本發(fā)明涉及一種傳感器、一種用于制造第一傳感器和至少一個(gè)第二傳感器的方法、以及一種用于將傳感器安裝在載體結(jié)構(gòu)上的方法。

背景技術(shù)：
磁場(chǎng)傳感器如今與加速度傳感器和轉(zhuǎn)速傳感器組合在殼體中并且用于導(dǎo)航目的。在此，x軸和y軸上的磁場(chǎng)分量借助于磁通門傳感器來測(cè)量，而z分量利用霍爾IC來確定。DE102009028815A1描述了一種具有襯底和磁芯的磁力計(jì)。該襯底具有用于生成磁芯中的磁通量的激勵(lì)線圈，并且激勵(lì)線圈具有被定向?yàn)榕c襯底的主延伸平面基本垂直的線圈截面。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
在該背景下，利用本發(fā)明提出根據(jù)主權(quán)利要求的一種傳感器、一種用于制造第一傳感器和至少一個(gè)第二傳感器的方法、以及一種用于將傳感器安裝在載體結(jié)構(gòu)上的方法。有利的擴(kuò)展方案從相應(yīng)的從屬權(quán)利要求以及下面的描述中得出。在根據(jù)磁通門/翻轉(zhuǎn)芯（Flipcore）原理的磁場(chǎng)傳感器、例如磁通門探頭中，將軟磁芯交替地周期性地以飽和驅(qū)動(dòng)。在此，所述芯被兩個(gè)反向線圈纏繞。如果在一個(gè)（激勵(lì)）線圈中例如有鋸齒狀交變電流流動(dòng)，則該交變電流在另一（接收）線圈中的磁化翻轉(zhuǎn)時(shí)通過共同的軟磁線圈芯中繼地同樣感應(yīng)出電流。激勵(lì)電壓和接收電壓在不存在外部場(chǎng)時(shí)為同樣大的，并且由于反向的繞線而抵消。如果現(xiàn)在施加外部磁場(chǎng)，則芯方向上的矢量分量在接收線圈中生成結(jié)果得到的信號(hào)，該信號(hào)與所施加的場(chǎng)成比例。利用該原理，可以測(cè)量非常小的磁場(chǎng)。在液體與氣體的交界面處產(chǎn)生界面張力，該界面張力導(dǎo)致液體具有盡可能小的表面。例如，一滴水呈現(xiàn)盡可能小的球形構(gòu)造，因?yàn)樗w積的表面最小。如果液體到達(dá)表面，則液體在該表面上的液滴界限處具有特征接觸角。該接觸角取決于表面與液體的材料配對(duì)。如果表面針對(duì)液體具有良好的可交聯(lián)性，則接觸角小于90°。如果表面針對(duì)液體具有差的可交聯(lián)性，則接觸角大于90°。本發(fā)明所基于的認(rèn)識(shí)是，例如熔融焊劑的液體的界面張力在該液體在液體的液滴被布置在其間的兩個(gè)面處具有小的接觸角和/或可交聯(lián)性的情況下可以拉緊所述兩個(gè)面。在此出現(xiàn)的力可以大的足以轉(zhuǎn)動(dòng)組件。液體可以是用于將組件安裝在載體材料上的安裝材料。組件尤其是可被液體轉(zhuǎn)動(dòng)到傾斜的側(cè)，即使該組件已經(jīng)被放置到水平的面上。本發(fā)明提出一種傳感器，其中該傳感器具有下列特征：傳感器面，在其上布置傳感器元件，該傳感器元件被構(gòu)造為接收有向（gerichtet）測(cè)量參數(shù)的方向分量；以及傾斜面，在其上布置至少一個(gè)用于接觸傳感器元件的接觸面，其中該傾斜面與傳感器的載體材料的晶格結(jié)構(gòu)具有一角度并且其中該傾斜面被定向在與傳感器面不同的方向上。另外，本發(fā)明提出一種用于制造第一傳感器和至少一個(gè)第二傳感器的方法，其中該方法包括下列步驟：提供由晶體載體材料制成的晶片，其中在該晶片的傳感器面上布置第一傳感器元件和至少一個(gè)第二傳感器元件；確定晶片的傳感器面上的加工面，其中該加工面布置在第一傳感器元件與第二傳感器元件之間并且將要制造的傳感器元件彼此分離；在加工面的區(qū)域中除去晶片的一部分，以便制造第一傾斜面和相對(duì)的第二傾斜面，其中所述除去在使用各向異性的刻蝕工藝的情況下執(zhí)行，在該各向異性的刻蝕工藝中，在與載體材料的晶格角度成預(yù)定角度的情況下除去該載體材料，以便制造傾斜面；將至少一個(gè)用于接觸第一傳感器元件的第一接觸面置入到第一傾斜面中并且將至少一個(gè)用于接觸第二傳感器元件的第二接觸面置入到第二傾斜面中；以及分離第一傾斜面與第二傾斜面之間的傳感器，以便分開所述傳感器。此外，本發(fā)明提出一種用于將傳感器安裝在載體結(jié)構(gòu)上的方法，其中傳感器具有傳感器面，在該傳感器面上布置傳感器元件，該傳感器元件被構(gòu)造為接收有向測(cè)量參數(shù)的方向分量，并且該傳感器具有傾斜面，在該傾斜面上布置至少一個(gè)用于接觸傳感器元件的接觸面，其中傾斜面與傳感器的載體材料的晶格結(jié)構(gòu)具有一角度并且其中該傾斜面被定向在與該傳感器面不同的方向上，其中該方法包括下列步驟：將傳感器放置在載體結(jié)構(gòu)上，其中傳感器的傾斜面在安裝面上與載體結(jié)構(gòu)的表面成銳角，并且其中傾斜面和/或安裝面的至少一個(gè)部分區(qū)域被安裝材料覆蓋。使布置在安裝面上的安裝材料液化，以便在使用液化的安裝材料的界面張力的情況下通過傾斜傳感器將傾斜面布置到安裝面上的邊之上；以及使安裝材料硬化，以便將傳感器與載體結(jié)構(gòu)連接。應(yīng)將傳感器理解成半導(dǎo)體器件和/或微電機(jī)結(jié)構(gòu)。該傳感器可以被構(gòu)造為將可測(cè)量的物理參數(shù)映射為電信號(hào)?？蓽y(cè)量的參數(shù)可以具有空間方向。該傳感器可以被構(gòu)造為接收該參數(shù)在空間方向上的矢量分量。例如，該傳感器可以被構(gòu)造為接收磁場(chǎng)的分量。為此，該傳感器可以具有傳感器元件、例如可磁化的芯，其布置在兩個(gè)相反線圈的影響區(qū)域中。線圈的作用方向可以確定該矢量分量的方向。該傳感器元件可以借助于微系統(tǒng)技術(shù)置入到由載體材料制成的板中、晶片中。晶片例如可以由半導(dǎo)體材料制成。晶片例如可以由單晶硅制成。所需的工作步驟可以從晶片的上側(cè)和/或下側(cè)進(jìn)行?？梢詫鞲衅髅胬斫獬删脑谏厦婧?或里面布置有傳感器元件的面。傾斜面可以與載體材料的晶體結(jié)構(gòu)具有預(yù)定的角度。傾斜面的走向或定向可以布置在載體材料的晶體平面中或者對(duì)應(yīng)于該晶體平面。傾斜面可以與傳感器面具有預(yù)定的角度，其中傾斜面被有利地定向?yàn)橄鄬?duì)于傳感器面傾斜。接觸面可以是導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。例如，接觸面例如可以是載體材料上的在其上可接觸傳感器元件的金屬面。該接觸例如可以通過接合線進(jìn)行或者也可以通過載體結(jié)構(gòu)上的焊盤進(jìn)行。加工面例如可以借助于例如由氮化硅制成的掩模來固定。所述除去可以借助于溶劑或各向異性地侵蝕載體材料的刻蝕劑進(jìn)行?？涛g劑例如可以是氫氧化鉀KOH。該溶劑或該刻蝕劑可以對(duì)載體材料進(jìn)行腐蝕直至所定義的晶體平面，所述晶體平面與晶片的晶體結(jié)構(gòu)具有一定的角度。為了將接觸面置于傾斜面中，可以對(duì)傾斜面重新遮蓋。傾斜面可以在接觸面之下具有絕緣層。該絕緣層可以在遮蓋以前施加。為了分離傳感器，可以鋸開晶片。該晶片也可以借助于激光束切割來分離。安裝地點(diǎn)（亦稱安裝面）可以是載體結(jié)構(gòu)上的為傳感器設(shè)置的地點(diǎn)或?yàn)槠湓O(shè)置的面。載體結(jié)構(gòu)例如可以是殼體的壁或電路板。安裝地點(diǎn)例如可以是焊盤或粘接劑盤。例如，焊劑可以作為焊膏來施加，并且在熱作用下變?yōu)槿廴凇＝^緣層可以對(duì)焊劑為排斥性的。接觸面可以同焊劑良好地交聯(lián)。界面張力可以是表面張力，該表面張力可以出現(xiàn)在兩個(gè)不可混合的介質(zhì)之間并且表現(xiàn)了介質(zhì)的要形成盡可能小的共同表面的愿望。液化的安裝材料可以對(duì)接觸面施加拉力并且使傳感器轉(zhuǎn)動(dòng)。如果安裝材料冷卻，則傳感器可在經(jīng)轉(zhuǎn)動(dòng)的位置與載體結(jié)構(gòu)連接。傳感器還可以具有基體，該基體具有用于將傳感器以第一空間方向固定在載體結(jié)構(gòu)處的第一固定面、以及至少一個(gè)用于將傳感器以第二空間方向固定在載體結(jié)構(gòu)處的第二固定面，其中第一固定面被定向?yàn)榕c第二固定面成一角度，其中第一固定面和第二固定面具有共同的邊。傳感器可以具有傳感器元件，該傳感器元件布置在第一固定面處或者傳感器的與第一固定面相對(duì)地布置的表面處，其中傳感器被構(gòu)造為接收有向測(cè)量參數(shù)的方向分量。傳感器可以具有至少一個(gè)第一接觸面，該第一接觸面布置在該表面或第一固定面上并且與傳感器元件連接。傳感器可以具有至少一個(gè)第二接觸面，該第二接觸面布置在第二固定面上或傳感器的與第二固定面相對(duì)地布置的斜面上并且與第一接觸面導(dǎo)電地連接。第二接觸面可以大于第一接觸面。傳感器面和傾斜面可以具有共同的邊。傳感器可以在安裝時(shí)通過共同的邊傾斜。共同的邊可以設(shè)置在安裝地點(diǎn)內(nèi)。在傳感器面上可以布置至少一個(gè)另外的接觸面，其中所述另外的接觸面可以比傾斜側(cè)上的接觸面具有更小的尺寸。液化的安裝材料可以對(duì)較大面施加較大的力，因此可以使傳感器在安裝材料液化時(shí)傾斜。加工面可以在使用所期望的加工深度和一定角度之間的關(guān)聯(lián)的情況下被確定。加工深度尤其是可以近似為加工面的寬度的一半大。因此，晶片可以幾乎完全被切斷，由此在分離步驟中需要切斷較小的層厚度。在確定步驟中，可以確定晶片的與傳感器面相對(duì)的下側(cè)上的第二加工面。在除去步驟中，可以在使用各向異性的刻蝕工藝的情況下除去第二加工面區(qū)域中的載體材料，以便制造另外的傾斜面。另外的傾斜面可以事后置入晶片中。通過所述另外的傾斜面可以對(duì)稱地制造傳感器。下側(cè)上的第二加工面可以被確定為與傳感器面上的加工面成預(yù)定的側(cè)面偏移。該傳感器因此可以具有類似于平行四邊形的截面。傳感器的重心于是可以處于傾斜邊附近。載體材料可以對(duì)于安裝材料是排斥性的。在液化步驟中，液化的安裝材料可以與載體材料排斥。安裝材料可以粘附在接觸面處。通過粘附在接觸面處而不是載體材料處，可以實(shí)現(xiàn)各個(gè)接觸面的彼此絕緣。因此可以避免短路。傳感器可以被放置為與至少兩個(gè)安裝面偏離，其中安裝面被構(gòu)造為載體結(jié)構(gòu)的接觸面以用于電接觸傳感器，并且在硬化步驟中，將傳感器的布置在傾斜面上的接觸面與載體結(jié)構(gòu)的接觸面導(dǎo)電地連接。因此，可以制造到傳感器的多個(gè)電連接。例如可以為磁場(chǎng)傳感器創(chuàng)建至少四個(gè)電接觸部。附圖說明下面根據(jù)附圖示例性地進(jìn)一步闡述本發(fā)明。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的傳感器的片段；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于制造傳感器的方法的流程圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于安裝傳感器的方法的流程圖；圖4a至4d示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在實(shí)施用于制造傳感器的工藝步驟以后的部件的布置的圖示；圖5a至5c示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在實(shí)施傳感器的安裝步驟以后的部件的布置的圖示；以及圖6a和6b示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在實(shí)施傳感器的可替代的安裝步驟以后的部件的布置的圖示。具體實(shí)施方式在下面對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的描述中，對(duì)于在不同附圖中所示的和作用相同的元件使用相同或相似的附圖標(biāo)記，其中放棄對(duì)這些元件的重復(fù)描述。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的傳感器100的片段。傳感器100具有傳感器面102和傾斜面104。傾斜面104與傳感器100的載體材料的晶格結(jié)構(gòu)具有一角度。例如，該角度對(duì)應(yīng)于“111平面”與“001平面”之間的晶體角。在傳感器面102上布置傳感器元件106，該傳感器元件被構(gòu)造為接收有向測(cè)量參數(shù)的方向分量。例如，傳感器元件106是磁場(chǎng)傳感器，其被構(gòu)造為接收周圍磁場(chǎng)的與其測(cè)量方向相對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)分量。在傾斜面104上布置至少一個(gè)接觸面108以用于接觸傳感器元件106。接觸面108通過電印制導(dǎo)線110與傳感器元件106連接。如果在傾斜面104上存在多個(gè)接觸面108，則傳感器元件106通過多個(gè)印制導(dǎo)線110與接觸面108連接。換言之，圖1示出了器件100，其特征在于，所有接觸面108都設(shè)置在與第一表面102傾斜地布置的同一側(cè)邊104上。在第一表面102上集成有電路或MEMS元件106。MEMS元件106可以是磁力計(jì)。接觸面108布置在具有最大伸展的邊處。接觸面108在第一表面102上與在與其傾斜布置的側(cè)104上相比具有更小的伸展。該器件可以借助于接觸面108傾斜地布置在殼體底板（例如電路板）上，其中尤其是利用墓碑效應(yīng)來傾斜。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于制造傳感器的方法200的流程圖。在方法200中如圖1所述那樣制造至少一個(gè)第一傳感器和至少一個(gè)第二傳感器。方法200具有提供步驟202、確定步驟204、除去步驟206、置入步驟208和分離步驟210。在提供步驟202，提供由晶體載體材料制成的晶片。在晶片的傳感器面上布置第一傳感器元件和至少一個(gè)第二傳感器元件。所述傳感器元件在以前的加工步驟中已經(jīng)被置入到晶片的傳感器面中。在確定步驟204，確定晶片的傳感器面上的加工面。加工面布置在第一傳感器元件與第二傳感器元件之間。加工面將要制造的傳感器元件彼此分離。在加工面中，晶片的載體材料露出。在加工面之外，包括傳感器元件的晶片被刻蝕掩模覆蓋并且因此被保護(hù)。在除去步驟206，除去晶片在加工面區(qū)域中的部分，以便制造第一傾斜面和相對(duì)的第二傾斜面。在此，第一和第二傾斜面可以與載體材料的表面形成不同角度。第一傾斜面布置在第一傳感器的區(qū)域中，第二傾斜面布置在第二傳感器的區(qū)域中。所述除去在使用各向異性的刻蝕工藝的情況下執(zhí)行。在各向異性的刻蝕工藝中，載體材料與載體材料的晶格角度成一定角度地被除去，以便制造傾斜面。在置入步驟208，將至少一個(gè)用于接觸第一傳感器元件的第一接觸面置入第一傾斜面中。同時(shí)可以有利地將用于接觸第二傳感器元件的第二接觸面置入第二傾斜面中。該置入可以在使用公知制造工藝——比如分離、蒸發(fā)、電鍍、鈍化...——的情況下執(zhí)行。接觸面分別與傳感器元件之一電連接。在分離步驟210，分離第一傾斜面與第二傾斜面之間的傳感器，以便將傳感器分開。該分離可以在使用公知工藝——比如鋸開、刻蝕、激光切割...——的情況下執(zhí)行。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于安裝傳感器的方法300的流程圖。在此，傳感器對(duì)應(yīng)于圖1中所述的傳感器并且可以根據(jù)圖2中所述的用于制造的方法來制造。該傳感器具有傳感器面，在該傳感器面上布置傳感器元件，該傳感器元件被構(gòu)造為接收有向測(cè)量參數(shù)的方向分量。該傳感器還具有傾斜面，在該傾斜面上布置制至少一個(gè)用于接觸該傳感器元件的接觸面。該傾斜面與該傳感器的載體材料的晶格結(jié)構(gòu)具有一角度，其中該傾斜面被定向在與該傳感器面不同的方向上。該傳感器可以例如在帶子上作為分開的器件被輸送給裝配自動(dòng)機(jī)。方法300具有放置步驟302、液化步驟304和硬化步驟306。在放置步驟302，將傳感器放置在載體結(jié)構(gòu)上，其中該傳感器的傾斜面在安裝面上與載體結(jié)構(gòu)的表面成銳角，并且其中傾斜面和/或安裝面的至少一個(gè)部分區(qū)域被安裝材料覆蓋。傳感器的傳感器面因此在放置以后被定向?yàn)榻频嘏c載體結(jié)構(gòu)的表面平行。在液化步驟304，使布置在安裝面上的安裝材料液化。例如，安裝材料被加熱直到其熔化。傾斜面在使用液化的安裝材料的界面張力的情況下被拖拉到安裝面上。在此，傳感器在一條邊上傾斜。在硬化步驟306，使安裝材料硬化，以便傳感器與載體結(jié)構(gòu)連接。例如將安裝材料冷卻。換言之，圖3示出了用于使器件有針對(duì)性地傾斜所定義的角度以及在傾斜的芯片邊處接觸傳感器芯片的方法300。在此，傳感器元件被旋轉(zhuǎn)大致55°，使得敏感層在側(cè)面傾斜。因此，可以利用僅僅兩個(gè)磁通門來測(cè)量磁場(chǎng)的xz或yz分量而無需霍爾元件。圖4a至4d示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在實(shí)施用于制造傳感器100的工藝步驟以后的部件的裝置的圖示。示出了各具有一個(gè)傳感器元件106的4個(gè)傳感器100a至100d的產(chǎn)生步驟。在圖4a中示出了晶片400，在該晶片400的一個(gè)表面上代表多個(gè)也可以扁平地分布在晶片400上的傳感器元件106地并排布置有四個(gè)傳感器元件106a、106b、106c和106d。傳感器元件106在傳感器元件106a與傳感器元件106b之間具有大的間隔。在傳感器元件106b與傳感器元件106c之間存在小的間隔。在傳感器元件106c與傳感器元件106d之間如在傳感器元件106a和106b之間那樣再次存在大的間隔。在晶片400的下側(cè)未布置傳感器元件。晶片400由晶體載體材料、例如單晶硅制成。該大間隔例如對(duì)應(yīng)于晶片400的厚度。在圖4b中示出了如在圖2中所述的除去步驟以后的晶片400。在除去以前，晶片400已經(jīng)被遮蓋。例如由氮化硅402制成的刻蝕掩模覆蓋傳感器元件106。在此，刻蝕掩模402可以在傳感器元件106a與傳感器元件106b之間露出加工面404a。傳感器元件406b和406c在沒有位于其間的加工面的情況下共同被刻蝕掩模402覆蓋。在傳感器元件406c與傳感器元件406d之間又布置有加工面406b。加工面404是同樣大的。在晶片400的下側(cè)同樣涂覆有刻蝕掩模402。下面的刻蝕掩模402空出了另一加工面404c，該加工面404c居中地布置在傳感器元件106b與傳感器元件406c之間。刻蝕掩模402在下側(cè)的面可以對(duì)應(yīng)于在上側(cè)的面。在傳感器元件106a和106b之下同樣各布置有一個(gè)加工面。在加工面404的區(qū)域中已經(jīng)從晶片400中刻蝕出載體材料。由于使用了各向異性的刻蝕工藝，因此側(cè)邊在加工面404的區(qū)域中與載體材料的晶體結(jié)構(gòu)具有預(yù)定的角度。通過刻蝕產(chǎn)生傾斜面。該刻蝕一直向晶片400侵入，直到這些傾斜面直接相遇。晶片400由此具有有棱邊的、波浪形剖面。在圖4c中，除去了刻蝕掩模。在圖2所述的置入步驟，已經(jīng)將接觸面108置入到晶片400的傳感器面中和/或傳感器面上以及置入到傾斜面中和/或傾斜面上。在此，接觸面108分別從傳感器面上的傳感器106b延伸至具有傾斜面的邊并且進(jìn)一步延伸至傾斜面上。在圖4d中示出了在分離以后的傳感器100a至100d。晶片400為此已經(jīng)在下側(cè)被粘接在帶子406上。傳感器100a至100d在該實(shí)施例已經(jīng)被鋸開為分離。鋸截面為此具有均勻的間隔，并且到達(dá)直至帶子406中。鋸截面布置在晶片400兩側(cè)的傾斜面之間，并且在所產(chǎn)生的刻蝕缺口的方向上居中地沿著來自圖4b的加工面的走向延伸。傳感器現(xiàn)在具有擁有折斷的邊的平行四邊形的基本形狀。在此，折斷的邊是在分離時(shí)產(chǎn)生的鋸邊。傳感器100b和100d被定向?yàn)榕c傳感器100a和100c形成鏡像。換言之，圖4a至4d示出了在實(shí)施將V形凹槽置入到襯底中的了制造方法的步驟以后的部件的布置。接著，將絕緣層置入到凹槽中。然后，安放電導(dǎo)線，所述電導(dǎo)線部分地在第一表面上、即傳感器面上延伸，以及在凹槽壁、即傾斜面的區(qū)域中延伸。該制造工藝可以以施加磁場(chǎng)傳感器106（磁通門，F(xiàn)G）開始。在此，可以首先為磁通門施加絕緣層（例如氧化物）。接著，可以施加磁通門的下面的金屬平面。接著，可以為磁通門施加另一絕緣層（例如氧化物）。然后可以施加磁通門的磁芯?？蛇x地然后可以為磁通門施加附加的絕緣層（例如氧化物）。在刻蝕以前施加和結(jié)構(gòu)化用于KOH刻蝕的掩模402（例如SiN）。接著，如圖4b中所示，可以在前側(cè)進(jìn)行KOH刻蝕?？蛇x地可以同時(shí)在背側(cè)進(jìn)行刻蝕。在此，選擇小于晶片厚度的刻蝕深度。在刻蝕以后可以除去KOH刻蝕掩模402。接著在載體材料400上沉積（例如利用PECVD）絕緣氧化物。打開用于第二金屬平面（磁通門＋接觸墊）的接觸孔，以便實(shí)現(xiàn)接觸。然后施加第二金屬平面并且例如借助于噴漆工藝將其結(jié)構(gòu)化?？蛇x地施加鈍化層、例如氮化物層。通過另一噴漆工藝和進(jìn)一步刻蝕鈍化部打開接觸墊108（參見圖4c）。通過鋸開或激光束切割將傳感器100分開，這也可以利用朝向帶子406的活動(dòng)結(jié)構(gòu)來進(jìn)行（參見圖4d）。圖5a至5c示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在實(shí)施傳感器100的安裝步驟以后的部件的布置的圖示。傳感器100具有基體，該基體具有平行四邊形形式的截面。該平行四邊形的兩個(gè)彼此相對(duì)的銳角具有刻面。傳感器100在傳感器面102上具有傳感器元件106。在該實(shí)施例中，傳感器元件106是翻轉(zhuǎn)芯元件。在傾斜面104上，傳感器100具有接觸面108。接觸面108與傳感器元件106連接，并且具有在傳感器面102上的延續(xù)?；w是對(duì)稱的，并且具有居中的重心S。重心S位于平行四邊形的短軸和長(zhǎng)軸的交叉處。傳感器面102和傾斜面104具有共同的彎折線。在該實(shí)施例中，傳感器面102朝下定向，傾斜面104在彎折線處與傳感器面102具有大致55°的角度。在圖5a中，描繪了緊接在從帶子406拿起傳感器100以后的傳感器100。傳感器100曾以傳感器面102布置在帶子406上。傳感器面102定向?yàn)榕c帶子406平行。在圖5b中示出了傳感器100，其已經(jīng)被放置在作為載體結(jié)構(gòu)的電路板500上。傳感器100利用傳感器面102被定向到電路板500。傾斜面104通過作為安裝面的焊盤502布置在電路板500上。在焊盤502上施加焊膏作為安裝助劑。焊膏伸出一短段直到傳感器面102，以便在放置以后通過粘附來保持傳感器100，使得傳感器100不滑動(dòng)。彎折線為此被壓入到焊膏中。在圖5c中，示出在焊盤502上的安裝助劑液化以后的傳感器100。液化的焊劑與接觸面108良好地交聯(lián)，由此焊劑通過傾斜定向的接觸面108處的毛細(xì)效應(yīng)將傾斜面104向上移動(dòng)。在此，焊劑通過其界面張力向傾斜面104施加拉力。如果拉力足夠大，則傳感器100通過彎折線被傾斜，并且由此處于傾斜面上。傳感器面102現(xiàn)在被定向?yàn)閮A斜于電路板500。換言之，圖5a至5c示出了在實(shí)施了安裝方法的步驟以后的部件的布置，在所述安裝方法中，將器件100以斜切的表面104與焊劑表面502不對(duì)稱地施加在襯底500上，使得在第一表面102上的接觸面與焊盤502之間僅僅存在相對(duì)較小的重疊。在此，制造和安裝方法是自調(diào)節(jié)的，因?yàn)閮A斜角本身由于各向異性的KOH刻蝕工藝產(chǎn)生，或到傾斜面104上的傾斜通過墓碑效應(yīng)進(jìn)行。以前側(cè)指向下的傳感器元件100被從帶子406取下（參見圖5a）并且被放置在已經(jīng)在客體底板500處所分配的焊膏上（參見圖5b）。器件100的重心S有利地非常近地在彎折線495的上方，這減輕了墓碑效應(yīng)已經(jīng)由此通過彎折線495的傾斜。在再流焊中，焊劑熔化，焊劑的表面張力在此向器件100施加轉(zhuǎn)矩，因?yàn)樵撈骷H在一邊495被固定。傳感器元件100因此朝向傾斜側(cè)104傾斜（參見圖5c）。因此，現(xiàn)在可以測(cè)量磁場(chǎng)的xz或yz分量。在此提出的安裝方法的特別優(yōu)點(diǎn)是該工藝以自調(diào)節(jié)的方式進(jìn)行。短路危險(xiǎn)可以通過在上面將焊劑施加在載體襯底500上的短印制導(dǎo)線502和比印制導(dǎo)線長(zhǎng)的接合墊區(qū)域108來避免。由此，傳感器元件100位于中心，并且所形成的彎月面將焊劑拉離芯片表面。KOH邊沿104通過金屬化部之下的氧化物或氮化物層被隔離，使得焊劑不能粘附在Si表面處。由此，焊劑不能到達(dá)鋸面。圖6a和6b示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的傳感器100的可替代的安裝步驟的圖示。傳感器100對(duì)應(yīng)于可根據(jù)參考圖5描述的安裝方法制造的傳感器。在圖5a中如在圖6a中那樣示出了如何從帶子406取走傳感器100。與圖5不同，傳感器面102與傳感器元件106一起被定向?yàn)檫h(yuǎn)離帶子406。傾斜面104與接觸面108一起同樣被定向?yàn)檫h(yuǎn)離帶子406。在圖6b中，傳感器100如在圖5c中那樣被示出為固定在板500上。與在圖5c中的固定不同，傳感器100在安放以前在空氣中被轉(zhuǎn)動(dòng)大致55°，使得與傾斜面104相對(duì)的平行面被定向到板500。傳感器面102由此被傾斜地定向。接著，傳感器100被放下到粘接墊600上。傾斜面104與接觸面108一起現(xiàn)在指向上。在接觸面108之一上為了圖解說明接合線602被示為接合上的。換言之，在圖6a和6b中，傳感器元件100被從帶子406摘下，接著被傾斜大致55°并且放置在已經(jīng)被分配在殼體底板500處的粘接劑上。傳感器元件100現(xiàn)在為傾斜的，由此可以測(cè)量磁場(chǎng)的xz或yz分量。但是接合墊108處于芯片100的與殼體底板平行的上側(cè)（KOH邊沿104）上。特別的優(yōu)點(diǎn)是，墊108譬如處于粘接面600的中心上，使得線接合特別良好地起作用（粘接劑中無拉力）。所描述和附圖中所示的實(shí)施例僅僅是示例性地選擇的。不同的實(shí)施例可以完全或參考各個(gè)特征彼此組合。一個(gè)實(shí)施例也可以由另一實(shí)施例的特征來補(bǔ)充。另外，根據(jù)本發(fā)明的方法步驟可以重復(fù)地實(shí)施或以與所述順序不同的順序?qū)嵤?。如果?shí)施例包括第一特征與第二特征之間的“和/或”連詞，則應(yīng)將這理解為，該實(shí)施例根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式可以具有第一特征和第二特征，并且根據(jù)另一實(shí)施例要么僅具有第一特征、要么僅具有第二特征。