技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種微流控MEMS芯片封裝方法，用于對具有微流道結(jié)構(gòu)的上層基板和與上層基板相層疊連接的下層基板進(jìn)行封裝得到微流控MEMS芯片，該方法包括以下步驟：第一步、制備下層基板；第二步、制備上層基板；第三步、制備芯片半成品；第四步、芯片半成品預(yù)加熱；第五步、射頻電源轟擊芯片半成品。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是采用射頻技術(shù)作用于上下層基板的金屬膜，使金屬膜表面形成局部高溫，導(dǎo)致基板表面融化后與金屬膜熔接，進(jìn)而使上、下層基板更好的緊密結(jié)合在一起，大大提高了產(chǎn)品的鍵合精度，避免了封裝過程妨礙微流道結(jié)構(gòu)，進(jìn)而提高了芯片封裝的成品率，縮短了生產(chǎn)周期，降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：衛(wèi)勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：揚(yáng)中市華瑞通訊儀器有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.07
技術(shù)公布日：2017.11.17