技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本揭露實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述方法包含：提供第一襯底；形成多個導(dǎo)電接墊于所述第一襯底上方；形成薄膜于所述多個導(dǎo)電接墊的第一子集上，從而留下從所述薄膜暴露的所述多個導(dǎo)電接墊的第二子集；形成自組裝單層SAM于所述薄膜上方；以及經(jīng)由接合第二襯底的一部分到從所述薄膜暴露的所述多個導(dǎo)電接墊的所述第二子集，通過所述第一襯底與所述第二襯底，形成凹槽。

技術(shù)研發(fā)人員：謝元智;林杏蓮;彭榮輝;吳宜謙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.28
技術(shù)公布日：2017.11.10