本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有移動(dòng)產(chǎn)品對(duì)功耗和顯示效果的要求越來越高，為了實(shí)現(xiàn)降低功耗的目的，通過低頻驅(qū)動(dòng)可以有效降低功耗；為了實(shí)現(xiàn)提升顯示效果的目的，通過高頻驅(qū)動(dòng)可以有效解決畫面的拖影問題。若在移動(dòng)產(chǎn)品上兼顧低功耗和高畫質(zhì)，則需要顯示裝置同時(shí)支持低頻驅(qū)動(dòng)和高頻驅(qū)動(dòng)。

目前，TFT(薄膜晶體管，Thin Film Transistor)顯示裝置采用TFT開關(guān)，其源極和漏極通過溝道層連接，該溝道層采用a-Si、LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅技術(shù))和Oxide(氧化物)三種材料，分別采用a-Si、LTPS和Oxide背板技術(shù)控制像素的開關(guān)。其中a-Si技術(shù)不能支持高頻驅(qū)動(dòng)；LTPS可以滿足高頻驅(qū)動(dòng)的充電需求，但100cm/m²的遷移率不能滿足更高頻率的充電需求，同時(shí)因?yàn)樵礃O和漏極通過溝道層連接，漏電流嚴(yán)重，不能進(jìn)行低頻驅(qū)動(dòng)以降低功耗；Oxide可以支持高頻驅(qū)動(dòng)，同時(shí)可支持低頻驅(qū)動(dòng)，但因?yàn)樵礃O和漏極通過溝道層連接，無法完全解決漏電流問題，低頻驅(qū)動(dòng)的頻率不能進(jìn)一步降低。因此，現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置的像素開關(guān)無法較好地解決漏電流的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置的陣列基板存在漏電流的問題。

第一方面，本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種陣列基板，包括：基底、絕緣層、微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)和像素電極；所述微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)包括：柵極、源極和漏極；所述柵極設(shè)置在所述基底的第一表面上；所述絕緣層設(shè)置在所述基底的第一表面上，并覆蓋所述柵極；所述源極、所述漏極和所述像素電極均設(shè)置在所述絕緣層的第一表面上；所述漏極和所述像素電極接觸；其中，在所述柵極未加載電壓的狀態(tài)下，所述源極和所述漏極之間具有間隙；在所述柵極加載電壓的狀態(tài)下，所述源極和所述漏極接觸。

進(jìn)一步：所述源極包括懸空設(shè)置的第一部分源極和第二部分源極；所述第一部分源極和所述柵極在所述基底的正投影存在重疊區(qū)域；所述第二部分源極懸空位于所述漏極的第一表面上，使所述第二部分源極和所述漏極在所述基底的正投影存在重疊區(qū)域。

進(jìn)一步：所述源極在所述基底的正投影與所述像素電極在所述基底的正投影間隔第一距離。

進(jìn)一步：所述源極和所述漏極的材料均為金屬導(dǎo)電材料或者半導(dǎo)體導(dǎo)電材料。

第二方面，本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種陣列基板的制作方法，包括：在基板的第一表面上制作柵極；在所述基板的第一表面上形成絕緣層，使所述絕緣層覆蓋所述柵極；在所述絕緣層的第一表面上制作漏極和像素電極，使所述漏極和所述像素電極接觸；在所述絕緣層的第一表面和所述漏極的第一表面上制作犧牲層；在所述絕緣層的第一表面和所述犧牲層的第一表面上制作源極，使所述柵極、所述源極和所述漏極形成微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)；去除所述犧牲層，得到所述陣列基板；其中，在所述柵極未加載電壓的狀態(tài)下，所述源極和所述漏極之間具有間隙；在所述柵極加載電壓的狀態(tài)下，所述源極和所述漏極接觸。

進(jìn)一步，所述在所述絕緣層的第一表面上制作源極的步驟，包括：在第一犧牲層的第一表面上制作第一部分源極，使所述第一部分源極和所述柵極在所述基底的正投影存在重疊區(qū)域；其中，所述第一犧牲層位于所述絕緣層的第一表面上；在第二犧牲層的第一表面上制作第二部分源極，使所述第二部分源極和所述漏極在所述基底的正投影存在重疊區(qū)域，其中，所述第二犧牲層位于所述漏極的第一表面上；其中，所述源極包括所述第一部分源極和所述第二部分源極。

進(jìn)一步，所述在所述絕緣層的第一表面上制作源極的步驟，包括：將所述源極與所述像素電極間隔設(shè)置，使所述源極在所述基底的正投影與所述像素電極在所述基底的正投影間隔第一距離。

進(jìn)一步：所述源極和所述漏極的材料均為金屬導(dǎo)電材料或者半導(dǎo)體導(dǎo)電材料。

進(jìn)一步，所述犧牲層材料包括：磷酸玻璃、二氧化硅、多晶硅或者多孔硅。

第三方面，本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

這樣，本發(fā)明實(shí)施例中，通過設(shè)置微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)，使得在柵極未加載電壓的狀態(tài)下，源極和漏極之間具有間隙，因而不會(huì)產(chǎn)生漏電流；而在柵極加載電壓的狀態(tài)下，柵極可吸引源極使源極和漏極接觸，使得電路導(dǎo)通，安裝有該陣列基板的顯示裝置可以顯示圖像。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的覆蓋絕緣層后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例的制作漏極和像素電極后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例的制作犧牲層后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例的制作源極后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲取的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板。如圖1所示，該陣列基板包括：基底101、絕緣層102、微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)和像素電極103。

其中，微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)包括：柵極104、源極105和漏極106。柵極104設(shè)置在基底101的第一表面上。優(yōu)選的，基底101可以是玻璃基底，也可以是聚合物透明基底，如PI、PET等。該柵極104的材料可以是金屬導(dǎo)電材料或者半導(dǎo)體導(dǎo)電材料。絕緣層102設(shè)置在基底101的第一表面上，并覆蓋柵極104，從而可將柵極104和源極105隔離，避免兩者短路造成危險(xiǎn)。源極105、漏極106和像素電極103均設(shè)置在絕緣層102的第一表面上。漏極106和像素電極103接觸，從而可在電路導(dǎo)通的時(shí)候?yàn)橄袼毓╇姟?yōu)選的，該像素電極103可采用ITO、金屬等材料。

在柵極104未加載電壓的狀態(tài)下，源極105和漏極106之間具有間隙。本實(shí)施例中該源極105和漏極106之間不具有現(xiàn)有技術(shù)的溝道層連接兩者，因此，當(dāng)超低頻驅(qū)動(dòng)時(shí)不會(huì)產(chǎn)生漏電流。在柵極104加載電壓的狀態(tài)下，可吸引源極105向柵極104移動(dòng)，從而使源極105和漏極106接觸，使電路導(dǎo)通。

因此，通過設(shè)置微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)，可使該陣列基板在超低頻驅(qū)動(dòng)時(shí)，源極105和漏極106之間不會(huì)產(chǎn)生漏電流，避免損壞陣列基板。

在一優(yōu)選的實(shí)施例中，源極105包括懸空設(shè)置的第一部分源極1051和第二部分源極1052。本發(fā)明中的懸空設(shè)置指的是第一部分源極1051與絕緣層102隔有間隔，并且第二部分源極1052和漏極106隔有間隔。因此，該懸空設(shè)置的第一部分源極105和第二部分源極1052確保源極105和漏極106之間在結(jié)構(gòu)上是具有間隙的。第一部分源極1051和柵極104在基底101的正投影存在重疊區(qū)域，從而使得在柵極104加載電壓的狀態(tài)下，柵極104可吸引第一部分源極1051向柵極104方向移動(dòng)。第二部分源極1052懸空位于漏極106的第一表面上，使第二部分源極1052和漏極106在基底101的正投影存在重疊區(qū)域，從而在第一部分源極1051向柵極104方向移動(dòng)時(shí)，可帶動(dòng)第二部分源極1052向漏極106移動(dòng)，使第二部分源極1052與漏極106接觸，導(dǎo)通電路。

在一優(yōu)選的實(shí)施例中，源極105在基底101的正投影與像素電極103在基底101的正投影間隔第一距離。該第一距離可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置，只要保證源極105不會(huì)與像素電極103接觸即可。因此，上述的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可確保源極105在柵極104的吸引下與漏極106接觸時(shí)，不會(huì)與像素電極103接觸，造成危險(xiǎn)。

在一優(yōu)選的實(shí)施例中，源極105和漏極106的材料均為金屬導(dǎo)電材料或者半導(dǎo)體導(dǎo)電材料。無論是金屬導(dǎo)電材料還是半導(dǎo)體導(dǎo)電材料，都是導(dǎo)電率較高的導(dǎo)電材料，電子遷移率高。這種材料可滿足超高頻驅(qū)動(dòng)的供電需求。更優(yōu)選的，該金屬導(dǎo)電材料可以是鋁、銅或者金等。該半導(dǎo)體導(dǎo)電材料可以是硅。因此，通過選擇上述材料的源極105和漏極106，該陣列基板可同時(shí)滿足超低頻驅(qū)動(dòng)和超高頻驅(qū)動(dòng)的要求。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，由于設(shè)置了微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)，可使該陣列基板在超低頻驅(qū)動(dòng)時(shí)，源極105和漏極106之間不會(huì)產(chǎn)生漏電流，避免損壞陣列基板；此外，由于源極105和漏極106采用了導(dǎo)電率高的材料，該陣列基板還可同時(shí)滿足超高頻驅(qū)動(dòng)的要求。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法。如圖2所示，該方法包括如下的步驟：

步驟S201：在基板的第一表面上制作柵極。

具體的，該步驟可通過光刻工藝在基板的第一表面上制作柵極。該光刻工藝具體為：在柵極所需的圖形上制作遮光層，通過曝光使未遮光區(qū)域的光刻膠失活，再通過刻蝕液將未被保護(hù)的材料刻蝕掉，形成所需的柵極。該步驟中，基底的材料可選擇玻璃或透明聚合物，柵極的材料可選擇金屬導(dǎo)電材料或者半導(dǎo)體導(dǎo)電材料。因而，可選用酸性刻蝕液。具體的，該酸性刻蝕液可以是磷酸、硝酸、醋酸等。

步驟S202：在基板的第一表面上形成絕緣層，使絕緣層覆蓋柵極。

通過該步驟，可使絕緣層覆蓋柵極，從而可將柵極和源極隔離，避免兩者短路造成危險(xiǎn)。

如圖3所示，為覆蓋絕緣層后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。柵極104位于基底101的第一表面上，絕緣層102完全覆蓋柵極104。

步驟S203：在絕緣層的第一表面上制作漏極和像素電極，使漏極和像素電極接觸。

具體的，該步驟可通過光刻工藝在基板的第一表面上制作漏極和像素電極。該光刻工藝的具體過程與步驟S201相同，在此不再贅述。該步驟中，漏極的材料可選擇金屬導(dǎo)電材料或者半導(dǎo)體導(dǎo)電材料，因而，可采用磷酸、硝酸、醋酸等酸性刻蝕液。該漏極的材料可滿足超高頻驅(qū)動(dòng)的供電需求，從而可使制作得到的陣列基板同時(shí)滿足超低頻驅(qū)動(dòng)和超高頻驅(qū)動(dòng)的要求。像素電極的材料，可選擇ITO、金屬等材料，因而，可采用鹽酸、硝酸等酸性刻蝕液。

如圖4所示，為制作漏極和像素電極后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。該漏極106和像素電極103位于絕緣層102的第一表面上。

步驟S204：在絕緣層的第一表面和漏極的第一表面上制作犧牲層。

具體的，該步驟可先將犧牲層材料沉積在絕緣層的第一表面和漏極的第一表面上，然后通過光刻工藝得到所需的犧牲層。該光刻工藝的具體過程與步驟S201相同，在此不再贅述。該犧牲層材料可以是磷酸玻璃、二氧化硅、多晶硅、多孔硅等。通過采用該犧牲層材料，在制作源極時(shí)，不會(huì)破壞犧牲層材料，從而可通過犧牲層將源極和漏極隔離。該步驟中，對(duì)于不同的犧牲層材料，需采用不同的刻蝕液，具體如下：若犧牲層材料為磷酸玻璃或者二氧化硅，則刻蝕液為氫氟酸；若犧牲層材料為多晶硅或者多孔硅，則刻蝕液為KOH溶液。

優(yōu)選的，為了避免隨后制作的源極與像素電極接觸，還可在像素電極的第一表面上制作犧牲層。

如圖5所示，為制作犧牲層后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。該犧牲層107位于絕緣層102的第一表面、漏極104的第一表面和像素電極103的第一表面上。

步驟S205：在絕緣層的第一表面和犧牲層的第一表面上制作源極，使柵極、源極和漏極形成微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)。

具體的，該步驟可通過光刻工藝在絕緣層的第一表面和犧牲層的第一表面上制作源極。該光刻工藝的具體過程與步驟S201相同，在此不再贅述。該步驟中，源極材料可選擇金屬導(dǎo)電材料或者半導(dǎo)體導(dǎo)電材料，因而，可采用磷酸、硝酸、醋酸等酸性刻蝕液。該源極材料可滿足超高頻驅(qū)動(dòng)的供電需求，從而可使制作得到的陣列基板同時(shí)滿足超低頻驅(qū)動(dòng)和超高頻驅(qū)動(dòng)的要求。通過上述的步驟，在后續(xù)步驟去除犧牲層后，可使位于犧牲層的第一表面上的源極懸空設(shè)置。

如圖6所示，為制作源極后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。該源極105位于絕緣層102的第一表面和犧牲層107的第一表面上。

步驟S206：去除犧牲層，得到陣列基板。

該步驟具體可通過腐蝕的方法去除犧牲層，得到如圖1所示的陣列基板。

通過上述方法制作的陣列基板，在柵極未加載電壓的狀態(tài)下，源極和漏極之間具有間隙，該源極和漏極之間不具有現(xiàn)有技術(shù)的溝道層連接兩者，因此，當(dāng)超低頻驅(qū)動(dòng)時(shí)不會(huì)產(chǎn)生漏電流；在柵極加載電壓的狀態(tài)下，可吸引源極，使源極和漏極接觸，從而可使電路導(dǎo)通。

優(yōu)選的，為了制作得到該陣列基板的微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)，步驟S205具體可包括如下的步驟：

第一步：在第一犧牲層的第一表面上制作第一部分源極。

如圖6所示，通過該步驟使第一部分源極1051和柵極104在基底101的正投影存在重疊區(qū)域。其中，第一犧牲層位于絕緣層101的第一表面上。

第二步，在第二犧牲層的第一表面上制作第二部分源極。

如圖6所示，通過該步驟使第二部分源極1052和漏極106在基底101的正投影存在重疊區(qū)域。其中，第二犧牲層位于漏極106的第一表面上。

如圖6所示，源極105包括上述的第一部分源極1051和第二部分源極1052。

通過上述的具體步驟得到的結(jié)構(gòu)，可使得在柵極加載電壓的狀態(tài)下，柵極可吸引第一部分源極向柵極方向移動(dòng)，從而可帶動(dòng)第二部分源極向漏極移動(dòng)，使第二部分源極與漏極接觸，導(dǎo)通電路。

優(yōu)選的，步驟S205還包括：

將源極與像素電極間隔設(shè)置。

如圖6所示，通過該具體的步驟，使源極105在基底101的正投影與像素電極103在基底101的正投影間隔第一距離，可確保源極105在柵極104的吸引下與漏極106接觸時(shí)，不會(huì)與像素電極103接觸，造成危險(xiǎn)。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法簡(jiǎn)單，通過該制作方法制作得到的陣列基板，由于設(shè)置了微電子機(jī)械系統(tǒng)開關(guān)，可使該陣列基板在超低頻驅(qū)動(dòng)時(shí)，源極和漏極之間不會(huì)產(chǎn)生漏電流，避免損壞陣列基板；此外，由于源極和漏極采用了導(dǎo)電率高的材料，該陣列基板還可同時(shí)滿足超高頻驅(qū)動(dòng)的要求。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置。該顯示裝置包括上述的陣列基板。該陣列基板的結(jié)構(gòu)在此不再贅述。

該顯示裝置由于具有上述的陣列基板，因此，可以在超低頻驅(qū)動(dòng)時(shí)，源極和漏極之間不會(huì)產(chǎn)生漏電流，避免損壞顯示裝置；此外，由于源極和漏極采用了導(dǎo)電率高的材料，還可同時(shí)滿足超高頻驅(qū)動(dòng)的要求。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。