本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種MEMS(微機電系統(tǒng))的制造工藝，尤其涉及一種改善MEMS器件犧牲層刻蝕粘結(jié)的方法。

背景技術(shù)：

微機電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)，是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等結(jié)構(gòu)與功能于一體的微型器件或系統(tǒng)。MEMS是在微電子基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，融合了光刻、腐蝕、薄膜、刻蝕、非硅加工和精密機械加工等技術(shù)，具有微小智能工藝兼容性好、成本低等諸多優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于傳感器、汽車、電子、生物及醫(yī)療等諸多領(lǐng)域。

在實現(xiàn)MEMS器件的機械性能的制作過程中，通常需要形成空腔結(jié)構(gòu)或者懸臂梁結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)中采用腐蝕犧牲層的方式來形成空腔結(jié)構(gòu)或者懸臂梁結(jié)構(gòu)，如圖1所示，主要包括以下步驟:

步驟S1：提供一基底層結(jié)構(gòu)。該基底層結(jié)構(gòu)可以為含有器件的半導(dǎo)體襯底，也可以為無器件的半導(dǎo)體襯底。

步驟S2：在基底層上淀積犧牲層材料。二氧化硅由于其易刻蝕性，刻蝕速率較快、對硅刻蝕選擇比較高等優(yōu)點成為犧牲層材料的主流選擇之一。

步驟S3：圖案化犧牲層，形成犧牲層圖形。犧牲層圖形為空腔結(jié)構(gòu)圖形或懸臂梁結(jié)構(gòu)圖形。

步驟S4：在犧牲層圖形上生長上層薄膜。通常，硅材料作為上層薄膜材料。

步驟S5：圖案化上層薄膜，形成犧牲層刻蝕開口。

步驟S6：通過犧牲層刻蝕開口刻蝕犧牲層，形成空腔結(jié)構(gòu)或懸臂梁結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)中采用濕法腐蝕二氧化硅犧牲層完成結(jié)構(gòu)的制作。

在上述步驟S6中，濕法腐蝕化學(xué)藥液通過犧牲層刻蝕開口進入到犧牲層中，由于濕法腐蝕的各向同性的特性，藥液在縱向刻蝕的同時進行橫向擴散，從而將犧牲層材料刻蝕干凈，保留上層薄膜，進而形成空腔結(jié)構(gòu)或者懸臂梁結(jié)構(gòu)。但是，由于濕法腐蝕是一種液相的腐蝕工藝，而上層薄膜材料與基底層間距較小，在濕法腐蝕最后的干燥過程中，隨著液體量的減少，受液體表面張力的作用，上層薄膜會受到向下的往基底層拉的力，從而造成如圖2所示的懸臂梁結(jié)構(gòu)13與下層基底層11的粘連現(xiàn)象或者空腔結(jié)構(gòu)(未在圖中表現(xiàn))的上層薄膜與下層基底層粘連而破裂坍塌的惡劣結(jié)果，從而造成最終器件結(jié)構(gòu)的破壞。因此，有必要改善制造工藝，避免上層薄膜材料和基底層材料之間的粘連。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服上述缺陷，提出了一種改善MEMS器件犧牲層刻蝕粘結(jié)的方法，避免了上層薄膜材料和基底層材料之間的粘連。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種改善MEMS器件犧牲層刻蝕粘結(jié)的方法，其主要包括以下步驟：

步驟S01：提供一基底層結(jié)構(gòu)；

步驟S02：刻蝕預(yù)處理所述基底層上表面，形成粗糙的基底層上表面；

步驟S03：在所述粗糙的基底層表面淀積犧牲層；

步驟S04：圖案化犧牲層，形成犧牲層圖形；

步驟S05：刻蝕預(yù)處理所述犧牲層圖形的上表面，形成粗糙的犧牲層圖形上表面；

步驟S06：在所述粗糙的犧牲層圖形上表面生長上層薄膜，使上層薄膜具有粗糙的下表面；

步驟S07：圖案化上層薄膜，形成犧牲層刻蝕開口；

步驟S08：通過犧牲層刻蝕開口刻蝕掉犧牲層材料。

優(yōu)選地，所述步驟S04中，所述犧牲層圖形為空腔結(jié)構(gòu)圖形或懸臂梁結(jié)構(gòu)圖形。

優(yōu)選地，所述步驟S02中，采用第一濕法刻蝕藥液刻蝕預(yù)處理所述基底層上表面。

優(yōu)選地，所述第一濕法刻蝕藥液為SC1混合藥液，所述SC1混合藥液由NH₄OH、H₂O₂和H₂O組成，NH₄OH、H₂O₂和H₂O的體積比為1:4:20～1:1:5，工藝溫度為30℃～70℃,刻蝕時間為30分鐘～90分鐘。

優(yōu)選地，所述步驟S05中，采用第二濕法刻蝕藥液刻蝕預(yù)處理所述犧牲層圖形的上表面。

優(yōu)選地，所述第二濕法刻蝕藥液為第一DHF稀釋藥液，所述第一DHF稀釋藥液由HF和H₂O組成，HF和H₂O的體積比為1:50～1:200，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30分鐘～60分鐘；或者所述第二濕法刻蝕藥液為第一BHF稀釋藥液，所述第一BHF稀釋藥液由HF、NH₄F和H₂O組成，HF、NH₄F和H₂O體積比為1:5:50～1:20:100，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30分鐘～60分鐘。

優(yōu)選地，所述步驟S01中，所述基底層的材質(zhì)為硅；所述步驟S03中，所述犧牲層的材質(zhì)為二氧化硅；所述步驟S06中,所述上層薄膜的材質(zhì)為硅。

優(yōu)選地，所述的第一BHF稀釋藥液由HF、NH₄F和H₂O組成，HF、NH₄F和H₂O體積比為1:5:50～1:20：100，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30～60分鐘。

優(yōu)選地，所述步驟S08中，采用第三濕法刻蝕藥液通過犧牲層刻蝕開口刻蝕掉犧牲層材料。

優(yōu)選地，所述第三濕法刻蝕藥液為第二DHF稀釋藥液，所述第二DHF稀釋藥液由HF和H₂O組成，HF和H₂O體積比為1:1～1:50，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30分鐘～60分鐘；或者所述第三濕法刻蝕藥液為第二BHF稀釋藥液，所述第二BHF稀釋藥液由NH₄F和HF組成，NH₄F和HF體積比為20:1～4:1，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30分鐘～60分鐘。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過增加基底層表面和上層薄膜材料下表面的粗糙度，減小了空腔結(jié)構(gòu)或者懸臂梁結(jié)構(gòu)的上層薄膜所受的向下的拉力,避免了在干燥過程中發(fā)生上層薄膜與基底層的的粘連、上層薄膜破裂或者坍塌等惡劣結(jié)果。因此，本發(fā)明可以確保MEMS器件結(jié)構(gòu)的完整有效，增加了器件的良品率。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有工藝中MEMS器件犧牲層刻蝕的工藝流程圖；

圖2是現(xiàn)有工藝中懸臂梁結(jié)構(gòu)發(fā)生粘結(jié)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的一種改善MEMS器件犧牲層刻蝕粘結(jié)的方法流程圖；

圖4-圖11是本發(fā)明一實施例中按照圖3所示的方法刻蝕犧牲層形成懸臂梁結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖12-圖19是本發(fā)明另一實施例中按照圖3所示的方法刻蝕犧牲層形成空腔結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合具體實施例，對本發(fā)明作進一步詳細的描述。

需要說明的是，在下述的具體實施方式中，在詳述本發(fā)明的實施方式時，為了清楚地表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)以便于說明，特對附圖中的結(jié)構(gòu)不依照一般比例繪圖，并進行了局部放大、變形及簡化處理，因此，應(yīng)避免以此作為對本發(fā)明的限定來加以理解。

當(dāng)液體與固體接觸時，液體與固體的表面張力互相作用使得他們之間的接觸程度不同，即有潤濕或者不潤濕狀態(tài)。固液接觸角是判定潤濕性好壞的依據(jù)。當(dāng)接觸角等于0度時，液體完全潤濕固體表面，液體在固體表面鋪展；當(dāng)接觸角小于90度時，可認為液體可潤濕固體；當(dāng)接觸角大于90度小于180度時，可認為液體不潤濕固體。當(dāng)接觸角等于180度時，液體在固體表面凝聚成小球，完全不潤濕。固液接觸角的大小與表面微結(jié)構(gòu)和表面化學(xué)性質(zhì)相關(guān)，在表面化學(xué)性質(zhì)無法改變的情況下，可以通過改變表面微結(jié)構(gòu)來改變固液接觸角，從而改善固液界面的潤濕性，以達到改變固液界面相互作用關(guān)系的目的。在MEMS犧牲層制作過程中，為了避免上層薄膜與基底層因液體表面張力而造成粘連、坍塌等現(xiàn)象，本發(fā)明通過將基底層上表面和犧牲層表面進行輕刻蝕，使基底層上表面和上層薄膜材料下表面的粗糙度增加，以減小在干燥過程中上層薄膜受到向下的往基底層拉的力，從而最終避免犧牲層刻蝕過程的粘連現(xiàn)象的發(fā)生，以確保MEMS器件結(jié)構(gòu)的完整有效。

實施例一

本實施例以犧牲層刻蝕后形成懸臂梁結(jié)構(gòu)為例，參考圖3，并結(jié)合參考圖4～11，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步的詳細說明。如圖3所示，本發(fā)明的一種改善MEMS器件犧牲層刻蝕粘結(jié)的方法，主要包括以下步驟：

步驟S01：提供一基底層結(jié)構(gòu)。

請參閱圖4。基底層結(jié)構(gòu)21可以為含有器件的半導(dǎo)體襯底，也可以為不含有器件的半導(dǎo)體襯底。通常，基底層結(jié)構(gòu)的上表面是光滑的，光滑表面更易造成液體在固體表面不潤濕，表面張力較大。在本實施例中，基底層的材質(zhì)為硅。當(dāng)然，也可以為其它適合材質(zhì)，本發(fā)明對此不作約束。

步驟S02：刻蝕預(yù)處理所述基底層上表面，形成粗糙的基底層上表面。

在該步驟中，為了減小固-液界面間相互作用，采用輕度刻蝕基底層21上表面的方式，增加基底層21上表面的粗糙度，刻蝕量非常小，僅達到粗糙化的效果。可以采用干法刻蝕或濕法刻蝕的方式執(zhí)行本步驟。在本實施例中，采用濕法刻蝕工藝，以SC1混合藥液為第一濕法刻蝕藥液，工藝溫度為30～70℃,刻蝕時間為30～90分鐘，輕微刻蝕基底層21上表面，刻蝕量非常小，僅達到粗糙表面的功效。該SC1混合藥液由NH₄OH，H₂O₂和H₂O組成，NH₄OH，H₂O₂及H₂O的體積比為1:4:20～1:1:5?？涛g后的基底層21上表面由光滑變?yōu)榇植冢鐖D5所示。

步驟S03：在所述粗糙的基底層表面淀積犧牲層。

在該步驟中，采用現(xiàn)有技術(shù)在粗糙的基底層21上表面淀積一層犧牲層22，通常包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積、等離子體沉積等。二氧化硅由于其易刻蝕性，刻蝕速率較快、對硅刻蝕選擇比較高等優(yōu)點成為犧牲層22材料的主流選擇之一。在本實施例中，犧牲層22為二氧化硅材料。如圖6所示，犧牲層22與粗糙的基底層21上表面相接觸的下表面，具有與粗糙的基底層22上表面相同的粗糙度。犧牲層22的上表面是光滑的。

步驟S04：圖案化犧牲層，形成犧牲層圖形。

在該步驟中，為了實現(xiàn)MEMS器件的機械性能，去掉犧牲層22中不需要的部分，形成空腔結(jié)構(gòu)或者懸臂梁結(jié)構(gòu)。在犧牲層22上表面涂布光刻膠后用干法等離子體將犧牲層22刻蝕掉一部分，圖案化犧牲層22，形成犧牲層圖形27。在本實施例中，犧牲層圖形27為懸臂梁結(jié)構(gòu)圖形，僅暴露出位于犧牲層單側(cè)的基底，最后形成由上層薄膜和基底層構(gòu)成的懸臂梁結(jié)構(gòu)29，如圖7所示。犧牲層圖形27下表面是粗糙的，上表面仍然是光滑的。當(dāng)然，也可以采用其它方式圖案化犧牲層，諸如硬掩膜等方式。

步驟S05：刻蝕預(yù)處理所述犧牲層圖形的上表面，形成粗糙的犧牲層圖形上表面。

由于上層薄膜是生長在犧牲層圖形27上，所以，增加犧牲層圖形27上表面的粗糙度相當(dāng)于增加上層薄膜下表面的粗糙度?？梢圆捎酶煞涛g或濕法刻蝕的方式執(zhí)行本步驟。如圖8所示，在本實施例中，使用第二濕法刻蝕藥液對犧牲層圖形27的上表面進行輕度刻蝕，形成粗糙的犧牲層圖形上表面。在濕法藥液腐蝕過程中，在步驟S04中因圖形化犧牲層而暴露出的粗糙的基底層表面也會受到部分刻蝕，為了避免基底層被過度刻蝕，可以選擇對二氧化硅刻蝕速度較快，對硅刻蝕選擇比較高的藥液作為第二刻蝕藥液。優(yōu)選地，可以采用第一DHF稀釋藥液作為第二濕法刻蝕藥液，該第一DHF稀釋藥液由HF和H₂O組成，HF和H₂O的體積比為1:50～1:200，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30～60分鐘?；蛘撸部梢圆捎玫谝籅HF稀釋藥液作為第二濕法刻蝕藥液，該第一BHF稀釋藥液由HF、NH₄F和H₂O組成，HF、NH₄F和H₂O體積比為1:5:50～1:20：100，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30～60分鐘。

步驟S06：在所述粗糙的犧牲層圖形上表面生長上層薄膜，使上層薄膜具有粗糙的下表面。

如圖9所示，由于犧牲層圖形27上表面是粗糙的，因此，與犧牲層圖形上表面接觸的上層薄膜23的下表面也是粗糙的，并具有相同的粗糙度。這種表面微結(jié)構(gòu)的變化會使在接下來的干燥過程中，減小固-液界面間相互作用。在本實施例中，上層薄膜23為硅材質(zhì)。生長上層薄膜的方式采用現(xiàn)有技術(shù)即可，在此不作贅述。

步驟S07：圖案化上層薄膜，形成犧牲層刻蝕開口。

在該步驟中，為了形成刻蝕犧牲層的開口，圖案化上層薄膜23。如圖10所示，在上層薄膜上表面涂布光刻膠后用干法等離子體將上層薄膜刻蝕掉一部分，形成犧牲層刻蝕開口28。在本實施例中，由于是形成懸臂梁結(jié)構(gòu)，所以，犧牲層刻蝕開口28位于懸臂梁的末端。在接下來的步驟中，第三濕法刻蝕藥液由犧牲層刻蝕開口28進入，與犧牲層接觸，并對犧牲層進行刻蝕，形成空腔結(jié)構(gòu)或懸臂梁結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，也可以采用其它方式圖案化上層薄膜，諸如硬掩膜等方式。

步驟S08：通過犧牲層刻蝕開口刻蝕掉所有犧牲層材料。

在該步驟中，根據(jù)設(shè)計的需要，需要形成位于基底層和上層薄膜之間的空腔或懸臂梁結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)器件的機械性能。可以采用干法刻蝕或濕法刻蝕的方式執(zhí)行本步驟。如圖11所示，在本實施例中，第三濕法刻蝕藥液由步驟S07所形成的犧牲層刻蝕開口28進入，與犧牲層22接觸，并對犧牲層22進行刻蝕，由于濕法刻蝕的各向同性的特性，第三濕法刻蝕藥液在縱向刻蝕的同時進行橫向擴散，從而將上層薄膜下的犧牲層材料刻蝕干凈，從而形成懸臂梁結(jié)構(gòu)29。在濕法藥液腐蝕過程中，在步驟S07中因上層薄膜被刻蝕掉而暴露出的上層薄膜的側(cè)壁30也會受到部分刻蝕，為了避免上層薄膜硅材質(zhì)被過度刻蝕，可以選擇對二氧化硅刻蝕速度較快，對硅刻蝕選擇比較高的藥液作為第三刻蝕藥液。優(yōu)選地，可以采用第二DHF藥液作為第三濕法刻蝕藥液，第二DHF稀釋藥液由HF和H₂O組成，HF和H₂O體積比為1:1～1:50，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30～60分鐘?；蛘?，也可以采用第二BHF藥液作為第三濕法刻蝕藥液，所述的第二BHF稀釋藥液由NH₄F和HF組成，NH₄F和HF體積比為20:1～4:1，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30～60分鐘。

在完成對犧牲層的刻蝕后，需要對刻蝕藥液進行干燥。在干燥過程中，隨著空腔結(jié)構(gòu)或者懸臂梁結(jié)構(gòu)29(即上層薄膜)與基底層21之間刻蝕藥液數(shù)量的減少，藥液與基底層表面和懸臂梁結(jié)構(gòu)29的下表面之間的作用力會逐漸增加，直至藥液與懸臂梁結(jié)構(gòu)29的下表面之間脫離接觸。本實施例中基底層表面和懸臂梁結(jié)構(gòu)29的下表面均為粗糙表面，藥液與粗糙表面之間的作用力小于藥液與光滑表面之間的作用力，因此減小了懸臂梁結(jié)構(gòu)29所受的向下的拉力。

實施例二

本實施例以犧牲層刻蝕后形成空腔結(jié)構(gòu)為例，參考圖3，并結(jié)合參考圖12～19，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步的詳細說明。如圖3所示，本發(fā)明的一種改善MEMS器件犧牲層刻蝕粘結(jié)的方法，主要包括以下步驟：

步驟S01：提供一基底層結(jié)構(gòu)31，如圖12所示。

步驟S02：刻蝕預(yù)處理所述基底層31上表面，形成粗糙的基底層上表面，如圖13所示。

步驟S03：在所述粗糙的基底層表面淀積犧牲層32，如圖14所示。

上述三個步驟所涉及的方法與結(jié)構(gòu)均與實施例一相同，在此不作重復(fù)描述。

步驟S04：圖案化犧牲層，形成犧牲層圖形37，如圖15所示。

在該步驟中，為了實現(xiàn)MEMS器件的機械性能，去掉犧牲層32中不需要的部分，形成空腔結(jié)構(gòu)或者懸臂梁結(jié)構(gòu)。在犧牲層32上表面涂布光刻膠后用干法等離子體將犧牲層32刻蝕掉一部分，圖案化犧牲層32，形成犧牲層圖形37。在本實施例中，犧牲層圖形為空腔結(jié)構(gòu)圖形37，暴露出位于犧牲層兩側(cè)的基底，最后形成由上層薄膜和基底層構(gòu)成的空腔結(jié)構(gòu)39，如圖15所示。犧牲層圖形37下表面是粗糙的，上表面仍然是光滑的。當(dāng)然，也可以采用其它方式圖案化犧牲層，諸如硬掩膜等方式。

步驟S05：刻蝕預(yù)處理所述犧牲層圖形37的上表面，形成粗糙的犧牲層圖形上表面,如圖16所示。

步驟S06：在所述粗糙的犧牲層圖形上表面生長上層薄膜33，使上層薄膜33具有粗糙的下表面,如圖17所示。

上述兩個步驟所涉及的方法與結(jié)構(gòu)均與實施例一相同，在此不作重復(fù)描述。

步驟S07：圖案化上層薄膜，形成犧牲層刻蝕開口38,如圖18所示。

在該步驟中，為了形成刻蝕犧牲層的開口，圖案化上層薄膜33。如圖18所示，在上層薄膜上表面涂布光刻膠后用干法等離子體將上層薄膜刻蝕掉一部分，形成犧牲層刻蝕開口38。在本實施例中，由于是形成空腔結(jié)構(gòu)，所以，犧牲層刻蝕開口38位于空腔結(jié)構(gòu)圖形37的上表面。在接下來的步驟中，第三濕法刻蝕藥液由犧牲層刻蝕開口38進入，與犧牲層接觸，并對犧牲層進行刻蝕，形成空腔結(jié)構(gòu)39。當(dāng)然，也可以采用其它方式圖案化上層薄膜，諸如硬掩膜等方式。

步驟S08：通過犧牲層刻蝕開口38刻蝕掉犧牲層材料。

在該步驟中，根據(jù)設(shè)計的需要，需要形成位于基底層和上層薄膜之間的空腔或懸臂梁結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)器件的機械性能?？梢圆捎酶煞涛g或濕法刻蝕的方式執(zhí)行本步驟。如圖19所示，在本實施例中，第三濕法刻蝕藥液由步驟S07所形成的犧牲層刻蝕開口38進入，與犧牲層32接觸，并對犧牲層32進行刻蝕，由于濕法刻蝕的各向同性的特性，第三濕法刻蝕藥液在縱向刻蝕的同時進行橫向擴散，從而將上層薄膜下的犧牲層材料刻蝕干凈，從而形成空腔結(jié)構(gòu)39。在濕法藥液腐蝕過程中，在步驟S07中因上層薄膜被刻蝕掉而暴露出的上層薄膜的側(cè)壁也會受到部分刻蝕，為了避免上層薄膜硅材質(zhì)被過度刻蝕，可以選擇對二氧化硅刻蝕速度較快，對硅刻蝕選擇比較高的藥液作為第三刻蝕藥液。優(yōu)選地，可以采用第二DHF藥液作為第三濕法刻蝕藥液，第二DHF稀釋藥液由HF和H₂O組成，HF和H₂O體積比為1:1～1:50，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30～60分鐘?；蛘?，也可以采用第二BHF藥液作為第三濕法刻蝕藥液，所述的第二BHF稀釋藥液由NH₄F和HF組成，NH₄F和HF體積比為20:1～4:1，工藝溫度為20℃～25℃，刻蝕時間為30～60分鐘。

在完成對犧牲層的刻蝕后，需要對刻蝕藥液進行干燥。在干燥過程中，隨著空腔結(jié)構(gòu)39內(nèi)刻蝕藥液數(shù)量的減少，藥液與基底層表面和上層薄膜33的下表面之間的作用力會逐漸增加，直至藥液與上層薄膜33的下表面之間脫離接觸。本實施例中基底層表面和上層薄膜33的下表面均為粗糙表面，藥液與粗糙表面之間的作用力小于藥液與光滑表面之間的作用力，因此減小了上層薄膜33所受的向下的拉力。

綜上所述，本發(fā)明通過增加基底層表面和上層薄膜材料下表面的粗糙度，減小了上層薄膜的空腔結(jié)構(gòu)或者懸臂梁結(jié)構(gòu)所受的向下的拉力,避免了在干燥過程中發(fā)生上層薄膜與基底層的的粘連、上層薄膜破裂或者懸臂梁斷裂等惡劣結(jié)果。因此，本發(fā)明可以確保MEMS器件結(jié)構(gòu)的完整有效，增加了器件的良品率。

以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述實施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護范圍，因此凡是運用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。