本申請涉及微電子，尤其涉及一種電子器件的制備方法及電子器件。

背景技術(shù)：

1、目前，在微機(jī)電芯片以及集成電路傳感器制造中，涉及多種金屬等多種膜層沉積及其圖形化工藝，多種制造流程包括膜層沉積、光刻和刻蝕工藝，微機(jī)電芯片比如濾波器是在晶圓襯底上形成壓電結(jié)構(gòu)，該壓電結(jié)構(gòu)包括金屬層以及犧牲層；一般采用干法刻蝕工藝在襯底的正面形成刻蝕孔，刻蝕孔連通至犧牲層，通過控制等離子體接觸犧牲層，然后采用濕法腐蝕工藝通過刻蝕孔去除犧牲層。

2、然而，現(xiàn)有的刻蝕金屬工藝中，金屬腐蝕速率較低，容易導(dǎo)致腐蝕孔不能完全打開，影響器件的電學(xué)性能。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供一種電子器件的制備方法及電子器件，能夠提高電子器件的電學(xué)性能。

2、本申請實施例的第一方面，提供一種電子器件的制備方法，包括：

3、在硅片的一側(cè)依次設(shè)置介質(zhì)層和第一金屬層，其中，所述介質(zhì)層包括第一鏤空，所述第一鏤空內(nèi)設(shè)置有犧牲層；

4、在所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述硅片的一側(cè)設(shè)置光刻膠，并利用光刻工藝對所述光刻膠進(jìn)行圖形化處理，以在所述光刻膠上形成第一過孔；

5、對所述第一過孔進(jìn)行電鍍處理，以在所述第一過孔內(nèi)形成第二金屬層；

6、去除所述光刻膠；

7、依次對所述第二金屬層和所述第一金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，以在所述第二金屬層形成第二過孔，以及在所述第一金屬層形成第三過孔，所述第二過孔與所述第三過孔連通，得到過渡基片，其中，所述第二過孔和所述第三過孔在所述硅片上的正投影均落在所述犧牲層在所述硅片上的正投影內(nèi)；

8、對所述過渡基片進(jìn)行至少一次去離子水清洗；

9、通過所述第二過孔和所述第三過孔去除所述犧牲層，以得到空腔結(jié)構(gòu)，所述空腔結(jié)構(gòu)與所述第三過孔連通。

10、在一些實施方式中，對所述過渡基片進(jìn)行至少一次去離子水清洗，包括：

11、將所述過渡基片固定在吸盤上，并將所述過渡基片連接地線；

12、利用去離子水沖洗所述過渡基片的表面，以去除所述過渡基片表面以及所述第三過孔內(nèi)的電荷；

13、控制所述吸盤旋轉(zhuǎn)，以帶動所述過渡基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其中，所述過渡基板的旋轉(zhuǎn)適于蒸發(fā)所述過渡基片背離所述硅片一側(cè)表面以及所述第三過孔內(nèi)的水份。

14、在一些實施方式中，對所述過渡基片進(jìn)行至少一次去離子水清洗，包括：

15、將所述過渡基片浸泡在去離子水中；

16、控制所述吸盤帶動所述過渡基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以去除所述過渡基片表面的雜質(zhì)。

17、在一些實施方式中，將所述過渡基片浸泡在去離子水中，包括：

18、將所述過渡基片浸泡在流動狀態(tài)的去離子水中。

19、在一些實施方式中，所述去離子水清洗的水流量為10至80ml/min；和/或，

20、所述過渡基片的轉(zhuǎn)速為300至500r/min；和/或，

21、所述去離子水的水溫為50至70℃。

22、在一些實施方式中，對所述過渡基片進(jìn)行至少一次去離子水清洗，包括：

23、對所述過渡基片進(jìn)行至少兩次去離子水清洗，其中，相鄰兩次的所述去離子水清洗的水流量相同，和/或，相鄰兩次所述去離子水清洗的水溫相同，和/或相鄰兩次所述去離子水清洗中的所述過渡基片的轉(zhuǎn)速相同。

24、在一些實施方式中，所述第二過孔的數(shù)量為多個，和/或，所述第三過孔的數(shù)量為多個；

25、多個所述第二過孔在所述硅片上的正投影落入所述犧牲層在所述硅片上的正投影內(nèi)；和/或，

26、多個所述第三過孔在所述硅片上的正投影落入所述犧牲層在所述硅片上的正投影內(nèi)。

27、在一些實施方式中，所述空腔結(jié)構(gòu)在所述硅片上的正投影落在所述第一金屬層在所述硅片上的正投影內(nèi)；和/或，

28、所述空腔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第一金屬層夾角的角度范圍為30°至60°；和/或，

29、所述空腔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述硅片夾角的角度范圍為100°至120°；和/或，

30、所述第三過孔的側(cè)壁與所述第一金屬層夾角為90°；和/或，

31、所述第三過孔的深度等于所述空腔結(jié)構(gòu)的深度；和/或，

32、所述硅片在垂直于所述空腔結(jié)構(gòu)方向上的厚度小于或等于所述空腔結(jié)構(gòu)的深度。

33、在一些實施方式中，所述空腔結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述硅片一側(cè)的口徑小于所述空腔結(jié)構(gòu)靠近所述硅片一側(cè)的口徑。

34、本申請實施例的第一二方面，提供一種電子器件，是根據(jù)第一方面所述的電子器件的制備方法制備得到的。

35、本申請實施例提供的電子器件的制備方法，通過在硅片的一側(cè)設(shè)置介質(zhì)層和金屬層，并依次對金屬層和介質(zhì)層進(jìn)行濕法腐蝕。通過在金屬層濕法腐蝕工藝之后，在去除犧牲層工藝之前，對過渡基片進(jìn)行至少一次去離子水清洗，一方面避免電子器件通電后發(fā)生擊穿，提高電子器件的導(dǎo)電性，另一方面提高犧牲層的腐蝕速率，使得犧牲層的釋放孔完全打開，提高電子器件的可靠性和良率。

技術(shù)特征：

1.一種電子器件的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

4.據(jù)權(quán)利要求3所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，對所述過渡基片進(jìn)行至少一次去離子水清洗，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

10.一種電子器件，其特征在于，是根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的電子器件的制備方法制備得到的。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種電子器件的制備方法及電子器件，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，能夠提高電子器件的電學(xué)性能。電子器件的制備方法包括：在硅片的一側(cè)依次設(shè)置介質(zhì)層和第一金屬層；在第一金屬層遠(yuǎn)離硅片的一側(cè)設(shè)置光刻膠，并利用光刻工藝對光刻膠進(jìn)行圖形化處理，以在光刻膠上形成第一過孔；對第一過孔進(jìn)行電鍍處理，以在第一過孔內(nèi)形成第二金屬層；去除光刻膠，以在第二金屬層形成第二過孔；對第一金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，以在第一金屬層形成第三過孔，第二過孔與第三過孔連通，得到過渡基片；對過渡基片進(jìn)行至少一次去離子水清洗；通過第二過孔和第三過孔去除犧牲層，以得到空腔結(jié)構(gòu)，空腔結(jié)構(gòu)與第三過孔連通。

技術(shù)研發(fā)人員：郭大飛,卜德沖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17