòu)穩(wěn)定支撐覆蓋在空腔結(jié)構(gòu)上層的膜層結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品的良率降。

技術(shù)特征：

1.一種電子器件的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

7.據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件的制備方法，其特征在于，還包括：

10.一種電子器件，其特征在于，是根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的電子器件的制備方法制備得到的。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開一種電子器件的制備方法及電子器件，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，能夠提高電子器件產(chǎn)品的良率。電子器件的制備方法包括：在硅片的一側(cè)依次設(shè)置第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層；在第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離硅片的一側(cè)設(shè)置光刻膠，以及利用光刻工藝對(duì)光刻膠進(jìn)行圖形化處理，以在光刻膠上形成多個(gè)第一過孔；通過第一過孔對(duì)第二介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，以在第二介質(zhì)層形成多個(gè)第二過孔，第一過孔與第二過孔連通；通過第二過孔，去除第一介質(zhì)層，以在第二介質(zhì)層形成空腔結(jié)構(gòu)，得到過渡基片；對(duì)空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次干燥處理，其中，至少一次干燥處理是利用異丙醇進(jìn)行的。

技術(shù)研發(fā)人員：郭大飛,卜德沖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19